JPH04504032A - レーザ増幅器 - Google Patents

レーザ増幅器

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JPH04504032A JP2504258A JP50425890A JPH04504032A JP H04504032 A JPH04504032 A JP H04504032A JP 2504258 A JP2504258 A JP 2504258A JP 50425890 A JP50425890 A JP 50425890A JP H04504032 A JPH04504032 A JP H04504032A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 レーザ増幅器 本発明は3または4レベルのレーザシステムを含むタイプの縦方向にポンプされ るレーザ増幅器、特に光フアイバレーザ増幅器に関するが、それに限定されない 。
レーザ増幅器は特定の波長の適切なイオン粒子によりドープされた光ファイバを 光学的にポンプすることによって形成できることが知られている。このようなレ ーザ増幅器は高いポンプパワー密度および良好な熱放散を呈し、したがって低い ポンプパワーしきい値を持つレーザ放射の動作を可能にする。事実、ドープされ たファイバにおける連続波レーザ放射は、従来は室温でバルクガラスにおいて動 作されなかった3レベルレ一ザ転移部において近年達成されている。
遠隔通信のために、エルビウムをドープされたシリカベースの光ファイバはレー ザ源および増幅器として特に重要である。イオン転移は融着されたシリカファイ バの低損失の窓と一致する約1.5μmに存在する。さらに、エルビウムをドー プされたファイバは800nmで吸収帯域を有しているため、コンパクトな効率 的なヒ化ガリウムレーザダイオードによってポンプされた種々のアクチブファイ バ装置が得られる可能性がある。しかしながら、上記されたエルビウムをドープ されたファイバのようなあるレーザシステムのエネルギレベルは、励起状態吸収 (ESA)として知られた疑似現象を光学ポンプするのに適したある波長に存在 している。これは、システムの上部レーザマユフォールド中のイオンがポンプ光 子によって高エネルギ状態に励起されるプロセスである。これらの励起されたイ オンは準安定性マニフォールドに非放射で緩和されて戻る。これは、ポピユレー ション反転に通常関与しているポンプ光子の比率を減少する効果を有する。消費 されるポンプ光子の割合は上部および接地状態マニフォールドの相対的なポピユ レーションに比例している。ポンプパワーが大きくなると、上部レベルのポピユ レーションが大きくなり、したがってESAの効果が大きくなる。ポンプパワー が増大されほど、これは結果的にポンププロセスの効率を低下させる。
本発明の目的は、所定のポンプパワーに対して改良されたポンプ効率を有するフ ァイバレーザ増幅器を提供することでしたがって、本発明は単一モード光ファイ バと、ポンプ波長で光放射を行なわせる光学ポンプソースと、各セクションが光 ポンプ信号の一部分によってポンプされるようにポンプソースが各セクションに 縦方向に結合されているポンプ波長で励起状態吸収を呈するレーザ放射媒体を含 む複数のファイバ増幅器セクションとを含んでいるレーザ増幅器を提供する。
本発明における使用に適したタイプの光ファイバは典型的にほぼ10μmの直径 を有する。
任意の端部でポンプされるファイバ増幅器に対して、所定のポンプパワーに対し て得られる最大ポンプ効率がある。本発明者は、ポンプパワーを増加することに より増大するESAの結果として所定のポンプパワーに関連した利得減少が2つ 以上の部分にポンプパワーを分割し、それぞれポンプパワーの一部分を持つ2つ 以上のファイバセクションを縦方向にポンプすることによって低下され、したが ってポンプ効率を高めることを確認したものである。このようにして、ファイバ に沿ったポンプエネルギ分布は低く維持され、したがってESAの相対的な効率 は以下詳細に説明されるように減じられる。
ファイバ増幅器セクションは単一ファイバの隣接した部分であるか、或はそれら は光学的に互いに結合された分離した長さのファイバであってもよい。
2つのファイバ増幅器セクションを有するシステムにおいて、セクションは少な くとも部分的に一致しており、第1の部分のポンプパワーがあるセクションにお いてポンプされる方向は、第2の部分が別のセクションでポンプされるものと逆 である。1つのファイバ増幅器セクションからの残りのポンプパワーが第2のフ ァイバ増幅器セクションにおいてポンプパワーと組合せられるため、これは結果 的に付加的な利得が得られることになる。
ポンプソースは、1つ以上の2色ファイバカップラによってファイバに縦方向に 結合されることが好ましい。このようなカップラはポンプ信号を結合することが でき、一方同じファイバに信号放射を結合することができる。
3レベルレーザシステムを含むレーザ増幅器において、所定のポンプパワーに対 して最大ポンプ効率が実現されることができる最適なファイバの長さが存在する 。この最適な長さは発射されたポンプパワーおよびポンプ吸収に依存する。低い ポンプパワーに対して、最適なファイバ長は高いポンプパワーに対するものより 短い。
