JPH0493059A - Semiconductor package - Google Patents

Semiconductor package

Info

Publication number
JPH0493059A
JPH0493059A JP21084890A JP21084890A JPH0493059A JP H0493059 A JPH0493059 A JP H0493059A JP 21084890 A JP21084890 A JP 21084890A JP 21084890 A JP21084890 A JP 21084890A JP H0493059 A JPH0493059 A JP H0493059A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
lead
tab
semiconductor
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21084890A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Fukuda
和彦 福田
Fushinobu Wakamoto
若本 節信
Takamichi Maeda
前田 崇道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP21084890A priority Critical patent/JPH0493059A/en
Publication of JPH0493059A publication Critical patent/JPH0493059A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To miniaturize and make thin a title package and make mountable the same with ease by joining electrically conductively a first outer lead in a TAB package and an inner lead disposed on the internal peripheral part of a package body. CONSTITUTION:A semiconductor package 10 comprises a TAB package 20 and a lead frame package 30. An outer lead 21 is disposed on the outer peripheral part of the TAB package 20. The lead frame package 30 includes a package body 32 composed of an insulating sealing material, on the internal peripheral part of which body an inner lead 31 is disposed and on the outer peripheral part a second outer lead 33 is disposed. The inner lead 31 and the outer lead 33 are integrally formed from a lead frame, and are connected with each other via a lead part sealed in the package body 32. The outer lead 21 and the inner lead 31 are joined with each other so as to be electrically conductive. For providing the compatibility with a general-purposed semiconductor package, the external size of the lead frame package 30 in a flat plane shape of the same is made identical to that of a standardized general-purposed semiconductor package for example.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体パッケージに関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to semiconductor packages.

[従来の技術] 従来、IC(集積回路)、LSI(大規模集積回路)な
どの半導体チップが実装された半導体パッケージとして
は、TAB (テープ・オートメチド・ボンディング)
パッケージ、モールドパッケージ、セラミックパッケー
ジ等が知られている。
[Prior art] Traditionally, semiconductor packages in which semiconductor chips such as ICs (integrated circuits) and LSIs (large scale integrated circuits) are mounted are manufactured using TAB (tape automated bonding).
Packages, mold packages, ceramic packages, etc. are known.

T A B パッケージは、TAB方式又はフィルムキ
ャリア方式と称される実装方式を用いて半導体チップを
配線等の施された可撓性テープ基板あるいはフィルム基
板に接合して作成される。
A T A B package is created by bonding a semiconductor chip to a flexible tape substrate or a film substrate provided with wiring, etc. using a mounting method called a TAB method or a film carrier method.

モールドパッケージ、セラミックパッケージは、ワイヤ
ボンディング方式、フリップチップ方式、ビームリード
方式などの実装方式を用いて半導体チップを金属性リー
ドフレームに接合すると共にモールド樹脂やセラミック
などの封止用材料により半導体チップを封止して作成さ
れる。
Mold packages and ceramic packages bond semiconductor chips to metal lead frames using mounting methods such as wire bonding, flip-chip, and beam lead methods, and also bond the semiconductor chips to metal lead frames using encapsulating materials such as mold resin and ceramics. Created by sealing.

従来のTABパッケージは、特にパッケージの小型・薄
型化に適したものとされている。
The conventional TAB package is considered to be particularly suitable for reducing the size and thickness of the package.

他方、従来のモールドパッケージ、セラミックパッケー
ジ等は、リードフレームの一部がアウタリードを構成し
ているので、アウタリードの強度が高(、しかもパッケ
ージ外形が標準化されているので、パッケージを実装基
板等に実装しゃすいという利点がある。
On the other hand, in conventional molded packages, ceramic packages, etc., part of the lead frame constitutes the outer lead, so the strength of the outer lead is high. It has the advantage of being compact.

[発明が解決しようとする課題] 半導体パッケージとしては一般に、小型・薄型化が可能
でしかも容易に実装可能であることが望まれている。
[Problems to be Solved by the Invention] It is generally desired that a semiconductor package be able to be made smaller and thinner, and moreover be easily mounted.

