JPH046558A - Method for forming phase shifting mask - Google Patents
Method for forming phase shifting maskInfo
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、位相シフトマスクの製造方法に関する。本発
明は各種パターン形成技術等に用いる位〔従来の技術］
フォトマスクを利用して形成する装置、例えば半導体装
置等は、その加工寸法が年々微細化される傾向にある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a phase shift mask. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to various pattern forming techniques, etc. [Prior Art] The processing dimensions of devices formed using photomasks, such as semiconductor devices, tend to become smaller year by year.
このような背景で、微細化した半導体装置を得るフォト
リソグラフィーの技術において、その解像度を更に向上
させるため、マスクを透過する光に位相差を与え、これ
により光強度プロファイルを改善するいわゆる位相シフ
ト技術が脚光を浴びている。Against this background, in order to further improve the resolution of photolithography technology for producing miniaturized semiconductor devices, so-called phase shift technology is used to impart a phase difference to the light passing through a mask, thereby improving the light intensity profile. is in the spotlight.
例えば、半導体集積回路の最小加工寸法は研究開発レヘ
ルでは０．５μｍ以下にせまっているが、露光技術は従
来の超高圧水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）を用いたリ
ソグラフィーが未だに主流となっている。よってこの従
来技術を延命する手法としても、レジストプロセス自体
は従来通りにでき、マスクのみに手を加える位相シフト
マスク技術が、容易に解像力を向上する方法として注目
されているのである。For example, the minimum processing size of semiconductor integrated circuits is approaching 0.5 μm or less at the research and development level, but the mainstream exposure technology is still lithography using the G-line (436 nm) of a conventional ultra-high pressure mercury lamp. . Therefore, as a method to prolong the life of this conventional technology, phase shift mask technology, in which the resist process itself can be performed as before and only the mask is modified, is attracting attention as a method for easily improving resolution.
この技術はＩＭのＬｅｖｅｎｓｏｎらによって紹介され
た方法であり、かかる従来の位相シフト法については、
特開昭５８−１７３７４４号公報や、ＭＡＲＣＤ。This technique was introduced by Levenson et al. of IM, and regarding the conventional phase shift method,
JP-A-58-173744 and MARCD.
ＬＥＶＥＮＳＯＮ他“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅ５ｏｌ
ｕｔｉｏｎ ｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈ。LEVENSON and others “Improving Re5ol
tion in Photolith.
ｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔ
ｉｎｇ Ｍａｓｋ″ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ、 ＶＯ
Ｌ、 ＥＤ−２９Ｎｏ、１２゜ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８
２，Ｐ１８２８〜１８３６、また贋ＲＣＤ、 ＬＥＶＥ
ＮＳＯＮ他”Ｔｈｅ Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉｎｇ
ＭａｓｋＩｌ ： ＩｍａｇｉｎｇＳｉｍｕｌａｔｉｏ
ｎｓ ａｎｄ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｒ
ｅ５ｉｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅｓ同誌νｏ１． ＥＤ
−３１，Ｎｏ、６． ＪｌｊＮＥ １９８４． Ｐ２Ｓ
５〜７６３に記載がある。graphy with a Phase-5hift
ing Mask″IEEE TRANSACTION
S ON ELECTRON DEVICES, VO
L, ED-29No, 12゜DECEMBER198
2, P1828-1836, also fake RCD, LEVE
NSON et al.”The Phase-5lifting
MaskIl: ImagingSimulation
ns and Submicrometer R
e5ist Exposures magazine νo1. ED
-31, No, 6. JljNE 1984. P2S
There are descriptions in 5-763.
従来より知られている位相シフト法について、第２図を
利用して説明すると、次のとおりである。The conventionally known phase shift method will be explained using FIG. 2 as follows.
