JPH0486812A - Method for refining liquid crystal - Google Patents

Method for refining liquid crystal

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Publication number
JPH0486812A
JPH0486812A JP20424190A JP20424190A JPH0486812A JP H0486812 A JPH0486812 A JP H0486812A JP 20424190 A JP20424190 A JP 20424190A JP 20424190 A JP20424190 A JP 20424190A JP H0486812 A JPH0486812 A JP H0486812A
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JP
Japan
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liquid crystal
electric field
impurities
space
voltage
Prior art date
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JP20424190A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Arai
隆 新居
Shinji Shimada
伸二 島田
Masahiro Adachi
昌浩 足立
Hiroshi Takanashi
高梨 宏
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH0486812A publication Critical patent/JPH0486812A/en
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Abstract

PURPOSE:To remove impurities from a liquid crystal by bringing the liquid crystal to be refined into contact with oriented layers and impressing the AC electric field above the threshold thereto. CONSTITUTION:The liquid crystal to be refined is supplied from an injection port 12 and a clock 14 is held closed at this time. A voltage is applied between electrodes 3 and 4 by an AC power source 15 to form the AC electric field above the threshold of the liquid crystal in a space 10. The liquid crystal impressed with such electric field makes molecular motion and the metallic ions which are the impurities contained in the liquid crystal move downward by the effect of such molecular motion and gravity. The impurities are gathered in the lower part 16 of the space 10 and the impurity concn. in the liquid crystal is increased. The impurity concn. in the remaining part of the space 10 is correspondingly decreased and the liquid crystal is refined.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液晶の精製方法に関する。[Detailed description of the invention] Industrial applications The present invention relates to a method for purifying liquid crystal.

従来の技術 たとえば羊純マトリクス形液晶表示装置に一般的に用い
られている液晶は、比抵抗が10Ωcm−’程度以上の
ものが好ましい。液晶中に不純物、たとえばNa”など
の金属イオンが多量に含まれていると、比抵抗が101
0Ωcm−’程度よりも小さくなり、そのためカー・ヘ
ルフリッヒ効果によって、一定値以上の電界が印加され
たとき、動的散乱現象が観察され、したがって表示特性
に悪影響を及ぼし、フリッカおよびしきい値電圧Vth
の変動によって、表示むらを生じて表示品位の低下か起
こる。したかって液晶から不純物を取り除く必要かある
Prior art For example, liquid crystals commonly used in pure matrix type liquid crystal display devices preferably have a specific resistance of about 10 Ωcm-' or more. If the liquid crystal contains a large amount of impurities, such as metal ions such as Na, the resistivity will decrease to 101
Therefore, due to the Kerr-Helfrich effect, when an electric field above a certain value is applied, a dynamic scattering phenomenon is observed, which adversely affects display characteristics, causing flicker and threshold voltage Vth.
Fluctuations in the display quality may cause display unevenness, resulting in a deterioration in display quality. Is it necessary to remove impurities from liquid crystal?

先行技術では、液晶の蒸留を行い、またカラムクロマ)
−クラフイおよびモしキュラシーフなとを用いている。
Prior art involves distillation of liquid crystals and also column chroma)
-Uses krahui and moshikura thief.

発明か解決すべき課題 このような先行技術は、いずれも簡便でなく、製造プロ
セスに導入することによって液晶材料の価格か大幅に上
昇してしまうという問題かある。
Invention or Problem to be Solved None of these prior art techniques is simple and has the problem that the price of the liquid crystal material increases significantly when introduced into the manufacturing process.

本発明の目的は、簡便な方法て、液晶から不純物を除去
することかできるようにした液晶の精製方法を提供する
ことである。
An object of the present invention is to provide a method for purifying liquid crystal that allows impurities to be removed from liquid crystal using a simple method.

課題を解決するための手段 本発明は、精製すべき液晶を、配向層に接触して、しき
い値以上の交流電界を印加することを特徴とする液晶の
精製方法である。
Means for Solving the Problems The present invention is a method for purifying liquid crystal, which is characterized in that the liquid crystal to be purified is brought into contact with an alignment layer and an alternating current electric field of a threshold value or higher is applied.

