JPH0479319A - Optical endpoint monitor for dry - Google Patents
Optical endpoint monitor for dryInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はICの製造等におけるドライエツチング装置に
用いられる光学的エンドポイントモニターに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical endpoint monitor used in a dry etching device used in IC manufacturing and the like.
従来、プラズマエツチング、反応性イオンエツチング、
マグネトロンエツチングその他はとんどのドライエツチ
ングプロセスでは、反応カス、生成物などの発光現象を
利用した光学的エンドポイントモニターを用いることに
より、エンドポイントを検出しエツチングを終了させて
いる。エツチングされる薄膜が半導体基板表面上がら完
全に無くなるようなエンドポイントでは、ガス相でも薄
膜上でも化学的な変化が起こり、生成物が消失する一方
、これ以上反応によって消費されないので反応ガスは増
加する。これらの化学的変化は特定波長の発光強度変化
として現れる。光学的エンドポイントモニターは、特定
波長の光の強度変化をドライエツチングチャンバーに固
定された光強度監視窓(以下ビューポートという〉より
監視し、大きな強度変化があった時間をエンドポイント
としている。エンドポイントにおける光の強度変化を検
出するため、−次微分、二次微分等を利用しているもの
が多い。Conventionally, plasma etching, reactive ion etching,
In most dry etching processes, including magnetron etching, an optical endpoint monitor that utilizes the luminescent phenomenon of reaction residues, products, etc. is used to detect the endpoint and terminate the etching. At the end point, where the thin film to be etched is completely removed from the surface of the semiconductor substrate, chemical changes occur both in the gas phase and on the thin film, and the products disappear, while the reactant gas increases because it is no longer consumed by the reaction. . These chemical changes appear as changes in emission intensity at specific wavelengths. An optical endpoint monitor monitors changes in the intensity of light at a specific wavelength through a light intensity monitoring window (hereinafter referred to as the "viewport") fixed to the dry etching chamber, and defines the time when a large change in intensity occurs as the endpoint. In order to detect changes in the intensity of light at a point, many devices use -th order differentiation, second order differentiation, etc.
上述した従来の光学的エンドポイントモニターでは、特
に金などの重金属をエツチングする場合、生成物2反応
ガスなどによってビューボートが汚れて曇りやすいので
光の強度変化検出感度が落ち、エンドポイントを検出で
きなくなる場合がある。この場合、光の強度検出感度を
変更するか、又はドライエツチング装置のチャンバーを
開けてビューボートを清掃する必要があるが、感度をい
つ変更したらよいかの目安が立てにくく、またビューボ
ートの清掃にしてもチャンバーを開けなければならない
ので手間と時間がかかる。なお、ビューボートが汚れた
状態に合わせて光の強度変化検出感度を設定してしまう
と、ビューボートがきれいな状態にある時に、少しの強
度変化をも検出してしまうのでエンドポイントを誤まっ
て判断してしまう可能性が高い。With the conventional optical endpoint monitor described above, especially when etching heavy metals such as gold, the view boat is likely to become dirty and cloudy due to product 2 reaction gas, reducing the sensitivity for detecting changes in light intensity and making it difficult to detect endpoints. It may disappear. In this case, it is necessary to change the light intensity detection sensitivity or open the chamber of the dry etching device and clean the view boat, but it is difficult to determine when to change the sensitivity, and cleaning the view boat is difficult. However, since the chamber must be opened, it takes time and effort. In addition, if you set the light intensity change detection sensitivity according to the state of the view boat when it is dirty, even the slightest change in intensity will be detected when the view boat is in a clean state, so you may misjudge the end point. There is a high possibility that you will make a judgment.
本発明の目的は、上記欠点を解消し、ビューボートの汚
れにエンドポイント検出の正確さが左右されない光学的
エンドポイントモニターを提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to overcome the above-mentioned drawbacks and to provide an optical endpoint monitor in which the accuracy of endpoint detection is not dependent on viewboat dirt.
上述し、た従来の光学的エンドポイントモニターでは、
ビューボートの汚れによる特定波長の光強度変化の検出
感度劣化を考慮していないのに対し、本発明はビューボ
ートの汚れを自動的に測定し、汚れ度合いによって自動
的に特定波長の光強度変化検出感度を変更するという相
違点を有する。Traditional optical endpoint monitors, as mentioned above,
In contrast, the present invention does not take into consideration the deterioration in detection sensitivity of changes in light intensity at specific wavelengths due to dirt on the view boat, whereas the present invention automatically measures dirt on the view boat and automatically changes the light intensity at specific wavelengths depending on the degree of dirt on the view boat. The difference is that the detection sensitivity is changed.
本発明の光学的エンドポイントモニターは、ドライエツ
チング開始直後に測定される特定波長の光強度によりビ
ューボートの汚れ具合を判断し、その汚れ程度によりあ
らかじめ用意しておいた光強度変化検出感度プログラム
のうち最適なものを自動的に選択し、エンドポイントを
検出するソフトを有している。The optical endpoint monitor of the present invention determines the degree of contamination of the view boat based on the light intensity of a specific wavelength measured immediately after the start of dry etching, and uses a pre-prepared light intensity change detection sensitivity program depending on the degree of contamination. It has software that automatically selects the most suitable one and detects the endpoint.
