JPH04320506A - Active filter device - Google Patents

Active filter device

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JPH04320506A
JPH04320506A JP8858291A JP8858291A JPH04320506A JP H04320506 A JPH04320506 A JP H04320506A JP 8858291 A JP8858291 A JP 8858291A JP 8858291 A JP8858291 A JP 8858291A JP H04320506 A JPH04320506 A JP H04320506A
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JP
Japan
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reactor
circuit
current
active filter
resistor
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JP8858291A
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Katsumi Okawa
克実 大川
Hirobumi Kikuchi
博文 菊地
Hideshi Saito
秀史 西塔
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To securely detect a current which flows to a reactor irrelevantly to variation in temperature by detecting the current which flows to the reactor by a detecting circuit equipped with a metallic resistance body and applying the detection output to a control circuit. CONSTITUTION:A damper diode D5 charges the charging voltage of the reactor L in a capacitor Cd. A control circuit COM controls the switching of a transistor Q0. The rectifying circuit composed of diodes D1-D4 converts an AC source voltage into a rectified AC voltage and then the TR Q0 supplies a coil current to the reactor L intermittently. At this time, the detecting circuit DEC equipped with the metallic resistance body which is low in resistance temperature coefficient(TCR) as a detection resistance detects the current flowing to the reactor L directly. Consequently, the current which flows to the reactor L can securely be detected irrelevantly to the variation in temperature. Further, auxiliary winding can be omitted and the TR Q0 can be controlled with the detection output of a detecting circuit DEC through control pulses phi of the control circuit COM.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明はアクティブフィルタ装置
に関し、特にリアクタに流れる電流を制御するアクティ
ブフィルタ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active filter device, and more particularly to an active filter device for controlling current flowing through a reactor.

【0002】0002

【従来の技術】近年、整流電源のノイズ対策の点からア
クティブフィルタが注目されている。一般的なアクティ
ブフィルタを図4を参照して説明する。このアクティブ
フィルタは、ダイオードD1〜D4からなるブリッジ整
流回路、ブリッジ整流回路の正の直流出力端に一端が接
続されるリアクタL、このリアクタLの他端とグランド
間にコレクタ、エミッタがそれぞれ接続されるトランジ
スタQ、このトランジスタQのコレクタにアノードが接
続されるダンパ・ダイオードD5、このダンパ・ダイオ
ードD5のカソードとグランド間に接続される平滑コン
デンサCdおよびトランジスタQのベースに制御パルス
φを供給する制御回路COMから構成される。
2. Description of the Related Art In recent years, active filters have been attracting attention from the viewpoint of countermeasures against noise in rectified power supplies. A general active filter will be explained with reference to FIG. This active filter consists of a bridge rectifier circuit consisting of diodes D1 to D4, a reactor L whose one end is connected to the positive DC output end of the bridge rectifier circuit, and a collector and an emitter respectively connected between the other end of this reactor L and the ground. a damper diode D5 whose anode is connected to the collector of the transistor Q, a smoothing capacitor Cd connected between the cathode of the damper diode D5 and the ground, and a control pulse φ to the base of the transistor Q. Consists of circuit COM.