作  用 本発明に従えば、精製すべき液晶を配向層に接触させ、
この液晶に、しきい値以上の交流電界を印加し、これに
よってフしテリクス遷移によって液晶分子かその電界の
交流の周波数で傾きを変化する。配向層の近傍では、液
晶分子の旋回運動の中心が、その液晶分子の重心からず
れており、しかもその電界による液晶分子の配向層に対
して傾斜する立上りと、電界か零になった後、配向層の
配向方向に戻る緩和の応答速度か異なり、立上り時の応
答速度が緩和時の応答速度よりも大きく、したがって交
流電界によって傾きの変化が繰り返し行われる液晶分子
は、その液晶に含まれている不純物である金属イオンな
どを一方向に押して移動させる。したかって液晶中に、
不純物濃度が高い領域か形成され、この不純物濃度の高
い液晶を除去して、不純物濃度が低い液晶を得ることが
できる。
Function According to the present invention, the liquid crystal to be purified is brought into contact with an alignment layer,
An alternating current electric field of a threshold value or higher is applied to this liquid crystal, thereby causing the liquid crystal molecules to change their slope at the frequency of the alternating current of the electric field due to a fitteric transition. In the vicinity of the alignment layer, the center of rotation of the liquid crystal molecules is shifted from the center of gravity of the liquid crystal molecules, and furthermore, the electric field causes the liquid crystal molecules to rise at an angle with respect to the alignment layer, and after the electric field becomes zero, The response speed of the relaxation to return to the alignment direction of the alignment layer is different, and the response speed of the rising time is larger than the response speed of the relaxation time, so liquid crystal molecules whose tilt changes repeatedly due to the alternating electric field are included in the liquid crystal. Impurities such as metal ions are pushed in one direction and moved. On the LCD screen,
A region with a high impurity concentration is formed, and by removing the liquid crystal with a high impurity concentration, a liquid crystal with a low impurity concentration can be obtained.

実施例 第1区は本発明の一実施例の斜視図であり、第2図はそ
の第1図の切断面線A−B−C−Dがち見た断面図であ
る。一対のカラス基板1,2には、ITO(すすを添加
したインジウム酸化?lI)などの電極3,4がそれぞ
れ形成されており、その上に電極3.4の保護のための
Siへ、なとの絶縁膜5.6が形成され、さらのその上
にポリイミドなとの配向層7.8か形成される。配向層
7,8は、第1図および第2図の鉛直方向に平行な方向
7a、8aにラヒング処理された配向方向を有する。
Embodiment 1 Section 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along section line A-B-C-D of FIG. 1. A pair of glass substrates 1 and 2 have electrodes 3 and 4 made of ITO (indium oxide with soot added) formed thereon, and Si for protection of the electrodes 3.4. An insulating film 5.6 is formed, and an alignment layer 7.8 of polyimide is further formed thereon. The alignment layers 7 and 8 have alignment directions that are lahed in directions 7a and 8a parallel to the vertical direction in FIGS. 1 and 2.

電気絶縁性の合成樹脂性のヒース9は、配向層7.8間
に介在され、その空間10には精製すべき液晶か供給さ
れる。基板1,2の外周部にはアクリル系シール材11
か設けられ、前記空間10か気密とされる。基板1.2
の上部でシール材11には、精製すべき液晶を供給する
供給口12か形成される。基板1,2の下部てシール材
11には、排出管13が接続され、開閉弁であるコック
14が設けられる。
An electrically insulating synthetic resin heather 9 is interposed between the alignment layers 7, 8, and the liquid crystal to be purified is supplied to the space 10 thereof. Acrylic sealing material 11 is placed on the outer periphery of the substrates 1 and 2.
The space 10 is made airtight. Substrate 1.2
A supply port 12 for supplying the liquid crystal to be purified is formed in the sealing material 11 at the upper part of the sealing material 11 . A discharge pipe 13 is connected to the sealing material 11 at the bottom of the substrates 1 and 2, and a cock 14 serving as an on-off valve is provided.

電極3,4には交流電源15が接続される。この交流電
源15は、たとえば振幅3■、周波数30Hzの正弦波
を発生し、これによって空間]0内の液晶がフレデリク
ス遷移によって液晶分子が電界と直角の方向に傾くしき
い値以上の電界を与えることか可能となる。
An AC power source 15 is connected to the electrodes 3 and 4. This AC power supply 15 generates, for example, a sine wave with an amplitude of 3 mm and a frequency of 30 Hz, thereby providing an electric field above a threshold value at which the liquid crystal in the space 0 is caused to tilt in the direction perpendicular to the electric field by the Fredericks transition. It becomes possible.

