JPH04344959A - Power supply device for memory - Google Patents

Power supply device for memory

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Publication number
JPH04344959A
JPH04344959A JP3117493A JP11749391A JPH04344959A JP H04344959 A JPH04344959 A JP H04344959A JP 3117493 A JP3117493 A JP 3117493A JP 11749391 A JP11749391 A JP 11749391A JP H04344959 A JPH04344959 A JP H04344959A
Authority
JP
Japan
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power supply
power source
main power
secondary battery
memory
Prior art date
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Application number
JP3117493A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Matsui
松井 洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04344959A publication Critical patent/JPH04344959A/en
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Abstract

PURPOSE:To perform stable power supply without deteriorating the voltage of backup power source when switching a main power source and an auxiliary power source being the backup power source of a memory. CONSTITUTION:A charge/discharge current control circuit is composed of a resistance R38 for discharge current restriction between a main power source 4 and a secondary battery 9, a short-circuited transistor TR211 for current restriction short-circuiting the R38 for discharge current restriction when a main power source 4 is turned off, and a diode 12 for leakage current prevention preventing the leakage of current from the secondary battery 9 to the main power source 4 when the main power supply 4 is turned off. The power is supplied to the backup current by charging the secondary battery 9 by the main power source 4 when the main power source 4 is turned on, the secondary battery is charged by the main power source 4 discharging the secondary battery 9 when the main power source 4 is turned off.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、メモリ用電源供給装置
に関するものであり、特に、メモリに格納されたデータ
等を保護するために、安定した電力の供給を行なうメモ
リ用電源供給装置に関するものである。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a memory power supply device, and more particularly to a memory power supply device that supplies stable power to protect data stored in the memory. It is.

【0002】0002

【従来の技術】従来のこの種のメモリ用電源供給装置と
して、特開昭61−213909号、特開平1−617
06号、特開平1−130244号公報に掲載の技術を
挙げることができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION Conventional power supply devices for memory of this type include Japanese Patent Laid-Open Nos. 61-213909 and 1-617.
06 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-130244.

【0003】従来より、例えば、工作機械の動作を制御
する数値制御装置においては、各々の機械に対して固有
のパラメータを必要とし、また、被加工物に応じて個別
の加工プログラムが必要となるために、それらの各情報
を格納するのに、内容の変更が容易な記憶装置を備えて
いる。通常、補助電池等によるバックアップが必要なラ
ンダムアクセスメモリ(以下、RAMという)が使用さ
れている。
Conventionally, for example, numerical control devices that control the operation of machine tools require unique parameters for each machine, and also require individual machining programs depending on the workpiece. Therefore, a storage device whose contents can be easily changed is provided to store each piece of information. Usually, random access memory (hereinafter referred to as RAM) is used, which requires backup with an auxiliary battery or the like.

【0004】図3の(a)はバックアップ用の補助電源
として二次電池を用いた従来のメモリ用電源供給装置を
示す回路図であり、(b)はその動作を示すタイムチャ
ートである。
FIG. 3(a) is a circuit diagram showing a conventional memory power supply device using a secondary battery as a backup auxiliary power source, and FIG. 3(b) is a time chart showing its operation.

【0005】図において、1は制御用PDWN信号の入
力端子、2はバックアップ時のレベル安定用プルダウン
抵抗、3は電源オフ時においても補助電源から電力がR
AMに供給されるバックアップ電源、4は主電源、5は
PDWN信号入力端子1からの制御用PDWN信号の状
態を保持する低消費電力型のc−MOS型IC、6はト
ランジスタのベース電流制限用抵抗R1 、7は主電源
と補助電源とを切換える電源切換トランジスタTR1 
、8は二次電池の充電電流制限用抵抗R3 、9は補助
電源である二次電池、10は二次電池取付端子である。
In the figure, 1 is an input terminal for the PDWN signal for control, 2 is a pull-down resistor for level stabilization during backup, and 3 is a pull-down resistor that allows power to be supplied from the auxiliary power supply even when the power is off.
Backup power supply supplied to AM, 4 is the main power supply, 5 is a low power consumption c-MOS type IC that maintains the state of the control PDWN signal from PDWN signal input terminal 1, 6 is for limiting the base current of the transistor Resistors R1 and 7 are power supply switching transistors TR1 that switch between the main power supply and the auxiliary power supply.
, 8 is a resistor R3 for limiting the charging current of the secondary battery, 9 is a secondary battery serving as an auxiliary power source, and 10 is a secondary battery mounting terminal.

【0006】次に、この構成のメモリ用電源供給装置の
動作について説明をする。
Next, the operation of the memory power supply device having this configuration will be explained.

【0007】主電源4と補助電源である二次電池9との
切換制御用のPDWN信号入力端子1は、主電源4がオ
フのときは開放状態となる。したがって、レベル安定用
プルダウン抵抗2の働きで、“L”レベルとなり、バッ
クアップ電源3により電力が供給されているc−MOS
型IC5でPDWN信号の“L”レベルが確定する。
The PDWN signal input terminal 1 for controlling switching between the main power source 4 and the secondary battery 9, which is an auxiliary power source, is in an open state when the main power source 4 is off. Therefore, due to the action of the level stabilizing pull-down resistor 2, the c-MOS becomes "L" level and is supplied with power by the backup power supply 3.
The "L" level of the PDWN signal is determined by the type IC5.