【0003】制御回路COMの主回路はマイクロコンピ
ュータ等により構成されて、15KHz以上の周波数の
制御パルスφを出力している。次に、このアクティブフ
ィルタの動作を説明する。商用交流のダイオードD1と
D2の接続点電位が正となる半周期では、制御回路CO
Mから出力される15KHz以上の周波数の制御パルス
φがハイレベルのときトランジスタQがオンし、ダイオ
ードD1−リアクタL−トランジスタQ−ダイオードD
4の閉回路が形成されてリアクタLに電流ILが流れる
。 そして、制御パルスφがローレベルのときトランジスタ
Qがオフして先の閉回路が開路されると、リアクタLは
それ以前の電気的状態を接続させようとして逆起電力を
発生する。このリアクタLの逆起電力とブリッジ整流回
路出力とが加算された電圧はコンデンサ入力型の整流回
路に比較して長い期間において平滑コンデンサCdの充
電電圧を上回り、ダンパ・ダイオードD5を介して平滑
コンデンサCdを充電する。
The main circuit of the control circuit COM is constituted by a microcomputer or the like, and outputs a control pulse φ having a frequency of 15 KHz or more. Next, the operation of this active filter will be explained. During the half cycle in which the potential at the connection point of commercial AC diodes D1 and D2 is positive, the control circuit CO
When the control pulse φ with a frequency of 15 KHz or higher output from M is at a high level, transistor Q is turned on, and diode D1 - reactor L - transistor Q - diode D
A closed circuit of 4 is formed and current IL flows through reactor L. Then, when the control pulse φ is at a low level, the transistor Q is turned off and the previously closed circuit is opened, and the reactor L attempts to connect the previous electrical state and generates a back electromotive force. The voltage obtained by adding the back electromotive force of the reactor L and the output of the bridge rectifier circuit exceeds the charging voltage of the smoothing capacitor Cd for a long period of time compared to a capacitor input type rectifier circuit, and is transferred to the smoothing capacitor Cd via the damper diode D5. Charge the CD.

【0004】また、商用交流のダイオードD1とD2の
接続点電位が負となる半周期では、制御パルスφがハイ
レベルのときトランジスタQがオンし、ダイオードD3
−リアクタL−トランジスタQ−ダイオードD2の閉回
路が形成されてリアクタLに電流ILが流れる。そして
、制御パルスφがローレベルとなってトランジスタQが
オフし、先の閉回路が開路されると、先と同様にリアク
タLに逆起電力を生じ、逆起電力とブリッジ整流回路出
力とが加算された電圧により平滑コンデンサCdが充電
される。
[0004] Furthermore, in the half cycle in which the potential at the connection point between the commercial AC diodes D1 and D2 becomes negative, when the control pulse φ is at a high level, the transistor Q is turned on and the diode D3 is turned on.
- Reactor L - Transistor Q - A closed circuit of diode D2 is formed, and current IL flows through reactor L. Then, when the control pulse φ becomes low level and the transistor Q is turned off and the previous closed circuit is opened, a back electromotive force is generated in the reactor L as before, and the back electromotive force and the bridge rectifier circuit output are Smoothing capacitor Cd is charged by the added voltage.

【0005】斯上したアクティブフィルタでは、制御回
路COMからの制御パルスφでトランジスタQのオンオ
フを制御している。即ち、この制御パルスφはリアクタ
Lに流れるコイル電流ILの制御を行っている。図4に
示すアクティブフィルタでは、補助巻線(1)によるコ
イル電流の検出を行う制御方式を採用している。補助巻
線(1)はリアクタLに磁気結合して巻かれ、リアクタ
Lを流れるコイル電流ILの極性を検出する。つまり、
トランジスタQがオンしコイル電流ILが流れて、リア
クタLにエネルギが蓄積されている期間は補助巻線(1
)からは負の電圧が出力され、トランジスタQがオフし
リアクタLのエネルギが放出されている期間は補助巻線
(1)からは正の電圧が出力され、コイル電流ILがゼ
ロになると補助巻線(1)はゼロ電圧となる。この波形
を図5に示している。制御回路COMはこのゼロ電圧を
検知して次の一定期間の制御パルスφを出力し、リアク
タLにコイル電流ILを流す。
[0005] In the above active filter, the on/off of the transistor Q is controlled by the control pulse φ from the control circuit COM. That is, this control pulse φ controls the coil current IL flowing through the reactor L. The active filter shown in FIG. 4 employs a control method in which coil current is detected by an auxiliary winding (1). The auxiliary winding (1) is magnetically coupled and wound around the reactor L, and detects the polarity of the coil current IL flowing through the reactor L. In other words,
During the period when the transistor Q is on and the coil current IL flows and energy is stored in the reactor L, the auxiliary winding (1
) outputs a negative voltage, and during the period when the transistor Q is turned off and the energy of the reactor L is released, a positive voltage is output from the auxiliary winding (1), and when the coil current IL becomes zero, the auxiliary winding Line (1) has zero voltage. This waveform is shown in FIG. The control circuit COM detects this zero voltage, outputs a control pulse φ for the next fixed period, and causes the coil current IL to flow through the reactor L.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】斯上したアクティブフ
ィルタ装置では以下の問題点を有している。第1に、リ
アクタLは補助巻線(1)を巻く必要があり、リアクタ
Lが複雑な構造となり、高価格となる問題点がある。第
2に、補助巻線(1)の巻数の設定を制御回路COMお
よび2次出力電圧とマッチングする必要があり、アクテ
ィブフィルタの設計が複雑化する問題点がある。
SUMMARY OF THE INVENTION The above active filter device has the following problems. First, it is necessary to wind the auxiliary winding (1) around the reactor L, resulting in a complicated structure and high cost. Secondly, it is necessary to match the setting of the number of turns of the auxiliary winding (1) with the control circuit COM and the secondary output voltage, making the design of the active filter complicated.