空間10のヒープ9による間隔dはたとえば1mmであ
る。二の空間10の下部16には電極34か形成されて
おらず、その下部16の電極56が形成されていない空
間10の高さhは、たとえは1cmである。排出管13
はたとえはカラスなどてあってもよい。
The distance d between the spaces 10 and the heaps 9 is, for example, 1 mm. No electrode 34 is formed in the lower part 16 of the second space 10, and the height h of the space 10 in which the electrode 56 of the lower part 16 is not formed is, for example, 1 cm. Discharge pipe 13
An analogy could be a crow.

精製すべき液晶は前述のように注入口12から供給し、
このときコック14は閉じておく。電極3.4間に交流
電源15によって電圧を与え、液晶のしきい値以上の交
流電界を空間10に形成する。このような電界が印加さ
れた液晶は、分子運動を行い、この分子運動と、重力の
作用とによって、液晶中に含まれている不純物である金
属イオンが下方に移動し、空間10の下部16ては、不
純物が集められて、液晶中の不純物濃度が高くなり、そ
の分、空間10の残余の部分での不純物濃度か低下され
て液晶が精製される。
The liquid crystal to be purified is supplied from the injection port 12 as described above,
At this time, the cock 14 is kept closed. A voltage is applied between the electrodes 3 and 4 by an AC power source 15 to form an AC electric field in the space 10 that is higher than the threshold of the liquid crystal. The liquid crystal to which such an electric field is applied undergoes molecular motion, and due to this molecular motion and the action of gravity, metal ions, which are impurities contained in the liquid crystal, move downward, and the lower part 16 of the space 10 moves downward. As a result, the impurities are collected and the impurity concentration in the liquid crystal becomes high, and the impurity concentration in the remaining part of the space 10 is reduced accordingly, thereby refining the liquid crystal.

交流電源15によって交流電界を印加する時間は、たと
えば3時間である。その俺、空間10の下部16で不純
物濃度か高くなった液晶を、コック14を開くことによ
って排出管13がち下方に排出する。こうして空間10
には精製後の液晶が残り、このような精製後の液晶では
、交流電源15に流れる電流か大幅に減少される。
The time period during which the AC electric field is applied by the AC power supply 15 is, for example, 3 hours. By opening the cock 14, the liquid crystal whose impurity concentration has increased in the lower part 16 of the space 10 is discharged downward through the discharge pipe 13. Thus space 10
The purified liquid crystal remains, and with such purified liquid crystal, the current flowing to the AC power supply 15 is significantly reduced.

このような液晶の精製が行われる現象の理由を、本件発
明者は、次のように考えている。第3図(1)は、電極
3,4間に電圧か印加されていないときに起きる液晶分
子の状態を示し、第3図(2)はその電圧か印加された
ときの状態を示しており、第4図はその液晶分子の状態
を拡大して簡略化して示す。基板1.2付近における液
晶分子1819は、電極3.4に電圧印加されていない
状態ては、第3図(1)および第4図の実線て示すよう
に、いわば寝た状態となっており、基板1,2間の中央
にある液晶分子20は第4図の実線20で示すように、
紙面に垂直な方向に傾きを持っている姿勢をなっている
The inventor of the present invention considers the reason for such a phenomenon in which liquid crystal is purified as follows. Figure 3 (1) shows the state of liquid crystal molecules that occurs when no voltage is applied between electrodes 3 and 4, and Figure 3 (2) shows the state when that voltage is applied. , FIG. 4 shows the state of the liquid crystal molecules in an enlarged and simplified manner. When no voltage is applied to the electrode 3.4, the liquid crystal molecules 1819 near the substrate 1.2 are in a so-called lying state, as shown by the solid lines in FIGS. 3(1) and 4. , the liquid crystal molecules 20 located in the center between the substrates 1 and 2 are as shown by the solid line 20 in FIG.
The image is tilted in a direction perpendicular to the plane of the paper.

電極3,4間に電圧を印加すると第3図(2)および第
、4図の破線で示すように、液晶分子1819は矢符2
1,22の方向に傾き、いわば立った姿勢となり、二の
立った姿勢にある液晶分子は参照符23 、24 、2
5て示されている。基板12の中央にある液晶分子20
は、電圧の印加によって線25て示されるように紙面へ
の投影長さか変化することになる。
When a voltage is applied between the electrodes 3 and 4, the liquid crystal molecules 1819 move as indicated by the arrow 2, as shown by the broken lines in FIGS. 3(2) and 4.
The liquid crystal molecules tilt in the directions of 1 and 22, so to speak, in a standing position.
5 is shown. Liquid crystal molecules 20 in the center of the substrate 12
The projected length on the paper surface changes as shown by the line 25 as a voltage is applied.

