JPH0440799A - Production of diaphragm for speaker - Google Patents
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- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、スピーカ用振動板の製造方法に間するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method of manufacturing a diaphragm for a speaker.
[従来の技術]
従来、スピーカ用振動板としては、比弾性率E/ρ(E
:ヤング率、ρ:密度)が大きいこと、すなわち剛性率
が大きく軽量であることが音響特性上望ましいことが知
られており、そのために、スピーカ用振動板の材料、形
状及び製造方法が種々検討されている。そして最近では
、アルミニウムやチタン等の金属と比較して比較的に大
きなE/ρ値を持つセラミックスがスピーカ用振動板に
適用されるようになった。[Prior Art] Conventionally, speaker diaphragms have a specific elastic modulus E/ρ (E
: Young's modulus, ρ : density), that is, a large rigidity and light weight, is known to be desirable for acoustic properties, and for this reason, various studies have been conducted on the materials, shapes, and manufacturing methods of speaker diaphragms. has been done. Recently, ceramics having a relatively large E/ρ value compared to metals such as aluminum and titanium have been used for speaker diaphragms.
第5図は従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動
板の製造方法の工程を説明するための概略図である。図
において、 (A)はプラズマ溶射工程、 (B)は離
型工程(D)は焼成工程である。FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the steps of a conventional method for manufacturing a speaker diaphragm using ceramics. In the figure, (A) is a plasma spraying process, (B) is a mold release process, and (D) is a baking process.
この各工程(A)、 (B)、 (D)において、
lは溶射ガン、2は粉末供給ノズル、3は溶射用粉末、
4はプラズマ炎、5はドーム形状等の所望形状を有する
金型、6は振動板となる皮膜、7は電気炉等の容器、8
は抵抗線等のヒータ、9はバルブ付きの排気口、10は
不活性ガスを導入するバルブ付き導入口である。In each of these steps (A), (B), and (D),
1 is a thermal spray gun, 2 is a powder supply nozzle, 3 is a thermal spray powder,
4 is a plasma flame, 5 is a mold having a desired shape such as a dome shape, 6 is a film that becomes a diaphragm, 7 is a container such as an electric furnace, 8
9 is a heater such as a resistance wire, 9 is an exhaust port with a valve, and 10 is an inlet with a valve for introducing inert gas.
次に、上記従来のスピーカ用振動板の製造方法について
説明する。まず、プラズマ溶射工程(A)において、ア
ルゴン(Ar)と水素(H)あるいは窒素(N)と水素
(H)の混合ガスを溶射ガン1から放射することにより
発生した高温、高速のプラズマ炎4の中心に、粉末供給
ノズル2より炭化ホウ素(BaC) などのセラミッ
クスの粉末3を搬送用のアルゴン又は窒素に乗せて投入
する。Next, a method of manufacturing the conventional speaker diaphragm will be described. First, in the plasma spraying process (A), a high-temperature, high-speed plasma flame 4 is generated by emitting a mixed gas of argon (Ar) and hydrogen (H) or nitrogen (N) and hydrogen (H) from a thermal spray gun 1. Powder 3 of ceramics such as boron carbide (BaC) is introduced into the center of the chamber from a powder supply nozzle 2 while being placed on argon or nitrogen for transportation.
すると、投入された溶射用粉末3は溶融し、この溶融さ
れた溶射用粉末3はプラズマ炎4の前方に設置されたド
ーム形状等の所望形状を有する金型5の表面に被着し、
振動板となる皮膜6が形成される。続いて離型工程(B
)において、皮M6を金型5より離し、セラミックス単
体から成る皮膜6を作成する。続いて焼成工程(D)に
おいて、皮膜6を電気炉等の容器7内に入れ、真空中又
は不活性ガス中てヒータ8によって約2ooo℃で焼成
を行う。これにより、E/ρ値が高い振動板が得られる
。Then, the injected thermal spraying powder 3 is melted, and this molten thermal spraying powder 3 adheres to the surface of a mold 5 having a desired shape such as a dome shape, which is placed in front of the plasma flame 4.
A film 6 that becomes a diaphragm is formed. Next, the mold release process (B
), the skin M6 is separated from the mold 5, and a film 6 made of ceramic alone is created. Subsequently, in the firing step (D), the film 6 is placed in a container 7 such as an electric furnace, and fired at about 200° C. with a heater 8 in a vacuum or in an inert gas. Thereby, a diaphragm with a high E/ρ value can be obtained.