次に本発明の実施例1について図面を参照して説明する
。Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は、ビューボートがきれいな場合の、エンドポイ
ント検出のために監視した特定波長の光強度波形を示す
グラフである。第2図は、ビューボートが汚れている場
合の、エンドポイント検出のために監視した特定波長の
光強度波形を示すグラフである。第1図の場合に比べて
第2図の場合、光の強度が1/2〜1/3程度になって
いる。従来の光学的エンドポイントモニターの場合、第
1図のエンドポイント■を検出できる検出感度ブロクラ
ムがPlであると、第2図のエンドポイントを検出でき
ず、一方第2図のエンドポイント■を検出できる検出感
度プログラムがP2であると、第1図の正しいエンドポ
イント■を検出せず、誤まって判断されやすい箇所■を
エンドポイントして検出してしまう可能性がある。FIG. 1 is a graph showing the light intensity waveform of a specific wavelength monitored for endpoint detection when the viewboat is clean. FIG. 2 is a graph showing a light intensity waveform of a specific wavelength monitored for endpoint detection when the view boat is dirty. In the case of FIG. 2, compared to the case of FIG. 1, the intensity of light is about 1/2 to 1/3. In the case of a conventional optical endpoint monitor, if the detection sensitivity block that can detect the endpoint ■ in Figure 1 is Pl, it cannot detect the endpoint in Figure 2; If the possible detection sensitivity program is P2, there is a possibility that the correct end point (2) in FIG. 1 will not be detected, and the end point (2), which is likely to be mistakenly determined, will be detected as an end point.
そこで本発明の光学的エンドポイントモニターでは、ド
ライエッチグ開始直後(5秒から10秒後)の特定波長
の光強度■、■が適当な値X以上の場合は検出感度プロ
グラムP1を、X未満の場合は検出感度プログラムP2
を自動的に選択するソフトをもうけ、ビューボートの汚
れ具合l:左右されず、常に正確にエンドポイントを検
出できるようにする。またXをxl・・・xnと複数も
うけ、検出感度プログラムもそれに合わせてP、・・・
p n+1 と複数もうけることも可能である。なお、
上記の適当な値Xは、あらかじめ設定された特定波長の
臨界光強度■であり、特定波長の光強度変化検出プログ
ラムを変更する境界となる値である。Therefore, in the optical endpoint monitor of the present invention, if the light intensity ■, ■ of a specific wavelength immediately after the start of dry etching (after 5 seconds to 10 seconds) is greater than the appropriate value X, the detection sensitivity program P1 is changed to In the case of detection sensitivity program P2
We have developed software that automatically selects endpoints, so that endpoints can always be detected accurately regardless of how dirty the viewboard is. Also, multiple Xs are created as xl...xn, and the detection sensitivity program is changed accordingly to P,...
It is also possible to make more than one p n+1. In addition,
The above-mentioned appropriate value X is a preset critical light intensity (2) of a specific wavelength, and is a value serving as a boundary for changing the light intensity change detection program of a specific wavelength.
実施例1の場合、ビューボートの汚れ程度に合わせ、自
動的に最適な光強度変化検出感度プログラムを複数のプ
ログラムの中から選択するものであった。このような手
法とは別に、実施例2は検出感度プログラムの中でアン
プのゲインの値をビューボートの汚れ程度に合わせて自
動的にコントロールし、検出感度を連続的に変えること
も可能としたものである。こういった実施例2の場合、
最適検出感度を連続的に変更しやすいという利点がある
。In the case of Example 1, the optimal light intensity change detection sensitivity program was automatically selected from a plurality of programs depending on the degree of dirt on the view boat. Apart from such a method, in Example 2, the amplifier gain value is automatically controlled in the detection sensitivity program according to the degree of dirt on the view boat, making it possible to continuously change the detection sensitivity. It is something. In the case of Example 2,
This has the advantage that the optimum detection sensitivity can be easily changed continuously.
以上説明したように本発明は、ビューボートが汚れた場
合においても、その汚れの程度により自動的に適当な光
強度変化検出プログラムを選択し、エンドポイントを検
出するので、従来のような光強度変化横比プログラムの
変更を適宜行う手間及び時としてエンドポイントが検出
されない場合を解消できる効果がある。As explained above, even if the view boat becomes dirty, the present invention automatically selects an appropriate light intensity change detection program depending on the degree of dirt and detects the end point. This has the effect of eliminating the trouble of appropriately changing the changing aspect ratio program and the case where an end point is not detected at times.
変化検出プログラムを変更する境界となる特定波長の光
強度。The light intensity of a specific wavelength is the boundary for changing the change detection program.
Claims (1)
けられた光強度監視窓の曇り程度を測定し、あらかじめ
設定された臨界光強度に対する監視窓からの光強度に応
じてエンドポイント検出感度プログラムを選択する手段
を備えたことを特徴とするドライエッチング装置の光学
的エンドポイントモニター。Equipped with a means for measuring the degree of clouding of a light intensity monitoring window attached to an etching chamber of a dry etching device and selecting an end point detection sensitivity program according to the light intensity from the monitoring window relative to a preset critical light intensity. An optical endpoint monitor for a dry etching system, characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19453190A JPH0479319A (en) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | Optical endpoint monitor for dry |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19453190A JPH0479319A (en) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | Optical endpoint monitor for dry |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0479319A true JPH0479319A (en) | 1992-03-12 |
Family
ID=16326088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19453190A Pending JPH0479319A (en) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | Optical endpoint monitor for dry |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0479319A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045113A (en) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Shimadzu Corp | Endpoint detector |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19453190A patent/JPH0479319A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045113A (en) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Shimadzu Corp | Endpoint detector |
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