JPH04334852A - Anti-reflection coating forming method for display device - Google Patents
Anti-reflection coating forming method for display deviceInfo
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Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
Description
【0001】[発明の目的][Object of the invention]
【0002】0002
【産業上の利用分野】この発明は、表示装置の反射防止
膜形成方法に係り、特に蛍光体スクリーンの形成された
陰極線管などの表示面のガラス基体外表面に反射防止膜
を形成する場合に有効な反射防止膜形成方法に関する。[Field of Industrial Application] This invention relates to a method for forming an anti-reflection film on a display device, and particularly when forming an anti-reflection film on the outer surface of a glass substrate of a display surface such as a cathode ray tube on which a phosphor screen is formed. The present invention relates to an effective method for forming an anti-reflection film.
【0003】0003
【従来の技術】一般に陰極線管は、外表面が平滑なガラ
スからなるフェースプレート(ガラス基体)の内面に蛍
光体スクリーンが形成され、電子銃から放出される電子
ビームを偏向ヨークの発生する磁界により偏向して、上
記蛍光体スクリーンを水平、垂直走査することにより、
この蛍光体スクリーン上に画像を表示し、この画像をフ
ェースプレートを通して外側から見るように構成されて
いる。そのため、フェースプレートの外表面が平滑であ
ると、この外表面での外光の反射が画像と重なり、フェ
ースプレートを通して外側から見る画像の品質をいちじ
るしく劣化する。[Prior Art] Generally, in a cathode ray tube, a phosphor screen is formed on the inner surface of a face plate (glass base) made of glass with a smooth outer surface, and the electron beam emitted from the electron gun is deflected by the magnetic field generated by the deflection yoke. By deflecting and scanning the phosphor screen horizontally and vertically,
The device is configured to display an image on the phosphor screen and view the image from the outside through the face plate. Therefore, if the outer surface of the face plate is smooth, the reflection of external light on this outer surface overlaps with the image, significantly deteriorating the quality of the image viewed from the outside through the face plate.
【0004】そのため、従来よりこの画像の劣化を防止
するために、フェースプレート外表面に反射防止処理を
施した陰極線管がある。[0004] Conventionally, therefore, there are cathode ray tubes in which anti-reflection treatment is applied to the outer surface of the face plate in order to prevent this image deterioration.
【0005】この反射防止処理方法としては、(イ)
ガラス基体外表面に研磨剤を吹付けて凹凸にするサン
ドブラスト法、あるいは弗化水素酸により腐蝕して凹凸
を形成する方法
(ロ) あらかじめ50〜60℃に予熱されたガラス
基体外表面にエチルシリケート(Si (OR)4 )
(R:アルキル基)のアルコール溶液を吹付けて成膜し
たのち、そのアルコール成分を気化させて凹凸膜を形成
し、この凹凸膜を焼成する方法
(ハ) ガラス基体外表面にSi O2 やMg F
2 などの微粒子をエチルシリケートのアルコール溶液
に分散させた分散液を塗布したのち、焼成して凹凸膜を
形成する方法
(ニ) 蒸着により多層蒸着膜を形成する方法(ホ)
ガラス基体外表面に酸化物微粒子をエチルシリケー
トのアルコール溶液または金属アルコキシド溶液に分散
させた分散液を用いて、ゾル−ゲル法により多層膜を形
成する方法
などがある。This antireflection treatment method includes (a)
A method of sandblasting by spraying an abrasive onto the outer surface of the glass substrate to make it uneven, or a method of etching with hydrofluoric acid to form unevenness (b) Ethyl silicate is applied to the outer surface of the glass substrate which has been preheated to 50 to 60°C. (Si(OR)4)
A method of spraying an alcohol solution of (R: alkyl group) to form a film, then vaporizing the alcohol component to form an uneven film, and firing this uneven film (c) SiO2 or Mg on the outer surface of the glass substrate F
2 A method in which a dispersion of fine particles such as 2 is dispersed in an alcoholic solution of ethyl silicate is applied and then baked to form an uneven film (d) A method in which a multilayered film is formed by vapor deposition (e)
There is a method of forming a multilayer film on the outer surface of a glass substrate by a sol-gel method using a dispersion in which oxide fine particles are dispersed in an alcohol solution of ethyl silicate or a metal alkoxide solution.
【0006】これら方法のうち、(イ)のサンドブラス
トあるいは腐蝕により凹凸を形成する方法は、フェース
プレート外表面に直接凹凸を形成する方法であるため、
陰極線管バルブの再生が不可能であること、汚れが付着
しやすいなどの問題が多い。Among these methods, method (a) of forming unevenness by sandblasting or corrosion is a method of directly forming unevenness on the outer surface of the face plate.
There are many problems such as the impossibility of regenerating cathode ray tube bulbs and the tendency for dirt to adhere to them.
【0007】これに対して(ロ)のエチルシリケートの
アルコール溶液を吹付けて形成する方法は、バルブの再
生が可能であり、かつ比較的容易に反射防止膜を形成す
ることができる。On the other hand, in the method (b) of spraying an alcoholic solution of ethyl silicate, the bulb can be regenerated and the antireflection film can be formed relatively easily.