[発明が解決しようとする課題]
上記した従来のスピーカ用振動は以上のような製造方法
によって作成されており、そのために、チタン・アルミ
ニウム(TI−A1)等の金属で形成された振動板と比
較して、大幅に高いE/ρ値を有する振動板を得ていた
。しかるに、上記のような従来の製造方法によって作成
された振動板は、焼成工程(D)により振動板となる皮
膜6を焼成した後においても、作成された振動板には約
17%に近い程度の空隙が存在している。この事実は、
本願発明の出願人による試験研究の実験結果によって実
証されている。従って、従来のスピーカ用振動板の製造
方法では、皮116から成る振動板中に上記のように約
17%程度の空隙が存在している振動板が作成されるこ
とになり、空隙が少なく、かつより一層高いE/ρ値を
有する振動板を作成することは極めて困難であるという
問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional speaker vibration described above is produced by the manufacturing method described above, and for this purpose, a diaphragm made of metal such as titanium/aluminum (TI-A1) and a In comparison, a diaphragm with a significantly higher E/ρ value was obtained. However, in the diaphragm manufactured by the conventional manufacturing method as described above, even after the film 6 that becomes the diaphragm is fired in the firing process (D), the diaphragm has a content close to about 17%. There is a void. This fact is
This has been proven by the experimental results of test research conducted by the applicant of the present invention. Therefore, in the conventional manufacturing method of a speaker diaphragm, a diaphragm is created in which about 17% of the voids exist in the diaphragm made of the skin 116, as described above, and there are few voids. In addition, there was a problem in that it was extremely difficult to create a diaphragm having an even higher E/ρ value.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、E/ρ値がきわめて高く、より一層高性能な
スピーカ用として最適な振動板を作成することができる
スピーカ用振動板の製造方法を得ることを目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and it is a speaker diaphragm that has an extremely high E/ρ value and can create a diaphragm that is optimal for higher performance speakers. The purpose is to obtain a manufacturing method.
[課題を解決するための手段]
この発明に係るスピーカ用振動板の製造方法は、所望形
状の金型上にプラズマ溶射によりセラミックスなどの皮
膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後に、皮膜中
に存在する空隙内に、あるいは皮膜を真空中又は不活性
ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空隙内に、CV
D法によりセラミックスあるいは金属を充填させて振動
板を作成するようにしたものである。[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a speaker diaphragm according to the present invention involves forming a film of ceramics or the like on a mold having a desired shape by plasma spraying, and then releasing the film from the mold. CV
The diaphragm is made by filling ceramics or metal using the D method.
[作用コ
この発明におけるスピーカ用振動板の製造方法は、プラ
ズマ溶射法により金型上に被着されたセラミックスなど
の皮膜を形成する第1の工程と、この第1の工程により
形成された皮膜を金型から離型する第2の工程と、この
第2の工程により形成された皮膜中に存在する空隙内に
、あるいは第2の工程により形成された皮膜を焼成する
第3の工程によって焼成した後の皮膜中に存在する空隙
内に、CVD法によりセラミックスあるいは金属を充填
する第4の工程により振動板を作成するようにしている
ので、E/ρ値の極めて高い振動板を製造することがで
きる。[Function] The method for manufacturing a speaker diaphragm according to the present invention includes a first step of forming a film of ceramics or the like on a mold by plasma spraying, and a film formed by this first step. A second step of releasing the film from the mold, and a third step of firing the film formed in the second step or in the voids existing in the film formed in the second step. Since the diaphragm is created through the fourth step of filling ceramics or metal into the voids existing in the film using the CVD method, it is possible to manufacture a diaphragm with an extremely high E/ρ value. I can do it.