【0008】ここで、図4を用いて主電源と補助電源と
の電源切換用の電源切換トランジスタTR1 7の働き
について述べる。図4の(a)から(c)は従来のメモ
リ用電源供給装置における電源切換トランジスタの動作
を示す回路図であり、(a)は主電源がオフの状態、(
b)は主電源がオンとなった直後の状態、(c)は主電
源がオンでPDWN信号が“H”になった状態を示す。
The function of the power supply switching transistor TR17 for switching between the main power supply and the auxiliary power supply will now be described with reference to FIG. (a) to (c) of FIG. 4 are circuit diagrams showing the operation of a power supply switching transistor in a conventional memory power supply device, in which (a) is a state in which the main power supply is off;
(b) shows the state immediately after the main power is turned on, and (c) shows the state when the main power is on and the PDWN signal becomes "H".

【0009】図4の(a)において、主電源4がオフの
状態では、c−MOS型IC5の入力は“L”レベルで
あるから、出力は反転し、“H”レベルとなる。このと
きの“H”レベル電圧はc−MOS型IC5に供給され
ているバックアップ電源3の電圧以下となる。電源切換
トランジスタ7のベースにかかる電圧はベース電流制限
用抵抗R1 6を介して“H”であるが、エミッタに接
続されている主電源4がオフ、つまり0〔V〕であるた
め、電源切換トランジスタTR1 7のベース−エミッ
タ間には逆電圧が加わり、電源切換トランジスタTR1
 7はオフ状態となる。そして、バックアップ電源3は
充電電流制限用抵抗R3 8を介して二次電池9を使っ
た補助電源より供給される。
In FIG. 4A, when the main power supply 4 is off, the input of the c-MOS type IC 5 is at the "L" level, so the output is inverted and becomes the "H" level. The "H" level voltage at this time is lower than the voltage of the backup power supply 3 supplied to the c-MOS type IC5. The voltage applied to the base of the power supply switching transistor 7 is "H" through the base current limiting resistor R16, but since the main power supply 4 connected to the emitter is off, that is, 0 [V], the power supply switching transistor 7 cannot be switched. A reverse voltage is applied between the base and emitter of the transistor TR17, and the power supply switching transistor TR1
7 is in the off state. The backup power source 3 is supplied from an auxiliary power source using a secondary battery 9 via a charging current limiting resistor R38.

【0010】図4の(b)において、主電源4がオンと
なった直後の状態では、PDWN信号は依然として“L
”のままであり、このPDWN信号バックアップ用のc
−MOS型IC5の出力は“H”である。電源切換トラ
ンジスタTR17のベース、エミッタは共に“H”レベ
ルであり、電源切換トランジスタTR1 7はオフ状態
が維持される筈である。しかし、通常、バックアップ用
の二次電池9の電圧は主電源4から充電され、放電電流
を抑制するために主電源電圧よりも低く設定されている
。したがって、補助電源から主電源への遷移時には、電
源切換トランジスタTR1 7のベース−エミッタ間に
は順方向に補助電源電圧と主電源電圧との電位差が生じ
、順方向の電流が漏れる。すると、c−MOS型IC5
の電源電圧VCCと出力電圧VOUT がVCC<VO
UT という関係になり、c−MOS型IC5の動作が
不安定となり、消費電流が増加する。但し、ベース電流
制限用抵抗R1 6が働くので、この消費電流の増加は
過渡的なものである。
In FIG. 4(b), immediately after the main power supply 4 is turned on, the PDWN signal is still "L".
”, and this PDWN signal backup c
-The output of the MOS type IC5 is "H". The base and emitter of the power supply switching transistor TR17 are both at the "H" level, and the power supply switching transistor TR17 is supposed to be maintained in the off state. However, normally, the voltage of the backup secondary battery 9 is charged from the main power supply 4 and is set lower than the main power supply voltage in order to suppress discharge current. Therefore, at the time of transition from the auxiliary power source to the main power source, a potential difference between the auxiliary power source voltage and the main power source voltage occurs in the forward direction between the base and emitter of the power source switching transistor TR17, and a forward current leaks. Then, c-MOS type IC5
The power supply voltage VCC and output voltage VOUT are VCC<VO
UT, the operation of the c-MOS type IC 5 becomes unstable, and current consumption increases. However, since the base current limiting resistor R16 works, this increase in current consumption is temporary.

【0011】図4の(c)において、主電源4がオンで
PDWN信号が“H”になった状態では、c−MOS型
IC5の出力は“L”となり、電源切換トランジスタT
R17のベースが“L”で、エミッタが“H”となり、
ベース−エミッタ間には十分な順方向の電位差を生ずる
ので、電源切換トランジスタTR17はオン状態となり
、エミッタ−コレクタ間も導通する。したがって、電源
切換トランジスタTR1 7のエミッタに接続されたバ
ックアップ電源3に電力が供給されることになる。また
、主電源電圧の方が補助電源電圧よりも大きいので、図
3の二次電池9は主電源4によって充電される。
In (c) of FIG. 4, when the main power supply 4 is on and the PDWN signal is "H", the output of the c-MOS type IC 5 is "L", and the power supply switching transistor T
The base of R17 is “L”, the emitter is “H”,
Since a sufficient forward potential difference is generated between the base and the emitter, the power supply switching transistor TR17 is turned on, and the emitter and collector are also conductive. Therefore, power is supplied to the backup power supply 3 connected to the emitter of the power supply switching transistor TR17. Further, since the main power supply voltage is higher than the auxiliary power supply voltage, the secondary battery 9 in FIG. 3 is charged by the main power supply 4.

【0012】なお、図4中のc−MOS型IC5は図5
のような構成となっている。図5はメモリ用電源供給装
置のc−MOS型IC5の内部を示す回路図である。
Note that the c-MOS type IC 5 in FIG.
It is structured like this. FIG. 5 is a circuit diagram showing the inside of the c-MOS type IC 5 of the memory power supply device.

