JPH0448167B2 - - Google Patents

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JPH0448167B2
JPH0448167B2 JP24847084A JP24847084A JPH0448167B2 JP H0448167 B2 JPH0448167 B2 JP H0448167B2 JP 24847084 A JP24847084 A JP 24847084A JP 24847084 A JP24847084 A JP 24847084A JP H0448167 B2 JPH0448167 B2 JP H0448167B2
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diode element
terminal
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strain
bias current
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Kyoichi Ikeda
Tetsuya Watanabe
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイオード素子を用いた歪検出器の回
路構成に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a circuit configuration of a distortion detector using diode elements.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来例半導体歪ゲージとしては拡散ゲージが広
く使用されている。また、この半導体歪ゲージの
ピエゾ抵抗効果による被測定物の歪に対する比抵
抗の変化はホイストンブリツジ回路で電圧出力に
変換される。
Diffusion gauges are widely used as conventional semiconductor strain gauges. Furthermore, changes in resistivity due to the strain of the object to be measured due to the piezoresistance effect of this semiconductor strain gauge are converted into voltage output by a Whiston bridge circuit.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

この拡散ゲージによる計測値はゲージ全長にわ
たる歪値の平均値であり、微少面積の歪計測が不
能であり、また、ホイストンブリツジ回路の出力
電圧はこの回路に印加される電源電圧の変動に影
響される欠点があつた。
The value measured by this diffusion gauge is the average value of the strain value over the entire length of the gauge, making it impossible to measure strain in a minute area. Also, the output voltage of the Whiston bridge circuit is affected by fluctuations in the power supply voltage applied to this circuit. There were some drawbacks.

ダイオード素子に機械的な力を印加すると、そ
の電気特性が変化する性質を利用して歪検出を行
うことができることは知られているが、従来の回
路はダイオード素子に定電圧バイアスあるいは定
電流バイアスを与えるための回路を必要とし、回
路構成が複雑であつた。また、その定電圧バイア
ス回路あるいは定電流バイアス回路の特性が、測
定値に影響を与えるため、高い測定精度が得られ
ない欠点があつた。
It is known that strain detection can be performed by utilizing the property that when mechanical force is applied to a diode element, its electrical characteristics change, but conventional circuits apply a constant voltage bias or constant current bias to the diode element. The circuit configuration was complicated. In addition, the characteristics of the constant voltage bias circuit or constant current bias circuit affect the measured value, so there is a drawback that high measurement accuracy cannot be obtained.

本発明はこのような欠点を除去するもので、微
少面積の歪計測を可能にするダイオード素子を用
いた歪検出器で、電源特性に影響されない計測電
圧を出力するダイオード素子による歪検出回路を
提供とすることを目的とする。
The present invention eliminates such drawbacks, and provides a distortion detector using a diode element that enables strain measurement in a minute area, and a distortion detection circuit using a diode element that outputs a measurement voltage that is not affected by power supply characteristics. The purpose is to

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の第一の発明は、歪検出点に配置された
第一のダイオード素子と、このダイオード素子に
一定のバイアス電流を供給する端子と、上記ダイ
オードに印加された機械的歪にしたがつて変化す
るこのダイオード素子の電気特性を検出する検出
手段とを備えた歪検出回路において、上記検出手
段は、一方の入力に上記ダイオード素子の端子電
圧が与えられ、他方の入力に参照電圧が与えら
れ、電流負帰還が施された差動入力型の負帰還増
幅器と、この負帰還増幅器の出力電圧が導かれた
出力端子とを備えたことを特徴とする。
A first aspect of the present invention includes a first diode element disposed at a strain detection point, a terminal for supplying a constant bias current to the diode element, and a terminal that supplies a constant bias current to the diode element in accordance with a mechanical strain applied to the diode. In the distortion detection circuit, the detection means includes a terminal voltage of the diode element applied to one input, and a reference voltage applied to the other input. , a differential input type negative feedback amplifier to which current negative feedback is applied, and an output terminal to which an output voltage of the negative feedback amplifier is introduced.

