JPH0492897A - Method and apparatus for chemical vapor-phase growth of tantalum oxide film - Google Patents
Method and apparatus for chemical vapor-phase growth of tantalum oxide filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は容量絶縁膜である酸化タンタル膜の化学気相成
長法および化学気相成長装置に関し、特に電子サイクロ
トロン共鳴く以下ＥＣＲと略す）プラズマ化学反応によ
り酸化タンタル膜を形成する化学気相成長法および化学
気相成長装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a chemical vapor deposition method and a chemical vapor deposition apparatus for a tantalum oxide film, which is a capacitive insulating film, and particularly relates to an electron cyclotron resonance (hereinafter abbreviated as ECR) plasma. The present invention relates to a chemical vapor deposition method and a chemical vapor deposition apparatus for forming a tantalum oxide film through a chemical reaction.
従来、酸化タンタル膜の形成方法として、原料ガスに有
機物であるタンタルペンタエトキシド（Ｔａ （ＱＣ２
Ｈ５） ５ ）あるいはタンタルペンタメトキシド（Ｔ
ａ （ＱＣＨ５） ５ ）と酸素ガスを用いて、酸化
タンタル膜を形成する熱化学気相成長法がある。第４図
に従来の形成方法に用いた化学気相成長装置の模式的構
造図を示す。この装置を用いた酸化タンタル膜の形成方
法の手順を以下に説明する。Conventionally, as a method for forming a tantalum oxide film, tantalum pentaethoxide (Ta (QC2
H5) 5) or tantalum pentamethoxide (T
There is a thermal chemical vapor deposition method in which a tantalum oxide film is formed using a (QCH5) 5 ) and oxygen gas. FIG. 4 shows a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus used in the conventional formation method. The procedure for forming a tantalum oxide film using this apparatus will be described below.
酸素ガスは酸素ガス導入管４０７からバルブ４１２を通
して石英製の反応炉４０１へ導入され、また有機タンタ
ルガスとしてキャリアガスであるアルゴンガスを用いて
熱せられた原料有機タンタルをバルブ４１４を通して反
応炉４０１へ導入する。ここで、原料有機タンタルはヒ
ータ４０３で加熱され、キャリアガスであるアルゴンガ
スはアルゴンガス導入管４０８からバルブ４１３を通っ
て気化室４０５へ導入される。ヒータ４０２により石英
製の反応炉４０１内は熱せられており、ウェハ４０４の
シリコン基板表面上で導入されたタンタルガスおよび酸
素ガスが化学気相反応を起こし、酸化タンタル膜が形成
される。なお、４０６はパージ用のアルゴンガス導入管
、４０９は真空ポンプ、４１０は排気口である。Oxygen gas is introduced into the quartz reactor 401 from an oxygen gas inlet pipe 407 through a valve 412, and raw material organic tantalum heated using argon gas as a carrier gas is introduced into the reactor 401 through a valve 414. Introduce. Here, the raw material organic tantalum is heated by a heater 403, and argon gas as a carrier gas is introduced into the vaporization chamber 405 from an argon gas introduction pipe 408 through a valve 413. The interior of a quartz reactor 401 is heated by a heater 402, and tantalum gas and oxygen gas introduced onto the surface of a silicon substrate of a wafer 404 cause a chemical vapor phase reaction to form a tantalum oxide film. Note that 406 is an argon gas introduction pipe for purging, 409 is a vacuum pump, and 410 is an exhaust port.
