JPH04356920A - Dry etching apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】この発明は、ドライエッチング装
置に関する。さらに詳しくは、この発明は、シリコンウ
エハ等の基板に形成されたSiO2層等の被処理体に高
速、高選択比のエッチングを再現性よく安定的に行うこ
とのできるドライエッチング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dry etching apparatus. More specifically, the present invention relates to a dry etching apparatus that can stably perform high-speed, high-selectivity etching on an object to be processed, such as an SiO2 layer formed on a substrate such as a silicon wafer, with good reproducibility.
【0002】0002
【従来の技術】近年、超LSIはデバイスパターンの微
細化とウェハーの大口径化が進展しており、それに伴い
その製造プロセスにおいては各ウェハーの加工の均一性
を確保するために、複数のウェハーを同時に処理するバ
ッチ式から1枚ずつ処理する枚葉式への転換が進められ
ている。例えば、ドライエッチングプロセスにおいても
従来のバッチ式から枚葉式への転換が行われている。[Background Art] In recent years, ultra-LSI device patterns have become finer and wafers have become larger in diameter. The transition from batch-type processing, in which wafers are processed simultaneously, to single-wafer processing, in which wafers are processed one by one, is underway. For example, even in dry etching processes, the conventional batch type is being converted to a single wafer type.
【0003】この場合、枚葉式ドライエッチング装置を
使用してバッチ式ドライエッチング装置を使用した場合
と同等の生産性を維持するためには、枚葉式ドライエッ
チング装置におけるエッチレートとエッチング選択比と
を大巾に向上させることが必要となる。In this case, in order to maintain the same productivity using a single-wafer type dry etching apparatus as when using a batch-type dry etching apparatus, it is necessary to adjust the etch rate and etching selectivity of the single-wafer type dry etching apparatus. It is necessary to greatly improve this.
【0004】エッチレートを大幅に向上させることに関
し、枚葉式のドライエッチング装置として、ECR(電
子サイクロトロン共鳴)放電を利用した有磁場μ波プラ
ズマエッチング装置やマグネトロン放電を利用したマグ
ネトロンRIE(反応性イオンエッチング)装置等の高
密度のプラズマを利用するドライエッチング装置が使用
されるようになっている。In order to significantly improve the etch rate, single-wafer type dry etching apparatuses include a magnetic field μ-wave plasma etching apparatus using ECR (electron cyclotron resonance) discharge and a magnetron RIE (reactive etching apparatus) using magnetron discharge. Dry etching devices that utilize high-density plasma, such as ion etching) devices, have come into use.
【0005】一方、従来のドライエッチング装置におい
ては、エッチングの際にカソード電極がスパッタリング
されてウェハに対する汚染物質を発生しないようにする
ために、カソード電極上に電極保護カバーが設けられて
いたが、このカソード電極保護カバーを一つの材料とし
て、エッチングの際にスパッタリングされると被処理体
をエッチングするエッチャントを供給する材料を使用し
、これによりエッチングの際に、反応ガスの解離以外に
もエッチャントが供給されるようにしてエッチレートの
向上を図ることがなされている。例えば、SiO2をエ
ッチングする際の電極保護カバー材料として、SiO2
のエッチャントとなるCFx+を供給するポリテトラフ
ルオロエチレン等のフッ素樹脂が使用されている。On the other hand, in conventional dry etching equipment, an electrode protection cover is provided over the cathode electrode in order to prevent the cathode electrode from being sputtered and generating contaminants on the wafer during etching. This cathode electrode protection cover is used as a material that supplies an etchant that etches the target object when sputtered during etching. It has been attempted to improve the etch rate by supplying the etchant. For example, SiO2 can be used as an electrode protection cover material when etching SiO2.
Fluororesins such as polytetrafluoroethylene are used to supply CFx+, which serves as an etchant.