例えばライン・アンド・スペースのパターン形成を行う
場合、通常の従来のマスクは、第２図（ａ）に示すよう
に、石英基板等の透明基板１上に、Ｃｒ（クロム）など
の遮光性の材料を用いて遮光部１０を形成し、これによ
りライン・アンド・スペースの繰り返しパターンを形成
して、露光用マスクとしている。この露光用マスクを透
過した光の強度分布は、第２図（ａ）に符号Ａ１で示す
ように、理想的には遮光部１０のところではゼロで、他
の部分（透過部１２ａ、１２ｂ）では透過する。１つの
透過部１２ａについて考えると、被露光材に与えられる
透過光は、光の回折などにより、第２図（ａ）にＡ２で
示す如く、両側の裾に小山状の極大をもつ光強度分布に
なる。透過部１２ｂの方の透過光は、−点鎖線で示した
。各透過部１２ａ、１２ｂからの光を合わせると、Ａ３
に示すように光強度分布はシャープさを失い、光の回折
による像のぼけが生し、結局、シャープな露光は達成で
きなくなる。これに対し、上記繰り返しパターンの光の
透過部１２ａ。For example, when forming a line-and-space pattern, a normal conventional mask uses a light-shielding material such as Cr (chromium) on a transparent substrate 1 such as a quartz substrate, as shown in FIG. 2(a). A light shielding part 10 is formed using a material, and a repeating pattern of lines and spaces is formed thereby to serve as an exposure mask. Ideally, the intensity distribution of the light transmitted through this exposure mask is zero at the light shielding part 10, and at other parts (transmissive parts 12a, 12b), as shown by the symbol A1 in FIG. 2(a). Let's pass through. Considering one transmitting section 12a, the transmitted light given to the exposed material has a light intensity distribution with peak-like peaks at both sides, as shown by A2 in FIG. 2(a), due to light diffraction, etc. become. The transmitted light toward the transmitting portion 12b is indicated by a dashed-dotted line. Combining the light from each transmission part 12a and 12b, A3
As shown in Figure 2, the light intensity distribution loses its sharpness, and the image becomes blurred due to light diffraction, making it impossible to achieve sharp exposure. On the other hand, the light transmitting portion 12a of the repeating pattern.
１２ｂの上に、１つおきに第２図（ｂ）に示すように位
相シフト部１１ａを設けると、光の回折による像のぼけ
が位相の反転によって打ち消され、シャープな像が転写
され、解像力や焦点裕度が改善される。即ち、第２図（
ｂ）に示す如く、一方の透過部１２ａに位相シフト部１
１ａが形成されると、それが例えば１８０°の位相シフ
トを与えるものであれば、該位相シフト部１１ａを通っ
た光は符号Ｂ１で示すように反転する。それに隣合う透
過部１２ｂからの光は位相シフト部１１ａを通らないの
で、かかる反転は生じない。被露光材に与えられる光は
、互いに反転した光が、その光強度分布の裾において図
に８２で示す位置で互いに打ち消し合い、結局被露光材
に与えられる光の分布は第２図（ｂ）にＢ３で示すよう
に、シャープな理想的な形状になる。If phase shift parts 11a are provided on every other part 12b as shown in FIG. and focus latitude is improved. That is, Fig. 2 (
As shown in b), one of the transmission parts 12a is provided with a phase shift part 1.
When 1a is formed, if it provides a phase shift of, for example, 180°, the light passing through the phase shift portion 11a is inverted as indicated by the symbol B1. Since the light from the adjacent transmission section 12b does not pass through the phase shift section 11a, such inversion does not occur. The light applied to the exposed material is inverted and cancels each other out at the bottom of the light intensity distribution at the position 82 in the figure, and the distribution of light applied to the exposed material is as shown in Figure 2(b). As shown in B3, it has a sharp ideal shape.
上記の場合、この効果を最も確実ならしめるには位相を
１８０°反転させることが最も有利である位相シフト部
の屈折率、λは露光波長）なる膜厚で膜形成した位相シ
フト部１１ａを設ける。In the above case, in order to most ensure this effect, it is most advantageous to invert the phase by 180 degrees.The phase shift part 11a is formed with a film thickness such that the refractive index of the phase shift part, λ is the exposure wavelength) is provided. .