[実施例]
第1図はこの発明の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図である。図におい
て、 (A)はプラズマ溶射工程、(B)は離型工程、
(C)はCVD (化学蒸着)工程、 (D)は焼成
工程である。この各工程(A)(B)、 (C)、
(D)において、1は溶射ガン、2は粉末供給ノズル
、3は溶射用粉末、4はプラズマ炎、5はドーム形状等
の所望形状を有する金型、6は振動板となる皮膜、7は
電気炉等の容器、8は抵抗線等のヒータ、9はバルブ付
きの排気口、10は不活性ガスを導入するバルブ付き導
入口、11はCVD (化学蒸着)装置容器、12はサ
セプタとなるカーボン、13は誘導加熱用の高周波コイ
ル、14はCVD原料ガス、15はCVD原料ガス14
のガス導入口、16はCVD原料ガス14のガス排気口
である。[Example] FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the steps of a method for manufacturing a speaker diaphragm according to an example of the present invention. In the figure, (A) is a plasma spraying process, (B) is a mold release process,
(C) is a CVD (chemical vapor deposition) process, and (D) is a firing process. Each of these steps (A), (B), (C),
In (D), 1 is a thermal spray gun, 2 is a powder supply nozzle, 3 is a thermal spray powder, 4 is a plasma flame, 5 is a mold having a desired shape such as a dome shape, 6 is a coating that becomes a diaphragm, and 7 is a A container such as an electric furnace, 8 a heater such as a resistance wire, 9 an exhaust port with a valve, 10 an inlet port with a valve for introducing inert gas, 11 a CVD (chemical vapor deposition) device container, and 12 a susceptor. Carbon, 13 is a high frequency coil for induction heating, 14 is CVD raw material gas, 15 is CVD raw material gas 14
16 is a gas exhaust port for the CVD source gas 14.
次に、上記この発明の実施例であるスピーカ用振動板の
製造方法について説明する。上記第5図に示す従来の製
造方法と同様に、まず、プラズマ溶射工程(A)におい
て、アルゴンと水素あるいは窒素と水素の混合ガスを溶
射ガン1から放射することにより発生した高温(〜20
00℃)、高速プラズマ炎4の中心に、粉末供給ノズル
2より、例えば平均粒径20μmの炭化ホウ素などのセ
ラミックスの溶射用粉末3を搬送用のアルゴン又は窒素
に乗せて投入する。すると、投入された溶射用粉末3は
プラズマ炎4中で溶融あるいは半溶融し、プラズマ炎4
の前方に設置されたドーム形状等の所望形状を有する金
型5の表面に高速て被着し、冷却し、同化堆積して振動
板となる皮膜6が形成される。続いて離型工程(B)に
おいて、あらかじめ金型5の表面を平滑にし、その材質
を適当に選定することにより、上記のようにして形成さ
れた皮膜6を金型5より離すことができ、これにより炭
化ホウ素などのセラミックス単体から成る皮膜6を形成
する。このようにして形成された皮膜6は、炭化ホウ素
の粒子の大部分が機械的に堆積形成されている構成を有
するために、各粒子閏の結合は比較的に弱く、かつ約1
7%程度の空隙が存在しているので、E/ρ値は比較的
に小さいものである。Next, a method of manufacturing a speaker diaphragm according to an embodiment of the present invention will be described. Similar to the conventional manufacturing method shown in FIG.
00° C.), a thermal spraying powder 3 of ceramics such as boron carbide having an average particle size of 20 μm is introduced into the center of the high-speed plasma flame 4 from the powder supply nozzle 2 while being carried by argon or nitrogen. Then, the injected thermal spray powder 3 melts or semi-melts in the plasma flame 4.
The coating 6 is deposited at high speed on the surface of a mold 5 having a desired shape, such as a dome shape, placed in front of the diaphragm, cooled, and deposited assimilated to form a film 6 that becomes a diaphragm. Subsequently, in the mold release step (B), by smoothing the surface of the mold 5 in advance and selecting an appropriate material, the film 6 formed as described above can be separated from the mold 5. As a result, a film 6 made of a single ceramic material such as boron carbide is formed. Since the film 6 thus formed has a structure in which most of the boron carbide particles are mechanically deposited, the bond between each particle is relatively weak and about 1
Since there are about 7% voids, the E/ρ value is relatively small.
そこで、この発明では続いて行われるCVD工程(C)
において、皮膜6中に存在する上記の空隙内にCVD法
によりセラミックスを充填させる。Therefore, in this invention, the subsequent CVD step (C)
In this step, the above-mentioned voids existing in the film 6 are filled with ceramics by the CVD method.