ここで酸化タンタル膜の化学気相成長条件として、ヒー
タ４０３による有機タンタルの加熱温度は１００〜２Ｏ
０℃、ヒータ４０２による反応炉４０１内の成長温度は
２Ｏ０〜６００℃、酸素ガス導入管４０７からの酸素流
量は０．１〜５．０ＳＬＭ、キャリアガスであるアルゴ
ンガスの流量は１０〜２Ｏ０ＳＣＣｍ、成膜時の圧力は
１０〜１０２Ｐａで行うのが一般的である。Here, as the chemical vapor growth conditions for the tantalum oxide film, the heating temperature of the organic tantalum by the heater 403 is 100 to 200
0° C., the growth temperature in the reactor 401 by the heater 402 is 200 to 600° C., the oxygen flow rate from the oxygen gas introduction pipe 407 is 0.1 to 5.0 SLM, the flow rate of argon gas as a carrier gas is 10 to 200 SCCm, The pressure during film formation is generally 10 to 102 Pa.
上述した従来の化学気相成長法による酸化タンタル膜の
形成方法ては以下に述べる問題点かある。The conventional method of forming a tantalum oxide film using the chemical vapor deposition method described above has the following problems.
原料ガスとしてタンタルペンタエトキシド（Ｔ ａ （
ＱＣ２Ｈ５） ５）やタンタルペンタメトキシド（Ｔａ
（ＯＣＨｓ ）５ ＞などの有機タンタル材料ガスと
酸素ガスとを用いて形成した場合、ストイキオメトリ（
ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｙ）でない酸素不足な膜にな
り、ピンホールも多く存在し、酸化タンタル膜中に多量
の炭素が不純物として取り込まれる。そのため従来の技
術により形成した酸化タンタル膜のリーク電流は大きく
、信頼性が悪い。Tantalum pentaethoxide (T a (
QC2H5) 5) and tantalum pentamethoxide (Ta
When formed using an organic tantalum material gas such as (OCHs)5> and oxygen gas, the stoichiometry (
This results in an oxygen-deficient film that is not stoichiometric, has many pinholes, and a large amount of carbon is incorporated into the tantalum oxide film as an impurity. Therefore, the leakage current of the tantalum oxide film formed by the conventional technique is large and the reliability is poor.
さらに加えると、上記に述べた方法で形成した酸化タン
タル膜のリーク電流を抑えるためには、一般に酸化タン
タル膜を形成した後、通常の電気炉で酸素あるいはＨ２
−０２雰囲気中による１０００℃の高温熱処理が必要と
され、超ＬＳＩには適用できない。In addition, in order to suppress the leakage current of the tantalum oxide film formed by the method described above, generally after forming the tantalum oxide film, it is heated using oxygen or H2 in a normal electric furnace.
It requires high-temperature heat treatment at 1000° C. in a -02 atmosphere and cannot be applied to VLSIs.
上述した従来の化学気相成長法による酸化タンタル膜の
形成方法に対して、本発明はハロゲン系または有機系の
タンタル材料ガスと酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスとを用い
たＥＣＲプラズマ化学反応による酸化タンタル膜の化学
気相成長方法であるという点において相違点を有する。In contrast to the conventional method of forming a tantalum oxide film using the chemical vapor deposition method described above, the present invention employs an oxidation method using an ECR plasma chemical reaction using a halogen-based or organic tantalum material gas and dinitrogen oxide (N2O) gas. The difference is that it is a chemical vapor deposition method for tantalum films.
本発明はハロゲン系または有機系のタンタル材料ガスと
酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスとを用いて、ＥＣＲプラズマ
化学反応により酸化タンタル膜を形成する方法および装
置であり、さらに水素（Ｈ２）ガスを用いた成膜も可能
であることを特徴とする化学気相成長方法および装置で
ある。The present invention is a method and apparatus for forming a tantalum oxide film by ECR plasma chemical reaction using a halogen-based or organic tantalum material gas and dinitrogen oxide (N2O) gas, and further uses hydrogen (H2) gas. This chemical vapor deposition method and apparatus are characterized in that they can also form a film using a chemical vapor deposition method.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
ＥＣＲプラズマ化学反応による化学気相成長装置の一実
施例の模式的構造図を第１図に示す。この装置を用いた
酸化タンタル膜の形成方法の手順は以下の通りである。FIG. 1 shows a schematic structural diagram of an embodiment of a chemical vapor deposition apparatus using ECR plasma chemical reaction. The procedure for forming a tantalum oxide film using this apparatus is as follows.