なお露光によりパターン形成する場合、縮小投影するも
のをレティクル、１対１投影するものをマスクと称した
り、あるいは原盤に相当するものをレティクル、それを
複製したものをマスクと称したりすることがあるが、本
発明においては、このような種々の意味におけるマスク
やレティクルを総称して、マスクと称するものである。When forming a pattern by exposure, the one that performs reduced projection is sometimes called a reticle, and the one that projects one-to-one is called a mask, or the one that corresponds to the original is called a reticle, and the one that reproduces it is called a mask. However, in the present invention, masks and reticles in various meanings are collectively referred to as a mask.
最近、上記位相シフトマスクを作製する方法か多数提案
されている。例えば、無機物質を位相シフト膜の材料と
して用いる位相シフ）・マスクについては、エツチング
ストッパーを用いるマスク製造方法が提案されており、
また、リフトオフ法によって作製する方法が紹介されて
いる（応用物理学会学術講演会予稿集、１９８９年秋季
、２９ａ−Ｌ−９、同１９９０年春季、２８ａ−ＰＤ−
２、同１９８８年秋季、４ａ−に−７、あるいは特開昭
５８−１７３７４４号公報等参照）。Recently, a number of methods have been proposed for producing the above-mentioned phase shift mask. For example, for phase shift masks that use inorganic materials as phase shift film materials, a mask manufacturing method using an etching stopper has been proposed.
In addition, a method for manufacturing by the lift-off method is introduced (Proceedings of the Japan Society of Applied Physics Academic Conference, Fall 1989, 29a-L-9, Spring 1990, 28a-PD-
2, Autumn 1988, 4a-7, or Japanese Patent Application Laid-Open No. 173744/1988).
しかし、これらの従来の方法は、エツチングストンパー
を用いる場合、面内均一性の悪いドライエツチング法を
用いる複雑な方法であったり、リフトオフ法を用いる場
合、マスクの−・部をレジストとともに除去するリフト
オフの際に不可避的にゴミの発生しやすいプロセスであ
ったりして、実用化は難しいものであった。However, when using an etching atomper, these conventional methods are complicated methods that use a dry etching method with poor in-plane uniformity, or when using a lift-off method, a lift-off method that removes the negative part of the mask along with the resist. This process has been difficult to put into practical use because it inevitably generates dust.
本発明は以上述べた問題点を解決して、従来からある技
術のみで容易に位相シフトマスクを得ることができ、複
雑な工程は不要であり、かつゴミ等による汚染の問題も
生じにくい位相シフトマスクの製造方法を提供すること
を目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems and allows a phase shift mask to be easily obtained using only conventional techniques, does not require complicated processes, and is less likely to cause problems with contamination due to dust, etc. The purpose is to provide a method for manufacturing a mask.
〔問題点を解決するための手段；
本発明の位相シフトマスクの製造方法：ま、透明基板に
、遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相
シフトマスクの製造方法であって、透明基板の第１の主
面に遮光層を形成し、該遮光層をバターニングして開口
部を形成し、その後第２の主面より光照射して前記開口
部りこ位相シフト材料を光ＣＶＤにより形成して位相シ
フト部を形成する工程を有する構成としたことによって
、上記目的を達成したものである。[Means for solving the problem; Method for manufacturing a phase shift mask of the present invention: A method for manufacturing a phase shift mask comprising a transparent substrate, a light shielding section, a light transmitting section, and a phase shift section. Then, a light-shielding layer is formed on the first main surface of the transparent substrate, the light-shielding layer is patterned to form an opening, and then light is irradiated from the second main surface to form the phase shift material in the opening. The above object has been achieved by adopting a configuration including a step of forming the phase shift portion by optical CVD.
本発明において、位相ソフト部とは、光透過部が透過す
る光に対して互いに異なる位相で光を透過するものをい
う。遮光部とは、使用する露光光についてその光の透過
を遮るものであり、光透過部とは、使用する露光光を透
過するものである。In the present invention, the phase soft portion refers to a portion that transmits light at a phase different from that of the light transmitted by the light transmitting portion. The light shielding section is a section that blocks the exposure light used, and the light transmitting section is a section that transmits the exposure light used.