【0007】第3に、整流回路の整流電圧と充電電圧と
の差が小さくなると、補助巻線(1)の出力電圧が非常
に小さくなり、制御回路COMを正常に動作させること
ができない問題点がある。
Thirdly, when the difference between the rectified voltage of the rectifier circuit and the charging voltage becomes small, the output voltage of the auxiliary winding (1) becomes very small, making it impossible to operate the control circuit COM normally. There is.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は斯上した諸々の
問題点に鑑みて為され、リアクタに流れる電流を金属抵
抗体で検出する検出回路を設けることにより、従来の問
題点を解決したアクティブフィルタ装置を実現するもの
である。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made in view of the various problems mentioned above, and has solved the conventional problems by providing a detection circuit that detects the current flowing in the reactor using a metal resistor. This realizes an active filter device.

【0009】[0009]

【作用】本発明に依れば、リアクタに流れる電流を抵抗
温度係数(TCR)の低い金属抵抗体を検出抵抗として
備えた検出回路で直接検出しているため、従来の如き、
補助巻線を不要とし、且つ温度変化に関係することなく
電流検出レベルの変化に対応して確実に電流を検出する
ことができ、検出回路の検出出力で制御回路より制御パ
ルスφを出力でき、スイッチング素子のスイッチングを
制御できる。
[Operation] According to the present invention, since the current flowing through the reactor is directly detected by a detection circuit equipped with a metal resistor with a low temperature coefficient of resistance (TCR) as a detection resistor, it is possible to
It eliminates the need for an auxiliary winding, can reliably detect current in response to changes in the current detection level regardless of temperature changes, and can output control pulses φ from the control circuit using the detection output of the detection circuit. Switching of switching elements can be controlled.

【0010】0010

【実施例】本発明に依るアクティブフィルタ装置を図1
乃至図3を参照して詳細に説明する。本発明のアクティ
ブフィルタは、図1に示すように、ダイオードD1〜D
4からなるブリッジ整流回路、ブリッジ整流回路の正の
直流出力端に一端が接続されるリアクタL、このリアク
タLの他端とグランド間にコレクタ、エミッタがそれぞ
れ接続されるトランジスタQ0、 このトランジスタQ
0のコレクタにアノードが接続されるダンパ・ダイオー
ドD5、このダンパ・ダイオードD5のカソードとグラ
ンド間に接続される平滑コンデンサCdおよびトランジ
スタQ0のベースに制御パルスφを供給する制御回路C
OM、本発明の特徴とするリアクタに流れる電流を検出
する抵抗温度係数(TCR)の低い金属抵抗体を検出抵
抗体として備えた検出回路DECから構成されている。
[Example] Fig. 1 shows an active filter device according to the present invention.
This will be explained in detail with reference to FIGS. The active filter of the present invention has diodes D1 to D as shown in FIG.
4, a reactor L whose one end is connected to the positive DC output terminal of the bridge rectifier circuit, a transistor Q0 whose collector and emitter are respectively connected between the other end of this reactor L and the ground, and this transistor Q.
0, a smoothing capacitor Cd connected between the cathode of the damper diode D5 and the ground, and a control circuit C that supplies a control pulse φ to the base of the transistor Q0.
OM, which is a feature of the present invention, is composed of a detection circuit DEC equipped with a metal resistor having a low temperature coefficient of resistance (TCR) as a detection resistor for detecting the current flowing through the reactor.