ここでは、例えば炭化ホウ素を皮膜6の空隙内に充填す
る方法について説明する。まず、CVD装置容器ll内
に皮膜6を入れ、真空ポンプにて約10−’torr以
下に排気した後に、高周波コイル13にて誘導加熱によ
りカーボン12及び皮膜6を約800℃〜1300℃に
加熱する。次に、このようにして加熱された皮M6に対
し、ガス化させたBCl3とco及びHをマスフロメー
タで調整しCVD原料ガス14として皮膜6上に吹き付
ける。吹き付けられたCVD原料ガス14は皮膜6の表
面上の粒子に付着すると共に、皮膜6の上記空隙内にも
侵入して堆積し、徐々に空隙(空孔)を充填することが
できる。ここで、CVD装置容器11内の排気はCVD
処理中続けられている。またCVD処理をする以前の皮
膜6の組織は、溶射皮膜の特徴として金型5に接してい
た部分付近は押しつぶされて空隙が少なくなっている。Here, a method for filling voids in the film 6 with, for example, boron carbide will be described. First, the film 6 is placed in a CVD device container 11, and after the vacuum pump is used to evacuate the temperature to below about 10-'torr, the carbon 12 and the film 6 are heated to about 800°C to 1300°C by induction heating using the high-frequency coil 13. do. Next, gasified BCl3, co, and H are adjusted using a mass flow meter and sprayed onto the coat 6 as the CVD source gas 14 to the coat M6 thus heated. The blown CVD raw material gas 14 adheres to particles on the surface of the film 6, and also penetrates and accumulates in the voids of the film 6, gradually filling the voids (pores). Here, the exhaust gas inside the CVD device container 11 is
Processing continues. Furthermore, the structure of the coating 6 before the CVD treatment is characterized by the fact that the vicinity of the part that was in contact with the mold 5 is crushed and has fewer voids, which is a characteristic of thermal sprayed coatings.
そのために、CVD原料ガス14を皮膜6の空隙が多く
存在する方向、すなわち第1図のCVD工程(C)に示
す方向よりCVD原料ガス14を皮膜6に吹き付ける方
が効率良く上記空隙を充填することができる。これとは
反対に、金型5に接していた部分の方向よりCVD原料
ガス14を皮膜6に吹き付けると、皮膜6の空隙は早く
目詰まりし、皮膜6全体の空隙を埋めることが非常に困
難になる。この実施例では、皮膜6に存在している空隙
の約70%を炭化ホウ素(B a C) で充填する
ことができた。For this purpose, it is more efficient to blow the CVD raw material gas 14 onto the film 6 in the direction in which there are many voids in the film 6, that is, in the direction shown in the CVD step (C) in FIG. 1, to fill the voids. be able to. On the contrary, if the CVD raw material gas 14 is sprayed onto the film 6 from the direction of the part that was in contact with the mold 5, the voids in the film 6 will quickly become clogged, making it extremely difficult to fill the voids throughout the film 6. become. In this example, approximately 70% of the voids existing in the coating 6 could be filled with boron carbide (B a C).
次に、皮膜6の空隙内に炭化ホウ素が充填された後に、
さらに皮膜6を焼成工程(D)により焼成する。この焼
成は、皮膜6を電気炉等の容器7の中に入れ、この容器
7内を排気した真空中あるいは真空排気後にアルゴン又
は窒素等の不活性ガスを入れた雰囲気中で皮膜6に対し
高温焼成を行う。この場合における皮膜6の焼結程度は
焼成温度によって変化し、また、E/ρ値は焼成温度が
約1000℃より徐々に増加し、約2100℃にてピー
ク値に達する。Next, after the voids in the film 6 are filled with boron carbide,
Furthermore, the film 6 is fired in a firing step (D). This firing is performed by placing the film 6 in a container 7 such as an electric furnace, and placing the film 6 in a vacuum with the inside of the container 7 evacuated or in an atmosphere containing an inert gas such as argon or nitrogen after evacuation. Perform firing. The degree of sintering of the film 6 in this case varies depending on the firing temperature, and the E/ρ value gradually increases from about 1000°C to a peak value at about 2100°C.
第2図及び第3図はこの発明の他の実施例であるスピー
カ用振動板の製造方法の工程を説明するための概略図で
、第1図と同一符号は同一 又は相当部分を表示してお
り、その詳細な説明は省略する。2 and 3 are schematic diagrams for explaining the steps of a method for manufacturing a speaker diaphragm according to another embodiment of the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same or equivalent parts. Therefore, detailed explanation thereof will be omitted.