【0013】図において、14,15はダイオード、1
6,17はMOS型トランジスタ、18は抵抗、19は
PDWN信号が入力されるc−MOS型IC5の入力端
子、20はc−MOS型IC5の出力端子である。
In the figure, 14 and 15 are diodes;
6 and 17 are MOS type transistors, 18 is a resistor, 19 is an input terminal of the c-MOS type IC5 to which the PDWN signal is input, and 20 is an output terminal of the c-MOS type IC5.

【0014】続いて、図6を用いてバックアップ電源が
主電源から補助電源に切換わる場合について説明する。 図6の(a)から(c)は従来のメモリ用電源供給装置
における主電源オフのときの二次電池の動作を示す回路
図である。
Next, the case where the backup power source is switched from the main power source to the auxiliary power source will be explained using FIG. FIGS. 6A to 6C are circuit diagrams showing the operation of a secondary battery in a conventional memory power supply device when the main power supply is turned off.

【0015】図6の(a)において、主電源4がオンで
PDWN信号が“H”の状態では、電源切換トランジス
タTR1 7はオン状態であり、主電源4から補助電源
である二次電池9に充電中である。
In FIG. 6A, when the main power supply 4 is on and the PDWN signal is "H", the power supply switching transistor TR17 is on, and the main power supply 4 is connected to the secondary battery 9, which is an auxiliary power supply. is charging.

【0016】図6の(b)において、主電源と補助電源
との切換用のPDWN信号が“L”になったときには、
バックアップ電源3を二次電池9に切換えようとする。 この場合、図4の(b)と同様に、主電源4とバックア
ップ電源3との電位差が生じ、電源切換トランジスタT
R1 7のエミッタからベースに漏れ電流が流れる。し
かし、PDWN信号の“H”から“L”への遷移時には
、バックアップ電源3は主電源4と同電位であり、上述
の図4の(b)のように、過渡的にc−MOS型IC5
の消費電流が増大することはない。
In FIG. 6(b), when the PDWN signal for switching between the main power source and the auxiliary power source becomes "L",
An attempt is made to switch the backup power source 3 to the secondary battery 9. In this case, as in FIG. 4(b), a potential difference occurs between the main power supply 4 and the backup power supply 3, and the power supply switching transistor T
Leakage current flows from the emitter of R17 to the base. However, when the PDWN signal transitions from "H" to "L", the backup power supply 3 is at the same potential as the main power supply 4, and as shown in FIG.
The current consumption will not increase.

【0017】しかし、図6の(c)において、PDWN
信号が“L”になり主電源4がオフになり、電源切換ト
ランジスタTR1 7がオフ状態になると、二次電池9
は充電から放電に切換わり、バックアップ電源3への電
力の供給が開始される。ところが、二次電池9の過充電
防止用として作用している充電電流制限用抵抗R3 8
が放電時には負荷となり、充電から放電への遷移時に、
一時的にバックアップ電源3への電力供給不足となる。
However, in FIG. 6(c), PDWN
When the signal becomes "L", the main power supply 4 is turned off, and the power supply switching transistor TR1 7 is turned off, the secondary battery 9
is switched from charging to discharging, and supply of power to the backup power source 3 is started. However, the charging current limiting resistor R38, which acts to prevent overcharging of the secondary battery 9,
becomes a load during discharging, and during the transition from charging to discharging,
There is a temporary shortage of power supply to the backup power source 3.

【0018】次に、放電時にトランジスタを用いて充電
電流制限用抵抗を短絡する従来の他のメモリ用電源供給
装置について説明する。従来のこの種のメモリ用電源供
給装置として、特開平1−286744号公報に掲載の
技術を挙げることができる。
Next, another conventional memory power supply device that uses a transistor to short-circuit a charging current limiting resistor during discharging will be described. As a conventional memory power supply device of this type, there is a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-286744.

【0019】図7は従来の他のメモリ用電源供給装置に
おける放電時に充電電流制限用抵抗を短絡するのにトラ
ンジスタを用いた回路を示す回路図であり、図8は図7
の回路の動作を示すタイムチャートである。図中、図3
と同一符号及び記号は図3の構成部分と同一または相当
する構成部分を示す。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a circuit using a transistor to short-circuit a charging current limiting resistor during discharging in another conventional memory power supply device, and FIG.
3 is a time chart showing the operation of the circuit of FIG. In the figure, Figure 3
The same reference numerals and symbols indicate the same or corresponding components as those in FIG.

【0020】図において、11は放電時に充電電流制限
用抵抗R3 8を短絡する電流制限用短絡トランジスタ
TR2 、21は主電源と補助電源との切換制御信号で
あるBACK  UP信号を入力する切換制御信号入力
端子であり、図3のPDWN信号入力端子1に相当する
ものである。22,24はディジタルトランジスタTR
3 ,TR4 、23,25,26は抵抗R2 ,R4
 ,R5 であり、27はバックアップ電源の負荷とな
る電子回路である。
In the figure, 11 is a current limiting short-circuiting transistor TR2 that short-circuits the charging current limiting resistor R38 during discharging, and 21 is a switching control signal that inputs a BACK UP signal that is a switching control signal between the main power source and the auxiliary power source. This is an input terminal and corresponds to the PDWN signal input terminal 1 in FIG. 22 and 24 are digital transistors TR
3, TR4, 23, 25, 26 are resistors R2, R4
, R5, and 27 is an electronic circuit serving as a load of the backup power supply.