【0011】制御回路COMの主回路はマイクロコンピ
ュータにより構成されて、可聴域外の15KHz以上の
周波数の制御パルスφを出力している。本発明の特徴と
する検出回路DECはリアクタLにトランジスタQ0が
オン時に流れるコイル電流I0を検出する金属抵抗体か
らなる検出抵抗R0に流し、その電圧降下によって得ら
れる電圧信号を発生する。その電圧信号を制御回路にて
定められた所定値、即ち、電源電圧と同期した正弦波状
のレベル以下のときにトランジスタQ0をオンさせ、リ
アクタLに電流を流す。この電流が所定の設定レベルに
なると、オペアンプOPの出力信号に基づいてトランジ
スタQ0がオフされ、リアクタLに流れる電流を遮断す
る。このようにトランジスタQ0を順次オン・オフをく
り返えして正弦波状の電流を流すようにする。
The main circuit of the control circuit COM is constituted by a microcomputer, and outputs a control pulse φ having a frequency of 15 KHz or more, which is outside the audible range. The detection circuit DEC, which is a feature of the present invention, causes a coil current I0 flowing in the reactor L when the transistor Q0 is on to be passed through a detection resistor R0 made of a metal resistor, and generates a voltage signal obtained by the voltage drop. When the voltage signal is equal to or less than a predetermined value determined by the control circuit, that is, a sine wave level synchronized with the power supply voltage, the transistor Q0 is turned on and current is caused to flow through the reactor L. When this current reaches a predetermined set level, transistor Q0 is turned off based on the output signal of operational amplifier OP, cutting off the current flowing through reactor L. In this way, the transistor Q0 is repeatedly turned on and off in order to cause a sinusoidal current to flow.

【0012】図2を参照して具体化された本発明の検出
回路を説明する。この検出回路は、トランジスタQ0の
エミッタと接地ラインに接続されリアクタLに流れる電
流を検出する金属の抵抗体からなる検出抵抗R0と、検
出抵抗R0とトランジスタQ0との接続点と+入力端子
が接続されたオペアンプOPと、検出抵抗R0(接地ラ
イン側)とオペアンプOPの−入力端子間に接続された
抵抗R1と、オペアンプOPの−端子とオペアンプOP
の出力端子間に接続された抵抗R2とから構成される。 尚、オペアンプOPは検出抵抗R0による検出電圧が大
きいときは省略することができる。
An embodiment of the detection circuit of the present invention will be described with reference to FIG. This detection circuit consists of a detection resistor R0 made of a metal resistor connected to the emitter of the transistor Q0 and the ground line to detect the current flowing through the reactor L, and a positive input terminal connected to the connection point between the detection resistor R0 and the transistor Q0. the operational amplifier OP, the resistor R1 connected between the detection resistor R0 (ground line side) and the negative input terminal of the operational amplifier OP, and the negative terminal of the operational amplifier OP and the operational amplifier OP.
A resistor R2 is connected between the output terminals of the resistor R2. Note that the operational amplifier OP can be omitted when the voltage detected by the detection resistor R0 is large.