基板1,2間の中央にある液晶分子20は、その分子の
重心20aを中心とした旋回運動を行いしたかっていわ
は運動の異方性は観察されない。
Although the liquid crystal molecules 20 located at the center between the substrates 1 and 2 perform a rotational motion about the center of gravity 20a of the molecules, no anisotropy of motion is observed.

これに対して基板1,2近傍の液晶分子18,1つは、
その配向膜7,8の表面の分子との相互作用が強く、電
圧を印加することによって矢符2122に旋回する旋回
運動の中心18a、19aは、液晶分子の18.19の
重心18b、19bから基板1,2寄りにずれてしまい
、いわば運動の異方性が生しる。
On the other hand, the liquid crystal molecules 18 and 1 near the substrates 1 and 2 are
The centers 18a, 19a of the rotational movement, which have strong interaction with the molecules on the surface of the alignment films 7, 8 and rotate in the direction of the arrow 2122 by applying a voltage, are separated from the centers of gravity 18b, 19b of the liquid crystal molecules 18.19. It shifts toward the substrates 1 and 2, resulting in so-called anisotropy of motion.

これらの液晶分子18.19.20の電圧印加時の立上
り状態23.24.25と、電圧印加を行わなくなって
後に配向方向に戻る緩和との応答速度は次のとおりとな
る。すなわち液晶分子l519.20の立上りの応答速
度Tonは、また液晶分子18.19.2oの緩和の応
答速度Toffは、 二こてηは液晶の粘度、dは液晶層厚、ε。は真空誘電
率、Δεは誘電異方性、X′は交流電源15による印加
電圧、Iくは液晶の弾性定数を示す。
The response speed of these liquid crystal molecules 18, 19, 20 between the rising state 23, 24, 25 when a voltage is applied and the relaxation state in which the liquid crystal molecules return to the alignment direction after the voltage is no longer applied is as follows. That is, the rising response speed Ton of the liquid crystal molecule 1519.20 and the relaxation response speed Toff of the liquid crystal molecule 18.19.2o are as follows: η is the viscosity of the liquid crystal, d is the liquid crystal layer thickness, and ε. is the vacuum permittivity, Δε is the dielectric anisotropy, X' is the voltage applied by the AC power source 15, and I is the elastic constant of the liquid crystal.

実際には、液晶の立上りの応答速度Tonは、緩和の応
答速度Toffよりも大きく、大きなエネルギを持って
いる。
In reality, the rising response speed Ton of the liquid crystal is larger than the relaxation response speed Toff, and has a large amount of energy.

Ton>Toff−<3) したがって基板1,2の近傍における液晶1819は、
電圧が印加される立上り時の応答速度Tonによって、
矢符21.22に、液晶中に含まれている不純物である
金属イオンを下方に押し、またその金属イオンは自重で
下降する。電圧印加によって第4図の参照符23,24
,25の姿勢となった液晶分子は、電圧を印加しなくす
ることによって、矢符21,22の逆方向に戻り、その
緩和の応答速度Toffは小さく、シたかつて金属イオ
ンか上方に移動されにくい。
Ton>Toff-<3) Therefore, the liquid crystal 1819 near the substrates 1 and 2 is
Depending on the response speed Ton at the time of rising voltage,
Arrows 21 and 22 push metal ions, which are impurities contained in the liquid crystal, downward, and the metal ions descend under their own weight. By applying a voltage, the reference numerals 23 and 24 in FIG.
, 25, when the voltage is no longer applied, the liquid crystal molecules return to the opposite direction of arrows 21 and 22. Hateful.

二のようにして液晶分子18.19の電圧印加による立
上り時の方向性によって、不純物の移動方向か決定され
る。なお基板1,2間の中央にある液晶分子20は、重
心を中心として傾斜するたけてあり、金属イオンを下方
に移動する働きはほとんどない。
The direction of movement of impurities is determined by the directionality of the liquid crystal molecules 18 and 19 when they rise due to voltage application, as described in 2 above. Note that the liquid crystal molecules 20 located in the center between the substrates 1 and 2 are inclined with respect to the center of gravity, and have almost no function of moving metal ions downward.