第2図に示すこの発明の他の実施例の製造方法において
は、プラズマ溶射工程(A)、51型工程(B)までは
上記第1図に示す製造方法と同一の工程であるが、この
実施例の場合には、離型工程(B)による金型5から離
型後に焼成工程(D)を行う。すなわち、皮膜6を容器
7内に入れた状態において、焼成工程(D)により皮膜
6を真空中あるいはアルゴン又は窒素等の不活性ガス中
にて高温焼成を行い、皮膜6の炭化ホウ素(B4C)粒
子閏の結合力を増加させる。このように処理した後の皮
膜6は、焼成前の皮膜6と比較して粒子間の結合は増加
し、また開気孔が少しできる。しかるに、皮膜6にはい
まだに多くの開気孔である空隙が存在している。そこで
、続いて上述したようにCVD工程(C)により皮膜6
の空隙内に炭化ホウ素(B a C)を充填させる。そ
の結果、皮膜6における空隙の約60%が炭化ホウ素(
84C)によって充填され、E/ρ値も上記焼成工程(
D)によって焼成しただけのものよりも約10%以上向
上できる。In the manufacturing method of another embodiment of the present invention shown in FIG. 2, the steps up to the plasma spraying step (A) and the 51 type step (B) are the same as the manufacturing method shown in FIG. In the case of the example, the firing step (D) is performed after the mold is released from the mold 5 in the mold releasing step (B). That is, with the film 6 placed in the container 7, the film 6 is fired at a high temperature in a vacuum or in an inert gas such as argon or nitrogen in the firing step (D), and the boron carbide (B4C) of the film 6 is heated. Increases the bonding force of particle nucleons. The film 6 treated in this manner has increased bonding between particles and has a few open pores compared to the film 6 before firing. However, the film 6 still has many voids, which are open pores. Therefore, as described above, the film 6 is then subjected to the CVD process (C).
Fill the voids with boron carbide (B a C). As a result, approximately 60% of the voids in the film 6 are filled with boron carbide (
84C), and the E/ρ value also changed from the above firing process (
D) can improve the performance by about 10% or more compared to just firing.
また、第3図に示すこの発明の他の実施例の製造方法に
おいては、上記第2図に示す実施例の各工程(A)、
(B)、 (D)、 (C)による処理の後に、
さらに焼成工程(D)を付加した製造方法である。In addition, in the manufacturing method of another embodiment of the present invention shown in FIG. 3, each step (A) of the embodiment shown in FIG.
After processing in (B), (D), and (C),
This manufacturing method further includes a firing step (D).
第4図は従来例及びこの発明の各実施例であるスピーカ
用振動板の製造方法における皮膜のE/ρ値を比較して
示す図である。ここで、焼成工程(D)における皮膜6
の焼成は、アルゴンの雰囲気中で焼成温度約2000℃
にて焼成した場合を示している。FIG. 4 is a diagram showing a comparison of the E/ρ values of the coatings in the method of manufacturing a speaker diaphragm according to the conventional example and each embodiment of the present invention. Here, the film 6 in the firing step (D)
The firing is performed at a firing temperature of approximately 2000℃ in an argon atmosphere.
The figure shows the case of firing.
なお、上記実施例では皮膜6の空隙内にCVD法によっ
て炭化ホウ素(84C)を充填した場合について示して
いるが、充填する物質はE/ρ値の高い物質が望ましく
、セラミックスではSiC。In addition, although the above-mentioned example shows the case where boron carbide (84C) is filled into the voids of the coating 6 by the CVD method, the material to be filled is preferably a material with a high E/ρ value, and in the case of ceramics, SiC is used.
S 13Na、 T i C,C等が適しており、ま
た金属ではBe、Ti等が適している。そして、5iC
OCVD法による原料としてはS i c 1m+c3
H6を用い、その基板の温度は約1000℃〜1500
℃が望ましい。また、BのCVD法による原料としては
BCl3+H2を用い、その基板の温度は約500℃〜
1500℃が望ましい。S 13Na, T i C, C, etc. are suitable, and metals such as Be, Ti, etc. are suitable. And 5iC
As a raw material by OCVD method, S i c 1m+c3
H6 is used, and the temperature of the substrate is approximately 1000°C to 1500°C.
℃ is preferable. In addition, BCl3+H2 is used as the raw material for the CVD method of B, and the temperature of the substrate is approximately 500℃~
1500°C is desirable.