【0021】この回路の動作を図8のタイムチャートを
用いて説明する。主電源4がオンのとき、停電を示す切
換制御信号(BACK  UP信号)は“H”であり、
ディジタルトランジスタTR3 22はオン、電源切換
トランジスタTR1 7もオンであるが、ディジタルト
ランジスタTR4 24はオフ、電流制限用短絡トラン
ジスタTR2 11オフで、充電電流制限用抵抗R3 
8が有効に働き、電源切換トランジスタTR1 7及び
充電電流制限用抵抗R3 8を介して主電源4から補助
電源C1である二次電池9に充電される。そして、主電
源4がオフになった瞬間に、二次電池9は充電から放電
に切換わり、一時的に、バックアップ電源3の負荷が増
大するが、このときは、電流制限用短絡トランジスタT
R2 11によって充電電流制限用抵抗R3 8が短絡
されていない。このため、バックアップ電力供給不足と
なり、バックアップ電源3の電圧が一時的に落込む。
The operation of this circuit will be explained using the time chart of FIG. When the main power supply 4 is on, the switching control signal (BACK UP signal) indicating a power outage is "H",
The digital transistor TR3 22 is on, the power supply switching transistor TR1 7 is also on, but the digital transistor TR4 24 is off, the current limiting short-circuit transistor TR2 11 is off, and the charging current limiting resistor R3 is off.
8 works effectively, and the secondary battery 9, which is the auxiliary power source C1, is charged from the main power source 4 via the power source switching transistor TR1 7 and the charging current limiting resistor R3 8. The moment the main power source 4 is turned off, the secondary battery 9 switches from charging to discharging, and the load on the backup power source 3 temporarily increases. At this time, the current limiting short-circuit transistor T
The charging current limiting resistor R3 8 is not short-circuited by R2 11. Therefore, there is a shortage of backup power supply, and the voltage of the backup power supply 3 temporarily drops.

【0022】主電源4がオフとなり、停電状態を示す切
換制御信号(BACK  UP信号)が“L”になると
、ディジタルトランジスタTR3 22がオフになり、
ディジタルトランジスタTR4 24がオン、電流制限
用短絡トランジスタTR2 11がオンと次々連続して
作動し切換わる。しかし、主電源4がオフとなってから
、切換制御信号(BACK  UP信号)が発生するま
での時間的な遅れと、トランジスタ4個分のスイッチン
グの時間的な遅れがあるために、過渡的なバックアップ
電力の増加を吸収し切れない。
When the main power supply 4 is turned off and the switching control signal (BACK UP signal) indicating a power outage state becomes "L", the digital transistor TR3 22 is turned off,
The digital transistor TR4 24 is turned on and the current limiting short-circuit transistor TR2 11 is turned on, which are successively operated and switched. However, because there is a time delay from when the main power supply 4 is turned off until the switching control signal (BACK UP signal) is generated, and a time delay in the switching of four transistors, transient Unable to absorb the increase in backup power.

【0023】一方、停電から充電に切換わる場合は、ト
ランジスタ4個分のスイッチングの遅れが幸いし、主電
源4がオフからオンに切換わったときには、まだ、充電
電流制限用抵抗R3 8が短絡されたままとなっており
、過渡的なバックアップ電力の増加を吸収できるので、
バックアップ電源3の電圧の落込みはない。
On the other hand, when switching from a power outage to charging, fortunately there is a switching delay of four transistors, and when the main power supply 4 is switched from off to on, the charging current limiting resistor R38 is still short-circuited. It remains unchanged and can absorb transient increases in backup power.
There is no drop in the voltage of the backup power supply 3.

【0024】[0024]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のメ
モリ用電源供給装置では、主電源4がオンのときには、
補助電源を充電し、主電源4がオフのときには、補助電
源を放電してバックアップ電源に電力を供給していた。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional memory power supply device as described above, when the main power supply 4 is on,
The auxiliary power source was charged, and when the main power source 4 was off, the auxiliary power source was discharged to supply power to the backup power source.

【0025】しかし、図3のような従来のメモリ用電源
供給装置では、充電電流制限用抵抗R3 8を短絡する
電流制限用短絡トランジスタTR2 11がなく、メモ
リの電源であるバックアップ電源が補助電源から主電源
に切換わるとき、及び主電源から補助電源に切換わると
きに、一時的に補助電源からバックアップ電源への電力
供給不足が生じていた。
However, in the conventional memory power supply device as shown in FIG. 3, there is no current limiting shorting transistor TR211 that shorts the charging current limiting resistor R38, and the backup power source that is the memory power source is not connected to the auxiliary power source. When switching to the main power source and when switching from the main power source to the auxiliary power source, there was a temporary shortage of power supply from the auxiliary power source to the backup power source.

【0026】また、図7のような放電時にトランジスタ
を用いて充電電流制限用抵抗を短絡する従来の他のメモ
リ用電源供給装置においても、主電源4がオフになった
瞬間に、バックアップ電力供給不足となり、バックアッ
プ電源3の電圧が一時的に落込んでいた。
Also, in other conventional memory power supply devices that use transistors to short-circuit charging current limiting resistors during discharging as shown in FIG. There was a shortage, and the voltage of backup power supply 3 temporarily dropped.

【0027】そこで、この発明はメモリのバックアップ
電源である主電源と補助電源の切換時にバックアップ電
源の電圧が低下せず、安定した電力の供給ができるメモ
リ用電源供給装置の提供を課題とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a memory power supply device that can stably supply power without reducing the voltage of the backup power source when switching between the main power source and the auxiliary power source, which are the backup power sources for the memory. It is.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】本発明にかかるメモリ用
電源供給装置は、不揮発性メモリを用いたメモリ回路に
電力を供給する主電源と、前記主電源によって充電され
、前記主電源がオフのときに前記メモリ回路を保護すべ
く前記メモリ回路に電力を供給する補助電源と、前記補
助電源への充電電流を制限し、前記補助電源の放電によ
る電力供給時の負荷を軽減する充放電制御回路とを具備
するものである。
[Means for Solving the Problems] A memory power supply device according to the present invention includes a main power supply that supplies power to a memory circuit using a nonvolatile memory, and a memory circuit that is charged by the main power supply and that is powered off when the main power supply is turned off. an auxiliary power supply that supplies power to the memory circuit in order to protect the memory circuit; and a charging/discharging control circuit that limits the charging current to the auxiliary power supply and reduces the load during power supply due to discharge of the auxiliary power supply. It is equipped with the following.