液晶分子の運動によって、不純物の移動か発生するのて
、印加する電界の大きさ、および周波数によって不純物
の移動の度合いは大きく異なる。
The movement of impurities occurs due to the movement of liquid crystal molecules, and the degree of impurity movement varies greatly depending on the magnitude and frequency of the applied electric field.

液晶に印加する電界、したがって交流電源15の印加電
圧は、フレデリクス遷移を生じるしきい値以上に選ぶ必
要がある。また周波数は、液晶の追従性のあるブレイク
オーバ周波数未満であることが必要である。
The electric field applied to the liquid crystal, and therefore the voltage applied by the AC power supply 15, must be selected to be equal to or higher than the threshold value that causes the Fredericks transition. Further, the frequency needs to be lower than the breakover frequency that the liquid crystal can follow.

第5図を参照して、液晶分子27は、その電界中で、分
極が電荷+δ、−δて液晶分子内で生じ、これによって
不純物である電荷を有する金属イオンなどに対する液晶
力・子27の影響が大きく、これに対して、電界を除去
した緩和時には、液晶分子27の分極か生ぜず、そのた
め電界を有する不純物に対する液晶分子27の影響は小
さくなる。
Referring to FIG. 5, in the electric field, polarization occurs within the liquid crystal molecule with charges +δ and -δ, and this causes the liquid crystal force against impurities such as charged metal ions. On the other hand, during relaxation by removing the electric field, polarization of the liquid crystal molecules 27 does not occur, and therefore the influence of the liquid crystal molecules 27 on impurities having an electric field becomes small.

二のようにして、前述のように、液晶分子27の電界に
よる傾きの変化によって、不純物か下方に移動される。
Second, as described above, the impurities are moved downward by the change in the tilt of the liquid crystal molecules 27 due to the electric field.

交流電源15の出力は、矩形波を用いてもよいけれとも
、正弦波およびその他の波形であってもよい。
The output of the AC power supply 15 may be a rectangular wave, or may be a sine wave or other waveform.

第6図(1)は不純物を含む液晶28に電界を印加した
直後の状態を示し、第6図(2)はその電圧印加後、成
る程度の時間か経過したときの状態を示す。プラスまた
マイナス極性を持つ物置29.30は、電界の印加によ
って移動し、しなかって不純物を有する液晶28の実質
的な電位差か、物質29.30である不純物の移動−に
よって緩らげられ、液晶分子は運動を行う。上述の実施
例のように矩形波を電極3,4に印加したとき、不純物
を含む液晶28に与えられる実効電圧か小さくなり、液
晶分子の運動かいわばフリッカとなって観察される。
FIG. 6(1) shows the state immediately after an electric field is applied to the liquid crystal 28 containing impurities, and FIG. 6(2) shows the state after a certain amount of time has passed after the voltage application. The storage device 29.30 having a positive or negative polarity is moved by the application of an electric field and is relaxed by the substantial potential difference of the liquid crystal 28 with impurities or by the movement of the impurity, which is the substance 29.30; Liquid crystal molecules move. When a rectangular wave is applied to the electrodes 3 and 4 as in the above embodiment, the effective voltage applied to the impurity-containing liquid crystal 28 becomes smaller, and the movement of the liquid crystal molecules is observed as flicker.

交流電源1ヲによって電極3.4に印加する電圧の極性
が交互に繰り返されるので、第6図(1)および第6図
(2)の状態か繰り返される。このような矩形波を与え
たときの電圧の緩和現象は、周波数が高くなると影響が
小さくなるので、20〜50Hz程度の周波数か有効で
あり、好ましくは上述のように30Hzに選ばれる。
Since the polarity of the voltage applied to the electrodes 3.4 by the AC power source 1 is alternately repeated, the states of FIG. 6(1) and FIG. 6(2) are repeated. The effect of the voltage relaxation phenomenon when such a rectangular wave is applied becomes smaller as the frequency becomes higher, so a frequency of about 20 to 50 Hz is effective, and preferably 30 Hz is selected as described above.

不純物というのは、上述のように金属イオンがあり、そ
の他有機物イオンおよび極性の大きな有機物などが挙げ
られる。
Impurities include metal ions as described above, as well as organic ions and highly polar organic substances.

本発明ては、液晶には、上述の電極3,4以外め構造に
よって、電界が与えられるようにしてもよい。
In the present invention, an electric field may be applied to the liquid crystal by a structure other than the electrodes 3 and 4 described above.