まずヒータ１０７によりタンタル原料タンク１０５の気
化室１０６で気化したハロゲン系あるいは有機系のタン
タルガス（キャリアカスとして導入管１０１からのアル
ゴンガスを用いる）および導入管１０４からの酸化二窒
素（Ｎ ２Ｏ）ガスをプラズマ室１１２へ導入する。次
に磁気コイル１１４により磁界を印加し、マイクロ波発
振器１０８によって発生したマイクロ波を、アイソレー
タ１０９．パワーメータ１１０、導波管１１１を経てプ
ラズマ室１１２へ照射することにより、プラズマ室１１
２内でプラズマ状態が生じる。これはマイクロ波の周波
数と磁界による電子の回転周期が一致すると、サイクロ
トロン共鳴を起こし、マイクロ波のエネルギーを吸収し
た電子が、加速されガス分子に衝突しイオン化するため
である。このプラズマ状態を発散磁界構造によって反応
室１１３へ引出すことにより、ウェハ１１５上に酸化タ
ンタル膜を形成する。なお、１２Ｏ〜１２５はガス導入
配管途中に設けたバルブ、１１８は真空ポンプ、１１９
は排気口である。First, halogen-based or organic tantalum gas (argon gas from the introduction pipe 101 is used as a carrier gas) vaporized in the vaporization chamber 106 of the tantalum raw material tank 105 by the heater 107 and dinitrogen oxide (N2O) from the introduction pipe 104. Gas is introduced into the plasma chamber 112. Next, a magnetic field is applied by the magnetic coil 114, and the microwave generated by the microwave oscillator 108 is transmitted to the isolator 109. By irradiating the plasma chamber 112 through the power meter 110 and the waveguide 111, the plasma chamber 11
A plasma state occurs within 2. This is because when the frequency of the microwave and the period of rotation of electrons caused by the magnetic field match, cyclotron resonance occurs, and the electrons that absorb the energy of the microwave are accelerated and collide with gas molecules, becoming ionized. A tantalum oxide film is formed on the wafer 115 by extracting this plasma state into the reaction chamber 113 using a diverging magnetic field structure. In addition, 12O to 125 are valves installed in the middle of the gas introduction pipe, 118 is a vacuum pump, and 119 is a vacuum pump.
is an exhaust port.
また、上記の酸化タンタル膜の形成方法において、水素
（Ｈ２）ガスを導入管１０３より成膜形成時にプラズマ
室１１２内へ導入することにより、酸化タンタル膜の膜
質を向上てき、特にハロゲン系のタンタル材料ガスにお
いて効果がある。In addition, in the method for forming a tantalum oxide film described above, the film quality of the tantalum oxide film can be improved by introducing hydrogen (H2) gas into the plasma chamber 112 through the introduction tube 103 during film formation, and in particular, the quality of the tantalum oxide film can be improved. Effective for material gases.
これは導入した水素（Ｈ２）により、ハロゲン系タンタ
ル材料ガスがハロゲン元素と化学反応を起こすため、水
素（Ｈ２）を用いない場合と比べて酸化タンタル膜中に
含まれるハロゲン元素などの不純物を少なくできるなめ
である。This is because the introduced hydrogen (H2) causes a chemical reaction between the halogen-based tantalum material gas and the halogen element, so impurities such as halogen elements contained in the tantalum oxide film are reduced compared to when hydrogen (H2) is not used. It is a lick that can be done.