しかしながら、従来のTABパッケージに備えられるア
ウタリードは薄く強度が低いので、TABパッケージを
実装基板等に実装する際には、アウタリードの変形、断
線、ショート等が生じ易いため、その実装を容易に行う
ことができながった。
However, the outer leads provided in conventional TAB packages are thin and have low strength, so when mounting the TAB package on a mounting board, deformation, disconnection, short-circuiting, etc. of the outer leads are likely to occur. was completed.

このため、例えば、打ち抜き金型によりTABパッケー
ジのアウタリードの切断及びフォーミング処理を行い、
ボンディングツールによりTABパッケージの実装基板
への実装を行う方法が提案された。しかしながら、この
方法では、TABパッケージの外形が標準化されていな
いため、汎用性がなく、個別に金型やボンディングツー
ルを用意しなければならず、また、パッケージの個々に
ついての実装基板等へのボンディングであるため、例え
ばパッケージの実装に広く用いられている半田リフロー
装置に比べて処理能力は低くなり、実装コストは高く、
容易に実装することはできなかった。
For this reason, for example, the outer leads of the TAB package are cut and formed using a punching die.
A method was proposed for mounting a TAB package on a mounting board using a bonding tool. However, with this method, the external shape of the TAB package is not standardized, so it is not versatile, requires the preparation of individual molds and bonding tools, and the bonding of each package to the mounting board, etc. Therefore, compared to, for example, solder reflow equipment widely used for package mounting, the processing capacity is lower, the mounting cost is higher,
It was not easy to implement.

他方、モールドパッケージをTABパッケージなみに薄
くすることは、モールド樹脂等の流動性と半導体チップ
を含むパッケージ内部の構造を調節する必要があるなど
の理由から、困難であった。
On the other hand, it has been difficult to make a molded package as thin as a TAB package because of the need to adjust the fluidity of the molding resin and the internal structure of the package including the semiconductor chip.

本発明の目的は、小型・薄型化が可能であり且つ容易に
実装し得る半導体パッケージを提供することである。
An object of the present invention is to provide a semiconductor package that can be made smaller and thinner, and that can be easily mounted.

[課題を解決するための手段] 前述の目的を達成するために、本発明の半導体パッケー
ジは、可撓性テープ基板とテープ基板に接合された半導
体チップとテープ基板の外周部に配列された第1アウタ
リードとを有するTABパッケージと、TABパッケー
ジを囲む形状を有しており絶縁性の封止用材料から構成
されたパッケージ本体と、パッケージ本体の内周部に配
列されたインナリードと、パッケージ本体に封止された
リード部分を介してインナリードと一体的に接続されて
おりパッケージ本体の所定位置に配列された第2アウタ
リードとを備えており、第1アウタリードとインナリー
ドとを電気伝導可能に接合すると共にパッケージ本体が
所定の外形寸法を有するように構成したことを特徴とす
る。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the semiconductor package of the present invention includes a flexible tape substrate, a semiconductor chip bonded to the tape substrate, and semiconductor chips arranged on the outer periphery of the tape substrate. a TAB package having one outer lead, a package body having a shape surrounding the TAB package and made of an insulating sealing material, inner leads arranged on the inner periphery of the package body, and a package body. The package includes a second outer lead that is integrally connected to the inner lead through a lead portion sealed in the package body and arranged at a predetermined position in the package body, and allows electrical conduction between the first outer lead and the inner lead. It is characterized in that the package body is configured to have predetermined external dimensions while being joined together.