遮光部、光透過部は、それぞれ１００％近く光を遮り、
また１００％近（光を透過するものが望ましいが、必ず
しもそのように完全ないしそれに近くなくても、必要な
パターン形成が可能な程ｊｊｔ４二光を遮断し、あるい
は透過するものであればよい。位相シフト部も、光透過
部と同様、光の透過率が大きいことが望まれるが、必要
な位相反転と露光を行えるものであればよい。The light blocking part and the light transmitting part each block nearly 100% of light,
Further, it is desirable that the material transmit nearly 100% light, but it does not necessarily have to be completely or close to that, as long as it blocks or transmits light to the extent that the necessary pattern formation is possible. Like the light transmitting part, the phase shift part is also desired to have a high light transmittance, but it may be of any type as long as it can perform the necessary phase inversion and exposure.
遮光部の材料としては、クロムや、その他酸化クロム、
もしくは高融点金属（Ｗ、Ｍｏ、Ｂｅ等）全般、及びそ
の酸化物などを用いることができる。The material for the light shielding part is chromium, other chromium oxide,
Alternatively, all high melting point metals (W, Mo, Be, etc.) and their oxides can be used.
本発明において、位相シフト部の材料としては、光ＣＶ
Ｄにより形成できるものであって、かつ、上記した位相
シフト効果を奏し得るものなら任意である。In the present invention, as the material of the phase shift part, optical CV
Any material can be used as long as it can be formed using D and can produce the above-mentioned phase shift effect.
光透過部は、遮光部や位相シフト部が形成されていない
透明な基板部分をそのまま用い、ここから光を透過させ
るように構成することができる。The light transmitting section can be configured to transmit light from a transparent substrate portion in which no light shielding section or phase shift section is formed, as it is.
透明基板としては、石英、通常のガラス、適宜各種成分
を含有させたガラス、その他適宜のものを用いることが
できる。As the transparent substrate, quartz, ordinary glass, glass containing various components as appropriate, and other appropriate materials can be used.
本発明において、透明基板の第１の主面とは、基板の位
相シフト部を形成する側の面をいい、以下適宜「表面」
と称することもある。第２の主面とは、その逆の側の面
をいい、同しく［裏面Ｊと称することもある。In the present invention, the first main surface of the transparent substrate refers to the surface of the substrate on which the phase shift portion is formed, and hereinafter referred to as "surface" as appropriate.
It is also sometimes called. The second principal surface refers to the opposite surface, which is also sometimes referred to as the back surface J.
本発明の構成について、後記詳述する本発明の一実施例
を示す第１図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明すると、次の
とおりである。The structure of the present invention will be explained as follows using FIGS. 1(a) to 1(f) showing one embodiment of the present invention which will be described in detail later.
本発明は、第１図（ｆ）に例示するような、透明基板１
に、遮光部２２と、光透過部６と、位相シフト部４とを
備えた位相シフトマスクを製造する製造方法であって、
第１図（ａ）に示すように、透明基板ｌの第１の主面に
遮光層２を形成し、第２図（ｂ）（Ｃ）に示すようにし
て該遮光層２をバターニングして開口部２ａを形成し、
その後第１図（ｄ）に示す如（第２の主面より光照射（
矢印で示す）して開口部２ａに位相シフト材料を光ＣＶ
Ｄにより形成して位相シフト部４を形成するものである
。The present invention provides a transparent substrate 1 as illustrated in FIG. 1(f).
A manufacturing method for manufacturing a phase shift mask including a light shielding part 22, a light transmitting part 6, and a phase shift part 4,
As shown in FIG. 1(a), a light shielding layer 2 is formed on the first main surface of a transparent substrate l, and the light shielding layer 2 is patterned as shown in FIGS. 2(b) and (C). to form an opening 2a,
Thereafter, as shown in FIG. 1(d), light is irradiated from the second main surface (
(indicated by an arrow) and apply a phase shift material to the opening 2a using an optical CV.
D to form the phase shift portion 4.
図示実施例はその後、第１図（ｅ）の如くレジストパタ
ーン５１により遮光層パターン２１をパターニングして
第１図（ｆ）のように光透過部６を形成するとともに遮
光部２２を完成させ、位相シフトマスクを得る。In the illustrated embodiment, the light-shielding layer pattern 21 is then patterned using a resist pattern 51 as shown in FIG. 1(e) to form the light-transmitting portion 6 as shown in FIG. 1(f), and the light-shielding portion 22 is completed. Obtain a phase shift mask.