また、参照電圧はバイアス電流を供給する端子
と共通の端子から電流が供給された第二のダイオ
ード素子の両端に生じる電圧とすることがよい。
Further, the reference voltage is preferably a voltage generated across the second diode element to which current is supplied from a terminal common to the terminal supplying the bias current.

第二のダイオード素子は、第一のダイオード素
子に印加される機械的歪の方向とほぼ反対方向の
機械的歪が印加される位置に配置された歪検出用
のダイオード素子とすることができる。
The second diode element can be a strain detection diode element disposed at a position where mechanical strain is applied in a direction substantially opposite to the direction of mechanical strain applied to the first diode element.

歪検出点がダイアフラムとすることができる。 The strain detection point can be a diaphragm.

バイアス電流はその電流値の変動に対して出力
端子の電圧値がほぼ一定の値に保たれる範囲の値
とすることが好ましい。
Preferably, the bias current has a value within a range in which the voltage value at the output terminal is maintained at a substantially constant value despite fluctuations in the current value.

本発明の第二の発明は、歪検出点に配置された
ダイオード素子と、このダイオード素子に一定の
バイアス電流を供給する端子と、上記ダイオード
に印加された機械的歪にしたがつて変化するこの
ダイオード素子の電気特性を検出する検出手段と
を備えた歪検出回路において、上記検出手段は、
上記ダイオード素子の端子電圧がコンデンサを介
して入力に接続され、電流負帰還が施された差動
入力型の負帰還増幅器と、この負帰還増幅器の出
力電圧が導かれた出力端子とを備えたことを特徴
とする。
A second invention of the present invention includes a diode element arranged at a strain detection point, a terminal for supplying a constant bias current to the diode element, and a terminal for supplying a constant bias current to the diode element, and a terminal for supplying a constant bias current to the diode element, and a terminal for supplying a constant bias current to the diode element. In a distortion detection circuit comprising a detection means for detecting electrical characteristics of a diode element, the detection means comprises:
A differential input type negative feedback amplifier in which the terminal voltage of the diode element is connected to the input via a capacitor and current negative feedback is applied, and an output terminal to which the output voltage of the negative feedback amplifier is guided. It is characterized by

〔作 用〕[Effect]

機械的歪により生じたダイオード素子の電気特
性の変化に応じてこのダイオード素子に供給され
る一定のバイアス電流により生起されるダイオー
ド素子の端子電圧の変化を消去するように、負帰
還増幅器の負帰還回路に電流が通過する。この電
流に比例する電圧が出力端子に生じる。この出力
端子の電圧はダイオード素子の電気特性の変化量
に相応する値である。
The negative feedback of the negative feedback amplifier is such that the change in the terminal voltage of the diode element caused by a constant bias current supplied to this diode element in response to the change in the electrical characteristics of the diode element caused by mechanical strain is eliminated. Current passes through the circuit. A voltage proportional to this current develops at the output terminal. The voltage at this output terminal has a value corresponding to the amount of change in the electrical characteristics of the diode element.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例回路を図面に基づいて説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は第一の実施例回路の構成を示す回路接
続図である。第2図は第二の実施例回路の構成を
示す回路接続図である。第3図は第三の実施例回
路の構成を示す回路接続図である。第4図は歪検
出ダイオードが形成されたダイヤフラムを示す外
形図である。第5図は歪検出ダイオードに印加さ
れる張力に対する実施例回路のバイアス電流と出
力電圧との関係を示すグラフである。第6図は実
施例回路のバイアス電流と出力電圧との関係を示
すグラフである。
FIG. 1 is a circuit connection diagram showing the configuration of the circuit of the first embodiment. FIG. 2 is a circuit connection diagram showing the configuration of the circuit of the second embodiment. FIG. 3 is a circuit connection diagram showing the configuration of a third embodiment circuit. FIG. 4 is an outline drawing showing a diaphragm in which a strain detection diode is formed. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the bias current and output voltage of the embodiment circuit with respect to the tension applied to the strain detection diode. FIG. 6 is a graph showing the relationship between bias current and output voltage of the example circuit.

