JPH04683A - データ分類装置 - Google Patents
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- JPH04683A JPH04683A JP10257990A JP10257990A JPH04683A JP H04683 A JPH04683 A JP H04683A JP 10257990 A JP10257990 A JP 10257990A JP 10257990 A JP10257990 A JP 10257990A JP H04683 A JPH04683 A JP H04683A
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- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
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- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はデータ分類装置に係り、詳しくは、特徴分布の
型で与えられたデータに対して鋳型をつくり、基準鋳型
と照合してデータを分類する装置に関する。
型で与えられたデータに対して鋳型をつくり、基準鋳型
と照合してデータを分類する装置に関する。
初めにサンプル特徴分布パターンを与えて分類の基準と
なる鋳型を生成しておき、入力待微分布データに対して
も鋳型をつくって、該鋳型と基準鋳型の間で照合を行う
ことにより、特徴分布の形で与えられたデータを分類す
る手法が提唱されている(平井有三二″神経回路による
パターン照合”。
なる鋳型を生成しておき、入力待微分布データに対して
も鋳型をつくって、該鋳型と基準鋳型の間で照合を行う
ことにより、特徴分布の形で与えられたデータを分類す
る手法が提唱されている(平井有三二″神経回路による
パターン照合”。
電子情報通信学会論文誌Vo1.J72−D−II N
n1)。
n1)。
第2図は、これを実現する装置の従来の全体構成図を示
したもので、相互抑制回路11を用いてパターン照合を
行うパターン照合部1、入力された特徴分布データと特
徴の個数が近い基準鋳型をパターン照合部1にフィード
バックし、照合を補助する最小距離検出部2、直交化学
習回路42を用いて照合された鋳型を識別する認識部4
、及び。
したもので、相互抑制回路11を用いてパターン照合を
行うパターン照合部1、入力された特徴分布データと特
徴の個数が近い基準鋳型をパターン照合部1にフィード
バックし、照合を補助する最小距離検出部2、直交化学
習回路42を用いて照合された鋳型を識別する認識部4
、及び。
サンプル特徴分布パターンから生成された基準鋳型を記
憶する基準鋳型記憶袋w5から成る。以下に、この従来
装置の鋳型生成動作及び照合動作を説明する。
憶する基準鋳型記憶袋w5から成る。以下に、この従来
装置の鋳型生成動作及び照合動作を説明する。
鋳型生成動作
第3図(a)に概略を示す。サンプルとなる特徴分布パ
ターンをパターン照合部1へ入力し、そのパターンに相
当する鋳型(基準鋳型)をつくる。
ターンをパターン照合部1へ入力し、そのパターンに相
当する鋳型(基準鋳型)をつくる。
入力特徴をFijとする。添字iは特徴の種類、jはそ
の位置を表す。鋳型特徴をT工にとする。添字iは特徴
の種類、kはその位置を表す。入力特徴Fijと鋳型特
徴T工にとの対応を表す素子をFTよ□とする。FT、
Tは、各々次の式で表される。
の位置を表す。鋳型特徴をT工にとする。添字iは特徴
の種類、kはその位置を表す。入力特徴Fijと鋳型特
徴T工にとの対応を表す素子をFTよ□とする。FT、
Tは、各々次の式で表される。
FT”1jk(t)= FT”1jk(t)+Fij