【0008】しかし、これら(イ)および(ロ)の方法
は、いずれもガラス基体外表面を凹凸又は凹凸膜を形成
し、その凹凸により外光を拡散させて反射を防止するも
のであり、その凹凸が同時に表示画像を拡散するため、
解像度を劣化させるという問題がある。However, these methods (a) and (b) both involve forming an uneven surface or an uneven film on the outer surface of the glass substrate, and using the unevenness to diffuse external light and prevent reflection. Because the unevenness simultaneously diffuses the displayed image,
There is a problem that resolution deteriorates.
【0009】(ハ)のSi O2 やMg F2 など
の微粒子をエチルシリケートのアルコール溶液に分散さ
せた分散液を塗布する方法は、特開昭64−76001
号公報、特開平1−154444号公報、特開平1−1
54445号公報、特開平2−175601号公報など
に示されているが、その一例として、特開平1−154
444号公報に示されている反射防止膜について説明す
ると、図6に示すように、この反射防止膜は、エチルシ
リケートのアルコール溶液に直径10〜1000nmの
Si O2 微粒子を分散した分散液をガラス基体外表
面にスピン塗布法により塗布したのち、焼成して形成さ
れる。The method (c) of applying a dispersion in which fine particles such as SiO2 and MgF2 are dispersed in an alcoholic solution of ethyl silicate is described in Japanese Patent Application Laid-open No. 76001/1983.
Publication No., JP-A-1-154444, JP-A-1-1
54445, Japanese Patent Application Laid-Open No. 175601/1994, and one example is Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-154
To explain the anti-reflection film disclosed in Publication No. 444, as shown in FIG. It is formed by applying it to the external surface of the body using a spin coating method and then firing it.
【0010】したがって、この反射防止膜は、Si O
2 微粒子1とこの微粒子1を結着するSi O2 薄
膜2とからなり、ガラス基体3の屈折率1.52に対し
て屈折率が1.47とやや低いため、反射率は、干渉効
果により若干低下するが、反射防止膜自体の反射防止効
果はほとんどないとしてよく、この反射防止膜の反射防
止効果は、Si O2 微粒子1による被覆表面の凹凸
構造による空気−薄膜間の連続的な体積比変化により低
反射特性を実現するものとなっている。[0010] Therefore, this antireflection film is made of SiO
2 Consists of fine particles 1 and a SiO2 thin film 2 that binds the fine particles 1, and has a slightly lower refractive index of 1.47 compared to 1.52 of the glass substrate 3, so the reflectance is slightly lower due to interference effects. However, it can be said that the anti-reflection effect of the anti-reflection film itself is almost negligible, and the anti-reflection effect of this anti-reflection film is due to the continuous change in volume ratio between air and thin film due to the uneven structure of the coated surface by the SiO2 fine particles 1. This achieves low reflection characteristics.
【0011】しかし、この反射防止膜は、Si O2
微粒子1による光の拡散効果が大きく、かつ微少ではあ
るが凹凸による拡散効果もあるため、解像度を劣化させ
る。
この解像度の劣化を軽減するためには、Si O2 微
粒子1の径小化およびSi O2 薄膜2の平滑化が有
効であるが、このようにSi O2 微粒子1の径小化
、SiO2 薄膜2の平滑化をおこなうと、反射特性の
劣化をきたすようになる。However, this antireflection film is made of SiO2
The light diffusion effect by the fine particles 1 is large, and there is also a slight diffusion effect by the unevenness, which deteriorates the resolution. In order to reduce this deterioration in resolution, it is effective to reduce the diameter of the SiO2 fine particles 1 and smoothen the SiO2 thin film 2; If this is done, the reflection characteristics will deteriorate.
【0012】また、低反射率を実現させるためには、S
i O2 微粒子1の含有量を増やし、凹凸の程度を大
きくすることが必要であるが、この場合、反射防止膜が
微細孔構造になりやすく、Si O2 微粒子−Si
O2 薄膜間の結合力が弱くなり、耐摩耗性がいちじる
しく劣化する。[0012] Furthermore, in order to achieve low reflectance, S
It is necessary to increase the content of i O2 fine particles 1 and increase the degree of unevenness, but in this case, the antireflection film tends to have a microporous structure, and Si O2 fine particles - Si
The bonding force between the O2 thin films becomes weaker, and the wear resistance deteriorates significantly.
【0013】つまり、上記ようにSi O2 微粒子を
使用して干渉効果により反射を防止する反射防止膜は、
解像度および耐摩耗性の点で問題がある。[0013] In other words, the anti-reflection film that uses SiO2 fine particles to prevent reflection due to the interference effect as described above has the following properties:
There are problems with resolution and wear resistance.
【0014】(ニ)の蒸着により形成される多層蒸着膜
の一例として、図7に屈折率n1 =1.38のMg
F2 と屈折率n2 =2.06のTi O2 +Pr
6 O11を交互に蒸着して4層の蒸着膜5a,5b
,6a,6bを形成した多層蒸着膜を示す。この多層蒸
着膜の膜厚dは、第1層5aが930オングストローム
、第2層6aが1270オングストローム、第3層5b
が290オングストローム、第4層6bが140オング
ストロームである。As an example of the multilayer vapor deposited film formed by vapor deposition (d), FIG.
TiO2 +Pr with F2 and refractive index n2 = 2.06
6 O11 is alternately deposited to form four layers of deposited films 5a and 5b.
, 6a, 6b is shown. The film thickness d of this multilayer deposited film is 930 angstroms for the first layer 5a, 1270 angstroms for the second layer 6a, and 1270 angstroms for the third layer 5b.
is 290 angstroms, and the fourth layer 6b is 140 angstroms.