[作用] 本発明の半導体パッケージにおいては、TABパッケー
ジは、テープ基板の外周部に配列された第1アウタリー
ドを有している。パッケージ本体は、TABパッケージ
を囲む形状を有しており、インナリードは、パッケージ
本体の内周部に配列されており、第2アウタリードは、
パッケージ本体の所定位置に配列されている。そして、
第1アウタリードとインナリードとを電気伝導可能に接
合するように構成したので、半導体チップをパッケージ
本体内に封止する必要かなく、パッケージ本体を薄くす
ることができる。ここで、半導体チップを含むTABパ
ッケージ部分は従来同様薄型に構成可能であるので、本
発明の構成によれば、従来の半導体チップをパッケージ
本体内に封止したモールドパッケージ、セラミックパッ
ケージ等と比べて、半導体パッケージ全体を薄型に構成
することが可能になる。しかも、半導体パッケージのア
ウタリードとしての第2アウタリードは、従来のモール
ドパッケージ、セラミックパッケージ等の場合と同様に
十分な強度を持つように例えばリードフレームから作成
することができる。従って、従来のTABパッケージの
場合のように実装する際に発生するアウタリードの変形
、断線、ショート等を未然に防止することができ、即ち
、半導体パッケージの実装基板等への実装を容易とする
ことができる。更に、パッケージ本体が所定の外形寸法
を有するように構成したので、例えばパッケージ本体の
平面形状における外形寸法を標準化されたモールドパッ
ケージやセラミックパッケジなどの汎用半導体パッケー
ジと同じになるように構成すれば、本発明の半導体パッ
ケージに、これら汎用半導体パッケージと互換性を持た
せることができ、より容易に実装可能にすると共に汎用
性を高めることができる。また、同一のTABパッケー
ジを用いても、パッケージ本体の外形状を変えれば、様
々な使用ニーズに合った形状に整えることができるので
便利である。
[Function] In the semiconductor package of the present invention, the TAB package has first outer leads arranged around the outer periphery of the tape substrate. The package body has a shape that surrounds the TAB package, the inner leads are arranged on the inner periphery of the package body, and the second outer leads are
They are arranged at predetermined positions on the package body. and,
Since the first outer lead and the inner lead are configured to be electrically conductively joined, there is no need to seal the semiconductor chip within the package body, and the package body can be made thinner. Here, since the TAB package portion containing the semiconductor chip can be configured to be thin as in the conventional case, the configuration of the present invention is compared to the conventional mold package, ceramic package, etc. in which the semiconductor chip is sealed in the package body. , it becomes possible to configure the entire semiconductor package to be thin. Furthermore, the second outer lead serving as the outer lead of the semiconductor package can be made from, for example, a lead frame so as to have sufficient strength as in the case of conventional molded packages, ceramic packages, and the like. Therefore, it is possible to prevent deformation of the outer lead, disconnection, short circuit, etc. that occur during mounting as in the case of conventional TAB packages, and in other words, it is possible to easily mount the semiconductor package on the mounting board, etc. I can do it. Furthermore, since the package body is configured to have predetermined external dimensions, for example, if the package body is configured to have the same external dimensions in a planar shape as a general-purpose semiconductor package such as a standardized mold package or a ceramic package, The semiconductor package of the present invention can be made compatible with these general-purpose semiconductor packages, making it easier to mount and increasing versatility. Further, even if the same TAB package is used, by changing the outer shape of the package body, it is convenient because the shape can be tailored to meet various usage needs.

次に示す本発明の実施例から、本発明のこのような作用
がより明らかにされ、更に本発明の他の作用が明らかに
されよう。
These effects of the present invention will become clearer from the following examples of the present invention, and other effects of the present invention will become clearer.

[実施例] 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described based on the drawings.

本発明の第1実施例である半導体パッケージが、第1図
及び第2図に平面図及び断面図により夫々示されている
A semiconductor package according to a first embodiment of the present invention is shown in a plan view and a cross-sectional view in FIGS. 1 and 2, respectively.

第1図及び第2図において、半導体パッケージ10は、
TABパッケージ20と、TABパッケジ20を囲むリ
ードフレームパッケージ30とを備えている。TABパ
ッケージ20は、第1アウタリド21を備えている。リ
ードフレームパッケージ30はインナリード31を備え
ている。
In FIGS. 1 and 2, the semiconductor package 10 is
It includes a TAB package 20 and a lead frame package 30 surrounding the TAB package 20. The TAB package 20 includes a first outer lid 21. The lead frame package 30 includes inner leads 31.

アウタリード21とインナリード31とは電気伝導可能
に接合されている。このような接合方法としては、例え
ば、Au (金) −8n (錫)又は5nSn等によ
る熱圧着、半田付け、もしくは導電性接着剤により接合
する方法がある。
The outer lead 21 and the inner lead 31 are electrically conductively connected. Examples of such a joining method include thermocompression bonding using Au (gold)-8n (tin) or 5nSn, soldering, or joining using a conductive adhesive.