【0029】[0029]

【作用】この発明のメモリ用電源供給装置においては、
メモリ回路に電力を供給する主電源によって充電され、
前記主電源がオフのときに前記メモリ回路を保護すべく
メモリ回路に電力を供給する補助電源への充電電流を、
充放電制御回路によって制限し、前記補助電源の放電に
よる電力供給時の負荷を軽減するものであるから、補助
電源の過充電を防止できるとともに、メモリの電源であ
るバックアップ電源が補助電源から主電源に切換わると
き、及び主電源から補助電源に切換わるときに、補助電
源の電力供給能力が低下せず、補助電源からバックアッ
プ電源への電力供給不足が起きず、バックアップ電源の
電圧が低下しない。
[Operation] In the memory power supply device of the present invention,
charged by the mains power supply that powers the memory circuits,
charging current to an auxiliary power supply that supplies power to the memory circuit to protect the memory circuit when the main power supply is off;
The charge/discharge control circuit reduces the load on power supply due to discharge of the auxiliary power supply, which prevents overcharging of the auxiliary power supply, and also allows the backup power supply that is the memory power source to be switched from the auxiliary power supply to the main power supply. When switching from the main power source to the auxiliary power source and from the main power source to the auxiliary power source, the power supply capability of the auxiliary power source does not decrease, power supply shortage from the auxiliary power source to the backup power source does not occur, and the voltage of the backup power source does not drop.

【0030】[0030]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明をする。[Examples] Examples of the present invention will be described below.

【0031】図1は本発明の一実施例であるメモリ用電
源供給装置を示す回路図である。図中、上記従来例と同
一符号及び記号は上記従来例の構成部分と同一または相
当する構成部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a memory power supply device according to an embodiment of the present invention. In the drawings, the same reference numerals and symbols as those in the above conventional example indicate constituent parts that are the same as or correspond to those in the above conventional example.

【0032】図において、11は主電源4がオフのとき
に充電電流制限用抵抗R3 8を短絡する電流制限用短
絡トランジスタTR2 、12は主電源4がオンのとき
に主電源電圧を二次電池9の電圧まで降下させて前記電
流制限用短絡トランジスタTR211を保護するととも
に、前記主電源4がオフのときには二次電池9から主電
源4への電流の漏れを防ぐ漏れ電流防止用ダイオード、
13は電流制限用抵抗である。即ち、このメモリ用電源
供給装置は図3の(a)の回路に電流制限用短絡トラン
ジスタTR2  11、漏れ電流防止用ダイオード12
、及び電流制限用抵抗13を付加したものである。
In the figure, reference numeral 11 indicates a current limiting short-circuit transistor TR2 that short-circuits the charging current limiting resistor R3 to 8 when the main power source 4 is off, and 12 indicates a current limiting short-circuit transistor TR2 that short-circuits the charging current limiting resistor R3 to 8 when the main power source 4 is off. a leakage current prevention diode that protects the current limiting short-circuit transistor TR211 by lowering the voltage to a voltage of 9 and prevents current from leaking from the secondary battery 9 to the main power source 4 when the main power source 4 is off;
13 is a current limiting resistor. That is, this memory power supply device includes a current limiting short-circuit transistor TR2 11 and a leakage current prevention diode 12 in the circuit shown in FIG. 3(a).
, and a current limiting resistor 13 are added.

【0033】次に、図2を用いて上記構成のメモリ用電
源供給装置の動作を説明する。図2は本発明の一実施例
及び従来のメモリ用電源供給装置の動作を示すタイムチ
ャートであり、図1と図3の回路の動作を示すタイムチ
ャートである。
Next, the operation of the memory power supply device having the above configuration will be explained using FIG. FIG. 2 is a time chart showing the operation of an embodiment of the present invention and a conventional memory power supply device, and is a time chart showing the operation of the circuits of FIGS. 1 and 3. In FIG.

【0034】図において、主電源オンスイッチを操作す
ると、主電源4が立上がり、主電源電圧は0〔V〕から
5〔V〕に立上がる。次に、各制御回路に主電源4が供
給され、PDWN信号が解除されると、PDWN信号は
0〔V〕から5〔V〕になる。PDWN信号が0〔V〕
のうちは、二次電池9からRAMメモリに電源を供給し
ている。つまり、二次電池9は放電状態であるが、PD
WN信号が5〔V〕に切換わることにより、電源切換ト
ランジスタTR1 7がオンとなると、二次電池9は主
電源4より充電電流制限用抵抗R3 8を介して充電さ
れる。次に、主電源オフスイッチを操作すると、PDW
N信号は5〔V〕から0〔V〕になり、PDWN信号が
働く。PDWN信号が働くと、電源切換トランジスタT
R1 7がオフになり、主電源4からバックアップ電源
3に電力が供給されなくなり、代りに二次電池9からバ
ックアップ電源3に電力が供給される。つまり、二次電
池9は再び放電状態に戻る。ところが、図3に示した従
来のメモリ用電源供給装置では、図2の従来のバックア
ップ電源電圧で示されるように、主電源4のオン、オフ
時において、二次電池9からの電力供給不足となるため
に、バックアップ電源の電圧が一時的に低下していた。
In the figure, when the main power on switch is operated, the main power supply 4 is turned on, and the main power supply voltage rises from 0 [V] to 5 [V]. Next, when the main power supply 4 is supplied to each control circuit and the PDWN signal is released, the PDWN signal changes from 0 [V] to 5 [V]. PDWN signal is 0 [V]
In this case, power is supplied from the secondary battery 9 to the RAM memory. In other words, although the secondary battery 9 is in a discharged state, the PD
When the WN signal is switched to 5 [V] and the power source switching transistor TR17 is turned on, the secondary battery 9 is charged from the main power source 4 via the charging current limiting resistor R38. Next, when you operate the main power off switch, the PDW
The N signal changes from 5 [V] to 0 [V], and the PDWN signal is activated. When the PDWN signal is activated, the power supply switching transistor T
R1 7 is turned off, power is no longer supplied from the main power supply 4 to the backup power supply 3, and power is instead supplied to the backup power supply 3 from the secondary battery 9. In other words, the secondary battery 9 returns to the discharge state again. However, in the conventional memory power supply device shown in FIG. 3, as shown by the conventional backup power supply voltage in FIG. As a result, the voltage of the backup power supply temporarily dropped.