【0006】こうした電極保護カバーを、前述の高密度
のプラズマを利用するマグネトロンRIE装置等のドラ
イエッチング装置に適用し、エッチレートを向上させる
ことが考えられる。図3に、この場合の被処理体付近の
構成を概略的に示す。同図において、グラウンド電位と
なっているアノード電極32の上方に、図中矢印で示さ
れているように偏心回転する永久磁石31が設けられて
いる。そして、ブロッキングコンデンサー38を介して
13.56MHzの高周波電源37と接続しているカソ
ード電極36に、表面にSiO2層が形成されている試
料のシリコンウェハ35が載置されている。シリコンウ
ェハ35により覆われていないカソード電極36の部分
には、カソード電極36をエッチングから保護するため
に、ポリテトラフルオロエチレン製の電極保護カバー3
4がシリコンウェハ35の上から配設され、押さえ治具
33で固定されている。この電極保護カバー34は、ポ
リテトラフルオロエチレン製であるので、エッチングの
際にそれ自身がプラズマやイオンビームにさらされて、
シリコンウェハ35に対するエッチャントとなるCFx
+を供給するスパッタターゲットとしても機能する。It is conceivable to apply such an electrode protection cover to a dry etching apparatus such as the above-mentioned magnetron RIE apparatus that utilizes high-density plasma to improve the etch rate. FIG. 3 schematically shows the configuration near the object to be processed in this case. In the figure, a permanent magnet 31 that rotates eccentrically as indicated by an arrow in the figure is provided above an anode electrode 32 that is at ground potential. A silicon wafer 35 as a sample having a SiO2 layer formed on its surface is placed on a cathode electrode 36 connected to a 13.56 MHz high frequency power source 37 via a blocking capacitor 38. An electrode protection cover 3 made of polytetrafluoroethylene is placed on the portion of the cathode electrode 36 that is not covered by the silicon wafer 35 in order to protect the cathode electrode 36 from etching.
4 is disposed on the silicon wafer 35 and fixed with a holding jig 33. Since this electrode protection cover 34 is made of polytetrafluoroethylene, it is exposed to plasma or ion beam during etching.
CFx as an etchant for the silicon wafer 35
It also functions as a sputter target that supplies +.
【0007】エッチングの際には、カソード電極36と
アノード電極32との間に高周波電源37から電圧を印
加し、アノード電極32とカソード電極36との間に、
ほぼシリコンウェハ35を覆うような高密度のプラズマ
39を形成する。この時、磁場強度の分布によってプラ
ズマ密度に粗密ができるので、永久磁石31を偏心回転
させることでウェハ上のプラズマ密度の均一化を図って
いる。During etching, a voltage is applied between the cathode electrode 36 and the anode electrode 32 from the high frequency power source 37, and between the anode electrode 32 and the cathode electrode 36,
A high-density plasma 39 is formed so as to substantially cover the silicon wafer 35. At this time, the distribution of the magnetic field strength causes uneven plasma density, so the permanent magnet 31 is eccentrically rotated to make the plasma density on the wafer uniform.
【0008】しかしながら、このようにエッチングを行
うと、シリコンウェハ35側の電極保護カバー34はプ
ラズマ39に常時接することとなる。従って、プラズマ
39に接している電極保護カバー34の部分は、高密度
のプラズマからの輻射熱や大きな入射イオン電流等の影
響で、図4に示すように、アノード電極32側に反りか
えるように変形する。このためプラズマが電極保護カバ
ー34の下方に入り込み、シリコンウェハ35のエッチ
ング環境が変化するので、エッチングの再現性が低下す
るという問題があった。また、多数回にわたってシリコ
ンウェハ35をエッチングすると電極保護カバー34の
変形が著しいものとなり、その結果、カソード電極36
が露出するようになってカソード電極36自体がエッチ
ングされるようになる。このため、カソード電極36が
電極材料として一般に使用されているアルミニウムから
形成されている場合には、カソード電極36からアルミ
ニウム原子がはじき出され、それがシリコンウェハ35
を汚染するという問題もあった。However, when etching is performed in this manner, the electrode protection cover 34 on the side of the silicon wafer 35 is constantly in contact with the plasma 39. Therefore, the portion of the electrode protection cover 34 that is in contact with the plasma 39 is deformed so as to be warped toward the anode electrode 32, as shown in FIG. do. For this reason, the plasma enters the lower part of the electrode protection cover 34 and the etching environment of the silicon wafer 35 changes, resulting in a problem that the reproducibility of etching is reduced. Furthermore, if the silicon wafer 35 is etched many times, the electrode protection cover 34 will be significantly deformed, and as a result, the cathode electrode 36
is exposed, and the cathode electrode 36 itself is etched. Therefore, when the cathode electrode 36 is made of aluminum, which is generally used as an electrode material, aluminum atoms are ejected from the cathode electrode 36 and are transferred to the silicon wafer 35.