第4図及び第5図は夫々、TABパッケージ20の平面
図及び断面図である。
4 and 5 are a plan view and a cross-sectional view of the TAB package 20, respectively.

第4図及び第5図において、TABパッケージ20は、
可撓性テープ基板22を備えている。
In FIGS. 4 and 5, the TAB package 20 is
A flexible tape substrate 22 is provided.

テープ基板22は例えばポリイミドテープから構成され
ている。
The tape substrate 22 is made of polyimide tape, for example.

テープ基板22上には、アウタリード21を含む電気配
線が形成されている。このような配線は、例えば、銅、
錫、金、半田等の導電性材料を用いてのメツキ処理技術
等により形成されている。
Electric wiring including outer leads 21 is formed on the tape substrate 22. Such wiring is made of, for example, copper,
It is formed by plating technology using conductive materials such as tin, gold, and solder.

このようにして形成された配線の所定部分が夫々、半導
体チップ24の図示しない接続用パッドの夫々に電気的
接続されるように、半導体チップ24は、TAB方式に
よりテープ基板22に接合されている。
The semiconductor chip 24 is bonded to the tape substrate 22 by the TAB method so that predetermined portions of the wiring formed in this manner are electrically connected to respective connection pads (not shown) of the semiconductor chip 24. .

尚、TAB封止樹脂25により、配線と半導体チップ2
4との接続部分等は、樹脂封止されている。
Note that the wiring and the semiconductor chip 2 are sealed using the TAB sealing resin 25.
4 and the like are sealed with resin.

このように、TABパッケージ20においては、半導体
チップ24に対して所定の電気的接続が施されたアウタ
リード21がTABパッケージ20の外周部に沿って配
列されている。
In this way, in the TAB package 20, the outer leads 21, which are electrically connected to the semiconductor chip 24 in a predetermined manner, are arranged along the outer periphery of the TAB package 20.

第6図及び第7図は夫々、リードフレームパッケージ3
0の平面図及び断面図である。
6 and 7 respectively show the lead frame package 3.
0 is a plan view and a sectional view of FIG.

第6図及び第7図において、リードフレームパッケージ
30は、絶縁性の封止用材料から構成されたパッケージ
本体32を備えている。パッケージ本体32は、例えば
、モールド樹脂、セラミック、ガラス等から構成されて
おり、TABパッケージ20の平面図における外形より
も−回り大きい正方形の枠の形状を有している。
6 and 7, the lead frame package 30 includes a package body 32 made of an insulating sealing material. The package body 32 is made of, for example, molded resin, ceramic, glass, etc., and has a square frame shape that is larger in circumference than the outer shape of the TAB package 20 in a plan view.

パッケージ本体32の内周部には、インナリード3Iが
配列されている。パッケージ本体32の外周部には、第
2アウタリード33が配列されている。インナリード3
1とアウタリード33とは、リードフレムから一体的に
形成されており、パッケージ本体32に封止されたリー
ド部分を介して互いに接続されている。
Inner leads 3I are arranged on the inner periphery of the package body 32. Second outer leads 33 are arranged on the outer periphery of the package body 32 . inner lead 3
1 and the outer lead 33 are integrally formed from a lead frame and are connected to each other via a lead portion sealed in the package body 32.

リードフレームパッケージ3oは、例えば、リドフレー
ムを金型内に配置して樹脂を用いてトランスファモール
ド成型するか又は射出成型した後、リードフレームを所
定の位置で切断し、フォーミング処理を施して作成され
る。
The lead frame package 3o is created by, for example, placing a lead frame in a mold and performing transfer molding or injection molding using resin, and then cutting the lead frame at a predetermined position and performing a forming process. Ru.

第8図に、このようなリードフレームパッヶジ30を複
数含む多連リードフレームパッケージ5゜を示す。
FIG. 8 shows a multiple lead frame package 5° including a plurality of such lead frame packages 30.