本発明の位相シフトマスクの製造方法は、遮光層の形成
とパターニング、及び光ＣＶＤによる膜形成という、従
来からよく知られている技術を用いて位相シフトマスク
を形成するので、従来からある技術のみから成る工程に
より、複雑な工程を要さず、容易に位相シフトマスクを
製造することができる。更に、透明基板の第１の主面（
位相シフト膜を形成する表面）とは逆の側の面である第
２の主面（裏面）から光照射して光ＣＶＤを行い、これ
により基板の裏面から照射された光を利用して膜堆積を
行って位相シフト部を形成するので、マスクも不要であ
り、工程も単純である。また、ゴミが付着するなどの問
題を抑えることができる。The method for manufacturing a phase shift mask of the present invention uses conventionally well-known techniques such as formation and patterning of a light-shielding layer and film formation by photo-CVD, so only conventional techniques are used. A phase shift mask can be easily manufactured without requiring complicated steps. Furthermore, the first main surface of the transparent substrate (
PhotoCVD is performed by irradiating light from the second main surface (back surface), which is the surface opposite to the surface on which the phase shift film is formed. Since the phase shift portion is formed by deposition, no mask is required and the process is simple. Further, problems such as adhesion of dust can be suppressed.
以下余白′二′−
〔実施例］
以下本発明の一実施例について、図面を参照して説明す
る。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例
により限定されるものではない。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to the following examples.
実施例−１
本実施例では、透明基板として石英ブランクスを用い、
第１図（ａ）に示すように該基板１に遮光部２２（第１
図（ｆ）参照）となるべき遮光層２を形成し、該遮光Ｎ
２を全面に有する基＋ｆｆｌ Ｉ ＱこＥＢレジストを
回転塗布し、ベーキングしてレジスト層３を得る。遮光
部２２は通常Ｃｒから形成する場合が多く、本例でも遮
光層２の材料はＣｒを用いて、これを蒸着等で膜形成し
た。Example-1 In this example, quartz blanks were used as the transparent substrate,
As shown in FIG. 1(a), the light shielding part 22 (first
(see figure (f))), and the light shielding layer 2 is
A resist layer 3 is obtained by spin-coating a base +ffl IQ EB resist having 2 on the entire surface and baking it. The light shielding part 22 is usually formed from Cr, and in this example, Cr was used as the material for the light shielding layer 2, and was formed into a film by vapor deposition or the like.
次に第１回目のＥＢ（電子線）露光を行う。このとき２
回目のアライメント用マークも焼きつけるようにした。Next, a first EB (electron beam) exposure is performed. At this time 2
The mark for the second alignment was also burned.
この第１回目のＥＢ露先は、位相シフト部４（第１図（
ｆ）参照）の形成が必要な部分のみとする。露光後現像
し、発生したスカム（現像による残滓等）を除去する。This first EB dew tip is the phase shift section 4 (see Fig. 1).
(see f)) should be formed only in the necessary parts. After exposure, it is developed and the generated scum (residues from development, etc.) is removed.
これにより第１図（ｂ）のようにレジスト開口３ａが形
成された構造を得る。次に発煙硝酸等でウエットエ・ノ
チングを行う。これによりパターニングされて、第１図
（Ｃ）に示すように遮光層２に開口部２ａが形成された
遮光層パターン２１をもつ構造を得る。As a result, a structure in which resist openings 3a are formed as shown in FIG. 1(b) is obtained. Next, perform wet notching with fuming nitric acid or the like. This patterning results in a structure having a light-shielding layer pattern 21 in which openings 2a are formed in the light-shielding layer 2, as shown in FIG. 1(C).
この開口部２ａの形成により、位相シフト部４形成用の
枠があいたことになる。By forming this opening 2a, a frame for forming the phase shift portion 4 is opened.