+F工jTik(t) H(t)dt T”1k(t)= T’1k(t)+ X (WbF
Tx=k(t))dt j FT、jk(t)=ψ [FT拳□=h(i)コTrk
(t)=ψ[T−□h(t)] ここで、 yjpk Wa:素子FT間に設けられた相互抑制力Wb:既存の
基準鋳型からの誘導力 これらの式が平衡状態に達したときのTlkを0゜1に
2値化したものが、与えられたサンプルパターンの鋳型
となる6生成された鋳型(基準鋳型)は、順に記憶装置
5に保存される。
+F工jTik(t) H(t)dt T”1k(t)= T’1k(t)+ X (WbF
Tx=k(t))dt j FT、jk(t)=ψ [FT拳□=h(i)コTrk
(t)=ψ[T−□h(t)] ここで、 yjpk Wa:素子FT間に設けられた相互抑制力Wb:既存の
基準鋳型からの誘導力 これらの式が平衡状態に達したときのTlkを0゜1に
2値化したものが、与えられたサンプルパターンの鋳型
となる6生成された鋳型(基準鋳型)は、順に記憶装置
5に保存される。
凰”a作
第3図(b)に概略を示す。対象の特徴分布データをパ
ターン照合部1へ入力して鋳型をつくり、その鋳型と基
準鋳型を照合する。この時、最小距離検出部2において
、入力された特徴分布データと特徴の個数が近い基準鋳
型をパターン照合部1Δフィードバックして照合を補助
する。
ターン照合部1へ入力して鋳型をつくり、その鋳型と基
準鋳型を照合する。この時、最小距離検出部2において
、入力された特徴分布データと特徴の個数が近い基準鋳
型をパターン照合部1Δフィードバックして照合を補助
する。
照合する入力特徴をFijとする。添字iは特徴の種類
、jはその位置を表す。この入力に対してつくられる鋳
型特徴をTlkとする。添字iは特徴の種類、にはその
位置を表す。入力特徴F i=と鋳型特徴T、にとの対
応を表す素子をFTijkとする。
、jはその位置を表す。この入力に対してつくられる鋳
型特徴をTlkとする。添字iは特徴の種類、にはその
位置を表す。入力特徴F i=と鋳型特徴T、にとの対
応を表す素子をFTijkとする。
FT、Tは、各々次の式で表される。
−F T−□jk(t)= FT−藷(t)+Fia
T’1k(t)−H(t)dt FTijk(t)=φ[FT”1ik(を月Tik(t
)=ψ[T”ik(を月 ここで。
T’1k(t)−H(t)dt FTijk(t)=φ[FT”1ik(を月Tik(t
)=ψ[T”ik(を月 ここで。
T″ik(t)=m(ST(p)S(p)(t))H(
t) = Σ(WaF T i*k(t))Jyk ST(p):p番目の基準鋳型 S (p) :最小距離検出層で計算さ九た、2番目の
基準鋳型とTikの類似度 この式が平衡状態に達したときのTikを0.1に2値
化したもの々1、与えられた入力データの鋳型となる。
t) = Σ(WaF T i*k(t))Jyk ST(p):p番目の基準鋳型 S (p) :最小距離検出層で計算さ九た、2番目の
基準鋳型とTikの類似度 この式が平衡状態に達したときのTikを0.1に2値
化したもの々1、与えられた入力データの鋳型となる。
これを、T′□にとし、認識部4へ入力する。認識部4
の動作は次式で表される。
の動作は次式で表される。
ここで、
C2θ:適当な定数
CR:調整用の制御入力
各pに対し、この動作が並列に行われる。最初に出力を
出し始めたR (p)をR(p)とすると、5T(p)
が入力データの鋳型に一番近い基準鋳型と判定される。
出し始めたR (p)をR(p)とすると、5T(p)
が入力データの鋳型に一番近い基準鋳型と判定される。
上記従来のデータ分類装置では、
1、鋳型の生成中、入力した特徴に対する対応がいくつ
か欠落し、生成された鋳型が、複数個の基準鋳型の部分
集合になった場合、 2、生成された鋳型が、複数個の基準鋳型に対し、同数