成長条件として、ヒータ１０７によるハロゲン系あるい
は有機系のタンタル材料カス配管の加熱温度は５０〜２
Ｏ０℃、試料ホルダ１１７のヒータ１１６による反応室
内の成長温度は１００〜６００℃、酸化二窒素ガス流量
は０．１〜５．○ＳＬＭ、キャリアガスであるアルゴン
カスの流量は１０〜２Ｏ０ｓｅｃｍ、成膜時の圧力は１
０−２〜１０〜’Ｐａ、また水素（Ｈ２）ガス流量は０
〜３、Ｏ３ＬＭ、さらに磁場の条件はＯ〜１０ＫＧて行
うのか適しているが他の条件ても本発明の効果はある。As a growth condition, the heating temperature of the halogen-based or organic tantalum material waste piping by the heater 107 is 50 to 2
O0°C, the growth temperature in the reaction chamber by the heater 116 of the sample holder 117 is 100-600°C, and the dinitrogen oxide gas flow rate is 0.1-5. ○ SLM, the flow rate of the argon gas which is the carrier gas is 10 to 200 sec, and the pressure during film formation is 1
0-2~10~'Pa, and hydrogen (H2) gas flow rate is 0
~3, O3LM, and the magnetic field condition is O ~ 10KG is suitable, but the effect of the present invention can be obtained under other conditions.
また、酸化二窒素（Ｎ ２Ｏ）カス以外に酸素（０２）
、酸化窒素（ＮＯ）、−酸化炭素（ＣＯ）や二酸化炭素
（ＣＯ２＞などを用いても本発明には有効である。In addition to dinitrogen oxide (N2O) scum, oxygen (02)
, nitrogen oxide (NO), -carbon oxide (CO), carbon dioxide (CO2>, etc.) are also effective in the present invention.
また、フロン（ＣＦ４）ガスなとのフッ素系ハロゲン化
合物ガスを、フロンカス導入管１０２から反応室１１３
に導入することによって反応室内の清浄機能を得ること
ができる。In addition, a fluorine-based halogen compound gas such as fluorocarbon (CF4) gas is introduced into the reaction chamber 113 from the fluorocarbon gas introduction pipe 102.
By introducing it into the reaction chamber, a cleaning function can be obtained within the reaction chamber.
本実施例に用いた酸化タンタル膜を容量デバイスに適用
した場合の応用例の工程断面図を第２図に示す。第２図
（ａ＞はＳｉ基板２Ｏ１上に熱Ｓ ｉ ０２ Ｍ ２Ｏ
２を形成した後、コンタクトホールを開け、リンドープ
した容量ポリシリコン膜２Ｏ３を堆積しパターン化した
図である。次に上述した試料上へ原料としてハロゲン系
あるいは有機系のタンタル材料ガスと酸化二窒素（Ｎ２
Ｏ）ガスとを用い、ＥＣＲプラズマ化学反応により容量
絶縁膜２Ｏ４である酸化タンタル膜を形成したものを第
２図（ｂ）に示す。ここで、酸化タンタル膜の成長条件
は、本実施例で上述したのと同一条件で行った。第２図
（ｃ）は上記の試料にプレート電極２Ｏ５としてタング
ステンシリサイド膜を形成した図である。FIG. 2 shows a process cross-sectional view of an application example in which the tantalum oxide film used in this example is applied to a capacitive device. Figure 2 (a> shows heat S i 02 M 2O on Si substrate 2O1
2 is a diagram in which a contact hole is opened after 2O3 is formed, and a phosphorus-doped capacitive polysilicon film 2O3 is deposited and patterned. Next, a halogen-based or organic tantalum material gas and dinitrogen oxide (N2
FIG. 2(b) shows a tantalum oxide film, which is a capacitor insulating film 2O4, formed by an ECR plasma chemical reaction using 0) gas. Here, the tantalum oxide film was grown under the same conditions as described above in this example. FIG. 2(c) is a diagram in which a tungsten silicide film is formed as a plate electrode 2O5 on the above sample.