これをＣＶＤ装置のチャンバにとりつけ、第１図（ｄ）
に矢印で模式的に示すように裏面から光をあてつつ、光
ＣＶＤを行う。これにより第１図（ｄ）に示したように
、開口部２ａにのみ、位相シフト部４を堆積する。この
方法によれば、堆積をコントロールして、位相シフト部
４の膜厚を均一性良く形成することができる。即ち、レ
ジストその他の位相シフト膜材料を膜形成し、これをエ
ツチングな−どによる方法で処理して面内の均一性を保
つ方法よりも容易に均一性を良好にできる。This is attached to the chamber of a CVD device, and as shown in Fig. 1(d).
PhotoCVD is performed while applying light from the back side as schematically shown by the arrow. As a result, as shown in FIG. 1(d), the phase shift portion 4 is deposited only in the opening 2a. According to this method, it is possible to control the deposition and form the phase shift portion 4 with a highly uniform thickness. That is, better uniformity can be achieved more easily than a method in which a resist or other phase shift film material is formed into a film and the film is processed by etching or the like to maintain in-plane uniformity.
堆積して位相シフト部４とする材料の成分は、光透過性
の良いものが望ましい。例えばシリコン系材料を用いる
ことができ、このようなものとじてＳｉｎｇ、アモルフ
ァスシリコン、ＳｉＯ、ＳｉＮ （窒化シリコン）な
どを挙げることができるが、これに限定されるものでは
ない。透明性の点では５ｉｎ２が好ましい。積む膜厚Ｄ
、即ち形成する位相シフト部４の膜厚りは、成膜後の材
料の屈折率ｎと、露光に使用する光の波長λにより、最
適値（位相が１８０°ずれるもの）があるので、かかる
シフト量になるように設定することが好ましい。The components of the material to be deposited to form the phase shift portion 4 are desirably those with good light transmittance. For example, silicon-based materials can be used, such as Sing, amorphous silicon, SiO, SiN (silicon nitride), etc., but are not limited thereto. In terms of transparency, 5in2 is preferable. Layered film thickness D
That is, the film thickness of the phase shift portion 4 to be formed has an optimum value (the phase is shifted by 180°) depending on the refractive index n of the material after film formation and the wavelength λ of the light used for exposure. It is preferable to set the shift amount to be the same.
本実施例では、光ＣＶＤは次の条件で行った。In this example, photoCVD was performed under the following conditions.
即ち、上記第１図（ｃ）で得られた構造について、これ
を反応室において被処理基板温度を２５０°Ｃにして、
下記の条件で光ＣＶＤを行った。That is, regarding the structure obtained in FIG. 1(c) above, the temperature of the substrate to be processed is set to 250°C in a reaction chamber,
PhotoCVD was performed under the following conditions.
使用ガス： ５ｉＨ４５ｃｃ／分
Ｎｚ０ ５０ｃｃ／分
圧 力＝ｌＯＴｏｒｒ
照射光源：低圧水銀ランプ
これにより、遮光層パターン２１により光が遮られない
部分にのみ、即ち開口部２ａ内にのみ、選択的に光ＣＶ
Ｄによる５ｉ０２膜を堆積でき、これによって第１図（
ｄ）の構造を得ることができる。Gas used: 5iH45cc/min Nz0 50cc/partial pressure Force=lOTorr Irradiation light source: low-pressure mercury lamp As a result, light CV is selectively applied only to the part where light is not blocked by the light-shielding layer pattern 21, that is, only within the opening 2a.
A 5i02 film can be deposited according to D.
The structure d) can be obtained.
その他、ＡｒＦ光源を用い、アルコキシシラン等のモノ
シランガスにＯｒ （または０３）を混合したガス系を
使用して、ＳｉＯ□膜を形成できる。また、ジシランそ
の他の高次シランを用いることもできる。In addition, the SiO□ film can be formed using an ArF light source and a gas system in which Or (or 03) is mixed with monosilane gas such as alkoxysilane. Further, disilane and other higher-order silanes can also be used.
ＴＥＯＳ等の膜を光ＣＶＤにより形成して、位相シフト
部とすることもできる。A film such as TEOS can also be formed by photo-CVD to form the phase shift portion.