まず、第一の実施例回路の構成を第1図に基づ
いて説明する。
First, the configuration of the circuit of the first embodiment will be explained based on FIG.

この実施例回路は、バイアス電流供給端子10
と、出力端子15と、第一の抵抗1と、歪検出ダ
イオード素子2と、差動入力形の増幅器3と、帰
還抵抗4と第二の抵抗5と、第二のダイオード素
子6を備える。
This embodiment circuit has a bias current supply terminal 10
, an output terminal 15 , a first resistor 1 , a distortion detection diode element 2 , a differential input type amplifier 3 , a feedback resistor 4 , a second resistor 5 , and a second diode element 6 .

バイアス電流供給端子10は第一の抵抗1を介
して歪検出ダイオード素子2のアノードに接続さ
れ、歪検出ダイオード素子2のカソードは共通電
位に接続される。また、第二の抵抗5の一端は端
子10に接続され、この第二の抵抗5の他端は第
二のダイオード素子6のアノードに接続され、こ
のダイオード素子6のカソードは共通電位に接続
される。第一の抵抗1と歪検出ダイオード素子2
のカソードとの接続点は増幅器3の負入力に接続
され、第二の抵抗5とダイオード素子6の接続点
は増幅器3の正入力に接続される。増幅器3の出
力は出力端子15に接続され、また増幅器3の出
力は帰還抵抗4を介して増幅器3の負入力に接続
される。
The bias current supply terminal 10 is connected to the anode of the strain detection diode element 2 via the first resistor 1, and the cathode of the strain detection diode element 2 is connected to a common potential. Further, one end of the second resistor 5 is connected to the terminal 10, the other end of the second resistor 5 is connected to the anode of the second diode element 6, and the cathode of this diode element 6 is connected to a common potential. Ru. First resistor 1 and strain detection diode element 2
The connection point between the second resistor 5 and the diode element 6 is connected to the negative input of the amplifier 3, and the connection point between the second resistor 5 and the diode element 6 is connected to the positive input of the amplifier 3. The output of the amplifier 3 is connected to the output terminal 15, and the output of the amplifier 3 is connected to the negative input of the amplifier 3 via the feedback resistor 4.

次に、この第一の実施例装置の動作を第1図に
基づいて説明する。
Next, the operation of this first embodiment device will be explained based on FIG.

歪検出ダイオード素子2はそれに加えられる外
力に基づく歪に応じてその電圧−電流特性が変化
するので、このダイオード素子2を通過するバイ
アス電流IB1により生起されるこのダイオード素
子2の端子電圧(以下、バイアス電圧という。)
VBは変化しようとする(第5図参照)。これが増
幅器3の負入力に与えられる。増幅器3の正入力
の電位は一定である。一方、増幅器3および帰還
抵抗4で構成される負帰還増幅器の作用によりバ
イアス電圧VBの変化が抑止される。この抑止作
用に伴つて出力端子15には負帰還電流値IB2
なわち歪検出ダイオード素子の電圧変化分に相当
する電圧Vsが出力される。
Since the strain detection diode element 2 changes its voltage-current characteristics in accordance with the strain caused by the external force applied to it, the terminal voltage of this diode element 2 ( hereinafter referred to as , is called bias voltage.)
V B tends to change (see Figure 5). This is applied to the negative input of amplifier 3. The potential of the positive input of amplifier 3 is constant. On the other hand, changes in the bias voltage V B are suppressed by the action of the negative feedback amplifier composed of the amplifier 3 and the feedback resistor 4. With this suppressing effect, a negative feedback current value I B2 , that is, a voltage V s corresponding to the voltage change of the distortion detection diode element is outputted to the output terminal 15 .

第二の抵抗5およびダイオード素子6の接続点
電圧はバイアス電流供給端子10を介して供給さ
れるバイアス電流の値が変化した場合に変化す
る。この接続点電圧は増幅器3の正入力に参照電
圧として与えられており、したがつてバイアス電
流値の変化による影響が出力端子15の出力電圧
に及ばない。
The voltage at the connection point between the second resistor 5 and the diode element 6 changes when the value of the bias current supplied via the bias current supply terminal 10 changes. This connection point voltage is applied to the positive input of the amplifier 3 as a reference voltage, so that the output voltage of the output terminal 15 is not affected by changes in the bias current value.