個の一致している特徴をもつ場合 圧しい分類が行われないという問題があった。即ち、こ
れらの場合には、照合結果としてその複数個の基準鋳型
すべてが出力されてしまい、与えられたデータの分類光
を確定することができなかった。
か欠落し、生成された鋳型が、複数個の基準鋳型の部分
集合になった場合、 2、生成された鋳型が、複数個の基準鋳型に対し、同数
個の一致している特徴をもつ場合 圧しい分類が行われないという問題があった。即ち、こ
れらの場合には、照合結果としてその複数個の基準鋳型
すべてが出力されてしまい、与えられたデータの分類光
を確定することができなかった。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決したデータ分類
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、認識部の前に
、入力データと生成された鋳型の特徴数を比較し、欠落
した特徴を補う鋳型修正部を組込むと共に、認識部には
直交化学習回路にかえて、生成/修正された鋳型と基準
鋳型間の距離を計算する距離計算回路を設けたことであ
る。
、入力データと生成された鋳型の特徴数を比較し、欠落
した特徴を補う鋳型修正部を組込むと共に、認識部には
直交化学習回路にかえて、生成/修正された鋳型と基準
鋳型間の距離を計算する距離計算回路を設けたことであ
る。
パターン照合部と最小距離検出部での動作は従来と同様
である。鋳型修正部では、入力データと生成された鋳型
の特徴数を比較し、鋳型の特徴数の方が少ない場合、欠
落した特徴を補って入力待微分布データと鋳型の特徴数
を一致させる。認識部では、距離計算回路を用いて、生
成/修正された鋳型と基準鋳型間の距離を計算し、距離
のもっとも小さい基準鋳型を選択する。
である。鋳型修正部では、入力データと生成された鋳型
の特徴数を比較し、鋳型の特徴数の方が少ない場合、欠
落した特徴を補って入力待微分布データと鋳型の特徴数
を一致させる。認識部では、距離計算回路を用いて、生
成/修正された鋳型と基準鋳型間の距離を計算し、距離
のもっとも小さい基準鋳型を選択する。
以下、本発明の一実施例について図面により説明する。
第1図に本発明のデータ分類装置の一実施例の全体構成
図を示す。図中、パターン照合部1は素子FT間に相互
抑制力を持たせた相互抑制回路11を用いて分類基準鋳
型を生成し、さらに、同回路11を用いて入力された精
微分布データに対し鋳型を生成してパターン照合を行う
。最小距離検出部2は入力された精微分布データと特徴
の個数が近い基準鋳型をパターン照合部1にフィードバ
ックし、パターン照合を補助する。鋳型修正部3は本発
明で付加されたもので、入力データと生成された鋳型の
特徴数を比較し、欠落した特徴を補って入力データと鋳
型の特徴数を一致させる。認識部4は距離計算回路41
を用いて鋳型と基準鋳型間の距離を計算し、距離のもっ
とも小さい基準鋳型を選択する。記憶装置5は、生成さ
れた基準鋳型を保持するのに使用される。
図を示す。図中、パターン照合部1は素子FT間に相互
抑制力を持たせた相互抑制回路11を用いて分類基準鋳
型を生成し、さらに、同回路11を用いて入力された精
微分布データに対し鋳型を生成してパターン照合を行う
。最小距離検出部2は入力された精微分布データと特徴
の個数が近い基準鋳型をパターン照合部1にフィードバ
ックし、パターン照合を補助する。鋳型修正部3は本発
明で付加されたもので、入力データと生成された鋳型の
特徴数を比較し、欠落した特徴を補って入力データと鋳
型の特徴数を一致させる。認識部4は距離計算回路41
を用いて鋳型と基準鋳型間の距離を計算し、距離のもっ
とも小さい基準鋳型を選択する。記憶装置5は、生成さ
れた基準鋳型を保持するのに使用される。
本装置の鋳型生成動作は従来と同様である。第4図に、