There was also the problem of contamination.
【0009】これらの問題点を解決するため本発明者は
、電極保護カバーに独立した冷却手段を設けることを先
に提案した(特願平1−315727号)。In order to solve these problems, the present inventor previously proposed providing an independent cooling means on the electrode protection cover (Japanese Patent Application No. 1-315727).
【0010】また、枚葉式のドライエッチング装置にお
いてエッチング選択比を向上させるために、異なる材質
の電極保護カバーを配設した複数の処理室において連続
的にエッチングを行うことにより、SiO2等のエッチ
ングすべき対象表面にパターン形成されたレジストの表
面に、エッチング保護層となるカーボンやシリコン等の
デポジション反応種を堆積させることと、エッチャント
を供給することの双方を行うことも提案されている(特
願平2−205525号)。Furthermore, in order to improve the etching selectivity in a single-wafer type dry etching apparatus, etching of SiO2, etc. It has also been proposed to both deposit a deposition reactive species such as carbon or silicon to serve as an etching protection layer on the surface of a resist patterned on the target surface, and supply an etchant ( (Patent Application No. 205525/1999).
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに電極保護カバーに独立した冷却手段を設けたとして
も、電極保護カバ−の変形は徐々に進むので、非常に多
くの回数のエッチングを行うとやはりエッチングの再現
性が低下するという問題があった。また、フッ素樹脂か
らなる電極保護カバーに独立した冷却手段を加工形成す
ることが技術的に困難であるという問題もあった。[Problem to be Solved by the Invention] However, even if the electrode protection cover is provided with an independent cooling means in this way, the deformation of the electrode protection cover will progress gradually, so if etching is performed a large number of times, Again, there was a problem that the reproducibility of etching deteriorated. Another problem was that it was technically difficult to process and form an independent cooling means on the electrode protection cover made of fluororesin.
【0012】また、高選択比でエッチングを行うために
、ウェハにパターン形成したレジストの表面にカーボン
等のデポジション反応種も堆積させるためにはエッチン
グの際にエッチャント供給源となるフッ素樹脂等からな
る電極保護カバーとデポジション反応種の供給源となる
シリコンカーバイド等からなる電極保護カバーとがそれ
ぞれ配設されている複数の処理室でエッチングを行わな
ければならないという繁雑な工程が不可欠であるという
問題もあった。In addition, in order to perform etching with a high selectivity, and to deposit reactive species such as carbon on the surface of the resist patterned on the wafer, it is necessary to use a fluororesin or the like that serves as an etchant supply source during etching. It is said that a complicated process is essential in that etching must be performed in multiple processing chambers each equipped with an electrode protection cover made of silicon carbide, etc., which serves as a source of deposition reactive species. There were also problems.
【0013】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、シリコンウエハ等の基板
に形成されたSiO2層等の高速・高選択比エッチング
を再現性よく安定的に行うことのできるドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。[0013] The present invention is an attempt to solve the problems of the prior art as described above, and is to stably perform high-speed, high-selectivity etching of a SiO2 layer formed on a substrate such as a silicon wafer with good reproducibility. The purpose of the present invention is to provide a dry etching device that can perform the following steps.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、電極上に被処理体を載置し、被処理
体が載置されていない部分の電極上に電極保護カバーを
配設して被処理体をエッチングするドライエッチング装
置において、電極保護カバーが耐熱性部材とエッチャン
ト供給部材とからなり、該耐熱性部材がエッチングの際
に高密度のエネルギーが供給される部分に配設され、該
エッチャント供給部材がエッチングの際に高密度のエネ
ルギーが供給される部分以外の少なくとも一部に配設さ
れていることを特徴とするドライエッチング装置を提供
する。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention places an object to be processed on an electrode, and places an electrode protective cover on the part of the electrode where the object to be processed is not placed. In a dry etching apparatus that etches an object to be processed by disposing a Provided is a dry etching apparatus characterized in that the etchant supply member is disposed in at least a portion other than a portion to which high-density energy is supplied during etching.