各ファイバ増幅器セクションの長さは、実質的にポンプされているポンプパワ一 部分に対して最適な長さであることが好ましい。
以下、図面を参照にして、単なる例示として本発明を説明する。
図1はSiO2ホスト材料中におけるエルビウムイオン(Er”)のエネルギレ ベル構造の概略図である。
図2はファイバ中に発射されたポンプパワーを持つ最適な利得の変形を示すグラ フである。
図3は本発明の1実施例の概略図である。
図4は本発明の第2の実施例の概略図である。
図1を参照すると、エルビウムイオン(Er3+)の1.5μmの低い転移に対 するエネルギレベル構造が示されている。
3レベルレーザシステムにおけるEr3+イオンは接地状態1、中間準安定性マ ニフォールド2および高い状態3を含むエネルギレベル構造を有する。システム は約800nmの波長のポンプバンド4を、また約1540na+の波長の放射 /吸収バンド5を含む。したがって、800I1mでエルビウムをドープされた シリカベースファイバを光学的にポンプすることによって、エルビウムイオンは 高い状態3に活性化され、そこからそれらは準安定性マニフォールド2に減少す る。低いポンプパワーに対して、準安定性マニフォールド2よりも接地状態1に おいて多数のイオンがある。マニフォールド2と接地状態1との間のポピユレー ション反転であるように十分なイオンが準安定性マニフォールド2にあると、1 540III11の領域において光利得が生じ、したがってシステムは入力信号 を増幅することができる。マニフォールド2と接地状態1との間でポピユレーシ ョン反転を生成するためにファイバに沿った任意の位置において、ある最小の光 ポンプパワーが必要とされる。このパワーは透過パワーとして知られている。フ ァイバの下方の任意の位置においてポンプパワーが透過パワーより低い場合、そ の点における利得係数は負である。任意の点におけるポンプパワーが透過パワー に等しい場合、その点における利得係数はゼロである。透過パワーより大きいポ ンプパワーは正の利得係数を生成する。約800nmの波長を有するポンプ信号 に対して、1540nm吸収バンド5を破壊することを要求される透過パワーは 数ミルワットである。
残念ながら、エネルギレベル構造は励起状態吸収(ESA)バンド6である別の 吸収バンドを含む。励起状態吸収バンド6は準安定性マニフォールド2と高いレ ベル7との間に存在する。ESAバンドは実質的にポンプ吸収バンド4と同じ約 800nmの波長で生じる。したがって、8001でファイバをポンプすること によってイオンは準安定性マニフオールド2に励起される。これらのイオンは高 いレベル7に励起され、そこから準安定性マニフォールド2に非放射的に低下す る。これは、ポピユレーション反転を生成することに通常関連しているポンプ光 子の比率を減少させる効果を有する。消費されるポンプ光子の一部分はマニフォ ールド2および接地状態1の相対的なポピユレーションに比例する。高いポンプ パワーでポンプすることによりESAの効果が高められることが発明者によって 決定されている。
図2を参照すると、ファイバに放射されたポンプパワーによる最適な利得の変形 が示されている。すなわち、各特定のポンプパワーに対して最適な利得は最適な ファイバの長さが使用されたときの利得である。
高い発射ポンプパワーにおいて、最適な利得はこのようなポンプパワーでポンプ プロセスがESAのために効率が悪くなるため増大するポンプパワーと共に非常 にゆっくり増加する。
曲線31に対する接線であるグラフの原点を通る直線32を引くことによって、 発射されたポンプパワーに対する最適な利得の比が最大であるポンプパワーが存 在していることが認め) −られる。このポンプパワーは示された例において6 mwである。
この比が最大値に達するポンプパワーは、一般に接地状態および上部レーザマニ フォールドからのファイバ構造およびポンプ吸収断面の寸法に依存する。図2か ら、発射されるパワーに最適な長さのファイバの単−長に24mwのポンプパワ ーを発射することによって、13dBの利得が達成されることが認められる。し かしながら、ある長さのファイバにポンプパワー全てを発射する代りに、ポンプ パワーはそれぞれ6mwの4つの部分に分割され、これら4つの部分がそれぞれ 6mwパワーファイバに最適な長さのファイバに供給されれば、利用可能な利得 全体は22dBである。例示の増幅器のポンプ効率の大きい改良はこのようにし て所定の利用可能なポンプパワーに対して実現されている。一般に、所定の利用 可能な入カボンブパワーに対して、利得は複数の部分にそのポンプパワーを分割 することによって最大にされることができ、各部分におけるポンプパワーは特定 のファイバに対して発射されたポンプパワーに対する最大利得の比率が最大であ るようなものであり、最適な長さのファイバ増幅器の分離した長さに各部分を発 射する。