照合動作の概略を示す。照合動作時のパターン照合部1
と最小距離検出部2の動作も従来と基本的に同じであり
、ここでは、鋳型修正部3と認識部4の動作の概略を説
明する。
照合動作の概略を示す。照合動作時のパターン照合部1
と最小距離検出部2の動作も従来と基本的に同じであり
、ここでは、鋳型修正部3と認識部4の動作の概略を説
明する。
鋳型修正部3では、まず、各特徴毎に入力特徴数と生成
された鋳型の特徴数を比較する。そして、鋳型の特徴数
の方が少ない場合、対応する特徴がない入力特徴に対し
、その特徴に対する対応全てを適当な大きさに反応させ
る。次に、これらの対応に対して、相互抑制作用をかけ
る。最後に、残った対応に対する鋳型特徴を付は加える
。第5図に該鋳型修正部3の処理フローを示す。
された鋳型の特徴数を比較する。そして、鋳型の特徴数
の方が少ない場合、対応する特徴がない入力特徴に対し
、その特徴に対する対応全てを適当な大きさに反応させ
る。次に、これらの対応に対して、相互抑制作用をかけ
る。最後に、残った対応に対する鋳型特徴を付は加える
。第5図に該鋳型修正部3の処理フローを示す。
認識部4では、まず、距離計算回路41を用いて、各特
徴毎に、生成/修正された鋳型pat F□と基準鋳型
patT1間の距離d (pat F i t pat
T i)を計算する。分布間の距離は次式のように定
める。
徴毎に、生成/修正された鋳型pat F□と基準鋳型
patT1間の距離d (pat F i t pat
T i)を計算する。分布間の距離は次式のように定
める。
d (pat F 、 patT)
:&lX(Σ Nun d(A+B)y
Σ tin d(A、B))AεpatF
BεpatT B6patT AEpatF
d(A、 B) : 2点A、B間の距離法に、各特
徴毎に計算した距離の総和Σ、d(ρatFL、pat
T□)が最も小さい基準鋳型を選択する。 以下、特徴
の種類が1種類、大きさが8×8ビツトの2次元特徴分
布を具体例として、本装置の実際の動作を説明する。な
お、特徴が1種類なので、i = 1 (for Vi
)であるから、以下においては添字iは省略する。また
、2次元分布なので、添字jykは各々2次座標となる
。すなわち、特徴F ij* Tikは各々F (iX
−jy) s T (kx+ k)l)と表す。対応F
TijkはF T(jX、jy)(kXIky)と表す
。
Σ tin d(A、B))AεpatF
BεpatT B6patT AEpatF
d(A、 B) : 2点A、B間の距離法に、各特
徴毎に計算した距離の総和Σ、d(ρatFL、pat
T□)が最も小さい基準鋳型を選択する。 以下、特徴
の種類が1種類、大きさが8×8ビツトの2次元特徴分
布を具体例として、本装置の実際の動作を説明する。な
お、特徴が1種類なので、i = 1 (for Vi
)であるから、以下においては添字iは省略する。また
、2次元分布なので、添字jykは各々2次座標となる
。すなわち、特徴F ij* Tikは各々F (iX
−jy) s T (kx+ k)l)と表す。対応F
TijkはF T(jX、jy)(kXIky)と表す
。
初めに、鋳型生成動作について説明する。第6図(a)
にサンプルとなる特徴分布パターンを示す。
にサンプルとなる特徴分布パターンを示す。
まず、1番目の特徴分布(F(2,ff)# F(4,
a)tF(4+S)S F(4+?)t FC!、?)
)をパターン照合部1へ入力する。今、特徴F(1,7
)に着目すると、最初はこの入力に対する全ての対応F
Tcz、t)(L+1 ) t ”’ e F T (
2+7 +(1+I + t F T (2+7 )(
2,1)?・・・y FT(2+? )(II *@
)が反応する。他の4つの入力特徴F(jX、JyIに
ついても同様に、FT (3x−i。
a)tF(4+S)S F(4+?)t FC!、?)
