JPH0443625A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH0443625A JPH0443625A JP2150723A JP15072390A JPH0443625A JP H0443625 A JPH0443625 A JP H0443625A JP 2150723 A JP2150723 A JP 2150723A JP 15072390 A JP15072390 A JP 15072390A JP H0443625 A JPH0443625 A JP H0443625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- marks
- alignment
- mask
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分對] この発明は半導体装置の製造方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial usage] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
[従来の技術]
従来より、半導体装置(例えばIC)の製造工程中に、
半導体ウェハーとマスクとの位置合せをする工程がある
。通常は、マスク合せの回数分だけ半導体ウェハーの左
右に位置合せ用ウェハーマーり対を形成しているもので
ある。そl、て上記位置合せは、位置合せ用ウェハーマ
ークにマスクマークを合せ、光学的方法などによりマー
ク間のずれをSj定し、すれに基づいてマスク間の相対
位置を動かして、すれ量がある値より小さくなったら、
位置合せが終了する。この位置合せを第4図を参照して
説明する。[Prior Art] Conventionally, during the manufacturing process of semiconductor devices (for example, IC),
There is a process of aligning the semiconductor wafer and the mask. Usually, alignment wafer marker pairs are formed on the left and right sides of the semiconductor wafer for the number of times mask alignment is performed. The above alignment is performed by aligning the mask mark with the alignment wafer mark, determining the deviation between the marks using an optical method, etc., and moving the relative position between the masks based on the deviation to determine the amount of deviation. When it becomes smaller than a certain value,
Alignment is complete. This alignment will be explained with reference to FIG.
半導体ウェハーに一対の正方形状の位置合せ用ウェハー
マークWIW1aを第4図(A)左右に所定距離Ωたけ
離して配置すると共に、同様に複数対の位置合せ用ウェ
ハーマークW2.W2a。A pair of square alignment wafer marks WIW1a are arranged on the semiconductor wafer at a predetermined distance Ω apart from each other in the left and right directions in FIG. 4(A), and similarly, a plurality of pairs of alignment wafer marks W2. W2a.
W3.W3aを配置し、位置合せ用ウェハ−マーク対間
は鉗Mmたけ間隔をあけである。W3. W3a is arranged, and the pair of alignment wafer marks are spaced apart by the length of forceps Mm.
マスク合せは次の方法で行われる。Mask matching is performed in the following manner.
ます、第4図(A)に示すようにマスクマークMl、M
laを位置合せ用ウェハーマークW1とウェハーマーク
Wla上に位置合せし、光学的方法などで両マークの横
方向の位置ずれdLl、dL2 、dRl 、dR2を
測定し、この値が共にある規格値以下になるようにウェ
ハーマークとマスクマークとの相対的位置を変えて合せ
を行う。同様に、縦方向についても位置合せをする。Then, as shown in FIG. 4(A), mask marks Ml, M
Align la on the alignment wafer mark W1 and wafer mark Wla, and measure the lateral positional deviations dLl, dL2, dRl, and dR2 of both marks using an optical method, and make sure that both of these values are below a certain standard value. Alignment is performed by changing the relative positions of the wafer mark and mask mark so that Similarly, alignment is performed in the vertical direction as well.
ついで、第4図(B)に示すようにマスクマークM2.
M2aと位置合せ用ウェハーマークW2゜2aとのマス
ク合せを、引続いて同図(C)示すようにマスクマーク
M3.M3aと位置合せ用ウェハーマークW3,3aと
のマスク合せをそれぞれ順次上記の方法と同様にして行
う。Then, as shown in FIG. 4(B), the mask mark M2.
M2a and the alignment wafer mark W2.2a are then aligned with the mask mark M3.2a as shown in FIG. Mask alignment between M3a and the alignment wafer marks W3, 3a is performed in sequence in the same manner as described above.
[発明が解決しようとする課題]
従来例によると、各位置合せ用ウェハーマーク対を構成
しているウェハーマークW1〜W3、W 1 a−WS
a間の距離gが、隣り合うウェハーマーク対で等しく
設定しである。このために、位置合せに際して、第4図
(A)開鎖線に示すように、誤って合せマークM 1
、 M 1 aがウェハーマー、’7W 1 、 W
1 aからなるウェハーマーク対に隣接するウェハーマ
ーク対のマークW2.W2aに合せられた場合には、両
マークの上記位置ずれdLl、dL2、dRl、dR2
に相当する値は当然ながら、規格値におさまり、位置合
せが正しいものと判断され、位置合せの不良を検出でき
ない不都合があった。[Problems to be Solved by the Invention] According to the conventional example, the wafer marks W1 to W3, W1a-WS constituting each alignment wafer mark pair
The distance g between a and adjacent wafer mark pairs is set equal. For this reason, when aligning, as shown by the open chain line in FIG. 4(A), the alignment mark M1 is mistakenly
, M 1 a is Wahama, '7W 1 , W
Mark W2 of the wafer mark pair adjacent to the wafer mark pair consisting of 1a. When aligned with W2a, the above positional deviations dLl, dL2, dRl, dR2 of both marks
Naturally, the value corresponding to is within the standard value, and it is determined that the alignment is correct, resulting in the inconvenience that poor alignment cannot be detected.