次に、第二の実施例回路の構成および動作を第
2図に基づいて説明する。
Next, the configuration and operation of the second embodiment circuit will be explained based on FIG. 2.

この第二の実施例回路は第一の実施例回路のバ
イアス電圧VBがコンデンサ7を介して増幅器3
の負入力に入力している。また、歪検出ダイオー
ド素子2に生ずる歪の角変位速度の値に比してこ
のコンデンサ7の容量値と帰還抵抗4の抵抗値と
の積の逆数の値が非常に小さく設定されているの
で、出力端子15にはこの歪の振幅に相当する電
圧が出力される。増幅器3の正入力には参照電圧
を与える必要がなく、正入力は共通電位に接続し
ておけばよい。
In this second embodiment circuit, the bias voltage V B of the first embodiment circuit is connected to the amplifier 3 via the capacitor 7.
is inputting to the negative input of . Furthermore, since the value of the reciprocal of the product of the capacitance value of the capacitor 7 and the resistance value of the feedback resistor 4 is set to be very small compared to the value of the angular displacement speed of the strain generated in the strain detection diode element 2, A voltage corresponding to the amplitude of this distortion is output to the output terminal 15. There is no need to apply a reference voltage to the positive input of the amplifier 3, and the positive input may be connected to a common potential.

次に、第三の実施例回路の構成および動作を第
3図に基づいて説明する。
Next, the configuration and operation of the third embodiment circuit will be explained based on FIG.

この第三の実施例回路は第一の実施例回路のダ
イオード素子6に代り歪検出ダイオード素子9が
用いられる。第一の歪検出ダイオード素子2に生
ずる歪の変化方向と第二の歪検出ダイオード素子
9に生ずる歪の変化方向とがほぼ反対方向になる
位置にそれぞれのダイオード素子が配置される。
したがつて出力端子15には第一の実施例回路の
出力電圧のほぼ2倍の電圧が出力される。
In this third embodiment circuit, a strain detection diode element 9 is used in place of the diode element 6 of the first embodiment circuit. Each diode element is arranged at a position where the direction of change in strain occurring in the first strain detection diode element 2 and the direction of change in strain occurring in the second strain detection diode element 9 are substantially opposite directions.
Therefore, a voltage approximately twice the output voltage of the first embodiment circuit is outputted to the output terminal 15.

次に、バイアス電流IB1がその電流値の変動に
対しても出力端子の電圧値Vsがほぼ一定に保た
れる範囲の値であるときの実施例装置の動作を第
6図に基づいて説明する。
Next, the operation of the embodiment device when the bias current I B1 is within a range where the voltage value V s at the output terminal is kept almost constant even when the current value fluctuates will be explained based on FIG. explain.

第6図に示すグラフの横軸の値はバイアス電流
IB1の電流値を示し、またその縦軸の値は出力電
圧Vsの電圧値を示し、曲線61および曲線62
はバイアス電流IB1と出力電圧Vsとの関係を示す
もので、曲線61で示される関係が保たれる場合
の歪検出ダイオード2に生ずる機械的歪と、曲線
62で示される関係が保たれる場合の歪検出ダイ
オード2に生ずる機械的歪とはその大きさが異な
る。
The value on the horizontal axis of the graph shown in Figure 6 is the bias current.
The current value of I B1 is shown, and the value on the vertical axis shows the voltage value of the output voltage V s , curve 61 and curve 62.
shows the relationship between the bias current I B1 and the output voltage Vs , and shows the mechanical strain generated in the strain detection diode 2 when the relationship shown by curve 61 is maintained, and the relationship shown by curve 62. The magnitude is different from the mechanical strain that occurs in the strain detection diode 2 when the strain detection diode 2 is opened.