)をパターン照合部1へ入力する。今、特徴F(1,7
)に着目すると、最初はこの入力に対する全ての対応F
Tcz、t)(L+1 ) t ”’ e F T (
2+7 +(1+I + t F T (2+7 )(
2,1)?・・・y FT(2+? )(II *@
)が反応する。他の4つの入力特徴F(jX、JyIに
ついても同様に、FT (3x−i。
(kX+k)l) (for ’dc+cx、ky>)
が反応する。パターン照合部1の相互抑制回路11で素
子FT間に設けられている相互抑制力による競合の結果
、特徴F(2+7+については、このうち、FT(2,
、、、□、。、のみが反応するようになる。他の4つの
入力特徴F。工、 JyIについても同様に、各(jX
、 jV+に対し、FTtjx、1y)tkx、kyl
(for Vtkx、+cy+)のうち、1つの(kX
、kylだけが反応するようになる。その結果、この特
徴分布に対し、鋳型(T (1+ s ) t T (
4+ 1 ) 9T (4+41t T(4+1l)t
T(Il+l1))ができる。これが1番目の基準鋳
型5T(1)となる。
が反応する。パターン照合部1の相互抑制回路11で素
子FT間に設けられている相互抑制力による競合の結果
、特徴F(2+7+については、このうち、FT(2,
、、、□、。、のみが反応するようになる。他の4つの
入力特徴F。工、 JyIについても同様に、各(jX
、 jV+に対し、FTtjx、1y)tkx、kyl
(for Vtkx、+cy+)のうち、1つの(kX
、kylだけが反応するようになる。その結果、この特
徴分布に対し、鋳型(T (1+ s ) t T (
4+ 1 ) 9T (4+41t T(4+1l)t
T(Il+l1))ができる。これが1番目の基準鋳
型5T(1)となる。
次に、2番目の特徴分布(F(4+ff)l F(lE
+31fF (1,511F(6+7)t F(S+3
))をパターン照合部1へ入力する。今は、基準鋳型が
1つできているので、Wbによるガイド(既存の基準鋳
型となるべく共通の素子を利用するような力)が存在す
る。
+31fF (1,511F(6+7)t F(S+3
))をパターン照合部1へ入力する。今は、基準鋳型が
1つできているので、Wbによるガイド(既存の基準鋳
型となるべく共通の素子を利用するような力)が存在す
る。
すなわち、各FTには、相互抑制力の他に、1つめの基
準鋳型が利用した素子への誘導力がかかる。
準鋳型が利用した素子への誘導力がかかる。
その結果、この特徴分布に対しては、鋳型(T(1+i
)l T(4−1)l T(4,41j T+4+
II)t T(S−11)ができる。これが5T(2)
となる。
)l T(4−1)l T(4,41j T+4+
II)t T(S−11)ができる。これが5T(2)
となる。
他の特徴分布についても同様にして、S T (3)
。
。
5T(4)がつくられる。生成された基準鋳型を第6図
(b)に示す。
(b)に示す。
次に、照合動作について説明する。第7図(a)及び(
b)に照合例を示す。なお、以下の説明で(1)、 (
2)、・・・は第5図の処理フローに付した番号に対応
する。
b)に照合例を示す。なお、以下の説明で(1)、 (
2)、・・・は第5図の処理フローに付した番号に対応
する。
初めに第7図(a)の入力待微分布データの例について
説明する。
説明する。
(1)特徴分布(F (214)l F (3+2+f
F (3+2)1 F。+43t F(4+4))を
パターン照合部1へ入力する。
F (3+2)1 F。+43t F(4+4))を
パターン照合部1へ入力する。
(2)基準鋳型生成の時と同じように、最初は、1つの
特徴に対し複数個のF Ttjx、jy)ttx+ky
+、よって複数個のT(kX、kylが反応するが、こ
のT(kX、ky)を全て最小距離検出部2へ入力する
。
特徴に対し複数個のF Ttjx、jy)ttx+ky
+、よって複数個のT(kX、kylが反応するが、こ
のT(kX、ky)を全て最小距離検出部2へ入力する
。
最小距離検出部2では、各基準鋳型5T(p)毎に、金
入力されたT (k X * k y)と位置が一致し
ている5T(p)の特徴数と、照合データの特徴数を比
較し、類似度に応じた大きさのS (p)を出力する。
入力されたT (k X * k y)と位置が一致し
ている5T(p)の特徴数と、照合データの特徴数を比
較し、類似度に応じた大きさのS (p)を出力する。