次に、本実施例に基づき作製したデバイスのリーク電流
特性のグラフを第３図に示す。ここで、従来の熱化学気
相成長法により形成した酸化タンタル膜のリーク電流特
性と合わせて示す。図において、横軸は容量絶縁膜に印
加した電界、縦軸は容量絶縁膜に流れるリーク電流を示
す。Next, FIG. 3 shows a graph of leakage current characteristics of the device manufactured based on this example. Here, the leakage current characteristics of a tantalum oxide film formed by a conventional thermal chemical vapor deposition method are also shown. In the figure, the horizontal axis shows the electric field applied to the capacitive insulating film, and the vertical axis shows the leakage current flowing through the capacitive insulating film.
本発明により形成された容量絶縁膜では、従来法により
形成された容量絶縁膜と比較してリーク電流が数桁以上
も大幅に減少できる。この理由として以下の２つが挙げ
られる。■ＥＣＲプラズマ化学反応を用いているため、
酸化タンタル膜の形成時にタンクルイオンや酸素イオン
などにより膜表面がたたかれ、緻密な酸化タンタル膜か
形成される６■従来の形成法では成膜時の圧力が１０〜
１０２Ｐａであるのに対し、本発明による成膜時の圧力
か１０−２〜１Ｏ−ＩＰａと非常に高真空で形成できる
ため、酸化タンタル膜中に含まれる不純物が少なく、形
成した酸化タンタル膜の組成がストイキオメトリに近い
Ｔａ２Ｏ，になっている、
以上、第２図の応用例では酸化タンタル膜を容量ポリシ
リコン膜上に形成する方法について説明したが、ポリシ
リコン以外にＳｉ基板上、他の半導体基板上、タングス
テンシリサイド膜などのシリサイド膜上、ポリシリコン
とシリサイド膜を積層にしたポリサイド膜上、窒化チタ
ン膜などの窒化金属膜上あるいはタングステンなどの高
融点金属膜上にも本発明は有効である。In the capacitive insulating film formed according to the present invention, leakage current can be significantly reduced by several orders of magnitude compared to a capacitive insulating film formed by a conventional method. There are two reasons for this as follows. ■Because it uses ECR plasma chemical reaction,
During the formation of a tantalum oxide film, the film surface is struck by tantalum ions, oxygen ions, etc., forming a dense tantalum oxide film. 6. In the conventional formation method, the pressure during film formation is
102 Pa, the film can be formed in a very high vacuum with the pressure during film formation according to the present invention being 10-2 to 1 O-IPa, so the tantalum oxide film contains less impurities and the formed tantalum oxide film has a lower The composition is Ta2O, which is close to stoichiometry.The application example shown in Figure 2 describes a method for forming a tantalum oxide film on a capacitive polysilicon film. The present invention can also be used on semiconductor substrates such as tungsten silicide films, silicide films such as tungsten silicide films, polycide films made of a stack of polysilicon and silicide films, metal nitride films such as titanium nitride films, and high melting point metal films such as tungsten. It is valid.
また応用例では、容量ポリシリコン膜上に酸化タンタル
膜を形成する方法を説明したが、酸化膜（ＳｉＯｚ＞や
窒化膜（Ｓｉ３ Ｎ４ ）など他の絶縁膜上に形成した
場合、例えば酸化タンタル膜／酸化膜（ＳｉＯ２）、酸
化タンタル膜／窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）などの積層膜の場
合にも本発明を用いることができる。In addition, in the application example, we explained a method of forming a tantalum oxide film on a capacitive polysilicon film, but if it is formed on another insulating film such as an oxide film (SiOz> or a nitride film (Si3N4)), for example, a tantalum oxide film The present invention can also be applied to laminated films such as /oxide film (SiO2) and tantalum oxide film/nitride film (Si3N4).