図3を参照すると、本発明によるファイバレーザが概略的に示されている。光フ ァイバ41は4つのファイバ増幅器セクション42.43.44.45に概念的 に分割される。セクション42は点aから点すに延在し、セクション43は点す から点Cに延在し、セクション44は点dから点eに延在し、セクション45は 点eから点fに延在する。ファイバ増幅器セクション42゜43、44.45は エルビウムをドープされたある長さの先ファイバから構成され、一方ファイバ4 1の残りのセクションは光ファイバのドープされない部分を含む。ファイバ41 は、単一のファイバ長を形成するために適切な方法でドープされないある長さの ファイバにドープされたファイバをスプライスすることによって形成される。光 ポンプ46は3つのカップラを47゜48、49を介してファイバ41に縦方向 に結合される。3つの各カップラは2色ファイバカップラである。各カップラは ファイバ41と第2のファイバを融着し、カップラがファイバ41にポンプ放射 を結合することが可能であり、−万人力信号放射50が影響を受けないように適 切な量だけそれぞれを引伸ばすことによって形成されてもよい。このようなカッ プラは良く知られており、さらに説明しない。
カップラ47においてポンプ部分は、入力信号放射50と同じ方向にアーム51 を介してファイバセクション42に縦方向に結合される。カップラ48において 、第2のポンプ部分は入力信号50と反対方向に進むようにアーム52を介して ファイバ増幅器セクション43に縦方向に結合される。第3のポンプ部分は入力 信号と同じ方向にアーム53を介してファイバ増幅器セクション44に縦方向に 結合される。第4のポンプ部分はカップラ49のアーム54を介してファイバ増 幅器セクション45に縦方向に結合される。このようにして増幅された信号55 が生成される。ファイバ増幅器セクション42.43.44.45は、システム の特定のパラメータに対して図3のものに類似したグラフを示すことによってそ れらがポンプされる特定のパワーに対して最適な長さに近いように構成される。
ファイバセクションは、常に正の利得であるように透過点が越されないことを保 証するように短くなければならない。
ポンプ信号はファイバ増幅器セクションの長さに沿って伝播されたとき、ある程 度のポンプ信号は残っている。ポンプ部分の対がこの実施例に示されているよう に隣接したファイバ増幅器セクションにおいて反対方向にポンプされるように構 成することによって、1つのファイバ増幅器セクションからの残りのポンプは利 得をさらに最大にするように隣接したセクションにおいてポンプ部分と結合する 。
図4を参照すると、本発明によるレーザ増幅器の第2の実施例が概略的に示され ている。符号60により全体的に示されたファイバ増幅器は互いに分離している 3つのファイバセクション61.62.63を含む。807nmのSt7r19 Mダイレーザのような光ポンプソース64は誘電体反射器65によってファイバ 増幅器セクション62に縦方向に結合された光ポンプ信号を生成する。入力信号 はまたファイバセクション61および反射器65を介してファイバセクション6 2中に結合される。第2の光ポンプ信号はポンプソース64によって生成され、 ファイバセクション63に縦方向に結合される。ファイバセクション62を通じ て伝播された後、入力信号はまたファイバセクション63に結合される。このよ うにして増幅された信号67が生成される。
この明細書において、用語“光学的”とは、光ファイバのような誘電体光導波体 によって伝達されることができる可視領域の各端部における赤外線および紫外線 領域の部分を持つ可視領域として一般に知られている電磁スペクトルの部分を含 むものとする。
ポンプ手段から光パワーを分配する別の方法は上記に示された特定の実施例に示 されたもの以外に使用されることができ、ポンプパワーが分割される部分は付加 的な利得を得るために等価な部分である必要はないことが理解されるであろう。
光ポンプ分配は、一般にあるポンプ波長でESAを呈する3または4つのレベル システムに適用可能であり、上記のタイプのエルビウムをドープシリカベースフ ァイバレーザ増幅器に限定されるものではない。
利得 補正書の翻訳文提出書(特許法第184条の8)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)単一モード光ファイバと、ポンプ波長で光放射を行なわせる光学ポンプソ ースと、ポンプ波長で励起状態吸収を呈するレーザ放射媒体を含む複数のファイ バ増幅器セクションとを含み、光ポンプソースは、各セクションが光ポンプ信号 の部分によってポンプされるように各セクションに対して縦方向に結合されるレ ーザ増幅器。
  2. (2)各ファイバセクションの長さはそれがポンプされているポンプパワー部分 に対して実質的に最適な長さである請求項1記載のレーザ増幅器。
  3. (3)ファイバセクションは単一ファイバの隣接した部分である請求項1または 2記載のレーザ増幅器。
  4. (4)少なくとも部分的に一致している2つのファイバセクションがあり、ポン プパワーの第1の部分は第2の部分が別の方向にポンプされるものと反対方向に 1つのセクションにおいてポンプされる請求項1または2記載のレーザ増幅器。
  5. (5)ポンプソースはレーザダイオードアレイである請求項1乃至4のいずれか 1項記載のレーザ増幅器。
  6. (6)ポンプソースは1つ以上の2色ファイバカップラによってファイバに縦方 向に結合される請求項1乃至5のいずれか1項記載のレーザ増幅器。
  7. (7)ファイバはエルビウムでドープされたシリカベースファイバを含む請求項 1乃至6のいずれか1項記載のレーザ増幅器。
  8. (8)ポンプ波長は約800nmである請求項7記載のレーザ増幅器。
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