【0035】図2の(A)はRAMICの電源バックア
ップ領域であり、二次電池9の電圧がバックアップ電源
3の電圧となっている。(B)は主電源電圧の立上げか
ら主電源4と補助電源である二次電池9との切換制御用
のPDWN信号が解除されるまでの領域である。この領
域では、PDWN信号は0〔V〕であり、バックアップ
電源は補助電源側となっているが、図3に示した従来の
メモリ用電源供給装置においては、二次電池9の電圧そ
のままではなく、電源切換トランジスタTR17の漏れ
電流によってc−MOS型IC5が不安定状態となり、
一時的な消費電流の増加を補助電源である二次電池9が
供給しきれず、図2の従来のバックアップ電源電圧のよ
うに、一瞬、バックアップ電源の電圧が落込んでいた。
FIG. 2A shows the power supply backup area of the RAMIC, where the voltage of the secondary battery 9 is the voltage of the backup power supply 3. (B) is an area from the rise of the main power supply voltage until the PDWN signal for switching control between the main power supply 4 and the secondary battery 9, which is the auxiliary power supply, is released. In this region, the PDWN signal is 0 [V] and the backup power source is on the auxiliary power source side. However, in the conventional memory power supply device shown in FIG. , the c-MOS type IC5 becomes unstable due to the leakage current of the power supply switching transistor TR17,
The secondary battery 9, which is an auxiliary power source, was unable to supply the temporary increase in current consumption, and the voltage of the backup power source momentarily dropped, as in the conventional backup power source voltage shown in FIG.

【0036】そこで、本実施例のメモリ用電源供給装置
においては、図1のように二次電池9の保護用に挿入さ
れた充電電流制限用抵抗R3 8の両端に、電流制限用
短絡トランジスタTR2 11のエミッタとコレクタと
を各々接続し、主電源4の立上り信号をベースに接続す
ることにより、(B)領域で起こる電力供給不足を補っ
ている。即ち、主電源4が立上っているときのみ、充電
電流制限用抵抗R3 8が働き、主電源4がオフのとき
は、充電電流制限用抵抗R3 8を短絡することにより
、主電源4のオフ時、つまり、バックアップ時のバック
アップ電源3から見た二次電池9の内部抵抗を減少し、
電力供給能力を増大させている。
Therefore, in the memory power supply device of this embodiment, as shown in FIG. By connecting the emitters and collectors of 11, and connecting the rising signal of the main power source 4 to the base, the power supply shortage that occurs in the region (B) is compensated for. That is, only when the main power supply 4 is on, the charging current limiting resistor R3 8 works, and when the main power supply 4 is off, by short-circuiting the charging current limiting resistor R3 8, the charging current limiting resistor R3 8 is activated. Reduces the internal resistance of the secondary battery 9 when viewed from the backup power supply 3 when off, that is, during backup,
We are increasing our power supply capacity.

【0037】また、図2の(C)領域は、主電源4がオ
ンで、PDWN信号が解除のときであり、RAMICへ
のバックアップ電源3は、主電源4から供給されるので
、5〔V〕となっている。(D)領域は、PDWN信号
がオフになり、次に、主電源4がオフとなった状態であ
る。この領域においても、図3に示した従来のメモリ用
電源供給装置では、バックアップ電源の電圧が落込んで
いた。これは、PDWN信号が有効になり、0〔V〕に
なった後も主電源4と二次電池9との電位差が生じ、電
源切換トランジスタTR1 7のエミッタからベースへ
の漏れ電流により、二次電池9が充電されているためで
ある。したがって、(A)及び(E)領域よりも、(B
)及び(D)領域の安定した部分の方が電圧が少し高い
In addition, the area (C) in FIG. 2 is when the main power supply 4 is on and the PDWN signal is released, and since the backup power supply 3 to the RAMIC is supplied from the main power supply 4, the voltage is 5 [V]. ]. In region (D), the PDWN signal is turned off, and then the main power supply 4 is turned off. In this area as well, in the conventional memory power supply device shown in FIG. 3, the voltage of the backup power supply drops. This is because even after the PDWN signal becomes valid and becomes 0 [V], there is a potential difference between the main power supply 4 and the secondary battery 9, and a leakage current from the emitter to the base of the power supply switching transistor TR17 causes the secondary This is because the battery 9 is being charged. Therefore, (B) is more important than (A) and (E).
) and (D), the voltage is slightly higher in the stable parts.