さて、曲線61および62がほぼ飽和する点に
対応するバイアス電流IB10の値より小さい値のバ
イアス電流IB12の近傍でこのバイアス電流IB12
値がΔI増減すると、出力電圧VsとバイアスIB1
の比の値すなわち感度は変化するが、バイアス電
流IB10の値より大きい値のバイアス電流IB11の近
傍でのバイアス電流IB1の変化に対しては感度は
ほぼ一定に保たれる。
Now, if the value of bias current I B12 increases or decreases by ΔI in the vicinity of bias current I B12 whose value is smaller than the value of bias current I B10 corresponding to the point where curves 61 and 62 are almost saturated, output voltage V s and bias I Although the value of the ratio to B1 , that is, the sensitivity changes, the sensitivity remains almost constant with respect to changes in bias current I B1 in the vicinity of bias current I B11 , which has a value larger than the value of bias current I B10 .

〔応用例〕[Application example]

本発明の応用例を第4図に示す。第4図のaは
正面図であり、bは側面図である。ダイヤフラム
20の可撓部には歪検出ダイオード素子21,2
2および23が形成されている。このダイヤフラ
ム20の円環状のA部は固定され、圧力Pに応じ
てその可撓部の形状が歪み、歪検出ダイオード素
子21,22および23の電圧−電流特性を変化
させる。この歪検出ダイオード素子21,22お
よび23のそれぞれは前述の第一の実施例回路な
いし第三の実施例回路に用いられる歪検出ダイオ
ード素子である。
An example of application of the present invention is shown in FIG. FIG. 4a is a front view, and b is a side view. Strain detection diode elements 21 and 2 are provided in the flexible portion of the diaphragm 20.
2 and 23 are formed. The annular portion A of the diaphragm 20 is fixed, and the shape of the flexible portion is distorted in response to the pressure P, changing the voltage-current characteristics of the strain detection diode elements 21, 22, and 23. Each of the distortion detection diode elements 21, 22 and 23 is a distortion detection diode element used in the first to third embodiment circuits described above.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は以上説明したように、歪センサで測定
した計測値が検出回路に供給される電源の変動に
より影響されないので、安定した歪計測を簡単な
構成の回路で行うことができる効果がある。
As described above, the present invention has the effect that stable strain measurement can be performed with a circuit of a simple configuration because the measured value measured by the strain sensor is not affected by fluctuations in the power supply supplied to the detection circuit.