第8図において、多連リードフレームパッヶジ50は、
第6図に示したリードフレームパッヶジ30を4つ含ん
でいる。多連リードフレームパッケージ50は、4組の
インナリード31及びアウタリド33となる部分を含む
リードフレーム4oを備えている。リードフレーム40
は、錫、金、半田等の導電性材料を用いてのメツキ処理
技術等により形成されている。
In FIG. 8, the multiple lead frame package 50 is
It includes four lead frame packages 30 shown in FIG. The multiple lead frame package 50 includes a lead frame 4o that includes four sets of inner leads 31 and outer leads 33. Lead frame 40
is formed by plating technology using conductive materials such as tin, gold, and solder.

多連リードフレームパッケージ5oは、リードフレーム
40において個々のリドフレームパッケーを形成すべき
部分の夫々に対して、前述のトランスファモールド成型
又は射出成型技術を連続的又は同時に適用して作成する
ことができる。
The multiple lead frame package 5o can be created by sequentially or simultaneously applying the above-described transfer molding or injection molding technique to each portion of the lead frame 40 where an individual lead frame package is to be formed. .

多連リードフレームパッケージ50に含まれる夫々のリ
ードフレームパッケージ30にTABパッケージ20を
搭載した後、リードフレーム40を切断し、さらにフォ
ーミング処理を施すことにより複数の半導体パッケージ
10を作成することができる。このようにすると、複数
の半導体パッケージIOを連続的又は同時に製造するこ
とができるので大変便利である。また、多連リードフレ
ームパッケジ50は、TABパッケージ20を搭載する
前に個々のリードフレームパッケージ30に切断されて
もよい。以上のように、多連リードフレームパッケジ5
0は、大量生産に適している。
After mounting the TAB package 20 on each lead frame package 30 included in the multiple lead frame package 50, a plurality of semiconductor packages 10 can be created by cutting the lead frame 40 and further performing a forming process. This is very convenient because a plurality of semiconductor packages IO can be manufactured continuously or simultaneously. Further, the multiple lead frame package 50 may be cut into individual lead frame packages 30 before mounting the TAB package 20 thereon. As mentioned above, the multiple lead frame package 5
0 is suitable for mass production.

リードフレームパッケージ30の平面形状における外形
寸法は、半導体パッケージ10に汎用性を持たせるよう
に、標準化されたモールドパッケージやセラミックパッ
ケージなどの汎用半導体パッテジと互換性を持たせたも
のとするのが好ましい。
The planar external dimensions of the lead frame package 30 are preferably compatible with general-purpose semiconductor packages such as standardized mold packages and ceramic packages so that the semiconductor package 10 has versatility. .

また、使用ニーズに合わせたものとしても良い。Further, it may be adapted to suit the needs of use.

尚、本第1実施例では、第2図から明らかなように、イ
ンナリード31が真直ぐなリード部分から構成されてお
り、パッケージ本体32の厚みはTABパッケージ20
の厚みより厚くなるように構成されている。
In the first embodiment, as is clear from FIG. 2, the inner lead 31 is composed of a straight lead portion, and the thickness of the package body 32 is equal to that of the TAB package 20.
It is configured to be thicker than the thickness of the

第3図に、本発明の第2実施例である半導体パッケージ
が、断面図により示されている。
FIG. 3 shows a cross-sectional view of a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention.

同図において、半導体パッケージ10aは、第1゜実施
例の場合と同じTABパッケージ20と、リドフレーム
パッケージ30a とから構成されている。
In the same figure, the semiconductor package 10a is composed of the same TAB package 20 as in the first embodiment and a lid frame package 30a.

リードフレームパッケージ30aにおいては、パッケー
ジ本体32aの厚みをTABパッケージ20の厚みと同
程度に薄く構成することができるようにインナリード3
1aは段状に曲げられて構成されている。従って、半導
体パッケージ10aの全体の厚みは半導体パッケージI
Oよりも薄くされており、即ち、第2実施例は第1実施
例よりも小型・薄型化の観点で有利である。
In the lead frame package 30a, the inner leads 3 are designed so that the thickness of the package body 32a can be made as thin as the thickness of the TAB package 20.
1a is bent into a stepped shape. Therefore, the overall thickness of the semiconductor package 10a is the semiconductor package I
In other words, the second embodiment is more advantageous than the first embodiment in terms of size and thickness.