[発明の効果]
以上のように、この発明のスピーカ用振動板の製造方法
によれは、所望形状の金型上にプラズマ溶射によりセラ
ミックスなとの皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型
した後に、皮膜中に存在する空隙内に、あるいは皮膜を
真空中又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在す
る空隙内に、CVD法によりセラミックスあるいは金属
を充填させて振動板を作成するようにしたので、E/ρ
値が極めて高く、より一層高性能なスピーカ用として最
適な振動板を作成することができるという優れた効果を
奏する。[Effects of the Invention] As described above, according to the method of manufacturing a speaker diaphragm of the present invention, a ceramic film is formed on a mold having a desired shape by plasma spraying, and this film is separated from the mold. After molding, the diaphragm is made by filling the voids in the film, or the voids in the film after firing the film in vacuum or in an inert gas, with ceramics or metal using the CVD method. Since I created it, E/ρ
The value is extremely high, and it has the excellent effect of making it possible to create a diaphragm that is optimal for use in even higher performance speakers.
第1図はこの発明の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第2図及び第3
図はこの発明の他の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第4図は従来例
及びこの発明の各実施例であるスピーカ用振動板の製造
方法における皮膜のE/ρ値を比較して示す図、第5図
は従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図である。
図において、1・・・溶射ガン、2・・・粉末供給ノズ
ル、3・・・溶射用粉末、4−・・プラズマ炎、5・・
・金型、6・・・皮膜、7・・・容器、8・・・ヒータ
、9・−・排気口、lO・・・導入口、11・・・CV
D (化学蒸着)装置容器、12・・・カーボン、13
・・・高周波コイル、14・・・CVD原料ガス、15
・・−ガス導入口、16・・・ガス排気口、 (A)・
・・プラズマ溶射工程、 (B)・・−離型工程、 (
C)・・・CVD (化学蒸着)工程、 (D)・・・
焼成工程 である。
なお、図中同一符号は同一 又は相当部分を示す。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the steps of a method for manufacturing a speaker diaphragm according to an embodiment of the present invention, and FIGS.
The figure is a schematic diagram for explaining the steps of a method for manufacturing a speaker diaphragm according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a conventional example and a method for manufacturing a speaker diaphragm according to each embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a comparison of the E/ρ values of the films in FIG. In the figure, 1... Thermal spray gun, 2... Powder supply nozzle, 3... Thermal spray powder, 4-... Plasma flame, 5...
・Mold, 6... Film, 7... Container, 8... Heater, 9... Exhaust port, 1O... Inlet port, 11... CV
D (Chemical vapor deposition) equipment container, 12... Carbon, 13
...High frequency coil, 14...CVD raw material gas, 15
...-Gas inlet, 16...Gas exhaust port, (A)
...Plasma spraying process, (B)...-Mold release process, (
C)...CVD (Chemical Vapor Deposition) process, (D)...
This is the firing process. In addition, the same symbols in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
素等の皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後、
上記皮膜中に存在する空隙内に、あるいはこの皮膜を真
空又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空
隙内に、CVD(化学蒸着)法によりセラミックスある
いは金属を充填させて振動板を作成することを特徴とす
るスピーカ用振動板の製造方法。A film of boron carbide or the like is formed on a mold having a desired shape by plasma spraying, and after this film is released from the mold,
The diaphragm is made by filling ceramics or metals by CVD (chemical vapor deposition) into the voids existing in the film, or into the voids existing in the film after firing this film in vacuum or inert gas. A method for manufacturing a speaker diaphragm, the method comprising: producing a speaker diaphragm;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14924390A JP2623922B2 (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | Method of manufacturing diaphragm for speaker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14924390A JP2623922B2 (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | Method of manufacturing diaphragm for speaker |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0440799A true JPH0440799A (en) | 1992-02-12 |
JP2623922B2 JP2623922B2 (en) | 1997-06-25 |
Family
ID=15471012
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JP14924390A Expired - Lifetime JP2623922B2 (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | Method of manufacturing diaphragm for speaker |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2623922B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156940A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Diaphragm for high performance speaker, and method of manufacturing diaphragm for speaker |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP14924390A patent/JP2623922B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012156940A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Diaphragm for high performance speaker, and method of manufacturing diaphragm for speaker |
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Publication number | Publication date |
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JP2623922B2 (en) | 1997-06-25 |
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