また、歪センサとして微少面積の歪計測に適合
したダイオード素子が利用できるのでその配置に
制約が少なく、歪の変化方向がほぼ反対方向にな
る位置に配置して単位歪み量に対する出力値をほ
ぼ2倍に高めることが容易に実現できる効果があ
る。
In addition, since a diode element suitable for strain measurement in a minute area can be used as a strain sensor, there are fewer restrictions on its placement, and by placing it at a position where the direction of strain change is almost the opposite direction, the output value for a unit strain amount can be approximately 2. There is an effect that can be easily realized by doubling the amount.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第一の実施例回路の構成を示
す回路接続図。第2図は本発明の第二の実施例回
路の構成を示す回路接続図。第3図は本発明の第
三の実施例回路の構成を示す回路接続図。第4図
は歪検出ダイオードが形成されるダイヤフラムを
示す外形図。第5図はダイオード素子の張力に対
する実施例回路の電気特性の変化を示すグラフ。
第6図は実施例回路のバイアス電流と出力電圧と
の関係を示すグラフ。 1,4,5,8…抵抗、2,9,21,22,
23…歪検出ダイオード素子、6…ダイオード素
子、3…増幅器、10…バイアス電流供給端子、
15…出力端子、20…ダイヤフラム。
FIG. 1 is a circuit connection diagram showing the configuration of a circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit connection diagram showing the configuration of a second embodiment circuit of the present invention. FIG. 3 is a circuit connection diagram showing the configuration of a third embodiment circuit of the present invention. FIG. 4 is an outline diagram showing a diaphragm in which a strain detection diode is formed. FIG. 5 is a graph showing changes in the electrical characteristics of the example circuit with respect to the tension of the diode element.
FIG. 6 is a graph showing the relationship between bias current and output voltage of the example circuit. 1, 4, 5, 8...resistance, 2, 9, 21, 22,
23... Distortion detection diode element, 6... Diode element, 3... Amplifier, 10... Bias current supply terminal,
15...Output terminal, 20...Diaphragm.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 歪検出点に配置された第一のダイオード素子
と、 このダイオード素子に一定のバイアス電流を供
給する端子と、 上記ダイオードに印加された機械歪にしたがつ
て変化するこのダイオード素子の電気特性を検出
する検出手段と を備えた歪検出回路において、 上記検出手段は、 一方の入力に上記ダイオード素子の端子電圧が
与えられ、他方の入力に参照電圧が与えられ、電
流負帰還が施された差動入力型の負帰還増幅器
と、 この負帰還増幅器の出力電圧が導かれた出力端
子と を備えたことを特徴とするダイオード素子による
歪検出回路。 2 参照電圧はバイアス電流を供給する端子と共
通の端子から電流が供給された第二のダイオード
素子の両端に生ずる電圧である特許請求の範囲第
1項に記載のダイオード素子による歪検出回路。 3 第二のダイオード素子は、第一のダイオード
素子に印加される機械的歪の方向とほぼ反対方向
の機械的歪の印加される位置に配置された歪検出
用のダイオード素子である特許請求の範囲第2項
に記載のダイオード素子による歪検出回路。 4 歪検出点がダイヤフラムである特許請求の範
囲第1項に記載のダイオード素子による歪検出回
路。 5 バイアス電流はその電流値の変動に対して出
力端子の電圧値がほぼ一定の値に保たれる範囲の
値である特許請求の範囲第1項に記載のダイオー
ド素子による歪検出回路。 6 歪検出点に配置されたダイオード素子と、こ
のダイオード素子に一定のバイアス電流を供給す
る端子と、 上記ダイオードに印加された機械的歪にしたが
つて変化するこのダイオード素子の電気特性を検
出する検出手段と を備えた歪検出回路において、 上記検出手段は、 上記ダイオード素子の端子電圧がコンデンサを
介して入力に接続され、電流負帰還が施された差
動入力型の負帰還増幅器と、 この負帰還増幅器の出力電圧が導かれた出力端
子と を備えたことを特徴とするダイオード素子による
歪検出回路。
[Claims] 1. A first diode element disposed at a strain detection point, a terminal for supplying a constant bias current to this diode element, and a terminal for supplying a constant bias current to this diode element, which changes in accordance with mechanical strain applied to the diode. In the distortion detection circuit, the detection means is provided with a terminal voltage of the diode element to one input, a reference voltage to the other input, and a current negative. A distortion detection circuit using a diode element, comprising: a differential input type negative feedback amplifier to which feedback is applied; and an output terminal to which an output voltage of the negative feedback amplifier is guided. 2. The distortion detection circuit using a diode element according to claim 1, wherein the reference voltage is a voltage generated across the second diode element to which a current is supplied from a terminal common to the terminal supplying the bias current. 3. The second diode element is a strain detection diode element disposed at a position where mechanical strain is applied in a direction substantially opposite to the direction of mechanical strain applied to the first diode element. A distortion detection circuit using a diode element according to scope 2. 4. A distortion detection circuit using a diode element according to claim 1, wherein the distortion detection point is a diaphragm. 5. The distortion detection circuit using a diode element according to claim 1, wherein the bias current has a value within a range in which the voltage value at the output terminal is maintained at a substantially constant value despite fluctuations in the current value. 6 A diode element placed at a strain detection point, a terminal that supplies a constant bias current to this diode element, and detecting the electrical characteristics of this diode element that change according to the mechanical strain applied to the diode. A distortion detection circuit comprising: a differential input type negative feedback amplifier in which the terminal voltage of the diode element is connected to the input via a capacitor and current negative feedback is applied; 1. A distortion detection circuit using a diode element, comprising an output terminal to which an output voltage of a negative feedback amplifier is guided.
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