【0015】この発明のドライエッチング装置は、電極
上に被処理体を載置し、被処理体によって覆われていな
い電極の部分に電極保護カバーを配設して被処理体をエ
ッチングするタイプのエッチング装置において、電極保
護カバーを特定の材質構成にしたものである。従って、
この発明を特徴づける電極保護カバーを使用する限り従
来から使用されているマグネトロンRIE装置、有磁場
マイクロ波プラスマエッチング装置等もこの発明の範囲
である。また、この発明は、被処理体として、シリコン
ウェハやGaAsウエハ等の半導体基板やその他の種々
の基板に対して適用できる。The dry etching apparatus of the present invention is of a type in which an object to be processed is placed on an electrode, and an electrode protection cover is provided on a portion of the electrode that is not covered by the object to be processed. In an etching apparatus, the electrode protection cover is made of a specific material. Therefore,
The scope of the present invention also includes conventionally used magnetron RIE devices, magnetic field microwave plasma etching devices, etc., as long as they use the electrode protection cover that characterizes the present invention. Further, the present invention can be applied to semiconductor substrates such as silicon wafers and GaAs wafers, and other various substrates as objects to be processed.
【0016】この発明において、耐熱性部材はエッチン
グの際に実質的に熱変形しない材料、例えば無機耐熱性
材料から形成することが好ましく、更に、エッチング条
件下で被処理体の表面に設けられたパターン形成された
レジスト表面にエッチング条件下で堆積することのでき
るカーボンやシリコン等のデポジション反応種を供給で
きる材料から形成することが好ましい。デポジション反
応種がカーボンやシリコンである場合には、耐熱性部材
はシリコンカーバイドやアモルファスカーボンから形成
することが好ましい。In the present invention, the heat-resistant member is preferably formed from a material that is not substantially thermally deformed during etching, such as an inorganic heat-resistant material, and furthermore, the heat-resistant member is preferably formed from a material that is not substantially thermally deformed during etching, and furthermore, the heat-resistant member is It is preferably formed from a material capable of providing a deposition reactive species such as carbon or silicon that can be deposited under etching conditions on the patterned resist surface. When the deposition reaction species is carbon or silicon, the heat-resistant member is preferably formed from silicon carbide or amorphous carbon.
【0017】また、エッチャント供給部材としては、エ
ッチングの対象である被処理体の種類等により異なるが
、被処理体が表面にSiO2層が形成されたシリコンウ
ェハの場合には、エッチング条件下でCFx+を供給で
きる材料のフッ素樹脂、中でもポリテトラフルオロエチ
レンから形成することが好ましい。Although the etchant supply member differs depending on the type of object to be etched, if the object to be processed is a silicon wafer with a SiO2 layer formed on the surface, CFx + It is preferable to use a fluororesin, which is a material capable of supplying the following properties, and in particular polytetrafluoroethylene.
【0018】なお,耐熱性部材及びエッチャント供給部
材は、それぞれ複数の材質から構成してもよい。Note that the heat-resistant member and the etchant supply member may each be made of a plurality of materials.
【0019】[0019]
【作用】この発明のドライエッチング装置は、カソード
電極を保護するための電極保護カバーの中の、エッチン
グの際に高密度のエネルギーが供給される部分、例えば
高密度プラズマに接し高熱にさらされる部分を耐熱性材
料で形成するので、電極保護カバーを熱変形しないよう
にすることを可能とする。これにより、エッチングの再
現性が向上する。[Operation] The dry etching apparatus of the present invention provides a portion of the electrode protection cover for protecting the cathode electrode to which high-density energy is supplied during etching, such as a portion that comes into contact with high-density plasma and is exposed to high heat. Since the electrode protection cover is made of a heat-resistant material, it is possible to prevent the electrode protection cover from being deformed by heat. This improves etching reproducibility.