【0038】図1の本実施例のメモリ用電源供給装置に
おいても、従来と同様に、主電源4が立上っているとき
は、主電源4によって二次電池9が充電され、主電源4
がオフになると二次電池9は充電から放電に切換わる。 しかも、本実施例では、主電源4がオフのときは、二次
電池9の充電から放電への切換えを速くするとともに、
充電電流制限用抵抗R3 8を短絡することにより、こ
の充電電流制限用抵抗R3 8によって二次電池9の放
電が妨げられることがなく、しかも、一時的に、バック
アップ電源3の電力供給不足が起きることがないので、
バックアップ電源3の電圧の落込みを防ぐことができる
In the memory power supply device of this embodiment shown in FIG. 1 as well, when the main power supply 4 is on, the secondary battery 9 is charged by the main power supply 4 and the main power supply 4 is turned on.
When turned off, the secondary battery 9 switches from charging to discharging. Moreover, in this embodiment, when the main power source 4 is off, the secondary battery 9 is quickly switched from charging to discharging, and
By short-circuiting the charging current limiting resistor R3 8, the discharging of the secondary battery 9 is not hindered by the charging current limiting resistor R3 8, and moreover, a temporary shortage of power supply from the backup power source 3 occurs. Because there is no such thing,
A drop in the voltage of the backup power supply 3 can be prevented.

【0039】このように、本実施例のメモリ用電源供給
装置は、不揮発性メモリを用いたメモリ回路に電力を供
給する主電源4と、この主電源4によって充電され、前
記主電源4がオフのときに前記メモリ回路を保護すべく
前記メモリ回路に電力を供給する補助電源である二次電
池9と、前記主電源4と二次電池9(補助電源)との間
に設けられた充電電流制限用抵抗R3 8と、前記主電
源4がオフのときに前記充電電流制限用抵抗R3 8を
短絡する電流制限用短絡トランジスタTR2 11と、
前記主電源4がオンのときに主電源電圧を補助電源電圧
まで電圧を降下させて前記電流制限用短絡トランジスタ
TR2 11を保護するとともに、前記主電源4がオフ
のときには二次電池9(補助電源)から主電源4への電
流の漏れを防ぐ漏れ電流防止用ダイオード12とを有す
る充放電制御回路とを備えている。
As described above, the memory power supply device of this embodiment has a main power supply 4 that supplies power to a memory circuit using non-volatile memory, and is charged by this main power supply 4, and is charged by the main power supply 4 when the main power supply 4 is turned off. A charging current is provided between the secondary battery 9, which is an auxiliary power supply that supplies power to the memory circuit in order to protect the memory circuit when the main power supply 4 and the secondary battery 9 (auxiliary power supply) a limiting resistor R3 8; a current limiting shorting transistor TR2 11 that short-circuits the charging current limiting resistor R3 8 when the main power source 4 is off;
When the main power supply 4 is on, the main power supply voltage is lowered to the auxiliary power supply voltage to protect the current limiting short-circuit transistor TR2 11, and when the main power supply 4 is off, the secondary battery 9 (auxiliary power supply voltage) is ) and a charge/discharge control circuit having a leakage current prevention diode 12 that prevents current from leaking from the main power source 4 to the main power source 4.

【0040】即ち、本実施例のメモリ用電源供給装置は
、メモリ回路に電力を供給する主電源4によって充電さ
れ、前記主電源4がオフのときに前記メモリ回路を保護
すべくメモリ回路に電力を供給する二次電池9(補助電
源)への充電電流を充放電制御回路の充電電流制限用抵
抗R3 8によって制限するとともに、充放電制御回路
の充電電流制限用抵抗R3 8を短絡することによって
前記二次電池9(補助電源)の放電による電力供給時の
負荷を軽減するものである。
That is, the memory power supply device of this embodiment is charged by the main power supply 4 that supplies power to the memory circuit, and supplies power to the memory circuit in order to protect the memory circuit when the main power supply 4 is off. By limiting the charging current to the secondary battery 9 (auxiliary power supply) which supplies This reduces the load when power is supplied due to discharge of the secondary battery 9 (auxiliary power source).

【0041】具体的には、充放電制御回路の充電電流制
限用抵抗R3 8が二次電池9に直列に接続されており
、充電時に、二次電池9の過充電を防いでいる。また、
充電電流制限用抵抗R3 8と出力側を並列に接続した
電流制限用短絡トランジスタTR2 11のベースに、
主電源4のオン、オフと同時の切換信号を入力すること
により、切換えの時間遅れを最も少なくして、放電時に
充電電流制限用抵抗R3 8を短絡する。こうして、主
電源4の切換えと同時に充放電制御回路の充電電流制限
用抵抗R3 8を短絡し、二次電池9のインピーダンス
制御を行なうことにより、主電源4切換時に過渡的に増
加する負荷を軽減する。
Specifically, a charging current limiting resistor R38 of the charge/discharge control circuit is connected in series with the secondary battery 9 to prevent overcharging of the secondary battery 9 during charging. Also,
At the base of the current limiting short-circuit transistor TR2 11 whose output side is connected in parallel with the charging current limiting resistor R3 8,
By inputting a switching signal at the same time as the main power source 4 is turned on and off, the switching time delay is minimized and the charging current limiting resistor R38 is short-circuited during discharging. In this way, the charging current limiting resistor R38 of the charge/discharge control circuit is short-circuited at the same time as the main power source 4 is switched, and the impedance of the secondary battery 9 is controlled, thereby reducing the load that increases transiently when the main power source 4 is switched. do.

【0042】したがって、二次電池9(補助電源)の過
充電を防止できるとともに、メモリの電源であるバック
アップ電源が二次電池9(補助電源)から主電源4に切
換わるとき、及び主電源4から二次電池9(補助電源)
に切換わるときに、二次電池9(補助電源)の電力供給
能力が低下しないので、二次電池9(補助電源)からバ
ックアップ電源への電力供給不足が起きず、バックアッ
プ電源の電圧が低下しない。この結果、メモリ回路に対
するバックアップ電源として、常に安定した電力の供給
が可能になる。
Therefore, overcharging of the secondary battery 9 (auxiliary power source) can be prevented, and when the backup power source that is the power source for the memory is switched from the secondary battery 9 (auxiliary power source) to the main power source 4, From secondary battery 9 (auxiliary power source)
Since the power supply capacity of the secondary battery 9 (auxiliary power source) does not decrease when switching to . As a result, stable power can always be supplied as a backup power source to the memory circuit.