これをパターン照合部1ヘフィードバックする。このフ
ィードバックと相互抑制力の結果、この特徴分布に対し
て、鋳型(T (L 、 @ ) +Tr*、1>t
T(*、4>t T(4+l+)? T(e、s+)が
できる。
ィードバックと相互抑制力の結果、この特徴分布に対し
て、鋳型(T (L 、 @ ) +Tr*、1>t
T(*、4>t T(4+l+)? T(e、s+)が
できる。
(3)生成された鋳型(T、、、、、、 T(4,□、
、 T(4+ 4 ) t T (4* 8 ) 9
T (8T a ) )を鋳型修正部3へ入力する。
、 T(4+ 4 ) t T (4* 8 ) 9
T (8T a ) )を鋳型修正部3へ入力する。
(4−a)照合データの特徴数と鋳型の特徴数を比較し
、一致が得られる。
、一致が得られる。
(5)生成された鋳型がそのまま認識部4へ入力する。
(6)入力された鋳型と各基準鋳型5T(p)との距離
dP(鋳型、5T(p))を計算する。この場合。
dP(鋳型、5T(p))を計算する。この場合。
d□=O,d、=4.d、=7.d、=4であるから、
5(1)がもっとも近い基準鋳型と判定され、出力され
る。
5(1)がもっとも近い基準鋳型と判定され、出力され
る。
次に、第7図(b)の入力待微分布データの例について
説明する。
説明する。
(1)特徴分布(F (3+7)t F(5+2+P
F (S+4)t F(S、ilt F cs、s+>
をパターン照合部1へ入力する。
F (S+4)t F(S、ilt F cs、s+>
をパターン照合部1へ入力する。
(2)前と同様に鋳型を生成すると、この場合は、鋳型
(T (x 、s )t T (4Hz + P T
(414+ l T < 41 S ) )ができる。
(T (x 、s )t T (4Hz + P T
(414+ l T < 41 S ) )ができる。
これは入力特徴F(8161に対する対応が欠けたた
めである。従来では、この鋳型がそのまま認識部4へ入
力され、分類結果として5T(1)、5T(2)、5T
(4)の3つの基準鋳型が出力された。
めである。従来では、この鋳型がそのまま認識部4へ入
力され、分類結果として5T(1)、5T(2)、5T
(4)の3つの基準鋳型が出力された。
(3)生成された鋳型(T、1.ll、、T(4,□+
t T + 4 + 41 jT(4,。、)を鋳型
修正部3へ入力する。
t T + 4 + 41 jT(4,。、)を鋳型
修正部3へ入力する。
(4−b)照合データの特徴数と鋳型の特徴数を比較し
、照合データの特徴数より鋳型の特徴数の方が少ないと
判定される。
、照合データの特徴数より鋳型の特徴数の方が少ないと
判定される。
(7)欠けている入力特徴Fear&)に対する対応F
TCInり(kX−ky)を全て復活させる。
TCInり(kX−ky)を全て復活させる。
(8)これらの対応に対し、現在有効な対応FT(3+
?+(1+@)t F T(S、り(4+ilt F
Tcs*4.cs+4)eF T(S + 71 (4
−11から相互抑制力をかける。
?+(1+@)t F T(S、り(4+ilt F
Tcs*4.cs+4)eF T(S + 71 (4
−11から相互抑制力をかける。
(9)この結果、対応F T (8+ 6 + (s
、T Iが残るので、特徴T。、7.を鋳型に付は加え
る。
、T Iが残るので、特徴T。、7.を鋳型に付は加え
る。
(10)修正された鋳型(T (1+ # ) t T
(4,1+ t T (4。
(4,1+ t T (4。
411 T (4+ l + f T (@ + 7
) )を認識部4に入力する。
) )を認識部4に入力する。
(6)この場合、d工=1.d、=5.d、=6.d。
=5であるから、5T(1)がもっとも近い基準鋳型と
判定され、出力される。
判定され、出力される。
以上説明したように、本発明によれば、生成された鋳型
の修正と、認識部で鋳型間の距離計算を行うことにより
、鋳型の生成中、入力データの特徴に対する対応がいく
つか欠落し、生成された鋳型が複数個の基準鋳型の部分
集合になった場合や、生成された鋳型が、複数の基準鋳
型に対し、同数個の一致している特徴をもつ場合におい
ても、入力データの正しい分類を行うことが可能となる
。
の修正と、認識部で鋳型間の距離計算を行うことにより
、鋳型の生成中、入力データの特徴に対する対応がいく
つか欠落し、生成された鋳型が複数個の基準鋳型の部分
集合になった場合や、生成された鋳型が、複数の基準鋳