【0020】また、高熱にさらされる部分以外の電極保
護カバーのすくなくとも一部をエッチャントを供給でき
るエッチャント供給部材から構成するので、エッチレー
トを向上させることが可能となる。Furthermore, since at least a portion of the electrode protective cover other than the portion exposed to high heat is constituted by an etchant supply member capable of supplying an etchant, it is possible to improve the etch rate.
【0021】更に、耐熱性部材を、半導体基板等の被処
理体上に設けられたレジストの表面にエッチング条件下
で析出するカーボンやシリコン等のデポジション反応種
を供給する材料から構成することにより、高選択比での
エッチングを可能とする。Furthermore, by constructing the heat-resistant member from a material that supplies deposition reactive species such as carbon and silicon that are deposited under etching conditions on the surface of a resist provided on an object to be processed such as a semiconductor substrate. , which enables etching with high selectivity.
【0022】加えて、耐熱性部材とエッチャント供給部
材の表面積の割合を制御することにより、高速で高選択
比のエッチングをするためのエッチング条件の最適化が
可能となる。In addition, by controlling the ratio of the surface areas of the heat-resistant member and the etchant supply member, it is possible to optimize the etching conditions for etching at high speed and with a high selectivity.
【0023】[0023]
【実施例】以下、この発明を図面を参照しながら具体的
に説明する。ただし、この発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings. However, the invention is not limited to these examples.
【0024】図1はこの発明のドライエッチング装置の
カソード電極の電極保護カバーの一態様を示す平面図で
ある。ここで、エッチング装置本体は図3で説明したマ
グネトロンRIE装置と同様とした。FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of an electrode protection cover for a cathode electrode of a dry etching apparatus according to the present invention. Here, the main body of the etching apparatus was similar to the magnetron RIE apparatus described with reference to FIG.
【0025】このようなマグネトロンRIE装置の場合
、高密度プラズマは、オリエンテーションフラット14
を有し、表面にSiO2層が形成されたほぼ円形のシリ
コンウェハ10をほぼ覆うように形成される。従って、
電極保護カバー11のシリコンウェハ10に近い側の内
周部が、エッチングの際に高密度プラズマに常時接する
ことになる。このことから、図1の電極保護カバー11
は、シリコンウェハ10のオリエンテーションフラット
14に適合した中空部を有するドーナツ状の形状を有し
、その内周部にシリコンカーバイドからなる耐熱性部材
12が配設され、外周部にポリフルオロエチレン製のエ
ッチャント供給部材13が配設されている。こうして、
高熱にさらされる電極保護カバー11の内周部を耐熱性
部材12で構成することにより、電極保護カバー11が
熱変形しなくなる。更に、シリコンカーバイドからなる
耐熱性部材12は、エッチングの際にイオン照射を受け
、シリコンウェハ10上のパターン形成されたレジスト
表面に析出するカーボンやシリコンのデポジション反応
種を供給するので、シリコンウェハ10上のSiO2層
の高選択比でのエッチングが可能となる。In the case of such a magnetron RIE device, the high-density plasma is placed on the orientation flat 14.
It is formed to substantially cover a substantially circular silicon wafer 10 having a SiO2 layer formed on its surface. Therefore,
The inner peripheral portion of the electrode protection cover 11 on the side closer to the silicon wafer 10 is constantly in contact with high-density plasma during etching. From this, the electrode protection cover 11 in FIG.
has a donut-like shape with a hollow part that matches the orientation flat 14 of the silicon wafer 10, and a heat-resistant member 12 made of silicon carbide is disposed on the inner circumference, and a polyfluoroethylene member is disposed on the outer circumference. An etchant supply member 13 is provided. thus,
By configuring the inner peripheral portion of the electrode protection cover 11 exposed to high heat with the heat-resistant member 12, the electrode protection cover 11 is prevented from being thermally deformed. Furthermore, the heat-resistant member 12 made of silicon carbide receives ion irradiation during etching and supplies carbon and silicon deposition reaction species that precipitate on the patterned resist surface on the silicon wafer 10. It becomes possible to etch the SiO2 layer on 10 with a high selectivity.