また第4図(B)鎖線に示すようにマスクマークM2
M2aのうち、マスクマークM2が誤ってウェハーマ
ーク対の一方のウェハーマークW3に位置合せされた場
合も、上記の場合と同様な不都合がある。Also, as shown in the chain line in FIG. 4(B), the mask mark M2
If mask mark M2 of M2a is erroneously aligned with wafer mark W3, one of the wafer mark pairs, there will be the same problem as in the above case.
この発明の目的は簡単な方法で正しいマスク合せかでき
て、不良な半導体装置を製造しないようにすることにあ
る。An object of the present invention is to enable correct mask alignment using a simple method and to avoid manufacturing defective semiconductor devices.
[課題を解決するための手段]
この発明における半導体装置の製造方法において、半導
体ウェハーに形成された複数の位置合せ用ウェハーマー
ク対の中から、各マスク合せ工程毎に一対の上記ウェハ
ーマーク対を選択して製造される半導体装置の製造方法
であって、上記各ウェハーマーク対におけるウェハーマ
ーク同志の距離を、互いに隣り合ったウェハーマーク対
では異なるように形成したものである。[Means for Solving the Problems] In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, one pair of wafer marks is selected for each mask alignment process from among a plurality of pairs of alignment wafer marks formed on a semiconductor wafer. In this method of manufacturing a semiconductor device selectively, the distance between the wafer marks in each wafer mark pair is formed to be different for adjacent wafer mark pairs.
[実施例] 以下゛、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
崖導体装置の製造に際して、予め半導体ウェハーに第1
図(A)に示すように左右一対の位置合せ用ウェハーマ
ークからなるウェハーマーク対1、ウェハーマーク対2
及びウェハーマーク対3を同図上下方向に配置17であ
る。When manufacturing a cliff conductor device, a first layer is placed on a semiconductor wafer in advance.
As shown in Figure (A), wafer mark pair 1 and wafer mark pair 2 consist of a pair of left and right alignment wafer marks.
and wafer mark pairs 3 are arranged 17 in the vertical direction in the figure.
ウェハーマーク対1は、左右に距離1!1だけ離れた正
方形状のウェハーマークla、lbからなるものである
。Wafer mark pair 1 consists of square wafer marks la and lb separated by a distance of 1!1 in the left and right directions.
ウェハーマーク対1に隣り合っているウェハーマーク対
2は、上記位置合せ用ウェハーマーク1a、lbと同一
形状の位置合せ用ウェハーマーク2a、2bからなる。Wafer mark pair 2 adjacent to wafer mark pair 1 consists of alignment wafer marks 2a and 2b having the same shape as the alignment wafer marks 1a and lb.
左右一対の位置合せ用ウェハ−マーク2a、2b間は、
位置合せ用ウェハーマークla、lb間の距離g1より
長い距離g2だけ離れて配置されている。Between the pair of left and right alignment wafer marks 2a and 2b,
The alignment wafer marks la and lb are spaced apart by a distance g2 which is longer than the distance g1 between them.
またウェハーマーク対2に図下力で隣り合っているウェ
ハーマーク対3は、上記位置合せ用ウェハーマーク1a
、1bと同一形状の位置合せ用ウェハーマーク3a、3
bからなる。左右一対の位置合せ用ウェハ−マーク3a
、3b間は、位置合せ用ウェハ−マーク2a、2b間の
距Mjl12より長い距[3だけ離れて配置されている
。Further, the wafer mark pair 3 which is adjacent to the wafer mark pair 2 by force in the figure is the alignment wafer mark 1a.
, 1b and alignment wafer marks 3a, 3 having the same shape as
Consists of b. A pair of left and right alignment wafer marks 3a
, 3b are arranged at a distance [3] longer than the distance Mjl12 between the alignment wafer marks 2a, 2b.
このように予め、各ウェハーマーク対1〜3におけるウ
ェハーマーク1aとlb、2aと2b。In this way, wafer marks 1a and lb and 2a and 2b in each wafer mark pair 1 to 3 are set in advance.