【0015】このような多層蒸着膜を用いると、干渉効
果により正反射率を0.1以下にすることができる。し
かしこの多層蒸着膜は、画面の大きい大形陰極線管など
に適用しようとすると、大規模な設備が必要となり、製
造コストが高くなるという問題がある。[0015] When such a multilayer vapor deposited film is used, the specular reflectance can be reduced to 0.1 or less due to the interference effect. However, when this multilayer vapor deposition film is applied to large-scale cathode ray tubes with large screens, it requires large-scale equipment and has the problem of increasing manufacturing costs.
【0016】(ホ)のゾル−ゲル法では、所望の酸化物
微粒子をエチルシリケートのアルコール溶液またはTi
、Sn などの金属アルコキシド溶液に分散させた液
をガラス基体外表面にスプレー、スピン、ディップ、ロ
ール法などの方法により塗布し、焼成して形成される。In the sol-gel method (e), desired oxide fine particles are mixed with an alcoholic solution of ethyl silicate or Ti
, Sn or the like is dispersed in a metal alkoxide solution and applied to the outer surface of a glass substrate by a method such as a spray, spin, dip, or roll method, and then baked.
【0017】この方法により形成される多層膜は、上記
多層蒸着膜と同様の効果を有するが、膜構造が、高屈折
率または低屈折率の酸化物微粒子と屈折率n=1.46
程度のSi O2 微粒子とが混合状態にあるため、膜
自体の屈折率が高屈折率または低屈折率酸化物微粒子の
屈折率にくらべて、低屈折率酸化物微粒子の場合は高く
、高屈折率酸化物微粒子の場合は低くなり、またその屈
折率が酸化物微粒子の含有量によって変化する。The multilayer film formed by this method has the same effect as the multilayer vapor deposited film described above, but the film structure consists of oxide fine particles with a high or low refractive index and a refractive index n=1.46.
The refractive index of the film itself is higher in the case of low refractive index oxide fine particles than that of high refractive index or low refractive index oxide fine particles. In the case of oxide fine particles, the refractive index is low, and the refractive index changes depending on the content of the oxide fine particles.
【0018】一般に低反射特性の多層膜は、nを屈折率
、dを膜厚、λを可視域の中心波長(550nm)とす
るとき、
n×d=λ/4
を満足するように低屈折率膜と高屈折率膜とを組合わせ
て形成される。In general, a multilayer film with low reflection characteristics has a low refraction that satisfies n×d=λ/4, where n is the refractive index, d is the film thickness, and λ is the center wavelength in the visible range (550 nm). It is formed by combining a high refractive index film and a high refractive index film.
【0019】たとえば2層構造の多層膜の場合、上層の
第1層をエチルシリケートのアルコール溶液に最も屈折
率の低いMg F2 微粒子(n=1.38)を分散さ
せた分散液を使用して形成するとすると、この場合の膜
の屈折率は1.40が限度であるため、低反射特性を実
現させるためには、この上層の屈折率が限度の1.40
の場合、下層の第2層の屈折率を1.73にしなければ
ならない。このようにゾル−ゲル法で多層膜を形成する
場合は、低屈折率膜の屈折率が1.40以上となるため
、高屈折率膜の屈折率を1.70以上にしなければなら
ず、所望の屈折率を得るためには、微粒子の含有量を多
くしなければならない。その結果、膜中のSi O2
結合(微粒子とSi O2 との結合)が低下し、耐摩
耗性が大幅に劣化する。この耐摩耗性を向上させるため
には、500℃以上の高温焼成が必要となり、製造上の
困難をともなう。特に金属アルコキシドの場合は、50
0℃以上の高温焼成で所望の屈折膜が得られるが、それ
でもなお耐摩耗性は低い。For example, in the case of a multilayer film with a two-layer structure, the first upper layer is formed by using a dispersion in which Mg F2 fine particles (n=1.38) having the lowest refractive index are dispersed in an alcoholic solution of ethyl silicate. If it is formed, the refractive index of the film in this case is limited to 1.40, so in order to achieve low reflection characteristics, the refractive index of this upper layer must be set to the maximum of 1.40.
In this case, the refractive index of the lower second layer must be 1.73. When forming a multilayer film using the sol-gel method in this way, the refractive index of the low refractive index film is 1.40 or more, so the refractive index of the high refractive index film must be 1.70 or more. In order to obtain the desired refractive index, the content of fine particles must be increased. As a result, SiO2 in the film
Bonding (bonding between fine particles and SiO2) is reduced, and wear resistance is significantly deteriorated. In order to improve this wear resistance, high temperature firing of 500° C. or higher is required, which is accompanied by manufacturing difficulties. Especially in the case of metal alkoxides, 50
Although a desired refractive film can be obtained by firing at a high temperature of 0° C. or higher, the wear resistance is still low.
【0020】なお、このゾル−ゲル法については、2層
膜の場合について述べたが、反射特性としては、より多
層にすることにより低反射率化でき、また低反射域広帯
域化することができる。[0020] Regarding this sol-gel method, the case of a two-layer film has been described, but in terms of reflection characteristics, by using more layers, the reflectance can be lowered and the low reflection range can be widened. .
【0021】しかし、このこのゾル−ゲル法は、上述の
ように反射特性および耐摩耗性に問題があり、さらに画
面の大きい大形陰極線管に対しては、膜厚を均一にする
制御が困難であり、それらを改善するためには、設備な
どでコスト高となりやすいという問題がある。However, as mentioned above, this sol-gel method has problems with reflection characteristics and wear resistance, and furthermore, it is difficult to control the film thickness to be uniform for large cathode ray tubes with large screens. However, in order to improve these problems, there is a problem in that the cost of equipment etc. tends to be high.
【0022】[0022]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来よ
り表示装置の反射防止膜形成方法には、(イ)サンドブ
ラストや腐蝕によりガラス基体に直接凹凸を形成する方
法、(ロ)エチルシリケートのアルコール溶液を用いて
凹凸膜を形成する方法、(ハ)Si O2 やMg F
2 などの微粒子をエチルシリケートのアルコール溶液
に分散させた分散液を用いて凹凸膜を形成する方法、(
ニ)蒸着により多層蒸着膜を形成する方法、(ホ)ゾル
−ゲル法により多層膜を形成する方法など、各種方法が
あるが、それぞれバルブの再生、解像度、反射特性、耐
摩耗性などに問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, conventional methods for forming an antireflection film for display devices include (a) a method of directly forming unevenness on a glass substrate by sandblasting or corrosion, and (b) a method of forming an unevenness on a glass substrate directly. Method of forming an uneven film using an alcohol solution, (c) SiO2 or MgF
A method of forming an uneven film using a dispersion in which fine particles such as 2 are dispersed in an alcohol solution of ethyl silicate, (
There are various methods such as (d) forming a multilayer film by vapor deposition and (e) forming a multilayer film by sol-gel method, but each method has problems with bulb regeneration, resolution, reflection characteristics, wear resistance, etc. There is.
【0023】この発明は、上記従来の問題点に鑑みてな
されたものであり、低反射率かつ低反射域広帯域であり
、表示画面の解像度の劣化がほとんどない反射防止膜を
比較的簡単に形成しうるようにすることを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and it is possible to relatively easily form an antireflection film that has a low reflectance and a wide range of low reflections, and causes almost no deterioration in the resolution of a display screen. The purpose is to make it possible.
【0024】[発明の構成][Configuration of the invention]
【0025】[0025]
【課題を解決するための手段】表示装置の反射防止膜形
成方法において、その反射防止膜を、表示面のガラス基
体の外表面に屈折率の異なる2層以上の多層光学膜を形
成する工程と、その多層光学膜の最外層表面に10〜1
000nmのSi O2 微粒子を積層する工程と、そ
の積層されたSi O2 微粒子を介して1%以下の弗
化水素酸または弗化アンモニウムにより多層光学膜の最
外層を腐蝕し、この多層光学膜の最外層表面を凹凸ピッ
チ10〜1000nm、凹凸粗さ50〜100nmの凹
凸面にする工程と、その後、その凹凸面に積層している
Si O2 微粒子を除去する工程とにより形成するよ
うにした。[Means for Solving the Problems] A method for forming an antireflection film for a display device includes a step of forming the antireflection film on the outer surface of a glass substrate of a display surface as a multilayer optical film having two or more layers having different refractive indexes. , 10 to 1 on the outermost layer surface of the multilayer optical film.
The process of laminating 000 nm SiO2 fine particles and corroding the outermost layer of the multilayer optical film with 1% or less hydrofluoric acid or ammonium fluoride through the laminated SiO2 fine particles. The outer layer was formed by a step of making the surface of the outer layer an uneven surface with an uneven pitch of 10 to 1000 nm and an uneven surface roughness of 50 to 100 nm, and then a step of removing SiO2 fine particles laminated on the uneven surface.
【0026】[0026]
【作用】上記方法により反射防止膜を形成すると、最外
層の屈折率を空気と最外層との連続的な体積比変化によ
り、通常の光学媒質では実現しえない値まで低下させる
ことができ、低反射率かつ広帯域の反射スペクトルをも
つ反射防止膜とすることができる。その結果、その広帯
域の反射スペクトルにより膜厚制御が不十分な簡単な成
膜法で形成しても、膜厚のばらつきによる反射率の増加
を軽度に抑えることができる。また最外層の凹凸が非常
に微細であるため、凹凸に基づく拡散効果を低減して解
像度の劣化を防止することができる。[Function] When an antireflection film is formed by the above method, the refractive index of the outermost layer can be lowered to a value that cannot be achieved with ordinary optical media by continuously changing the volume ratio of air and the outermost layer. An antireflection film having low reflectance and a broadband reflection spectrum can be obtained. As a result, even if the film is formed using a simple film formation method with insufficient film thickness control due to its broadband reflection spectrum, the increase in reflectance due to variations in film thickness can be suppressed to a small level. Further, since the irregularities of the outermost layer are very fine, the diffusion effect due to the irregularities can be reduced and resolution deterioration can be prevented.
【0027】[0027]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments with reference to the drawings.
【0028】図1にその一実施例に係るカラー受像管を
示す。このカラー受像管は、ガラス製パネル(ガラス基
体)10およびこのパネル10に一体に接合されたファ
ンネル11からなる外囲器を有し、そのパネル10内面
に、ドット状またはストライプ状の3色蛍光体層からな
る蛍光体スクリーン12が形成され、この蛍光体スクリ
ーン12に対向して、その内側にシャドウマスク13が
装着されている。またファンネル11のネック14内に
電子銃15が配設されている。そしてこの電子銃15か
ら放出される3電子ビームをファンネル11の外側に装
着される偏向ヨーク(図示せず)の発生する磁界により
偏向して、上記蛍光体スクリーン12を水平、垂直走査
することにより、この蛍光体スクリーン12上にカラー
画像を表示する構造に形成され、ガラス製パネル10が
表示面の基体となっている。FIG. 1 shows a color picture tube according to one embodiment. This color picture tube has an envelope consisting of a glass panel (glass base) 10 and a funnel 11 integrally joined to the panel 10. On the inner surface of the panel 10, dot-shaped or striped three-color fluorescent A phosphor screen 12 made of a body layer is formed, and a shadow mask 13 is mounted inside the phosphor screen 12, facing the phosphor screen 12. Further, an electron gun 15 is disposed within the neck 14 of the funnel 11. The three electron beams emitted from the electron gun 15 are deflected by a magnetic field generated by a deflection yoke (not shown) attached to the outside of the funnel 11, and the phosphor screen 12 is scanned horizontally and vertically. , is formed to display a color image on this phosphor screen 12, and the glass panel 10 serves as the base of the display surface.
【0029】このカラー受像管においては、さらに上記
パネル10の外表面に反射防止膜16が形成されている
。この反射防止膜16は、図2に示すように、上下2層
17,18の積層構造からなり、平均粒径50nm未満
の高屈折率酸化物、たとえばTi O2 ,Sn O2
,In 2 O3 などの微粒子をSn O2 で結
着した膜厚λ/4nの下層(第2層)17と、凹凸ピッ
チPが100〜1000nm、表面粗さhが50〜10
0nmの凹凸面をもち、最大膜厚λ/4nのSn O2
からなる上層(第1層)18とからなる。In this color picture tube, an antireflection film 16 is further formed on the outer surface of the panel 10. As shown in FIG. 2, this antireflection film 16 has a laminated structure of two upper and lower layers 17 and 18, and is made of a high refractive index oxide with an average particle size of less than 50 nm, such as TiO2, SnO2.
, a lower layer (second layer) 17 with a film thickness of λ/4n in which fine particles such as In 2 O 3 are bound with Sn O 2 , an uneven pitch P of 100 to 1000 nm, and a surface roughness h of 50 to 10
SnO2 with an uneven surface of 0 nm and a maximum film thickness of λ/4n
and an upper layer (first layer) 18 consisting of.
【0030】この反射防止膜16は、図3(a)に示す
工程により形成される。This antireflection film 16 is formed by the process shown in FIG. 3(a).
【0031】すなわち、同(b)に示すガラス基体10
の外表面を酸化セリウムあるいはNaOH水溶液などの
アルカリ洗剤で洗浄して、汚れを除去するとともに、外
表面を活性化する。そしてその外表面を20〜40℃に
余熱する。この場合、外表面の温度が20℃以下である
と、その後塗布する液のアルコール成分の蒸発が遅れ、
周辺部に液溜りできる。また40℃を越えると、蒸発速
度が速すぎて膜厚が厚くなり、干渉色が目立つようにな
る。That is, the glass substrate 10 shown in (b)
The outer surface is cleaned with an alkaline detergent such as cerium oxide or NaOH aqueous solution to remove dirt and activate the outer surface. Then, preheat the outer surface to 20 to 40°C. In this case, if the temperature of the outer surface is below 20°C, the evaporation of the alcohol component of the liquid applied afterwards will be delayed.
Liquid may accumulate around the area. If the temperature exceeds 40° C., the evaporation rate is too fast, the film becomes thick, and interference colors become noticeable.
【0032】つぎに、上記余熱したガラス基体10の外
表面に、エチルシリケートのアルコール溶液に平均粒径
50nm未満のTi O2 ,Si O2 ,In 2
O3 などの高屈折率酸化物微粒子を安定に分散させ
た分散液をスピン法により塗布し、その後、30〜40
℃にて乾燥して、同(c)に示すように、高屈折率酸化
物微粒子20を含有する膜厚λ/4nの下層を形成する
ためのエチルシリケート膜21を形成する。この場合、
膜厚をλ/4nの下層にするためには、エチルシリケー
トのアルコール溶液に対する高屈折率酸化物微粒子の添
加量を1〜3%とすることが必要であり、1%未満では
、塗布するときの回転速度を遅くしても、ガラス基体1
0全面での膜厚/屈折率を制御することが困難となる。
また3%を越えると、ガラス基体10の外表面に対する
分散液の濡れ性が悪くなり、放射状の塗りむらが発生し
やすくなる。Next, on the outer surface of the preheated glass substrate 10, TiO2, SiO2, In2 having an average particle size of less than 50 nm is added to an alcoholic solution of ethylsilicate.
A dispersion liquid in which fine particles of high refractive index oxide such as O3 are stably dispersed is applied by a spin method, and then
C. to form an ethyl silicate film 21 containing high refractive index oxide fine particles 20 and having a thickness of λ/4n for forming the lower layer, as shown in FIG. in this case,
In order to make the film thickness λ/4n as the lower layer, it is necessary to add 1 to 3% of high refractive index oxide fine particles to the alcohol solution of ethyl silicate. Even if the rotation speed of glass substrate 1 is slowed down,
It becomes difficult to control the film thickness/refractive index over the entire surface. Moreover, when it exceeds 3%, the wettability of the dispersion liquid to the outer surface of the glass substrate 10 becomes poor, and radial uneven coating tends to occur.
【0033】つぎに、上記30〜40℃に加熱された上
記エチルシリケート膜21上に、エチルシリケートのア
ルコール溶液をスピン法により塗布し、その後、40〜
60℃にて乾燥して、同(d)に示すように、最大膜厚
λ/4nの上層を形成するためのチルシリケート膜22
を形成する。この場合に塗布するエチルシリケートのア
ルコール溶液としては、λ/4nの膜厚の上層を得るた
めに1〜3%溶液が用いられる。Next, an alcohol solution of ethyl silicate is applied by a spin method onto the ethyl silicate film 21 heated to 30 to 40°C, and then heated to 40 to 40°C.
Dry at 60°C to form a chill silicate film 22 to form an upper layer with a maximum thickness of λ/4n, as shown in (d).
form. In this case, the alcohol solution of ethyl silicate to be applied is a 1-3% solution in order to obtain an upper layer with a thickness of λ/4n.
【0034】つぎに、このエチルシリケート膜22上に
、10〜1000nmのSn O2 微粒子を安定に分
散したアルコール分散液をスピン法により塗布し、その
後、40〜60℃にて乾燥して、同(e)に示すように
、エチルシリケート膜22上に点接触状態で付着するS
i O2 微粒子23の層を形成する。[0034] Next, on this ethyl silicate film 22, an alcohol dispersion in which SnO2 fine particles of 10 to 1000 nm are stably dispersed is applied by a spin method, and then dried at 40 to 60°C. As shown in e), S adheres to the ethyl silicate film 22 in point contact.
A layer of i O2 fine particles 23 is formed.
【0035】つぎに、上記Si O2 微粒子23の層
を積層形成したエチルシリケート膜22を1%未満の弗
化水素酸または弗化アンモニウム水溶液中に浸し、Si
O2 微粒子23の隙間からエチルシリケート膜22
の表面を腐蝕する。このように1%未満の弗化水素酸ま
たは弗化アンモニウム水溶液を用いると、腐蝕の制御を
時間のみにより安定に制御することができる。その結果
、上記10〜1000nmのSi O2 微粒子の積層
により、同(f)に示すように、エチルシリケート膜2
2の表面は、凹凸ピッチ100〜1000nm、粗さ5
0〜100nmの凹凸面24が形成される。Next, the ethyl silicate film 22 on which the layer of the SiO2 fine particles 23 is laminated is immersed in a less than 1% hydrofluoric acid or ammonium fluoride aqueous solution to
Ethyl silicate film 22 from the gap between O2 fine particles 23
corrodes the surface of In this way, when less than 1% of hydrofluoric acid or ammonium fluoride aqueous solution is used, corrosion can be stably controlled only by time. As a result, due to the stacking of the SiO2 fine particles with a diameter of 10 to 1000 nm, the ethyl silicate film 2
The surface of No. 2 has an uneven pitch of 100 to 1000 nm and a roughness of 5.
An uneven surface 24 of 0 to 100 nm is formed.
【0036】その後、水または温水により洗浄して、エ
チルシリケート膜22上に積層するSi O2 微粒子
23、およびエチルシリケート膜22上に残存する弗化
水素酸または弗化アンモニウムを除去し、水切りしたの
ち、200℃以上の温度で焼成してエチルシリケート膜
21、22を分解し、図2に示した表面粗さ50〜10
0nm、凹凸ピッチ100〜1000nmの凹凸面をも
つ最大膜厚λ/4nのSi O2 からなる上層18と
、Si O2 微粒子をSi O2 で結着した膜厚λ
/4nの下層17とからなる積層構造の反射防止膜16
とする。[0036] Thereafter, the SiO2 fine particles 23 laminated on the ethyl silicate film 22 and the hydrofluoric acid or ammonium fluoride remaining on the ethyl silicate film 22 are removed by washing with water or hot water, and the water is drained. , the ethyl silicate films 21 and 22 are decomposed by firing at a temperature of 200° C. or higher, and the surface roughness shown in FIG. 2 is 50 to 10.
An upper layer 18 made of SiO2 having a maximum film thickness of λ/4n and having an uneven surface with an uneven pitch of 100 to 1000 nm, and a film thickness λ of SiO2 fine particles bonded with SiO2.
/4n lower layer 17 and a multilayer structure anti-reflection film 16
shall be.
【0037】このように形成される反射防止膜16は、
上層18の屈折率が表面の粗さ50〜100nm、凹凸
ピッチ100〜1000nmの凹凸により、Si O2
からなる平滑膜の屈折率1.46に対して1.35程
度に低下する。したがって下層17は、この上層18と
の組合わせによる2層の正反射率から、屈折率を1.5
5〜1.70、膜厚λ/4nを80〜90nmに形成す
ればよいことになる。このような屈折率の反射防止膜1
6は、屈折率が1.55の場合は、平均粒径10μm
のSi O2 微粒子を用い、そのSi O2 微粒子
/Si O2 の重量組成比が1.5となる分散液を塗
布することにより、また屈折率が1.70の場合は、平
均粒径40μm のSiO2 微粒子を用い、そのSi
O2 微粒子/Si O2 の重量組成比が0.5と
なる分散液を塗布することにより得られる。The antireflection film 16 formed in this way is
SiO2
The refractive index decreases to about 1.35, compared to 1.46 for a smooth film made of Therefore, the lower layer 17 has a refractive index of 1.5 from the regular reflectance of the two layers in combination with the upper layer 18.
5 to 1.70, and the film thickness λ/4n should be formed to be 80 to 90 nm. Antireflection film 1 with such a refractive index
6, when the refractive index is 1.55, the average particle size is 10 μm
By applying a dispersion liquid with a weight composition ratio of SiO2 particles/SiO2 of 1.5 using SiO2 fine particles of using the Si
It is obtained by applying a dispersion having a weight composition ratio of O2 fine particles/SiO2 of 0.5.
【0038】図3に、上記方法により、高屈折率酸化物
微粒子をSi O2 とし、そのSi O2 微粒子/
Si O2 の重量組成比を15として下層17を形成
し、上層18の表面粗さ50nm、凹凸ピッチ2000
nmとした反射防止膜16の各波長と正反射率R(x)
との関係を示す。曲線25a は、測定光の反射防止膜
への入射角θを0°、曲線25b は、30°の場合の
正反射率である。FIG. 3 shows that high refractive index oxide fine particles are made of SiO2 by the above method, and the SiO2 fine particles/
The lower layer 17 was formed with a weight composition ratio of SiO2 of 15, and the upper layer 18 had a surface roughness of 50 nm and an uneven pitch of 2000.
Each wavelength and specular reflectance R(x) of the anti-reflection film 16 in nm
Indicates the relationship between Curve 25a is the regular reflectance when the incident angle θ of the measurement light on the antireflection film is 0°, and curve 25b is 30°.
【0039】概してこの反射防止膜は、広帯域の反射ス
ペクトルを有し、正反射率が約0.6%という良好な反
射特性を示し、解像度の劣化がほとんど認められなかっ
た。また最終的に200℃以上の温度で焼成するため、
耐摩耗性を有する強度十分な膜とすることができた。さ
らに上層18の表面の微細な凹凸構造により、膜厚の変
化(誤差)による反射特性が上層を平滑膜とした場合に
くらべて小さく、したがってゾル−ゲル法による比較的
簡単な成膜法でも形成できる。これに関し、図5に、下
層17または上層18の膜厚が設計値26より10%ず
れた場合の視感反射率R(lum) のばらつきの計算
値を上層の屈折率n1 の関数として示す。In general, this antireflection film had a broadband reflection spectrum, exhibited good reflection characteristics with a regular reflectance of about 0.6%, and showed almost no deterioration in resolution. In addition, because the final firing is performed at a temperature of 200°C or higher,
A film with sufficient strength and wear resistance could be obtained. Furthermore, due to the fine uneven structure on the surface of the upper layer 18, the reflection characteristics due to changes in film thickness (errors) are smaller than when the upper layer is a smooth film, so it can be formed even with a relatively simple film formation method using the sol-gel method. can. In this regard, FIG. 5 shows calculated values of variations in the luminous reflectance R(lum) as a function of the refractive index n1 of the upper layer when the film thickness of the lower layer 17 or the upper layer 18 deviates from the design value 26 by 10%.
【0040】なお、上記実施例では、Si O2 微粒
子を下層の高屈折率酸化物微粒子としたが、この下層の
高屈折率酸化物微粒子として、Sn O2 ,In 2
O3 などの透明導電酸化物微粒子を用いると、反射
防止効果とともに帯電防止効果も得られる。In the above embodiment, SiO2 fine particles were used as the high refractive index oxide fine particles in the lower layer, but as the high refractive index oxide fine particles in the lower layer, SnO2, In2
When transparent conductive oxide fine particles such as O3 are used, an antistatic effect as well as an antireflection effect can be obtained.
【0041】また、下層の屈折率をさらに低下させるた
めには、Mg F2 微粒子を添加して、Mg F2
微粒子をSi O2 で結着した層とすればよい。Furthermore, in order to further lower the refractive index of the lower layer, Mg F2 fine particles are added to reduce the Mg F2
A layer in which fine particles are bound with SiO2 may be used.
【0042】なお、上記実施例は、カラー受像管のパネ
ル外表面に反射防止膜を形成する場合について述べたが
、この発明の反射防止膜形成方法は、他の表示装置の反
射防止膜の形成にも適用できる。Although the above embodiment describes the case where an antireflection film is formed on the outer surface of a panel of a color picture tube, the method for forming an antireflection film of the present invention can be applied to the formation of an antireflection film on other display devices. It can also be applied to
【0043】[0043]
【発明の効果】表示装置の反射防止膜を、表示面のガラ
ス基体の外表面に屈折率の異なる2層以上の多層光学膜
を形成し、その多層光学膜の最外層表面に10〜100
0nmのSi O2 微粒子を積層させ、その積層され
たSi O2 微粒子を介して多層光学膜の最外層を腐
蝕して、その最外層表面を凹凸ピッチ10〜1000n
m、凹凸粗さ50〜100nmの凹凸面にすると、最外
層の屈折率を空気と最外層との連続的な体積比変化によ
り、通常の光学媒質では実現しえない値まで低下させて
、低反射率かつ広帯域の反射スペクトルをもつ反射防止
膜とすることができる。その結果、膜厚制御が不十分な
簡単な成膜法で形成しても、膜厚のばらつきによる反射
率の増加を軽度に抑えることができ、また最外層の凹凸
が非常に微細であるため、凹凸に基づく拡散効果を低減
して、解像度の劣化を防止することができる。Effects of the Invention The antireflection coating for a display device is formed by forming a multilayer optical film of two or more layers with different refractive indexes on the outer surface of a glass substrate of the display surface, and forming a multilayer optical film with a refractive index of 10 to 100 on the outermost layer surface of the multilayer optical film.
0 nm SiO2 fine particles are laminated, and the outermost layer of the multilayer optical film is corroded through the laminated SiO2 fine particles, so that the surface of the outermost layer has an uneven pitch of 10 to 1000n.
When the surface has an uneven surface with a roughness of 50 to 100 nm, the refractive index of the outermost layer decreases to a value that cannot be achieved with ordinary optical media due to a continuous change in the volume ratio of air and the outermost layer. It is possible to obtain an antireflection film having high reflectance and a broadband reflection spectrum. As a result, even if the film is formed using a simple film formation method with insufficient film thickness control, the increase in reflectance due to film thickness variations can be suppressed to a small degree, and since the unevenness of the outermost layer is extremely fine, , it is possible to reduce the diffusion effect due to unevenness and prevent resolution deterioration.
【図1】この発明の一実施例に係るカラー受像管の構成
を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a color picture tube according to an embodiment of the present invention.
【図2】そのパネル外表面に形成された反射防止膜の構
造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the structure of an antireflection film formed on the outer surface of the panel.
【図3】図3(a)はそのパネル外表面の反射防止膜形
成方法を示す工程図、図3(b)ないし(f)はそれぞ
れその工程図に対応して示した反射防止膜形成方法を説
明するための図である。[Fig. 3] Fig. 3(a) is a process diagram showing a method for forming an antireflection film on the outer surface of the panel, and Figs. 3(b) to 3(f) are each a method for forming an antireflection film shown corresponding to the process diagram. FIG.
【図4】上記反射防止膜の波長と正反射率との関係を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between wavelength and regular reflectance of the antireflection film.
【図5】同じく反射防止膜の視感反射率のばらつきを最
外層の屈折率の関数として示す図である。FIG. 5 is a diagram showing variations in the luminous reflectance of an antireflection film as a function of the refractive index of the outermost layer.
【図6】従来のエチルシリケートのアルコール溶液にS
i O2 を分散した分散液により形成された反射防止
膜の構造を示す図である。[Figure 6] S in the conventional alcohol solution of ethyl silicate
It is a figure which shows the structure of the antireflection film formed with the dispersion liquid which disperse|distributed iO2.
【図7】従来の多層蒸着膜の構造を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the structure of a conventional multilayer deposited film.
10…パネル 12…蛍光体スクリーン 15…電子銃 16…反射防止膜 17…下層(第2層) 17…上層(第1層) 20…高屈折率酸化物微粒子 21…エチルシリケート膜 22…エチルシリケート膜 23…Si O2 微粒子 10...Panel 12...phosphor screen 15...electron gun 16...Anti-reflection film 17...Lower layer (second layer) 17... Upper layer (first layer) 20...High refractive index oxide fine particles 21...Ethyl silicate film 22...Ethyl silicate film 23...Si O2 fine particles
Claims (1)
の異なる2層以上の多層光学膜を形成する工程と、上記
多層光学膜の最外層表面に10〜1000nmのSi
O2 微粒子を積層させる工程と、上記積層されたSi
O2 微粒子を介して1%以下の弗化水素酸または弗化
アンモニウムにより上記多層光学膜の最外層を腐蝕し、
この多層光学膜の最外層表面を凹凸ピッチ10〜100
0nm、凹凸粗さ50〜100nmの凹凸面にする工程
と、上記凹凸面を形成したのち、この凹凸面に積層して
いる上記Si O2 微粒子を除去する工程とからなる
ことを特徴とする表示装置の反射防止膜形成方法。1. A step of forming a multilayer optical film having two or more layers with different refractive indexes on the outer surface of a glass substrate of a display surface, and a step of forming a 10 to 1000 nm Si layer on the outermost layer surface of the multilayer optical film.
The step of stacking O2 fine particles and the stacked Si
corroding the outermost layer of the multilayer optical film with 1% or less hydrofluoric acid or ammonium fluoride through O2 fine particles;
The surface of the outermost layer of this multilayer optical film has an uneven pitch of 10 to 100.
0 nm, and a step of forming an uneven surface with an uneven surface roughness of 50 to 100 nm, and a step of removing the SiO2 fine particles laminated on the uneven surface after forming the uneven surface. A method for forming an anti-reflection film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10530991A JPH04334852A (en) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | Anti-reflection coating forming method for display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10530991A JPH04334852A (en) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | Anti-reflection coating forming method for display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04334852A true JPH04334852A (en) | 1992-11-20 |
Family
ID=14404106
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---|---|---|---|
JP10530991A Pending JPH04334852A (en) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | Anti-reflection coating forming method for display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04334852A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0660138A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Hitachi, Ltd. | Transparent article and process for producing the same |
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- 1991-05-10 JP JP10530991A patent/JPH04334852A/en active Pending
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