【0026】また、ポリテトラフルオロエチレン製のエ
ッチャント供給部材13は、耐熱製部材12と同様にエ
ッチングの際にイオン照射を受け、シリコンウェハ10
上のSiO2層のエッチャントとなるCFx+を供給す
るので、反応ガスから供給されるエッチャントに加えて
、更にエッチャントを供給することとなり、高速でエッ
チングを行うことができる。Furthermore, the polytetrafluoroethylene etchant supply member 13 is subjected to ion irradiation during etching, similar to the heat-resistant member 12, and the silicon wafer 10
Since CFx+, which serves as an etchant for the upper SiO2 layer, is supplied, in addition to the etchant supplied from the reaction gas, an additional etchant is supplied, making it possible to perform high-speed etching.
【0027】なお、電極保護カバー11の表面積に占め
る耐熱性部材12とエッチャント供給部材13とのそれ
ぞれの面積比を例えば図1に示すウェハ10の中心から
耐熱性部材12とエッチャント供給部材13との境界ま
での距離rを変化させることによりコントロールすると
、反応ガスのコントロールとは別に、高速・高選択比エ
ッチング条件の最適化を行うことが可能となる。Note that the area ratio of the heat resistant member 12 and the etchant supply member 13 to the surface area of the electrode protection cover 11 is determined, for example, from the center of the wafer 10 as shown in FIG. By controlling by changing the distance r to the boundary, it becomes possible to optimize the high-speed, high-selectivity etching conditions in addition to controlling the reaction gas.
【0028】また、図2に示すように、この発明におけ
る電極保護カバー21には、独立した冷却手段、例えば
ポリテトラフルオロエチレン製のエッチャント供給部材
23の内部に冷却水が循環する冷却水路24を設けても
よい。これにより電極保護カバーの熱変形を防止するこ
とが一層確実となる。また同図において、シリコンカー
バイドからなる耐熱性部材22の内周部側をテーパー加
工することが好ましい。これにより、内周部の電界の乱
れを防止できる。As shown in FIG. 2, the electrode protection cover 21 of the present invention is provided with an independent cooling means, for example, a cooling channel 24 through which cooling water circulates inside an etchant supply member 23 made of polytetrafluoroethylene. It may be provided. This further ensures prevention of thermal deformation of the electrode protection cover. Further, in the figure, it is preferable that the inner peripheral side of the heat-resistant member 22 made of silicon carbide is tapered. This makes it possible to prevent disturbances in the electric field in the inner circumference.
【0029】以上、この発明を特徴づける電極保護後カ
バーについて詳細に説明したが、電極カバーの形状や、
耐熱性部材を電極保護カバーの内側あるいは外側のどち
らに配設するのかということ等は、使用するドライエッ
チング装置本体の構造などによって適宜変更できる。例
えば、ウェハに高周波電圧を印加するタイプの有磁場マ
イクロ波プラズマエッチング装置において、ウェハの外
周部上の電極をアースしたものは、ウェハの外周部にお
いて高エネルギーのイオン入射が生ずるので、それに対
応して電極保護カバーの外周部に耐熱性部材を配設する
。The electrode protection cover that characterizes the present invention has been described in detail above, but the shape of the electrode cover,
Whether the heat-resistant member is disposed inside or outside the electrode protection cover can be changed as appropriate depending on the structure of the dry etching apparatus main body to be used. For example, in a magnetic field microwave plasma etching system that applies a high-frequency voltage to the wafer, if the electrode on the outer periphery of the wafer is grounded, high-energy ions will be incident on the outer periphery of the wafer. A heat-resistant member is provided around the outer periphery of the electrode protection cover.
【0030】また、電極保護カバーの材質等もエッチン
グ条件に応じて適宜選択することができる。Furthermore, the material of the electrode protection cover can be appropriately selected depending on the etching conditions.