【0013】検出抵抗R0は抵抗温度係数(TCR)の
低い金属抵抗体を用いる。検出抵抗R0として、具体的
にはニッケルメッキ抵抗を用いる。かかる、ニッケルメ
ッキはTCRが銅、Ag等の金属よりも極めて低いため
、温度変化に関係なくある程度一定した電流を検出する
ことができる。ニッケルメッキは溶断電流値自体は小さ
いが、面積あるいは厚みを大きくすることにより、ある
程度の電流を検出することが可能である。
As the detection resistor R0, a metal resistor having a low temperature coefficient of resistance (TCR) is used. Specifically, a nickel-plated resistor is used as the detection resistor R0. Since nickel plating has an extremely lower TCR than metals such as copper and Ag, it is possible to detect a somewhat constant current regardless of temperature changes. Nickel plating has a small fusing current value, but by increasing the area or thickness, it is possible to detect a certain amount of current.

【0014】ニッケルメッキ抵抗体では、上記したよう
にある程度の電流を検出するためには面積を大きくする
か、あるいはメッキ厚を厚くしなければならないという
欠点はあるが、銅、Ag等の金属はTCRが極めて高い
ため検出抵抗として用いることができないためにリアク
タLに流れる電流を温度変化に関係なく確実に検出でき
ずニッケルメッキ抵抗体が不可欠となる。
As mentioned above, nickel-plated resistors have the disadvantage that the area must be increased or the plating must be thickened in order to detect a certain amount of current, but metals such as copper and Ag Since the TCR is extremely high, it cannot be used as a detection resistor, so the current flowing through the reactor L cannot be reliably detected regardless of temperature changes, and a nickel-plated resistor is indispensable.

【0015】次に図3を参照して、上記したアクティブ
フィルタ装置をリアクタLおよび平滑コンデンサCdを
除いて、絶縁金属基板よりなる混成集積回路基板上に実
装した実施例の具体構造を説明する。斜線が施された回
路パターンはグランド・パターンであり、回路基板はそ
のグランド・パターンの一部により、図面の略上半分の
空白部分に対応する小信号回路ブロックと図面の下半分
に対応する大電流回路ブロックに2分割される。本実施
例では小信号回路ブロックから大電流回路ブロックに供
給される制御パルスφの配線、リアクタLの出力側から
検出回路DECへの配線、あるいは大電流回路ブロック
から小信号回路ブロックへ供給されるトランジスタQ0
のエミッタ電位の配線は前記グランド・パターンの一部
を迂回するように形成されているが、これに限定される
ものではなく、例えば、トランジスタQ0のエミッタ電
位の配線は小信号回路ブロックの所定の位置へボンディ
ングワイアによって接続(ジャンピングワイア接続)し
てもよい。
Next, referring to FIG. 3, a detailed structure of an embodiment in which the above-described active filter device, excluding the reactor L and smoothing capacitor Cd, is mounted on a hybrid integrated circuit board made of an insulated metal substrate will be described. The circuit pattern with diagonal lines is the ground pattern, and the circuit board has a small signal circuit block corresponding to the blank area in the upper half of the drawing and a large signal circuit block corresponding to the lower half of the drawing by a part of the ground pattern. It is divided into two current circuit blocks. In this embodiment, the control pulse φ is wired from the small signal circuit block to the large current circuit block, the control pulse φ is wired from the output side of the reactor L to the detection circuit DEC, or the control pulse φ is supplied from the large current circuit block to the small signal circuit block. Transistor Q0
The wiring for the emitter potential of the transistor Q0 is formed so as to bypass a part of the ground pattern, but the wiring is not limited to this. For example, the wiring for the emitter potential of the transistor Q0 is formed to bypass a part of the ground pattern. It may be connected to the position by a bonding wire (jumping wire connection).