【0043】ところで、上記実施例では、充電電流制限
用抵抗R3 8を短絡する電流制限用短絡トランジスタ
TR2 11の切換制御信号を主電源4を利用して作成
したが、この信号を電源切換制御信号であるPDWN信
号等から作成してもよい。
Incidentally, in the above embodiment, the switching control signal for the current limiting short-circuiting transistor TR2 11 that short-circuits the charging current limiting resistor R3 8 was created using the main power source 4, but this signal is not used as the power source switching control signal. It may also be created from a PDWN signal or the like.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のメモリ用
電源供給装置は、主電源と、補助電源と、充放電制御回
路とを備え、メモリ回路に電力を供給する主電源によっ
て充電され、前記主電源がオフのときに前記メモリ回路
を保護すべくメモリ回路に電力を供給する補助電源への
充電電流を、充放電制御回路によって制限し、前記補助
電源の放電による電力供給時の負荷を軽減することによ
り、補助電源の過充電を防止できるとともに、メモリの
電源であるバックアップ電源が補助電源から主電源に切
換わるとき、及び主電源から補助電源に切換わるときに
、補助電源の電力供給能力が低下せず、補助電源からバ
ックアップ電源への電力供給不足が起きず、バックアッ
プ電源の電圧が低下しないので、メモリ回路に対するバ
ックアップ電源として、常に安定した電力の供給が可能
になる。
As described above, the memory power supply device of the present invention includes a main power source, an auxiliary power source, and a charge/discharge control circuit, and is charged by the main power source that supplies power to the memory circuit. In order to protect the memory circuit when the main power supply is off, a charge/discharge control circuit limits the charging current to the auxiliary power supply that supplies power to the memory circuit, and reduces the load when power is supplied due to discharge of the auxiliary power supply. By reducing the power supply, it is possible to prevent overcharging of the auxiliary power supply, and when the backup power supply that is the memory power source switches from the auxiliary power supply to the main power supply, and when switching from the main power supply to the auxiliary power supply, the power supply of the auxiliary power supply Since the performance does not decrease, the power supply from the auxiliary power supply to the backup power supply does not become insufficient, and the voltage of the backup power supply does not drop, it is possible to always stably supply power as a backup power supply to the memory circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】図1は本発明の一実施例であるメモリ用電源供
給装置を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a memory power supply device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は本発明の一実施例及び従来のメモリ用電
源供給装置の動作を示すタイムチャートである。
FIG. 2 is a time chart showing the operation of an embodiment of the present invention and a conventional memory power supply device.

【図3】図3の(a)は従来のメモリ用電源供給装置を
示す回路図であり、(b)はその動作を示すタイムチャ
ートである。
FIG. 3(a) is a circuit diagram showing a conventional memory power supply device, and FIG. 3(b) is a time chart showing its operation.

【図4】図4の(a)から(c)は従来のメモリ用電源
供給装置における電源切換トランジスタの動作を示す回
路図である。
FIGS. 4A to 4C are circuit diagrams showing the operation of a power supply switching transistor in a conventional memory power supply device.

【図5】図5はメモリ用電源供給装置のC−MOS・I
Cの内部を示す回路図である。
[Fig. 5] Fig. 5 shows a C-MOS I of a memory power supply device.
FIG. 2 is a circuit diagram showing the inside of C.

【図6】図6の(a)から(c)は従来のメモリ用電源
供給装置における主電源オフのときの二次電池の動作を
示す回路図である。
6A to 6C are circuit diagrams showing the operation of a secondary battery when the main power supply is turned off in a conventional memory power supply device.

【図7】図7は従来の他のメモリ用電源供給装置におけ
る放電時に充電電流制限用抵抗を短絡するのにトランジ
スタを用いた回路を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a circuit using a transistor to short-circuit a charging current limiting resistor during discharging in another conventional memory power supply device.

【図8】図8は図7の回路の動作を示すタイムチャート
である。
FIG. 8 is a time chart showing the operation of the circuit in FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    PDWN信号入力端子 2    レベル安定用プルダウン抵抗3    バッ
クアップ電源 4    主電源 5    c−MOS型IC 6    ベース電流制限用抵抗R1 7    電源切換トランジスタTR18    充電
電流制限用抵抗R3 9    二次電池 10    二次電池取付端子 11    電流制限用短絡トランジスタTR212 
   漏れ電流防止用ダイオード13    電流制限
用抵抗
1 PDWN signal input terminal 2 Pull-down resistor for level stabilization 3 Backup power supply 4 Main power supply 5 c-MOS type IC 6 Base current limiting resistor R1 7 Power supply switching transistor TR18 Charging current limiting resistor R3 9 Secondary battery 10 Secondary battery installation Terminal 11 Current limiting short-circuit transistor TR212
Leakage current prevention diode 13 Current limiting resistor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  不揮発性メモリを用いたメモリ回路に
電力を供給する主電源と、前記主電源によって充電され
、前記主電源がオフのときに前記メモリ回路を保護すべ
く前記メモリ回路に電力を供給する補助電源と、前記補
助電源への充電電流を制限し、前記補助電源の放電によ
る電力供給時の負荷を軽減する充放電制御回路とを具備
することを特徴とするメモリ用電源供給装置。
1. A main power source that supplies power to a memory circuit using nonvolatile memory; and a main power source that is charged by the main power source and supplies power to the memory circuit to protect the memory circuit when the main power source is off. A power supply device for a memory, comprising: an auxiliary power supply; and a charge/discharge control circuit that limits a charging current to the auxiliary power supply and reduces a load when power is supplied due to discharge of the auxiliary power supply.
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