尚、以上の実施例では、第2図及び第3図から分かるよ
うに、アウタリード33は段状に曲げられており、パッ
ケージ本体32の底面よりやや低い位置にありこの底面
と平行な直線部分を有している。
In the above embodiment, as can be seen from FIGS. 2 and 3, the outer lead 33 is bent in a stepped manner, and is located at a position slightly lower than the bottom surface of the package body 32, with a straight line portion parallel to this bottom surface. have.

従って、半導体パッケージ10.10aを図示しない実
装基板等に対して実装する際には、このアウタリード3
3の直線部分を従来のフラットパック方式と同様に実装
基板等の所定配線部分に接合することになる。しかしな
がら、アウタリード33の形状を、従来のデュアル・イ
ン−ライン型、ピン・グリッド・アレー型、チップキャ
リア型等のパッケジの有するアウタリードと同様の形状
に構成して、これらの従来の実装方式と同様に、アウタ
リド33を実装基板等の所定配線部分に接合するように
構成してもよい。
Therefore, when mounting the semiconductor package 10.10a on a mounting board (not shown), etc., the outer leads 3
The straight line portion 3 is bonded to a predetermined wiring portion of a mounting board or the like in the same manner as in the conventional flat pack method. However, the shape of the outer lead 33 is configured to be similar to the outer lead of the conventional dual in-line type, pin grid array type, chip carrier type, etc. Furthermore, the outer lead 33 may be configured to be bonded to a predetermined wiring portion of a mounting board or the like.

[発明の効果] 以上説明したように本発明の半導体パッケージによれば
、TABパッケージは、テープ基板の外周部に配列され
た第1アウタリードを有しており、パッケージ本体は、
TABパッケージを囲む形状を有しており、インナリー
ドは、パッケージ本体の内周部に配列されており、第1
アウタリードとインナリードとを電気伝導可能に接合す
るように構成したので、半導体パッケージ全体を薄型に
構成することが可能になる。しかも、半導体パッケジの
アウタリードとしての第2アウタリードは、十分な強度
を持つように作成することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the semiconductor package of the present invention, the TAB package has the first outer leads arranged on the outer periphery of the tape substrate, and the package body has the following features:
It has a shape that surrounds the TAB package, and the inner leads are arranged on the inner periphery of the package body, and the first
Since the outer lead and the inner lead are connected to each other so as to be electrically conductive, the entire semiconductor package can be made thin. Furthermore, the second outer lead serving as the outer lead of the semiconductor package can be made to have sufficient strength.