本発明の他の実施例として配向層7,8のラビング方向
は第1図において、鉛直線31に対してθ1.θ2を有
する方向32.33の範囲に選ばれ、たとえばθ1.θ
2は45°てあってもよい。
As another embodiment of the present invention, the rubbing direction of the alignment layers 7 and 8 is set to θ1 with respect to the vertical line 31 in FIG. For example, θ1. θ
2 may be at 45°.

換言すると、基板1.2の基板面に対する法線方向から
見た場合に、制御したい不純物の移動方向に対し、2枚
の基板1.2の配向層7,8のラビング方向が、対向す
る2枚の基板1.2の各々において、(180°二45
゛)の範囲に選ぶ。
In other words, when viewed from the normal direction to the substrate surface of the substrate 1.2, the rubbing direction of the alignment layers 7 and 8 of the two substrates 1.2 is opposite to the movement direction of the impurity to be controlled. In each of the substrates 1.2 (180°245
゛).

本発明の他の実施例としてラビング方向7a8aは、水
平方向であってもよく、このときには右または左方向に
不純物か移動することになる。
As another embodiment of the present invention, the rubbing direction 7a8a may be a horizontal direction, in which case the impurities will move to the right or left.

電極3,4は透明電極でなく、その他の金属なとから成
る電極であってもよい。
The electrodes 3 and 4 may not be transparent electrodes, but may be electrodes made of other metals.

発明の効果 以上のように本発明によれは、精製すべき液晶を配向層
に接触させた状態で、しきい値以上の交流電界を印加す
ることによって、液晶中の不純物が移動して液晶中の不
純物濃度か高い領域が生じ、この不純物濃度の高い領域
の液晶を集めて除去することによって、不純物濃度が低
い液晶を得ることができるようになり、このような方法
は容易に実現することかでき、そのため液晶表示の品位
を向上することかでき、液晶材料の価格が上昇するとい
うことはない。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, by applying an alternating current electric field of a threshold value or higher while the liquid crystal to be purified is in contact with an alignment layer, impurities in the liquid crystal are moved and the liquid crystal is purified. A region with a high impurity concentration is generated, and by collecting and removing the liquid crystal in the region with a high impurity concentration, it is possible to obtain a liquid crystal with a low impurity concentration.Is this method easy to implement? Therefore, the quality of the liquid crystal display can be improved, and the price of the liquid crystal material will not increase.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は第1図の
切断面線A−B−C−Dから見た断面図、第3図は電圧
を印加しない状態および電圧を印加した状態における液
晶分子の姿勢を示す図、第4図はその液晶分子の姿勢を
判り易く説明するための簡略化した図、第5図は液晶分
子27が分極を生じる状態を示す図、第6図は不純物を
含む液晶28の不純物が移動する状態を示す図である。 1.2 基板、3.4・電極、7,8 配向層、10・
・・空間、15・・・交流電源 代理人  弁理士 西教 圭一部 第 図 第 厘
FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken from section line A-B-C-D in FIG. FIG. 4 is a diagram showing the orientation of liquid crystal molecules in a state where an applied voltage is applied. FIG. 4 is a simplified diagram for explaining the orientation of the liquid crystal molecules in an easy-to-understand manner. FIG. FIG. 6 is a diagram showing a state in which impurities in the liquid crystal 28 containing impurities move. 1.2 Substrate, 3.4・Electrode, 7,8 Orientation layer, 10・
... Space, 15... AC power supply agent Patent attorney Keibu Saikyo Part 1 Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  精製すべき液晶を、配向層に接触して、しきい値以上
の交流電界を印加することを特徴とする液晶の精製方法
A method for purifying liquid crystal, which comprises bringing the liquid crystal to be purified into contact with an alignment layer and applying an alternating current electric field of a threshold value or higher.
JP20424190A 1990-07-31 1990-07-31 Method for refining liquid crystal Pending JPH0486812A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20424190A JPH0486812A (en) 1990-07-31 1990-07-31 Method for refining liquid crystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20424190A JPH0486812A (en) 1990-07-31 1990-07-31 Method for refining liquid crystal

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JPH0486812A true JPH0486812A (en) 1992-03-19

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003024704A (en) * 2001-07-19 2003-01-28 Dainippon Ink & Chem Inc Liquid crystal material refining apparatus and liquid crystal material refining method
US8081153B2 (en) 2006-08-30 2011-12-20 Sony Corporation Liquid crystal display device and video display device
US8873126B2 (en) 2011-07-21 2014-10-28 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and electronic apparatus

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