また、応用例ではプレート電極としてタングステンシリ
サイド膜について説明したが、それ以外にタングステン
シリサイド膜以外のシリサイド膜、ポリシリコン膜、ポ
リシリコンとシリサイド膜を積層にしたポリサイド膜、
窒化チタン膜などの窒化金属膜、タングステンなどの高
融点金属膜あるいはそれらの積層膜にも本発明は有効で
ある。In addition, in the application example, a tungsten silicide film was explained as a plate electrode, but other than that, silicide films other than tungsten silicide film, polysilicon film, polycide film which is a stack of polysilicon and silicide film,
The present invention is also effective for metal nitride films such as titanium nitride films, high melting point metal films such as tungsten, or laminated films thereof.
以上説明したように本発明はハロゲン系あるいは有機系
のタンタル材料ガスと酸化二窒素＜Ｎ２Ｏ）とを用いた
ＥＣＲプラズマ化学反応で酸化タンタル膜を形成するこ
とにより、従来の形成方法と比較して緻密で酸化タンタ
ル膜中に存在する不純物が少なく、しかもストイキオメ
トリなＴａ２Ｏ５になり、リーク電流の少ない良質な優
良絶縁膜を形成できる効果かある。As explained above, the present invention forms a tantalum oxide film through an ECR plasma chemical reaction using a halogen-based or organic tantalum material gas and dinitrogen oxide (<N2O), which is superior to conventional formation methods. This results in a dense tantalum oxide film with few impurities and stoichiometric Ta2O5, which has the effect of forming a high-quality, high-quality insulating film with little leakage current.
第１図は本発明による化学気相成長装置の一実施例を示
す模式的構造図、第２図は本実施例をデバイスに適用し
た場合の形成手順を示す断面図、第３図は本実施例によ
り形成された酸化タンタル膜のリーク電流特性を示すグ
ラフ、第４図は従来の酸化タンタル膜形成に用いた化学
気相成長装置の模式的構造である。
１０１・・・アルゴンカス導入管、１０２・・・フロン
ガス導入管、１０３・・・水素カス導入管、１０４・・
酸化二窒素ガス導入管、１０５・・・タンタル原料タン
ク、１０６・・・気化室、１０７・・・ヒータ、１０８
・・マイクロ波発振器、１０９・・・アイソレータ、１
１０・・・パワーメータ、１１１・・・導波管、１１２
・・・プラズマ室、１１３・・・反応室、１１４・・・
磁気コイル、１１５・・・ウェハ、１１６・・・ヒータ
、１１７・・試料ホルダ、１１８・・・真空ポンプ、１
１つ・・・排気口、１２Ｏ〜１２５・・・バルブ、２Ｏ
１・・・Ｓｉ基板、２Ｏ２・・・ＳｉＯ２膜、２Ｏ３・
・・容量ポリシリコン膜、２Ｏ４・・・容量絶縁膜、２
Ｏ５・・プレート電極、４０１・・・石英製の反応炉、
４０２・・・ヒータ、４０３・・・ヒータ、４０４・・
・ウェハ ４０５・・気化室、４０６・・・アルゴンガ
ス導入管、４０７・・・酸素ガス導入管、４０８・・・
キャリアガスであるアルゴンカス導入管、４０９・・・
真空ポンプ、４１０・・・排気口、４１１〜４１４・・
・バルブ。FIG. 1 is a schematic structural diagram showing one embodiment of a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing the formation procedure when this embodiment is applied to a device, and FIG. FIG. 4, a graph showing the leakage current characteristics of the tantalum oxide film formed in this example, is a schematic structure of a chemical vapor deposition apparatus used for forming a conventional tantalum oxide film. 101...Argon gas introduction pipe, 102...Freon gas introduction pipe, 103...Hydrogen gas introduction pipe, 104...
Dinitrogen oxide gas introduction pipe, 105... Tantalum raw material tank, 106... Vaporization chamber, 107... Heater, 108
...Microwave oscillator, 109...Isolator, 1
10... Power meter, 111... Waveguide, 112
...Plasma chamber, 113...Reaction chamber, 114...