3aと3b同志の距離D1.D2 N3を、隣り合う
ウェハーマーク対では互いに異って配置するようにして
おくのである。Distance D1 between 3a and 3b. D2 and N3 are arranged differently in adjacent wafer mark pairs.
上記のような位置関係に設定しておいてから、マスク合
せ工程に入る。After setting the positional relationship as described above, the mask alignment process begins.
ます、第1図(A)に示すように正方形状のマスクマー
ク4a、4bをウェハーマーク対1の位置合せ用ウェハ
ーマークla、lbに合せて、ついて同図(B)に示す
ようにマスクマーク5a。First, as shown in FIG. 1(A), align the square mask marks 4a and 4b with the alignment wafer marks la and lb of wafer mark pair 1, and then align the mask marks as shown in FIG. 1(B). 5a.
5bをウェハーマーク対2の位置合せ用ウェハーマーク
2a、2bに合せ、さらに同図(C)に示すようにマス
クマーク6a、6bをウェハーマーク対3の位置合せ用
ウェハーマーク3a、3bに順次台せて行く。5b to the alignment wafer marks 2a, 2b of the wafer mark pair 2, and then sequentially align the mask marks 6a, 6b to the alignment wafer marks 3a, 3b of the wafer mark pair 3 as shown in FIG. Let's go.
この工程中に、もし誤ってマスクマーク4a。During this process, if you accidentally remove the mask mark 4a.
4bが正規の合せ位置であるウェハーマークla。4b is the wafer mark la which is the regular alignment position.
1bではなくて、例えば第2図に示すようにウェハーマ
ーク2a、2bに合された場合は、ずれ量di、d2、
da、d4 (第1図)が規格値におさまらないから
、マスク合せができず、位置合せ不良を検出できる。If the wafer marks 2a and 2b are aligned instead of wafer marks 1b as shown in FIG. 2, the deviation amounts di, d2,
Since da and d4 (FIG. 1) do not fall within the standard values, mask alignment cannot be performed and a misalignment can be detected.
検出後、マスクマーク4a、4bを正規の位置に合せる
。After the detection, the mask marks 4a and 4b are aligned to the proper positions.
このように正確にマークの位置合せをしてがら、半導体
装置の製造を行う。Semiconductor devices are manufactured while accurately aligning the marks in this way.
上例において、ウェハーマーク対1〜3ヲ、3対形成し
たが、2対でも4対以上であってもよい。In the above example, three wafer mark pairs 1 to 3 were formed, but 2 pairs or 4 or more pairs may be formed.
そしてウェハーマーク1 a 、1 b s 2 a
、 2 b 。And wafer mark 1 a, 1 b s 2 a
, 2b.
3a、3bの形状は必ずしも正方形状に限定されない。The shapes of 3a and 3b are not necessarily limited to square shapes.
また上例では、ウェハーマーク対1〜3におけるウェハ
ーマークla、lb、2a、2b、3a。Further, in the above example, wafer marks la, lb, 2a, 2b, and 3a in wafer mark pairs 1 to 3.
3b間の距離N1.N2. g3をそれぞれ異なったも
のとしているが、少なくとも隣り合うウェハーマーク対
間のウェハーマーク同志の距離が相違していればよい。3b distance N1. N2. Although g3 are different from each other, it is sufficient that at least the distances between the wafer marks of adjacent wafer mark pairs are different.
例えば第3図に示すように第1番目と第3番目すなわち
奇数番目のウェハーマーク対11.13間のウェハーマ
ークlla、llb、13a、13b同志ではその距離
&! 11を等しくし、偶数番目のウェハーマーク対1
2.14間のウェハ−マーク12a、12b、14a、
14b同志ではその距離N 12を等しくし、距離N
11と距離Ill 12との長さを異らせておいてもよ
い。For example, as shown in FIG. 3, the distance between wafer marks lla, llb, 13a, and 13b between the first and third or odd-numbered wafer mark pairs 11 and 13 is &! 11 and even numbered wafer marks vs. 1
2. Wafer marks 12a, 12b, 14a between 14,
For 14b comrades, the distance N 12 is made equal, and the distance N
11 and the distance Ill 12 may have different lengths.
[発明の効果]
この発明によれば、隣り合うウェハーマーク対間では、
各対を構成している位置合せ用ウェハーマーク同志の距
離を異にするように形成しているので、誤ったマスクマ
ークの位置合せを簡単に検知することができ、不良な半
導体装置の製造を防止できる。[Effect of the invention] According to the invention, between adjacent wafer mark pairs,
Since the alignment wafer marks that make up each pair are formed at different distances from each other, incorrect mask mark alignment can be easily detected and manufacturing of defective semiconductor devices can be prevented. It can be prevented.