従って、半導体パッケージの実装基板等への実装を容易
とすることができる。更に、パッケージ本体が所定の外
形寸法を有するように構成したので、例えばパッケージ
本体の平面形状における外形寸法を標準化された汎用半
導体パッケージと同じになるように構成すれば、本発明
の半導体パッケージに、これら汎用半導体パッケージと
互換性を持たせることができ、より容易に実装可能にす
ると共に汎用性を高めることができる。また、同一のT
ABパッケージを用いても、パッケージ本体の外形状を
変えれば、様々な使用ニーズに合った形状に整えること
ができるので便利である。この結果、本発明によれば、
小型・薄型化が可能であり且つ容易に実装し得る半導体
パッケージを提供することができる。
Therefore, it is possible to easily mount the semiconductor package onto a mounting board or the like. Furthermore, since the package body is configured to have predetermined external dimensions, for example, if the package body is configured to have the same external dimensions in a planar shape as a standardized general-purpose semiconductor package, the semiconductor package of the present invention can have the following properties: It can be made compatible with these general-purpose semiconductor packages, making it easier to mount and increasing versatility. Also, the same T
Even when an AB package is used, it is convenient because by changing the outer shape of the package body, it can be shaped to suit various usage needs. As a result, according to the present invention,
A semiconductor package that can be made smaller and thinner and easier to mount can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1実施例を示す平面図、第2図は第
11図のA−A断面図、第3図は本発明の第2実施例を
示す断面図、第4図は第1実施例のTABパッケージを
示す平面図、第5図は第4図のA−A断面図、第6図は
第1実施例のリードフレームパッケージを示す平面図、
第7図は第6図のA、−A断面図、第8図は複数の第6
図のリードフレームパッケージを含む多連リードフレー
ムパッケージの平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 11, FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention, and FIG. A plan view showing the TAB package of the first embodiment, FIG. 5 is a sectional view taken along line AA in FIG. 4, and FIG. 6 is a plan view showing the lead frame package of the first embodiment.
Figure 7 is a cross-sectional view of A and -A in Figure 6, and Figure 8 is a cross-sectional view of multiple
FIG. 2 is a plan view of a multiple lead frame package including the lead frame package shown in the figure.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  可撓性テープ基板と該テープ基板に接合された半導体
チップと該テープ基板の外周部に配列された第1アウタ
リードとを有するTABパッケージと、該TABパッケ
ージを囲む形状を有しており絶縁性の封止用材料から構
成されたパッケージ本体と、該パッケージ本体の内周部
に配列されたインナリードと、前記パッケージ本体に封
止されたリード部分を介して前記インナリードと一体的
に接続されており前記パッケージ本体の所定位置に配列
された第2アウタリードとを備えており、前記第1アウ
タリードと前記インナリードとを電気伝導可能に接合す
ると共に前記パッケージ本体が所定の外形寸法を有する
ように構成したことを特徴とする半導体パッケージ。
A TAB package including a flexible tape substrate, a semiconductor chip bonded to the tape substrate, and first outer leads arranged around the outer periphery of the tape substrate; A package body made of a sealing material, inner leads arranged on the inner periphery of the package body, and integrally connected to the inner leads through lead portions sealed in the package body. and a second outer lead arranged at a predetermined position of the package main body, the first outer lead and the inner lead are electrically conductively joined, and the package main body is configured to have a predetermined external dimension. A semiconductor package characterized by:
JP21084890A 1990-08-08 1990-08-08 Semiconductor package Pending JPH0493059A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21084890A JPH0493059A (en) 1990-08-08 1990-08-08 Semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21084890A JPH0493059A (en) 1990-08-08 1990-08-08 Semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0493059A true JPH0493059A (en) 1992-03-25

Family

ID=16596112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21084890A Pending JPH0493059A (en) 1990-08-08 1990-08-08 Semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0493059A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188285A (en) * 1992-12-16 1994-07-08 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2010267976A (en) * 2010-06-10 2010-11-25 Mitsubishi Electric Corp Electronic component mounting structure and on-board sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188285A (en) * 1992-12-16 1994-07-08 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2010267976A (en) * 2010-06-10 2010-11-25 Mitsubishi Electric Corp Electronic component mounting structure and on-board sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4870224A (en) Integrated circuit package for surface mount technology
KR100219791B1 (en) Semiconductor device manufacture thereof and manufacture of leadframe
US7405104B2 (en) Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same
US4891687A (en) Multi-layer molded plastic IC package
US5637828A (en) High density semiconductor package
US5227662A (en) Composite lead frame and semiconductor device using the same
US7799611B2 (en) Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging
US4835120A (en) Method of making a multilayer molded plastic IC package
US6867066B2 (en) Method for production of a semiconductor device with package that includes an insulator frame on a metal member
US4012766A (en) Semiconductor package and method of manufacture thereof
JP3207738B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH05343588A (en) Partial mold-type pcb chip-carrier type package
JPH08148603A (en) Ball grid array type semiconductor device and manufacture thereof
WO2004064144A2 (en) Semiconductor packaging with a partially prepatterned lead frame and method of manufacturing the same
KR19990083550A (en) Molded semiconductor device and method for manufacturing the same, lead frame
KR20050066999A (en) A method of manufacturing semiconductor device
KR100226335B1 (en) Molded plastic packaging of electronic devices
US5445995A (en) Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink
US20020003308A1 (en) Semiconductor chip package and method for fabricating the same
US5708295A (en) Lead frame and method of manufacturing the same, and resin sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2000299423A (en) Lead frame, semiconductor device using the same and manufacture thereof
JP2569400B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
JPH0493059A (en) Semiconductor package
JP3466354B2 (en) Semiconductor device
JP2001177007A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof