JPH04328413A - Visual inspection apparatus - Google Patents

Visual inspection apparatus

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Publication number
JPH04328413A
JPH04328413A JP9737491A JP9737491A JPH04328413A JP H04328413 A JPH04328413 A JP H04328413A JP 9737491 A JP9737491 A JP 9737491A JP 9737491 A JP9737491 A JP 9737491A JP H04328413 A JPH04328413 A JP H04328413A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
irradiation point
height
detection means
intensity
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9737491A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Hizuka
哲男 肥塚
Giichi Kakigi
柿木 義一
Shinji Hashinami
伸治 橋波
Shigeki Taniguchi
茂樹 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP9737491A priority Critical patent/JPH04328413A/en
Publication of JPH04328413A publication Critical patent/JPH04328413A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To detect the two-dimensional pattern of the surface of a sample accurately by scanning the surface of the sample by a beam with an optical scanning means, detecting the intensities of both regular reflected light and scattered light at the illuminated point, and combining and operating both data. CONSTITUTION:The light emitted from a light source 14 passes through an optical scanning system 15 and an ftheta lens 16. The incident light L2 is obliquely cast on a sample 10 so as to scan the surface. The image of the reflected light is formed on the light receiving surface of a photodetector 21A through an image forming lens 20A. The image of the scattered light is formed on the light receiving surface of a photo-detector 21B through an image forming lens 20B. The outputs A and B of the photodetectors are supplied into a correcting circuit 19, and the primary combination difference muA-alphaB is computed. At mu=1, alpha is the constant close to 1. The output of the correcting circuit 19 is stored in a image memory 23. The content is supplied into a pattern inspecting circuit 24, and a good or bad state (a) is judged. The incident light L2 is cast on a substrate 10b and a lower-layer printed wiring pattern 10b2. Since the scattered light on the pattern 10b2 has the weak optical directivity, the scattered light component of the output A becomes approximately equal to the output B. The scattered light component is canceled in A-alphaB.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、入射光に対し表面のみ
で反射する部分と表面で反射しかつ下層で散乱する部分
とを有する基板上に被検査物が配置された試料、例えば
半透明基材に形成された多層プリント配線パターンを外
観検査する装置に関する。
[Industrial Application Field] The present invention is applicable to a sample in which an object to be inspected is placed on a substrate, which has a part that reflects incident light only on the surface and a part that reflects on the surface and scatters on the lower layer. The present invention relates to an apparatus for visually inspecting a multilayer printed wiring pattern formed on a base material.

【0002】0002

【従来の技術】図12(A)は、従来の外観検査装置の
計測原理を示す。
2. Description of the Related Art FIG. 12A shows the measurement principle of a conventional visual inspection device.

【0003】試料10はプリント配線板であり、基板1
0a上に例えば厚み5μmのプリント配線パターン10
bが形成されている。基板10aは多層配線基板であり
、基材層10a2上に下層プリント配線パターン10b
2が形成され、この上に基材層10a1が積層されてい
る。基材層10a1及び10a2は、例えば厚さ30μ
mのポリイミド樹脂等の透明に近い半透明物質である。
Sample 10 is a printed wiring board, and substrate 1
For example, a printed wiring pattern 10 with a thickness of 5 μm is placed on 0a.
b is formed. The board 10a is a multilayer wiring board, and a lower printed wiring pattern 10b is formed on the base material layer 10a2.
2 is formed, and a base material layer 10a1 is laminated thereon. The base layers 10a1 and 10a2 have a thickness of 30 μm, for example.
It is a translucent material that is close to transparent, such as polyimide resin.

【0004】プリント配線パターン10bの2次元形状
及び厚みを計測するために、試料10に対し光ビームを
照射し、照射点からの光を結像レンズ20でPSD22
上に結像させる。PSD22の一対の出力A、Bの和(
A+B)は光照射点の明るさを表し、この一対の出力の
差と和の比(A−B)/(A+B)は光照射点の高さを
表す。
In order to measure the two-dimensional shape and thickness of the printed wiring pattern 10b, a light beam is irradiated onto the sample 10, and the light from the irradiation point is passed through the imaging lens 20 to the PSD 22.
image on top. The sum of a pair of outputs A and B of PSD22 (
A+B) represents the brightness of the light irradiation point, and the ratio (A-B)/(A+B) of the difference and sum of this pair of outputs represents the height of the light irradiation point.

【0005】次のような場合は、光照射点が基板10a
上に在ることを正確に判別することができる。
In the following cases, the light irradiation point is on the substrate 10a.
It is possible to accurately determine whether the object is above the object.

【0006】(1)光照射点が基板10a上に在りかつ
光照射点の真下に下層プリント配線パターン10b2が
存在しない場合、又は、(3)図8(B)に示す如く、
光照射点の真下に下層プリント配線パターン10b2が
在っても、下層プリント配線パターン10b2で反射さ
れた光が下層プリント配線パターン10b2の上方のプ
リント配線パターン10bで遮られる場合。
(1) When the light irradiation point is on the substrate 10a and the lower layer printed wiring pattern 10b2 does not exist directly below the light irradiation point, or (3) As shown in FIG. 8(B),
Even if the lower printed wiring pattern 10b2 is located directly below the light irradiation point, the light reflected by the lower printed wiring pattern 10b2 is blocked by the printed wiring pattern 10b above the lower printed wiring pattern 10b2.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、図12(A
)に示す如く、光照射点の真下に下層プリント配線パタ
ーン10b2が存在する場合には、基板10a上の光照
射点と下層プリント配線パターン10b2上の光照射点
とからの光が結像レンズ20でPSD22上に結像され
るので、明るさ(a+b)に基づいて、基板10a上の
プリント配線パターン10bであるかどうかを正確に判
別することができない場合がある。このため、基板10
a上のプリント配線2次元パターンを正確に検出するこ
とができない。
[Problem to be solved by the invention] However, FIG.
), when the lower layer printed wiring pattern 10b2 exists directly below the light irradiation point, the light from the light irradiation point on the substrate 10a and the light irradiation point on the lower layer printed wiring pattern 10b2 is transmitted to the imaging lens 20. Therefore, it may not be possible to accurately determine whether the printed wiring pattern 10b on the board 10a is the printed wiring pattern 10b on the board 10a based on the brightness (a+b). For this reason, the substrate 10
It is not possible to accurately detect the printed wiring two-dimensional pattern on a.

【0008】本発明の目的は、このような問題点に鑑み
、入射光に対し表面のみで反射する部分と表面で反射し
かつ下層で散乱する部分とを有する基板上に被検査物が
配置された試料であっても、基板表面上の被検査物の2
次元パターンを正確に検出することができる外観検査装
置を提供することにある。
[0008] In view of these problems, an object of the present invention is to provide an object to be inspected that is placed on a substrate having a portion that reflects incident light only on the surface and a portion that reflects the incident light on the surface and scatters on the underlying layer. Even if the sample is
An object of the present invention is to provide an appearance inspection device that can accurately detect dimensional patterns.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
る外観検査装置を、実施例図面を参照して説明する。
Means for Solving the Problems and Their Effects The appearance inspection apparatus according to the present invention will be explained with reference to the drawings.

【0010】第1発明では、図1に示す如く、光源14
と、入射光に対し表面のみで反射する部分と表面で反射
しかつ下層、例えば下層プリント配線パターン10b2
で散乱する部分とを有する基板10a上に被検査物が配
置された試料10に対し、光源14から放射された光ビ
ームを走査させる光走査手段、例えば構成要素12、1
5〜18と、光照射点からの正反射光の強度を検出する
正反射光検出手段、例えば結像レンズ20A及び光検出
器21Aと、該光照射点からの散乱光の強度を検出する
散乱光検出手段、例えば結像レンズ20B及び光検出器
21Bと、正反射光検出強度Aと散乱光検出光強度Bと
の一次結合差μA−αB(μ及びαは正定数、図1では
μ=1)を演算する明るさ補正手段、例えば明るさ補正
回路19と、該一次結合差μA−αBに基づいて該被検
査物の2次元パターンを外観検査する検査手段、例えば
明るさ画像メモリ23及びパターン検査回路24とを備
えている。
In the first invention, as shown in FIG.
and a portion that reflects incident light only on the surface, and a portion that reflects the incident light on the surface and a lower layer, for example, the lower layer printed wiring pattern 10b2.
A light scanning means, for example, components 12 and 1, scans a light beam emitted from a light source 14 with respect to a sample 10 in which an object to be inspected is placed on a substrate 10a having a scattering portion.
5 to 18, specular reflection light detection means for detecting the intensity of the specularly reflected light from the light irradiation point, such as an imaging lens 20A and a photodetector 21A, and a scattering device for detecting the intensity of the scattered light from the light irradiation point. The linear coupling difference μA−αB between the light detecting means, for example, the imaging lens 20B and the photodetector 21B, and the detected intensity A of the specularly reflected light and the detected light intensity B of the scattered light (μ and α are positive constants; in FIG. 1, μ= 1), such as a brightness correction circuit 19, and inspection means, such as a brightness image memory 23, for visually inspecting the two-dimensional pattern of the object based on the linear combination difference μA-αB. The pattern inspection circuit 24 is also provided.

【0011】正反射光検出強度Aのみでは、図2(A)
の入射光L1のようにプリント配線パターン10b上を
照射しているのか、入射光L2のように基板10a及び
下層プリント配線パターン10b2上を照射しているの
かを、区別できない場合がある。しかし、下層プリント
配線パターン10b2上での散乱光は指向性が弱いので
、正反射光検出強度Aに含まれる散乱光成分と散乱光検
出光強度Bとはほぼ同一になり、μA−αBには散乱光
成分が打ち消される。
[0011] With only the specular reflection light detection intensity A, Fig. 2(A)
In some cases, it may not be possible to distinguish whether the incident light L1 is irradiating onto the printed wiring pattern 10b, or the incident light L2 is irradiating onto the substrate 10a and the lower printed wiring pattern 10b2. However, since the scattered light on the lower printed wiring pattern 10b2 has weak directivity, the scattered light component included in the specular reflection light detection intensity A and the scattered light detection light intensity B are almost the same, and μA−αB is Scattered light components are canceled.

【0012】したがって、入射光に対し表面のみで反射
する部分と表面で反射しかつ下層で散乱する部分とを有
する基板10a上に被検査物10bが配置された試料で
あっても、基板10a上の被検査物10bの2次元パタ
ーンを正確に検出することができる。なお、定数μ及び
αは、例えばμ=1、α=1と簡単にしても本発明の効
果が得られる。
Therefore, even if the sample to be inspected 10b is placed on the substrate 10a, which has a portion where incident light is reflected only on the surface and a portion where it is reflected on the surface and scattered on the lower layer, the specimen 10b is placed on the substrate 10a. It is possible to accurately detect the two-dimensional pattern of the object to be inspected 10b. Note that the effects of the present invention can be obtained even if the constants μ and α are simply set to μ=1 and α=1, for example.

【0013】上記第1発明の一態様では、図3に示す如
く、散乱光検出手段21Bは、試料10に向う光ビーム
と逆の方向へ散乱した光をハーフミラー25で反射させ
て、その散乱光強度を検出する。
In one aspect of the first invention, as shown in FIG. 3, the scattered light detection means 21B reflects the light scattered in the opposite direction to the light beam directed toward the sample 10 with the half mirror 25, and detects the scattered light. Detect light intensity.

【0014】この構成の場合、散乱光検出手段20B、
21Bを、光走査手段の光走査光学系15と一体的に構
成して、外観検査装置の光学系をコンパクトにすること
ができる。
In this configuration, the scattered light detection means 20B,
By configuring 21B integrally with the optical scanning optical system 15 of the optical scanning means, the optical system of the visual inspection apparatus can be made compact.

【0015】第2発明では、上記光源14、光走査手段
12、15〜18、正反射光検出手段20A、21A及
び検査手段23、24を備え、さらに、図4に示す如く
、光照射点からの反射光を集光して該光照射点の高さを
検出する第1高さ検出手段、例えば結像レンズ20A、
PSD22B及び高さ演算回路28Bと、該光照射点か
らの反射光を集光し、光照射点の高さに応じて異なる透
過率部分を通るように配置され例えば図5に示すように
一方向に沿って透過率が単調増加した濃度フィルタ26
Aを通して、該光照射点の高さを検出する第2高さ検出
手段、例えば結像レンズ20A、ハーフミラー25、濃
度フィルタ26A、PSD22A、高さ演算回路28A
と、第1高さ検出手段20A、22B、28Bによる検
出高さと第2高さ検出手段20A、25、26A、22
A、28Aによる検出高さとの差に基づいて、該下層か
らの散乱光であるかどうかを判別する判別手段、例えば
減算器29及び比較器30と、該判別の結果に基づいて
、該正反射光検出強度を補正する明るさ補正手段、例え
ばセレクタ31とを備え、検査手段23、24は、補正
された該検出強度に基づいて、被検査物10bの2次元
パターンを外観検査する。
The second invention includes the light source 14, the light scanning means 12, 15 to 18, the specular reflection light detection means 20A, 21A, and the inspection means 23, 24, and furthermore, as shown in FIG. A first height detection means for detecting the height of the light irradiation point by condensing the reflected light of the light, for example, an imaging lens 20A,
The PSD 22B and the height calculation circuit 28B are arranged to condense the reflected light from the light irradiation point and pass through parts with different transmittance depending on the height of the light irradiation point, for example, in one direction as shown in FIG. A density filter 26 whose transmittance monotonically increases along
A second height detection means for detecting the height of the light irradiation point, such as an imaging lens 20A, a half mirror 25, a density filter 26A, a PSD 22A, and a height calculation circuit 28A.
, the height detected by the first height detection means 20A, 22B, 28B and the second height detection means 20A, 25, 26A, 22
Based on the difference between the height detected by A and 28A, a determining means, such as a subtracter 29 and a comparator 30, determines whether the light is scattered from the lower layer, and based on the result of the determination, the specular reflection It is provided with brightness correction means for correcting the light detection intensity, for example, a selector 31, and the inspection means 23 and 24 visually inspect the two-dimensional pattern of the inspection object 10b based on the corrected detection intensity.

【0016】このような構成によれば、図6に示す如く
、PSD22A上の光強度分布とPSD22B上の光強
度分布の両ピーク位置が、ピーク幅、すなわち光強度分
布の広がりに応じてずれることになる。光強度分布の広
がりは、同図(B)の散乱光の場合が最も大きいので、
この場合のずれΔPDが一番大きくなる。したがって、
このずれに応じて補正された光検出強度に基づいて、被
検査物10bの2次元パターンを正確に検出することが
可能となる。
According to such a configuration, as shown in FIG. 6, the peak positions of the light intensity distribution on the PSD 22A and the light intensity distribution on the PSD 22B are shifted according to the peak width, that is, the spread of the light intensity distribution. become. The spread of the light intensity distribution is the largest in the case of scattered light in the same figure (B), so
In this case, the deviation ΔPD is the largest. therefore,
Based on the light detection intensity corrected according to this shift, it becomes possible to accurately detect the two-dimensional pattern of the object to be inspected 10b.

【0017】上記第2発明の一態様では、図7に示す如
く、第1高さ検出手段20A、26B、22B、28B
は、上記光照射点からの反射光を集光し、光照射点の高
さが高くなる程低い透過率部分を通るように配置され一
方向に沿って透過率が単調増加した濃度フィルタ26B
を通して、該光照射点の高さを検出し、第2高さ検出手
段20A、25、26A、22A、28Aの濃度フィル
タ26Aは、光照射点の高さが高くなる程高い透過率部
分を通るように配置されている。
In one aspect of the second invention, as shown in FIG. 7, the first height detecting means 20A, 26B, 22B, 28B
is a density filter 26B that collects the reflected light from the light irradiation point, and is arranged so that the higher the height of the light irradiation point, the lower the transmittance part, and whose transmittance increases monotonically in one direction.
The density filter 26A of the second height detection means 20A, 25, 26A, 22A, 28A passes through a portion with higher transmittance as the height of the light irradiation point increases. It is arranged like this.

【0018】この構成の場合、濃度フィルタを1枚使用
した場合よりも図6に示す上記ずれΔPDが大きくなり
(約2倍)、光照射点が基板10aの下層10b2上に
あるかどうかをより正確に判別することが可能となる。 これにより、基板10a上に形成された被検査物10b
をより正確に検出することが可能となる。
In the case of this configuration, the above-mentioned deviation ΔPD shown in FIG. 6 becomes larger (approximately twice) than when one density filter is used, making it easier to determine whether the light irradiation point is on the lower layer 10b2 of the substrate 10a. It becomes possible to discriminate accurately. As a result, the object to be inspected 10b formed on the substrate 10a
can be detected more accurately.

【0019】上記第2発明の他の態様では、図8に示す
如く、判別手段29、34は、第1高さ検出手段20A
、22B、28Bによる検出高さと第2高さ検出手段2
0A、25、26A、22A、28Aによる検出高さと
の差、及び、上記正反射光検出強度に基づいて、下層1
0b2からの散乱光であるかどうかを判別する。
In another aspect of the second invention, as shown in FIG.
, 22B, 28B and the second height detection means 2
Lower layer 1
It is determined whether the scattered light is from 0b2.

【0020】この構成の場合、該検出高さの差のみなら
ず、下層10b2からの散乱光の特徴が含まれている正
反射光強度にも基づいて、下層10b2からの散乱光で
あるかどうかを判別しているので、より正確に基板10
a上の被検査物10bを検出することが可能となる。
In the case of this configuration, it is determined whether the light is scattered from the lower layer 10b2 based not only on the difference in detection height but also on the intensity of specularly reflected light that includes the characteristics of the scattered light from the lower layer 10b2. Since the board 10 is determined more accurately,
It becomes possible to detect the object to be inspected 10b on the surface a.

【0021】第3発明では、上記光源14、光走査手段
12、15〜18及び検査手段23、24を備え、さら
に、図9又は図10に示す如く、光照射点からの正反射
光を集光し、光照射点の高さが低いほど低い透過率部分
を通るように配置され一方向に沿って透過率が単調増加
した濃度フィルタ26Bを通して、該正反射光の強度を
検出する第1光検出手段20A、26B、21Bを備え
、検査手段23、24は、この正反射光検出強度に基づ
いて、被検査物の2次元パターンを外観検査する。
The third aspect of the present invention includes the light source 14, the light scanning means 12, 15 to 18, and the inspection means 23, 24, and furthermore, as shown in FIG. 9 or 10, specularly reflected light from the light irradiation point is collected. The first light emits light and detects the intensity of the specularly reflected light through a density filter 26B, which is arranged so as to pass through a portion with a lower transmittance as the height of the light irradiation point is lower, and whose transmittance increases monotonically along one direction. It includes detection means 20A, 26B, and 21B, and inspection means 23 and 24 visually inspect the two-dimensional pattern of the object to be inspected based on the detected intensity of the specularly reflected light.

【0022】この構成の場合、下層10b2上で反射さ
れた光の強度は、基板10a上又は被検査物10b上で
反射された光の強度よりも大きく低減されるので、この
正反射光検出強度に基づいて、被検査物の2次元パター
ンを正確に検出することが可能となる。
In this configuration, the intensity of the light reflected on the lower layer 10b2 is reduced to a greater extent than the intensity of the light reflected on the substrate 10a or the object to be inspected 10b, so the detected intensity of the specularly reflected light Based on this, it becomes possible to accurately detect the two-dimensional pattern of the object to be inspected.

【0023】第4発明では、上記光源14、光走査手段
12、15〜18、第1光検出手段20A、26B、2
1B及び検査手段23、24を備え、さらに、図11に
示す如く、光照射点からの正反射光を集光し、光照射点
の高さが高いほど低い透過率部分を通るように配置され
一方向に沿って透過率が単調増加した濃度フィルタ26
Aを通して、該正反射光の強度を検出する第2光検出手
段20A、25、26A、21Aと、第1光検出手段2
0A、26B、21Bによる検出強度Bを第2光検出手
段20A、25、26A、21Aによる検出強度Aで除
した値B/Aを求める除算手段、例えば除算器36とを
備え、検査手段23、24は、除算手段36の除算結果
に基づいて、被検査物10bの2次元パターンを外観検
査する。
In the fourth invention, the light source 14, the light scanning means 12, 15 to 18, and the first light detection means 20A, 26B, 2
1B and inspection means 23 and 24, and as shown in FIG. 11, the specularly reflected light from the light irradiation point is collected, and the higher the height of the light irradiation point is, the lower the transmittance is. Density filter 26 whose transmittance monotonically increases along one direction
second light detection means 20A, 25, 26A, 21A that detect the intensity of the specularly reflected light through A; and first light detection means 2;
A dividing means, for example, a divider 36, for calculating a value B/A obtained by dividing the detection intensity B by the second light detection means 20A, 25, 26A, 21A by the detection intensity A by the second light detection means 20A, 25, 26A, 21A, and the inspection means 23, 24 visually inspects the two-dimensional pattern of the inspection object 10b based on the division result of the division means 36.

【0024】この構成の場合、光照射点が低いほど、検
出強度Aの低減率は小さくなり、検出強度Bの低減率は
大きくなる。したがって、検出強度BのみよりもB/A
の方が、試料10の表面付近の明るさが強調され、この
B/Aを用いることにより、より正確に基板10a上の
被検査物10bを検出することが可能となる。
In this configuration, the lower the light irradiation point is, the smaller the rate of reduction in detected intensity A becomes, and the greater the rate of reduction in detected intensity B becomes. Therefore, B/A is better than detection strength B alone.
In this case, the brightness near the surface of the sample 10 is emphasized, and by using this B/A, it becomes possible to detect the object 10b on the substrate 10a more accurately.

【0025】[0025]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained based on the drawings.

【0026】(1)第1実施例 図1は本発明の第1実施例の外観検査装置構成図である
。試料10は、図12に示すものと同一であり、その説
明を省略する。
(1) First Embodiment FIG. 1 is a block diagram of a visual inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention. The sample 10 is the same as that shown in FIG. 12, and its description will be omitted.

【0027】この試料10は、副走査用のX−Yステー
ジ12上に載置されている。光源14から放射された光
ビームは、ポリゴンミラー等を用いた光走査光学系15
によりfθレンズ16に通されて試料10上に斜め照射
され、紙面垂直方向へ主走査される。1主走査の終了は
光検出器17で検出され、その検出信号はステージ制御
回路18へ供給される。ステージ制御回路18は、これ
に応答して、X−Yステージ12を光走査方向に垂直な
方向へ1ライン分ステップ駆動する。
The sample 10 is placed on an XY stage 12 for sub-scanning. The light beam emitted from the light source 14 is passed through a light scanning optical system 15 using a polygon mirror or the like.
The light passes through the fθ lens 16 and is irradiated obliquely onto the sample 10, and is main-scanned in the direction perpendicular to the plane of the paper. The end of one main scan is detected by the photodetector 17, and the detection signal is supplied to the stage control circuit 18. In response to this, the stage control circuit 18 drives the XY stage 12 in steps perpendicular to the optical scanning direction by one line.

【0028】試料10の斜め上方には、光照射点からの
正反射光を検出するために、結像レンズ20Aを介して
光検出器21Aが配置されており、その反射光が結像レ
ンズ20Aを通して光検出器21Aの受光面に結像され
る。試料10の真上には、光照射点からの散乱光を検出
するために、結像レンズ20Bを介して光検出器21B
が配置されており、その散乱光が結像レンズ20Bを通
して光検出器21Bの受光面に結像される。光検出器2
1A及び21Bは、例えば光電子増倍管である。
A photodetector 21A is disposed diagonally above the sample 10 via an imaging lens 20A in order to detect specularly reflected light from the light irradiation point, and the reflected light is detected by the imaging lens 20A. through which an image is formed on the light receiving surface of the photodetector 21A. Directly above the sample 10, a photodetector 21B is installed via an imaging lens 20B to detect scattered light from the light irradiation point.
is arranged, and the scattered light is imaged on the light receiving surface of the photodetector 21B through the imaging lens 20B. Photodetector 2
1A and 21B are, for example, photomultiplier tubes.

【0029】光検出器21A及び21Bの出力A及びB
は明るさ補正回路19に供給され、(A−αB)が演算
される。αは1に近い定数であり、設定可変にしてもよ
く、また、簡単にα=1として明るさ補正回路19を減
算器で構成してもよい。明るさ補正回路19の出力は、
明るさ画像メモリ23に供給されて格納される。その格
納アドレスは、光走査光学系15による光走査に同期し
たクロック及びX−Yステージ12の位置座標により定
められる。明るさ画像メモリ23の内容はパターン検査
回路24に供給され、参照パターンと比較されてその良
否が判定される。
Outputs A and B of photodetectors 21A and 21B
is supplied to the brightness correction circuit 19, and (A-αB) is calculated. α is a constant close to 1, and may be set variable, or may simply be set to α=1 and the brightness correction circuit 19 may be configured with a subtracter. The output of the brightness correction circuit 19 is
The brightness image is supplied to the image memory 23 and stored therein. The storage address is determined by a clock synchronized with the optical scanning by the optical scanning optical system 15 and the position coordinates of the XY stage 12. The contents of the brightness image memory 23 are supplied to a pattern inspection circuit 24 and compared with a reference pattern to determine whether the pattern is acceptable or not.

【0030】次に、上記の如く構成された外観検査装置
の作用を図2に基づいて説明する。
Next, the operation of the visual inspection apparatus constructed as described above will be explained based on FIG. 2.

【0031】同図(A)に示す如く、入射光L1がプリ
ント配線パターン10b上で反射されると、その反射光
の光強度ベクトルの先端を連ねた光強度分布曲線は、P
1のようになる。同様に、入射光L2が基板10a上で
反射されると、その反射光の光強度分布曲線は、P1よ
りも小さいP2のようになる。入射光L2のうち、基材
層10a1内に入って下層プリント配線パターン10b
2に到達すると、誇張した図示のようにミクロレベルで
は基材層10a1が下層プリント配線パターン10b2
に完全密着していないため及び基材層10a1が拡散性
を有するため、下層プリント配線パターン10b2上で
の散乱光の光強度分布曲線はP4のようになる。
As shown in FIG. 5A, when the incident light L1 is reflected on the printed wiring pattern 10b, the light intensity distribution curve connecting the tips of the light intensity vector of the reflected light is P.
It will be like 1. Similarly, when the incident light L2 is reflected on the substrate 10a, the light intensity distribution curve of the reflected light becomes P2, which is smaller than P1. The incident light L2 enters the base material layer 10a1 and is transmitted to the lower layer printed wiring pattern 10b.
2, the base material layer 10a1 becomes the lower layer printed wiring pattern 10b2 at the micro level as shown in the exaggerated diagram.
Since the substrate layer 10a1 is not in complete contact with the base material layer 10a1 and has a diffusive property, the light intensity distribution curve of the scattered light on the lower printed wiring pattern 10b2 becomes as shown in P4.

【0032】同図(B)は、各場合の光検出器21Aの
出力Aの範囲を示し、PUは入射光L1のようにプリン
ト配線パターン10b上で反射された場合であり、Sは
入射光L2又はL3のように基板10a上で反射された
場合(ただし、下層プリント配線パターン10b2上か
らの散乱光はないと仮定)であり、PDは入射光L2の
ように下層プリント配線パターン10b2上で反射され
た場合(ただし、基板10a上からの反射光はないと仮
定)であり、S+PDは入射光L2のように基板10a
上及び下層プリント配線パターン10b2上で反射され
た場合である。同図(C)は上記各場合における光検出
器21Bの出力の範囲を表し、同図(D)は明るさ補正
回路19の出力を表している。
FIG. 3B shows the range of the output A of the photodetector 21A in each case, where PU is the case where the incident light L1 is reflected on the printed wiring pattern 10b, and S is the case where the incident light is reflected on the printed wiring pattern 10b. In this case, PD is reflected on the substrate 10a like L2 or L3 (assuming that there is no scattered light from above the lower printed wiring pattern 10b2), and PD is reflected on the lower printed wiring pattern 10b2 like incident light L2. (However, it is assumed that there is no reflected light from above the substrate 10a), and S+PD is reflected from the substrate 10a like the incident light L2.
This is a case where the light is reflected on the upper and lower printed wiring patterns 10b2. (C) of the same figure shows the range of the output of the photodetector 21B in each of the above cases, and (D) of the same figure shows the output of the brightness correction circuit 19.

【0033】図2から明らかなように、光検出器21A
の出力Aのみでは、入射光L1のようにプリント配線パ
ターン10b上を照射しているのか、入射光L2のよう
に基板10a上及び下層プリント配線パターン10b2
上を照射しているのかを、区別できない場合がある。し
かし、下層プリント配線パターン10b2上での散乱光
は指向性が弱いので、出力Aに含まれる散乱光成分と出
力Bとはほぼ同一になる。したがって、明るさ補正回路
19の出力(A−αB)には散乱光成分が打ち消され、
この出力を用いれば、光照射点がプリント配線パターン
10b上にあるのかどうかを確実に識別することが可能
となる。
As is clear from FIG. 2, the photodetector 21A
If only the output A of
In some cases, it may not be possible to distinguish whether the upper part is being irradiated or not. However, since the scattered light on the lower printed wiring pattern 10b2 has weak directivity, the scattered light component included in the output A and the output B are almost the same. Therefore, the scattered light component is canceled in the output (A-αB) of the brightness correction circuit 19,
Using this output, it becomes possible to reliably identify whether the light irradiation point is on the printed wiring pattern 10b.

【0034】これにより、パターン検査回路24は、基
板10a上に形成されたプリント配線パターン10bの
検査を正確に行うことが可能となる。
Thereby, the pattern inspection circuit 24 can accurately inspect the printed wiring pattern 10b formed on the substrate 10a.

【0035】(2)第2実施例 図3は、本発明の第2実施例の外観検査装置構成図であ
る。図1と同一構成要素には同一符号を付してその説明
を省略する。
(2) Second Embodiment FIG. 3 is a block diagram of a visual inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 1 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0036】この外観検査装置では、光走査光学系15
とfθレンズ16との間にハーフミラー25を配置し、
試料10上で散乱された光をfθレンズ16で集光し、
ハーフミラー25でこれを反射させ、光検出器21Bで
その光強度を検出している。
In this visual inspection apparatus, the light scanning optical system 15
A half mirror 25 is arranged between and the fθ lens 16,
The light scattered on the sample 10 is focused by the fθ lens 16,
The half mirror 25 reflects this light, and the photodetector 21B detects the light intensity.

【0037】この外観検査装置によれば、図1に示す結
像レンズ20Bが不要となり、また、ハーフミラー25
及び光検出器21Bを光走査光学系15及びfθレンズ
16と一体的に構成して、外観検査装置の光学系をコン
パクトにすることができる。
According to this visual inspection apparatus, the imaging lens 20B shown in FIG. 1 is not required, and the half mirror 25
By configuring the photodetector 21B integrally with the light scanning optical system 15 and the fθ lens 16, the optical system of the visual inspection apparatus can be made compact.

【0038】(3)第3実施例 図4は、本発明の第3実施例の外観検査装置要部構成図
である。図1と同一構成要素には同一符号を付してその
説明を省略する。
(3) Third Embodiment FIG. 4 is a diagram showing the main part of a visual inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 1 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0039】この外観検査装置は、試料10上の光照射
点を結像レンズ20AでPSD22B上に結像させ、結
像レンズ20AとPSD22Bとの間にハーフミラー2
5を配置し、ハーフミラー25で反射された光を、濃度
フィルタ26Aを通してPSD22A上に結像させてい
る。PSD22Aの一対の出力A1及びA2は高さ演算
回路28Aに供給され、高さ演算回路28Aは光照射点
の高さ(A1−A2)/(A1+A2)を出力する。P
SD22Bの一対の出力B1及びB2は明るさ演算回路
27及び高さ演算回路28Bに供給され、明るさ演算回
路27は光照射点の明るさ(B1+B2)を出力し、高
さ演算回路28Bは光照射点の高さ(B1−B2)/(
B1+B2)を出力する。明るさ(B1+B2)は、セ
レクタ31のa側端子に供給され、セレクタ31のb側
端子には値0が供給されている。
This visual inspection apparatus forms an image of the light irradiation point on the sample 10 onto the PSD 22B using the imaging lens 20A, and a half mirror 2 is installed between the imaging lens 20A and the PSD 22B.
5 is arranged, and the light reflected by the half mirror 25 is imaged on the PSD 22A through the density filter 26A. A pair of outputs A1 and A2 of the PSD 22A are supplied to a height calculation circuit 28A, and the height calculation circuit 28A outputs the height of the light irradiation point (A1-A2)/(A1+A2). P
A pair of outputs B1 and B2 of the SD22B are supplied to a brightness calculation circuit 27 and a height calculation circuit 28B, the brightness calculation circuit 27 outputs the brightness (B1+B2) of the light irradiation point, and the height calculation circuit 28B outputs the brightness of the light irradiation point. Height of irradiation point (B1-B2)/(
B1+B2) is output. The brightness (B1+B2) is supplied to the a-side terminal of the selector 31, and the value 0 is supplied to the b-side terminal of the selector 31.

【0040】濃度フィルタ26Aの透過率分布は、図中
の上端から下端へ向けて単調増加しており、例えば図5
(A)〜(C)のように、直線的増加、曲線的増加、又
は、中央位置まで透過率が0でその先が直線的に増加し
ている。このような濃度フィルタ26Aを用いれば、P
SD22A上の光強度分布とPSD22B上の光強度分
布の両ピーク位置が、ピーク幅に応じてずれることにな
る。
The transmittance distribution of the density filter 26A increases monotonically from the upper end to the lower end in the figure, for example, as shown in FIG.
As shown in (A) to (C), the transmittance increases linearly, curved, or increases linearly from 0 to the center position. If such a density filter 26A is used, P
The peak positions of both the light intensity distribution on the SD 22A and the light intensity distribution on the PSD 22B are shifted according to the peak width.

【0041】図6において、上段はPSD22B上の光
強度分布を示し、下段はPSD22A上の光強度分布を
示す。また、同図(A)はプリント配線パターン10b
上に光照射点がある場合を示し、同図(B)は下層プリ
ント配線パターン10b2上に光照射点がある場合を示
し、同図(C)は基板10a上のみに光照射点がある場
合を示す。ΔPU、ΔPD及びΔSは、これら各場合に
おける、PSD22B上の光強度分布のピーク位置とP
SD22A上の光強度分布のピーク位置との差を示す。 光強度分布の広がりは、散乱光に対応した同図(B)の
場合が最も大きいので、ずれΔBU、ΔPD及びΔSの
うち、ずれΔPDが一番大きくなる。このことを利用し
て、光照射点が下層プリント配線パターン10b2上に
あるかどうかを識別することができる。
In FIG. 6, the upper row shows the light intensity distribution on the PSD 22B, and the lower row shows the light intensity distribution on the PSD 22A. In addition, the same figure (A) shows the printed wiring pattern 10b.
The same figure (B) shows the case where there is a light irradiation point on the lower layer printed wiring pattern 10b2, and the same figure (C) shows the case where there is a light irradiation point only on the substrate 10a. shows. ΔPU, ΔPD and ΔS are the peak position of the light intensity distribution on the PSD 22B and P in each of these cases.
The difference from the peak position of the light intensity distribution on SD22A is shown. Since the spread of the light intensity distribution is the largest in the case shown in FIG. 3B, which corresponds to scattered light, the deviation ΔPD is the largest among the deviations ΔBU, ΔPD, and ΔS. Utilizing this fact, it is possible to identify whether the light irradiation point is on the lower printed wiring pattern 10b2.

【0042】そこで、図4において、高さ演算回路28
A及び28Bの出力を減算器29に供給して両者の差を
演算し、その結果を比較器30に供給して、与えられ基
準値Eと比較し、E以上であれば光照射点が下層プリン
ト配線パターン10b2上にあると判定して、このとき
のみセレクタ31をb側に切り換え、このときの明るさ
を0とする。光照射点が配線パターン10b上もしくは
基板10a上のみにある場合は、ずれ量ΔPUは少なく
、減算器29の出力もEより小さくなるため、セレクタ
31はa側に切り換わり、明るさ出力はB1+B2とな
る。配線パターン10b上か基板10a上かは、図6(
A)及び(C)に示す如く明るさB1+B2が両者間で
十分異なるので、容易に弁別することができる。
Therefore, in FIG. 4, the height calculation circuit 28
The outputs of A and 28B are supplied to the subtractor 29 to calculate the difference between the two, and the result is supplied to the comparator 30 and compared with the given reference value E. If it is greater than or equal to E, the light irradiation point is in the lower layer. It is determined that it is on the printed wiring pattern 10b2, and only at this time, the selector 31 is switched to the b side, and the brightness at this time is set to 0. When the light irradiation point is only on the wiring pattern 10b or the substrate 10a, the deviation amount ΔPU is small and the output of the subtractor 29 is also smaller than E, so the selector 31 is switched to the a side, and the brightness output is B1+B2. becomes. 6 (
As shown in A) and (C), the brightness B1+B2 is sufficiently different between the two, so they can be easily distinguished.

【0043】このようにして得られた明るさにより、基
板10a上に形成されたプリント配線パターン10bの
パターンを正確に検出することが可能となる。
The brightness thus obtained makes it possible to accurately detect the printed wiring pattern 10b formed on the substrate 10a.

【0044】(4)第4実施例 図7は、本発明の第4実施例の外観検査装置要部構成図
である。図4と同一構成要素には同一符号を付してその
説明を省略する。
(4) Fourth Embodiment FIG. 7 is a diagram showing the main part of an external appearance inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 4 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0045】この外観検査装置では、ハーフミラー25
とPSD22Bとの間にも濃度フィルタ26Aと同様の
濃度フィルタ26Bを配置している。明るさ演算回路2
7は、光照射点の明るさ(B1+B2)を演算し、これ
をセレクタ31のA側端子に供給する。セレクタ31の
B側端子には値0が供給されている。
In this appearance inspection device, the half mirror 25
A density filter 26B similar to the density filter 26A is also arranged between the PSD 22B and the PSD 22B. Brightness calculation circuit 2
7 calculates the brightness (B1+B2) of the light irradiation point and supplies this to the A side terminal of the selector 31. The value 0 is supplied to the B side terminal of the selector 31.

【0046】図示の如く、濃度フィルタ26Aは、光照
射点が低いほど透過率の高い(濃度の低い)部分を通る
ように配置されているが、濃度フィルタ26Bは逆に、
光照射点が低いほど透過率の低い(濃度の高い)部分を
通るように配置されている。これにより、図6に示すず
れΔPU、ΔPD及びΔSが第3実施例の場合よりも大
きくなり(約2倍)、光照射点が下層プリント配線パタ
ーン10b2上にあるかどうかを第3実施例の場合より
も正確に判定することが可能となる。
As shown in the figure, the density filter 26A is arranged so that the lower the light irradiation point is, the higher the transmittance (lower the density) is.
The lower the light irradiation point is, the more it passes through a portion with lower transmittance (higher concentration). As a result, the deviations ΔPU, ΔPD, and ΔS shown in FIG. 6 become larger (approximately twice) than in the third embodiment, and it is determined whether the light irradiation point is on the lower printed wiring pattern 10b2 in the third embodiment. It becomes possible to make a more accurate determination than in the case of

【0047】明るさ演算回路27の出力(B1+B2)
は2値化回路32に供給され、基準値と比較されて2値
化された後、アンドゲート33の一方の入力端子に供給
される。アンドゲート33の他方の入力端子には、比較
器30の出力が供給され、光照射点が下層プリント配線
パターン10b2上にあるときには比較器30の出力が
低レベルとなってアンドゲート33が閉じられる。
Output of brightness calculation circuit 27 (B1+B2)
is supplied to the binarization circuit 32, compared with a reference value and binarized, and then supplied to one input terminal of the AND gate 33. The output of the comparator 30 is supplied to the other input terminal of the AND gate 33, and when the light irradiation point is on the lower printed wiring pattern 10b2, the output of the comparator 30 becomes a low level and the AND gate 33 is closed. .

【0048】これにより、基板10a上に形成されたプ
リント配線パターン10bを正確に検出することが可能
となる。
[0048] This makes it possible to accurately detect the printed wiring pattern 10b formed on the substrate 10a.

【0049】(5)第5実施例 図8は、本発明の第5実施例の外観検査装置要部構成図
である。図4と同一構成要素には同一符号を付してその
説明を省略する。
(5) Fifth Embodiment FIG. 8 is a diagram showing the main part of an external appearance inspection apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 4 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0050】この外観検査装置では、図4に示す比較器
30の代わりに下層判別回路34を用い、明るさ演算回
路27及び減算器29の出力を下層判別回路34に供給
している。下層判別回路34は、減算器29の出力がE
1以上であり、かつ、明るさ演算回路27の出力が図2
(B)のS+PDに相当する範囲E2≦B1+B2≦E
3であれば、光照射点が下層プリント配線パターン10
b2上にあると判定する。
In this visual inspection apparatus, a lower layer discrimination circuit 34 is used in place of the comparator 30 shown in FIG. The lower layer discrimination circuit 34 determines that the output of the subtracter 29 is E.
1 or more, and the output of the brightness calculation circuit 27 is as shown in FIG.
Range E2≦B1+B2≦E corresponding to S+PD in (B)
3, the light irradiation point is the lower printed wiring pattern 10
It is determined that it is on b2.

【0051】この外観検査装置によれば、上記第3実施
例の場合よりもより正確に基板10a上のプリント配線
パターン10bを検出することが可能となる。
According to this visual inspection apparatus, it is possible to detect the printed wiring pattern 10b on the board 10a more accurately than in the case of the third embodiment.

【0052】(6)第6実施例 図9は、本発明の第6実施例の外観検査装置要部構成図
である。図1と同一構成要素には同一符号を付してその
説明を省略する。
(6) Sixth Embodiment FIG. 9 is a diagram showing the main part of an external appearance inspection apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 1 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0053】この外観検査装置では、結像レンズ20A
と光検出器21Bとの間に濃度フィルタ26Bを配置し
ている。濃度フィルタ26Bは、光照射点が低いほど濃
度の高い部分を通るように配置されている。したがって
、下層プリント配線パターン10b2上で反射された光
の強度は、基板10a上又はプリント配線パターン10
b上で反射された光の強度よりも大きく低減される。 これにより、光検出器21Bの出力だけで基板10a上
のプリント配線パターン10bを正確に検出することが
可能となる。
In this visual inspection device, the imaging lens 20A
A density filter 26B is arranged between the photodetector 21B and the photodetector 21B. The density filter 26B is arranged so that the lower the light irradiation point, the higher the density passes through the part. Therefore, the intensity of the light reflected on the lower printed wiring pattern 10b2 is different from that on the substrate 10a or on the printed wiring pattern 10b2.
b is reduced to a greater extent than the intensity of the light reflected on b. This makes it possible to accurately detect the printed wiring pattern 10b on the board 10a using only the output of the photodetector 21B.

【0054】光検出器21Bの出力は、2値化回路32
及び浮動基準電圧発生器35に供給される。浮動基準電
圧発生器35は、例えばCR積分回路を備えており、光
検出器21Bの出力の直流成分にバイアス直流電圧を加
えたものを2値化基準値として、2値化回路32に供給
する。これにより、基板10a上のプリント配線パター
ン10bをより一層正確に検出することが可能となる。
The output of the photodetector 21B is sent to the binarization circuit 32.
and a floating reference voltage generator 35. The floating reference voltage generator 35 includes, for example, a CR integration circuit, and supplies the DC component of the output of the photodetector 21B plus a bias DC voltage to the binarization circuit 32 as a binarization reference value. . This makes it possible to detect the printed wiring pattern 10b on the board 10a even more accurately.

【0055】(7)第7実施例 図10は、本発明の第7実施例の外観検査装置要部構成
図である。図9と同一構成要素には同一符号を付してそ
の説明を省略する。
(7) Seventh Embodiment FIG. 10 is a diagram illustrating the main part of a visual inspection apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 9 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0056】この外観検査装置では、結像レンズ20A
と濃度フィルタ26Bとの間にハーフミラー25を配置
し、ハーフミラー25で反射された光を光検出器21A
上に結像させている。光検出器21A及び21Bの出力
A及びBは除算器36に供給され、高さB/Aが演算さ
れる。他の点は上記第6実施例と同一である。
In this visual inspection device, the imaging lens 20A
A half mirror 25 is arranged between the half mirror 25 and the density filter 26B, and the light reflected by the half mirror 25 is sent to the photodetector 21A.
The image is formed on top. The outputs A and B of the photodetectors 21A and 21B are supplied to a divider 36, and the height B/A is calculated. The other points are the same as the sixth embodiment.

【0057】この外観検査装置によれば、濃度フィルタ
26Bを高さ検出用及び基板10a上のプリント配線パ
ターン10bの検出用として共用することができる。
According to this visual inspection apparatus, the density filter 26B can be used both for height detection and for detecting the printed wiring pattern 10b on the substrate 10a.

【0058】(8)第8実施例 図11は、本発明の第8実施例の外観検査装置要部構成
図である。図10と同一構成要素には同一符号を付して
その説明を省略する。
(8) Eighth Embodiment FIG. 11 is a diagram illustrating the main part of a visual inspection apparatus according to an eighth embodiment of the present invention. Components that are the same as those in FIG. 10 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

【0059】この外観検査装置では、ハーフミラー25
と光検出器21Aとの間に濃度フィルタ26Aを配置し
ている。濃度フィルタ26Aは、濃度フィルタ26Bの
場合と逆に、光照射点が低いほど濃度の低い部分を通る
ように配置されている。このようにすれば、光照射点が
低いほど、光検出器21Aの出力Aの低減率は小さくな
り、光検出器21Bの出力Bの低減率は大きくなる。し
たがって、Bのみよりも除算器36の出力B/Aの方が
、試料10の表面付近の明るさが強調され、このB/A
を用いれば、より正確に基板10a上のプリント配線パ
ターン10bを検出することが可能となる。
In this appearance inspection device, the half mirror 25
A density filter 26A is arranged between the photodetector 21A and the photodetector 21A. Contrary to the case of the density filter 26B, the density filter 26A is arranged so that the lower the light irradiation point is, the lower the density is. In this way, the lower the light irradiation point is, the smaller the reduction rate of the output A of the photodetector 21A becomes, and the larger the reduction rate of the output B of the photodetector 21B becomes. Therefore, the brightness near the surface of the sample 10 is emphasized by the output B/A of the divider 36 than by B alone, and this B/A
By using this, it becomes possible to detect the printed wiring pattern 10b on the board 10a more accurately.

【0060】除算器36の出力は、2値化回路32及び
浮動基準電圧発生器35に供給されて、第7実施例と同
様の処理が行われる。
The output of the divider 36 is supplied to the binarization circuit 32 and the floating reference voltage generator 35, and the same processing as in the seventh embodiment is performed.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る外観検
査装置によれば、入射光に対し表面のみで反射する部分
と表面で反射しかつ下層で散乱する部分とを有する基板
上に被検査物が配置された試料であっても、基板表面上
の被検査物の2次元パターンを正確に検出することがで
きるという優れた効果を奏し、多層プリント配線パター
ン等の外観検査の正確化に寄与するところが大きい。
As explained above, according to the appearance inspection apparatus according to the present invention, a substrate to be inspected which has a part that reflects incident light only on the surface and a part that reflects on the surface and scatters on the lower layer. It has the excellent effect of being able to accurately detect the two-dimensional pattern of the object to be inspected on the surface of the board, even for samples with objects arranged, contributing to the accuracy of visual inspection of multilayer printed wiring patterns, etc. There's a lot to do.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1実施例の外観検査装置構成図であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram of a visual inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の装置の作用説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of the device in FIG. 1;

【図3】本発明の第2実施例の外観検査装置構成図であ
る。
FIG. 3 is a configuration diagram of an external appearance inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施例の外観検査装置要部構成図
である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a main part of an appearance inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図5】濃度フィルタの透過率を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the transmittance of a density filter.

【図6】PSD22AとPSD22Bの受光面上の光強
度分布図である。
FIG. 6 is a light intensity distribution diagram on the light receiving surfaces of PSD22A and PSD22B.

【図7】本発明の第4実施例の外観検査装置要部構成図
である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a main part of an external appearance inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5実施例の外観検査装置要部構成図
である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a main part of an appearance inspection apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第6実施例の外観検査装置要部構成図
である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a main part of an external appearance inspection apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第7実施例の外観検査装置要部構成
図である。
FIG. 10 is a configuration diagram of main parts of an appearance inspection apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第8実施例の外観検査装置要部構成
図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a main part of an appearance inspection apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

【図12】従来技術の問題点説明図であり、(A)は問
題ある場合を示し、(B)は問題ない場合を示す。
FIG. 12 is a diagram illustrating problems in the prior art, in which (A) shows a case where there is a problem, and (B) shows a case where there is no problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10  試料 10a  基板 10b  プリント配線パターン 10a1、10a2  基材層 10b2  下層プリント配線パターン16  fθレ
ンズ 17、21A、21B  光検出器 19  明るさ補正回路 20A、20B  結像レンズ 22、22A、22B  PSD 25  ハーフミラー 26A、26B  濃度フィルタ 31  セレクタ
10 Sample 10a Substrate 10b Printed wiring patterns 10a1, 10a2 Base layer 10b2 Lower printed wiring pattern 16 fθ lenses 17, 21A, 21B Photodetector 19 Brightness correction circuits 20A, 20B Imaging lenses 22, 22A, 22B PSD 25 Half mirror 26A, 26B Density filter 31 Selector

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  光源(14)と、入射光に対し表面の
みで反射する部分と表面で反射しかつ下層(10b2)
で散乱する部分とを有する基板(10a)上に被検査物
(10b)が配置された試料(10)に対し、該光源か
ら放射された光ビームを走査させる光走査手段(12、
15〜18)と、光照射点からの正反射光の強度を検出
する正反射光検出手段(20A、21A)と、該光照射
点からの散乱光の強度を検出する散乱光検出手段(20
B、21B)と、正反射光検出強度Aと散乱光検出光強
度Bとの一次結合差μA−αB(μ及びαは正定数)を
演算する明るさ補正手段(19)と、該一次結合差μA
−αBに基づいて該被検査物の2次元パターンを外観検
査する検査手段(23、24)と、を有することを特徴
とする外観検査装置。
Claim 1: A light source (14), a part that reflects incident light only on the surface, and a lower layer (10b2) that reflects on the surface.
an optical scanning means (12,
15 to 18), specularly reflected light detection means (20A, 21A) for detecting the intensity of specularly reflected light from the light irradiation point, and scattered light detection means (20) for detecting the intensity of scattered light from the light irradiation point.
B, 21B), a brightness correction means (19) for calculating the linear coupling difference μA−αB (μ and α are positive constants) between the specularly reflected light detected intensity A and the scattered light detected light intensity B, and the linear coupling Difference μA
- an inspection device (23, 24) for inspecting the appearance of a two-dimensional pattern of the object to be inspected based on αB.
【請求項2】  前記散乱光検出手段(21B)は、前
記試料(10)に向う光ビームと逆の方向へ散乱した光
をハーフミラー(25)で反射させて、その散乱光強度
を検出することを特徴とする請求項1記載の外観検査装
置。
2. The scattered light detection means (21B) reflects the light scattered in the opposite direction to the light beam directed toward the sample (10) with a half mirror (25), and detects the intensity of the scattered light. The appearance inspection device according to claim 1, characterized in that:
【請求項3】  光源(14)と、入射光に対し表面の
みで反射する部分と表面で反射しかつ下層(10b2)
で散乱する部分とを有する基板(10a)上に被検査物
(10b)が配置された試料(10)に対し、該光源か
ら放射された光ビームを走査させる光走査手段(12、
15〜18)と、光照射点からの正反射光の強度を検出
する正反射光検出手段(20A、22B、27)と、該
光照射点からの反射光を集光して該光照射点の高さを検
出する第1高さ検出手段(20A、22B、28B)と
、該光照射点からの反射光を集光し、光照射点の高さに
応じて異なる透過率部分を通るように配置され一方向に
沿って透過率が単調増加した濃度フィルタ(26A)を
通して、該光照射点の高さを検出する第2高さ検出手段
(20A、25、26A、22A、28A)と、該第1
高さ検出手段による検出高さと該第2高さ検出手段によ
る検出高さとの差に基づいて、該下層からの散乱光であ
るかどうかを判別する判別手段(29、30)と、該判
別の結果に基づいて、該正反射光検出強度を補正する明
るさ補正手段(31)と、補正された該検出強度に基づ
いて、該被検査物の2次元パターンを外観検査する検査
手段(23、24)と、を有することを特徴とする外観
検査装置。
3. A light source (14), a portion that reflects incident light only on the surface, and a lower layer (10b2) that reflects the incident light on the surface.
an optical scanning means (12,
15 to 18), specular reflection light detection means (20A, 22B, 27) that detects the intensity of specularly reflected light from the light irradiation point, and a specular reflection light detection means (20A, 22B, 27) that collects the reflected light from the light irradiation point and detects the light irradiation point. first height detection means (20A, 22B, 28B) for detecting the height of the light irradiation point; second height detection means (20A, 25, 26A, 22A, 28A) for detecting the height of the light irradiation point through a density filter (26A) arranged at The first
Discrimination means (29, 30) for discriminating whether the light is scattered from the lower layer based on the difference between the height detected by the height detection means and the height detected by the second height detection means; a brightness correction means (31) for correcting the detected intensity of the specular reflection light based on the results; and an inspection means (23) for visually inspecting the two-dimensional pattern of the object based on the corrected detected intensity 24) An appearance inspection device comprising:
【請求項4】  前記第1高さ検出手段(20A、26
B、22B、28B)は、前記光照射点からの反射光を
集光し、光照射点の高さが高くなる程低い透過率部分を
通るように配置され一方向に沿って透過率が単調増加し
た濃度フィルタ(26B)を通して、該光照射点の高さ
を検出し、前記第2高さ検出手段(20A、25、26
A、22A、28A)の濃度フィルタ(26A)は、光
照射点の高さが高くなる程高い透過率部分を通るように
配置されていることを特徴とする請求項3記載の外観検
査装置。
4. The first height detection means (20A, 26
B, 22B, and 28B) are arranged so that the reflected light from the light irradiation point is focused, and the higher the height of the light irradiation point is, the lower the transmittance is. The height of the light irradiation point is detected through the increased density filter (26B), and the second height detection means (20A, 25, 26
4. The visual inspection apparatus according to claim 3, wherein the density filter (26A) of each of A, 22A, and 28A) is arranged so that the higher the height of the light irradiation point, the higher the transmittance.
【請求項5】  前記判別手段(29、34)は、前記
第1高さ検出手段(20A、26B、22B、28B)
による検出高さと前記第2高さ検出手段(20A、25
、26A、22A、28A)による検出高さとの差、及
び、前記正反射光検出強度に基づいて、前記下層からの
散乱光であるかどうかを判別することを特徴とする請求
項3又は4記載の外観検査装置。
5. The discrimination means (29, 34) includes the first height detection means (20A, 26B, 22B, 28B).
and the second height detection means (20A, 25
, 26A, 22A, 28A) and the detection intensity of the specularly reflected light, it is determined whether the light is scattered from the lower layer or not. Appearance inspection equipment.
【請求項6】  光源(14)と、入射光に対し表面の
みで反射する部分と表面で反射しかつ下層(10b2)
で散乱する部分とを有する基板(10a)上に被検査物
(10b)が配置された試料(10)に対し、該光源か
ら放射された光ビームを走査させる光走査手段(12、
15〜18)と、光照射点からの正反射光を集光し、光
照射点の高さが低いほど低い透過率部分を通るように配
置され一方向に沿って透過率が単調増加した濃度フィル
タ(26B)を通して、該正反射光の強度を検出する第
1光検出手段(20A、26B、21B)と、正反射光
検出強度に基づいて、該被検査物の2次元パターンを外
観検査する検査手段(23、24)と、を有することを
特徴とする外観検査装置。
6. A light source (14), a part that reflects incident light only on the surface, and a lower layer (10b2) that reflects on the surface.
an optical scanning means (12,
15 to 18), the specularly reflected light from the light irradiation point is focused, and the lower the height of the light irradiation point, the lower the transmittance area, and the concentration increases monotonically in one direction. A first light detection means (20A, 26B, 21B) detects the intensity of the specularly reflected light through a filter (26B), and visually inspects the two-dimensional pattern of the object based on the detected intensity of the specularly reflected light. An appearance inspection device characterized by having inspection means (23, 24).
【請求項7】  光源(14)と、入射光に対し表面の
みで反射する部分と表面で反射しかつ下層(10b2)
で散乱する部分とを有する基板(10a)上に被検査物
(10b)が配置された試料(10)に対し、該光源か
ら放射された光ビームを走査させる光走査手段(12、
15〜18)と、光照射点からの正反射光を集光し、光
照射点の高さが低いほど低い透過率部分を通るように配
置され一方向に沿って透過率が単調増加した濃度フィル
タ(26B)を通して、該正反射光の強度を検出する第
1光検出手段(20A、26B、21B)と、該光照射
点からの正反射光を集光し、光照射点の高さが高いほど
低い透過率部分を通るように配置され一方向に沿って透
過率が単調増加した濃度フィルタ(26A)を通して、
該正反射光の強度を検出する第2光検出手段(20A、
25、26A、21A)と、該第1光検出手段による検
出強度を該第2光検出手段による検出強度で除した値を
求める除算手段(36)と、該除算手段の除算結果に基
づいて、該被検査物の2次元パターンを外観検査する検
査手段(23、24)と、を有することを特徴とする外
観検査装置。
7. A light source (14), a part that reflects incident light only on the surface, and a lower layer (10b2) that reflects the incident light only on the surface.
an optical scanning means (12,
15 to 18), the specularly reflected light from the light irradiation point is focused, and the lower the height of the light irradiation point, the lower the transmittance area, and the concentration increases monotonically in one direction. A first light detection means (20A, 26B, 21B) that detects the intensity of the specularly reflected light through a filter (26B), and a first light detection means (20A, 26B, 21B) that collects the specularly reflected light from the light irradiation point so that the height of the light irradiation point is Through a density filter (26A), which is arranged so that the higher the transmittance, the lower the transmittance is, the transmittance increases monotonically along one direction.
A second light detection means (20A,
25, 26A, 21A), a division means (36) for calculating a value obtained by dividing the detection intensity by the first light detection means by the detection intensity by the second light detection means, and based on the division result of the division means, A visual inspection device comprising: inspection means (23, 24) for visually inspecting a two-dimensional pattern of the object to be inspected.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139248A (en) * 2007-12-07 2009-06-25 Hitachi High-Technologies Corp Defect detecting optical system and surface defect inspecting device for mounting defect detecting image processing
EP2562535A1 (en) * 2006-08-28 2013-02-27 Detection Systems Pty.Ltd. Detection apparatus and method

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