型に対し、同数個の一致している特徴をもつ場合におい
ても、入力データの正しい分類を行うことが可能となる
。
第1図は本発明のデータ分類装置の一実施例の全体構成
図、第2図は従来の装置の全体構成図、第3図は従来の
装置の鋳型生成動作、照合動作を示す図、第4図は第1
図の場合の照合動作を示す図、第5図は第1図の鋳型修
正部の処理フローを示す図、第6図は基準鋳型の生成例
を示す図、第7図は照合例を示す図である。 1・・・パターン照合部、 2・・・最小距離検出部、
3・・・鋳型修正部、 4・・・認識部、5・・・基準
鋳型記憶装置。 入0 第1図 へカ 第3図 C良) 第2図 八カ 第4図 第6図 (a ) 11 ン7 ”rLt@f+9J−471′
′第5図 榛)
図、第2図は従来の装置の全体構成図、第3図は従来の
装置の鋳型生成動作、照合動作を示す図、第4図は第1
図の場合の照合動作を示す図、第5図は第1図の鋳型修
正部の処理フローを示す図、第6図は基準鋳型の生成例
を示す図、第7図は照合例を示す図である。 1・・・パターン照合部、 2・・・最小距離検出部、
3・・・鋳型修正部、 4・・・認識部、5・・・基準
鋳型記憶装置。 入0 第1図 へカ 第3図 C良) 第2図 八カ 第4図 第6図 (a ) 11 ン7 ”rLt@f+9J−471′
′第5図 榛)
Claims (1)
- (1)特徴分布の形で与えられたデータを分類するデー
タ分類装置であって、 入力データに対し鋳型を生成し、パターン照合を行うパ
ターン照合手段と、 入力データと特徴の個数が近い基準鋳型を前記パターン
照合手段にフィードバックしてパターン照合を補助する
最小距離検出手段と、 入力データと生成された鋳型の特徴数を比較し、欠落し
た特徴を補う鋳型修正手段と、 生成/修正された鋳型と基準鋳型間の距離を計算し、距
離のもっとも小さい基準鋳型を選択する認識手段と、 サンプルデータより生成された基準鋳型を記憶する記憶
手段と、 からなることを特徴とするデータ分類装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10257990A JPH04683A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | データ分類装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10257990A JPH04683A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | データ分類装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04683A true JPH04683A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14331142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10257990A Pending JPH04683A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | データ分類装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04683A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4948671A (en) * | 1984-04-05 | 1990-08-14 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Multi-layered laminate |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10257990A patent/JPH04683A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4948671A (en) * | 1984-04-05 | 1990-08-14 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Multi-layered laminate |
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