【0031】[0031]
【発明の効果】この発明のドライエッチング装置によれ
ば、シリコンウエハ等の基板に形成されたSiO2層等
の被処理体を高速・高選択比エッチングをすることが再
現性よく安定的に行うことができる。[Effects of the Invention] According to the dry etching apparatus of the present invention, objects to be processed such as SiO2 layers formed on substrates such as silicon wafers can be etched at high speed and with high selectivity in a stable manner with good reproducibility. Can be done.
【図1】図1は、この発明のドライエッチング装置を特
徴づける電極保護カバーの一態様の平面図である。FIG. 1 is a plan view of one embodiment of an electrode protection cover that characterizes the dry etching apparatus of the present invention.
【図2】図2は、この発明のドライエッチング装置を特
徴づける電極保護カバーの別の態様の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of another embodiment of the electrode protection cover that characterizes the dry etching apparatus of the present invention.
【図3】図3は、従来のドライエッチング装置の説明図
である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional dry etching apparatus.
【図4】図4は、従来のドライエッチング装置において
電極保護カバーが熱変形している様子を示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing how an electrode protection cover is thermally deformed in a conventional dry etching apparatus.
10、35 被処理体 11、21、34 電極保護カバー 12、22 耐熱性部材 13、23 エッチャント供給部材 14 オリエンテーションフラット 24 冷却水路 32 アノード電極 36 カソード電極 39 高密度プラズマ 10, 35 Object to be processed 11, 21, 34 Electrode protection cover 12, 22 Heat resistant member 13, 23 Etchant supply member 14 Orientation flat 24 Cooling water channel 32 Anode electrode 36 Cathode electrode 39 High density plasma
Claims (4)
が載置されていない部分の電極上に電極保護カバーを配
設して被処理体をエッチングするドライエッチング装置
において、電極保護カバーが耐熱性部材とエッチャント
供給部材とからなり、該耐熱性部材がエッチングの際に
高密度のエネルギーが供給される部分に配設され、該エ
ッチャント供給部材がエッチングの際に高密度のエネル
ギーが供給される部分以外の少なくとも一部に配設され
ていることを特徴とするドライエッチング装置。Claim 1: A dry etching apparatus in which a workpiece is placed on an electrode, and an electrode protection cover is disposed on a portion of the electrode where the workpiece is not placed, and the workpiece is etched. The protective cover includes a heat-resistant member and an etchant supply member, the heat-resistant member is disposed in a portion where high-density energy is supplied during etching, and the etchant supply member supplies high-density energy during etching. A dry etching apparatus characterized in that the dry etching apparatus is disposed at least in a part other than the part to which the dry etching apparatus is supplied.
を有し、その内周部に該耐熱性部材が配設され、外周部
に該エッチャント供給部材が配設されている請求項1記
載のドライエッチング装置。2. The electrode protection cover according to claim 1, wherein the electrode protection cover has a donut-like shape, the heat-resistant member is disposed on the inner circumference, and the etchant supply member is disposed on the outer circumference. Dry etching equipment.
被処理体の表面にパターン形成されているレジストに対
するデポジション反応種を供給する材料から形成されて
いる請求項1記載のドライエッチング装置。3. The dry etching apparatus according to claim 1, wherein the heat-resistant member is made of a material that supplies a deposition reaction species to a resist patterned on the surface of the object to be processed during etching. .
び/又はアモルファスカーボンから形成され、該エッチ
ャント供給部材がフッ素樹脂から形成される請求項3記
載のドライエッチング装置。4. The dry etching apparatus according to claim 3, wherein the heat-resistant member is made of silicon carbide and/or amorphous carbon, and the etchant supply member is made of fluororesin.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3122689A JP3028860B2 (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3122689A JP3028860B2 (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Dry etching method |
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---|---|
JPH04356920A true JPH04356920A (en) | 1992-12-10 |
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ID=14842187
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---|---|---|---|
JP3122689A Expired - Lifetime JP3028860B2 (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Dry etching method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3028860B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302548A (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | Manufacturing apparatus for semiconductor device |
JP2001308079A (en) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2003197604A (en) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for plasma treatment |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3122689A patent/JP3028860B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302548A (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | Manufacturing apparatus for semiconductor device |
JP2001308079A (en) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2003197604A (en) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for plasma treatment |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3028860B2 (en) | 2000-04-04 |
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