第1図〜第3図はこの発明に係り、
第1図(A)〜(C)はマスク合せ工程を段階的に示す
甲面図、
第2図はマスクマークを誤ってセットした状態を示す平
面図、
第3図は他の例を示す平面図、
第4図は従来例におけるマスク合せ工程を段階的に示す
平面図である。
以 上
1〜3・・ウェハーマーク対、
la、lb、2a、2bs 3a、3b位置合せ用ウェ
ハーマーク、
11〜14・ウェハーマーク対、
11a、llb、12a、12b、13a13b、14
a、14b
・・位置合せ用ウェハーマーク
以 上
出願人 株式会社 精 工 舎
日本プレシジョン・
サーキッツ株式会社Figures 1 to 3 relate to this invention; Figures 1 (A) to (C) are top views showing the mask alignment process step by step; Figure 2 shows a state in which mask marks have been incorrectly set; FIG. 3 is a plan view showing another example, and FIG. 4 is a plan view showing a step-by-step mask alignment process in a conventional example. Above 1 to 3... Wafer mark pair, la, lb, 2a, 2bs 3a, 3b alignment wafer mark, 11 to 14 Wafer mark pair, 11a, llb, 12a, 12b, 13a 13b, 14
a, 14b...Wafer mark for alignment and above Applicant: Seikosha Japan Precision Circuits Co., Ltd.
Claims (1)
ーマーク対の中から、各マスク合せ工程毎に一対の上記
ウェハーマーク対を選択して製造される半導体装置の製
造方法において、 上記各ウェハーマーク対におけるウェハーマーク同志の
距離を、互いに隣り合ったウェハーマーク対では異なる
ように形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法
。[Scope of Claim] A method for manufacturing a semiconductor device in which a pair of wafer mark pairs is selected for each mask alignment process from among a plurality of alignment wafer mark pairs formed on a semiconductor wafer, A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the distance between the wafer marks in each of the wafer mark pairs is formed to be different for adjacent wafer mark pairs.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2150723A JPH0443625A (en) | 1990-06-09 | 1990-06-09 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2150723A JPH0443625A (en) | 1990-06-09 | 1990-06-09 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0443625A true JPH0443625A (en) | 1992-02-13 |
Family
ID=15503004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2150723A Pending JPH0443625A (en) | 1990-06-09 | 1990-06-09 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0443625A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60150631A (en) * | 1984-01-18 | 1985-08-08 | Nec Corp | Photomask |
JPS6345818A (en) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | Alignment method in semiconductor manufacturing system |
-
1990
- 1990-06-09 JP JP2150723A patent/JPH0443625A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60150631A (en) * | 1984-01-18 | 1985-08-08 | Nec Corp | Photomask |
JPS6345818A (en) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | Alignment method in semiconductor manufacturing system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6063529A (en) | Overlay accuracy measurement mark | |
KR970010666B1 (en) | Measurement of attern overlay of semiconductor device | |
JPH02143544A (en) | Semiconductor device provided with vernier pattern for mesh matching use | |
JP6063602B1 (en) | Overlay mark, overlay measurement method using the same, and semiconductor device manufacturing method | |
KR100319999B1 (en) | Semiconductor device and alignment apparatus and alignment method for same | |
CN115268228B (en) | Overlay mark, overlay measuring method using the same, and semiconductor device manufacturing method | |
JPH08274004A (en) | Semiconductor device | |
JP2003257828A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JPH0443625A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
US7602072B2 (en) | Substrate having alignment marks and method of obtaining alignment information using the same | |
JPS60163110A (en) | Positioning device | |
JPS59134825A (en) | Semiconductor device and semiconductor wafer therefor | |
KR100321442B1 (en) | Method for measuring a overlay status in a fabricating process of a semiconductor device | |
JPH0523490B2 (en) | ||
JPS6348420B2 (en) | ||
JPS5922370B2 (en) | How to align masks for integrated circuits | |
JP2977471B2 (en) | Alignment method of wafer alignment mark | |
JP2001051402A (en) | Vernier for alignment of photomask and its constitution method | |
JP2003037038A (en) | Projection exposure method | |
JPS622764Y2 (en) | ||
KR950006446Y1 (en) | Auto line structure of semiconductor wafer | |
JPS62176142A (en) | Manufacture of dielectric isolation substrate | |
KR20080061031A (en) | Overlay mark and method for testing of mask align using the same | |
JP4146827B2 (en) | Reference value setting method, pattern determination method, alignment inspection apparatus, semiconductor device manufacturing system, semiconductor manufacturing factory, and semiconductor device manufacturing method | |
JPS6053024A (en) | Manufacture of semiconductor element |