Magnetic coil, 115... Wafer, 116... Heater, 117... Sample holder, 118... Vacuum pump, 1
1...Exhaust port, 12O~125...Valve, 2O
1...Si substrate, 2O2...SiO2 film, 2O3.
... Capacitive polysilicon film, 2O4... Capacitive insulating film, 2
O5... plate electrode, 401... quartz reactor,
402... Heater, 403... Heater, 404...
- Wafer 405... Vaporization chamber, 406... Argon gas introduction pipe, 407... Oxygen gas introduction pipe, 408...
Argon gas introduction pipe as carrier gas, 409...
Vacuum pump, 410...Exhaust port, 411-414...
·valve.
Claims (1)
有機系のタンタル材料ガスと酸化二窒素（Ｎ＿２Ｏ）ガ
スとを用いたＥＣＲプラズマ化学反応による成膜である
ことを特徴とする酸化タンタル膜の化学気相成長法。 ２、酸化タンタル膜の形成時に水素（Ｈ＿２）ガスを導
入する請求項１記載の酸化タンタル膜の化学気相成長法
。 ３、ハロゲン系または有機系の材料ガスと酸化二窒素（
Ｎ＿２Ｏ）ガスとを導入する配管がＥＣＲプラズマ化学
反応機構の反応室に接続されていることを特徴とする酸
化タンタル膜の化学気相成長装置。 ４、ハロゲン系または有機系の材料ガスと酸化二窒素（
Ｎ＿２Ｏ）ガスとを導入する配管に水素（Ｈ＿２）ガス
を導入する配管が接続されている請求項３記載の酸化タ
ンタル膜の化学気相成長装置。 ５、ハロゲン系または有機系のタンタル材料ガスと酸化
二窒素（Ｎ＿２Ｏ）ガスとを導入する配管に、プラズマ
化学反応による反応室内の洗浄機能を有するフロン（Ｃ
Ｆ＿４）ガスなどのフッ素系ハロゲン化合物ガスを導入
する配管が接続されている請求項３記載の酸化タンタル
膜の化学気相成長装置。[Claims] 1. The tantalum oxide film is formed by an ECR plasma chemical reaction using a halogen-based or organic tantalum material gas and dinitrogen oxide (N_2O) gas. Chemical vapor deposition method for tantalum oxide films. 2. The chemical vapor deposition method for a tantalum oxide film according to claim 1, wherein hydrogen (H_2) gas is introduced during the formation of the tantalum oxide film. 3. Halogen-based or organic material gas and dinitrogen oxide (
A chemical vapor deposition apparatus for a tantalum oxide film, characterized in that a pipe for introducing N_2O) gas is connected to a reaction chamber of an ECR plasma chemical reaction mechanism. 4. Halogen-based or organic material gas and dinitrogen oxide (
4. The chemical vapor deposition apparatus for a tantalum oxide film according to claim 3, wherein a pipe for introducing hydrogen (H_2) gas is connected to a pipe for introducing hydrogen (H_2) gas. 5. In the piping that introduces halogen-based or organic tantalum material gas and dinitrogen oxide (N_2O) gas, add fluorocarbon (C), which has the function of cleaning the reaction chamber by plasma chemical reaction.
F_4) The tantalum oxide film chemical vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein a pipe for introducing a fluorine-based halogen compound gas such as gas is connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20989390A JPH0492897A (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Method and apparatus for chemical vapor-phase growth of tantalum oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20989390A JPH0492897A (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Method and apparatus for chemical vapor-phase growth of tantalum oxide film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492897A true JPH0492897A (en) | 1992-03-25 |
Family
ID=16580394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20989390A Pending JPH0492897A (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Method and apparatus for chemical vapor-phase growth of tantalum oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492897A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05299583A (en) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of capacitor element |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP20989390A patent/JPH0492897A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05299583A (en) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of capacitor element |
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