上記光ＣＶＤ後、ＥＢレジストを再度回転塗布し、２回
目のＥＢ露光（アライメント）を行い、現像、スカム除
去を行って、第１図（ｅ）に示すようにレジスト開口５
ａを有するレジストパターン５１を有する構造とする。After the photo-CVD, the EB resist is spin-coated again, the second EB exposure (alignment) is performed, development and scum removal are performed, and the resist opening 5 is opened as shown in FIG. 1(e).
The resist pattern 51 has a structure having a resist pattern 51.
その後、エツチングにより遮光層パターン２１のレジス
ト開口５ａに対応する部分を除去し、更にレジストを除
去して、第１図（ｆ）に示すパターンを得、位相シフト
マスクを作製した。Thereafter, a portion of the light-shielding layer pattern 21 corresponding to the resist opening 5a was removed by etching, and the resist was further removed to obtain the pattern shown in FIG. 1(f), thereby producing a phase shift mask.
上記工程によって、透明基板ｌに、遮光部２２と、位相
シフト部４と、光透過部６とを有する位相シフトマスク
が得られるものである。Through the above steps, a phase shift mask having a light shielding section 22, a phase shift section 4, and a light transmitting section 6 on a transparent substrate 1 is obtained.
上述の如く、本実施例においては、エツチングストッパ
ーも使用しないし、リフトオフ法も用いず、かつ全て従
来の技術内容のみの工程の組み合わせで実施できる。従
って工程の複雑化やゴミ発生のおそれを避けることがで
き、しかも膜厚管理の容易な技術で、効率良く、位相シ
フトマスクを作成することができる。As described above, this embodiment does not use an etching stopper or a lift-off method, and can be carried out by combining only conventional technical steps. Therefore, it is possible to avoid the risk of complicating the process and generating dust, and moreover, it is possible to efficiently create a phase shift mask using a technique that allows easy control of film thickness.
上述の如（本発明によれば、工程の複雑化などの問題を
生ずることなく、容易な工程で位相シフトマスクを製造
することができる。As described above, according to the present invention, a phase shift mask can be manufactured through a simple process without causing problems such as complication of the process.
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例を、形成す
べき位相シフトマスクの各工程における断面図を示すこ
とにより工程順に示したものである。
第２図は、位相シフトマスクの原理説明図である。
■・・・透明基板、２２・・・遮光部、２・・・遮光層
、２１・・・遮光層パターン、４・・・位相シフト部、
６・・・光透過部。
＋ １ １１ ↑ １
ａ
第１凶
１２Ｇ
イ１［８ン７
第
図FIGS. 1(a) to 1(f) show an embodiment of the present invention in the order of steps by showing cross-sectional views at each step of a phase shift mask to be formed. FIG. 2 is a diagram explaining the principle of a phase shift mask. ■... Transparent substrate, 22... Light shielding portion, 2... Light blocking layer, 21... Light blocking layer pattern, 4... Phase shift portion,
6...Light transmitting part. + 1 11 ↑ 1 a 1st evil 12G i1 [8n7 Fig.
Claims (1)
とを備えた位相シフトマスクの製造方法であって、 透明基板の第１の主面に遮光層を形成し、 該遮光層をパターニングして開口部を形成し、その後第
２の主面より光照射して前記開口部に位相シフト材料を
光ＣＶＤにより形成して位相シフト部を形成する工程を
有する位相シフトマスクの製造方法。[Claims] 1. A method for manufacturing a phase shift mask including a light-shielding part, a light-transmitting part, and a phase-shifting part on a transparent substrate, the method comprising: providing a light-shielding layer on a first main surface of the transparent substrate; patterning the light shielding layer to form an opening, and then irradiating light from the second main surface to form a phase shift material in the opening by photo-CVD to form a phase shift part. A method of manufacturing a phase shift mask.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10827390A JP2913753B2 (en) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | Method for manufacturing phase shift mask |
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| JPH046558A true JPH046558A (en) | 1992-01-10 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004219876A (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toppan Printing Co Ltd | Correction drawing method in lap drawing |
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1990
- 1990-04-24 JP JP10827390A patent/JP2913753B2/en not_active Expired - Fee Related
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