【0016】更に、このグランド・パターンは高周波、
大電流が流れるトランジスタQ0のエミッタに最も近い
位置でアルミニウム基板にボンディングワイアWで接続
されて、アルミニウム基板電位をグランド・パターン電
位と等電位にしている。大電流回路ブロックには、ブリ
ッジ整流回路を構成するダイオードD1〜D4、ダンパ
・ダイオードD5、トランジスタQ0がヒートシンクを
介して表面実装され、更にトランジスタQ0のエミッタ
電流を制限し、またその値を計測するための検出抵抗R
0が形成される。これら素子は先の小信号回路ブロック
と大電流回路ブロックを分割するグランド・パターン部
に大電流が流れないようにそれぞれ配置される。大電流
回路ブロックと外部回路とを接続する外部リード端子と
小信号回路ブロックの外部リード端子は互いの結合が疎
になるように回路基板の相対する周端辺に配置される。
Furthermore, this ground pattern is suitable for high frequencies,
It is connected to the aluminum substrate by a bonding wire W at a position closest to the emitter of the transistor Q0 through which a large current flows, thereby making the aluminum substrate potential equal to the ground pattern potential. In the large current circuit block, diodes D1 to D4, a damper diode D5, and a transistor Q0, which constitute a bridge rectifier circuit, are surface mounted via a heat sink, and further limit the emitter current of the transistor Q0 and measure its value. Detection resistor R for
0 is formed. These elements are arranged so that a large current does not flow into the ground pattern portion that divides the small signal circuit block and the large current circuit block. The external lead terminals that connect the large current circuit block and the external circuit and the external lead terminals of the small signal circuit block are arranged on opposite peripheral edges of the circuit board so that they are loosely coupled to each other.

【0017】また、外部接続される平滑コンデンサCd
とダンパ・ダイオードD5の距離は平滑コンデンサCd
の充放電能に大きく影響するため、ダンパ・ダイオード
D5は図5にV+で示す端子に近接して配置される。ま
た、同様な理由によりこのV+で示す端子とグランド端
子GNDは隣接配置される。小信号回路ブロックには、
制御回路COMと抵抗温度係数(TCR)の低い金属抵
抗体を検出抵抗R0と接続される検出回路DECとが図
示されないが実装配置されている。
Furthermore, an externally connected smoothing capacitor Cd
The distance between the damper diode D5 and the smoothing capacitor Cd
The damper diode D5 is placed close to the terminal designated V+ in FIG. Further, for the same reason, the terminal indicated by V+ and the ground terminal GND are arranged adjacent to each other. The small signal circuit block includes
Although not shown, a control circuit COM and a detection circuit DEC in which a metal resistor having a low temperature coefficient of resistance (TCR) is connected to the detection resistor R0 are mounted.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
TCRの低い金属抵抗体でリアクタLのコイル電流を検
出するために、従来の如き、補助巻線を不要とでき、リ
アクタLの構造を簡略化できる利点を有する。また、補
助巻線と制御回路COMとのマッチング設計も不要とな
る。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention,
Since the coil current of the reactor L is detected using a metal resistor with a low TCR, there is an advantage that an auxiliary winding as in the conventional method is unnecessary and the structure of the reactor L can be simplified. Further, matching design between the auxiliary winding and the control circuit COM is also unnecessary.

【0019】また、本発明では、TCRの低い金属抵抗
体を検出抵抗としているために、温度上昇変化に関係な
く確実に検出を行えることができる。その結果、アクテ
ィブフィルタ装置自体の信頼性が向上する。更に、本発
明では、補助巻線を不要とするために、検出回路を同一
の混成集積回路基板上に実装できる様になり、極めて小
型化した混成集積回路装置を実現することができる。
Furthermore, in the present invention, since a metal resistor with a low TCR is used as the detection resistor, detection can be performed reliably regardless of temperature rise changes. As a result, the reliability of the active filter device itself is improved. Furthermore, in the present invention, since the auxiliary winding is not required, the detection circuit can be mounted on the same hybrid integrated circuit board, and an extremely miniaturized hybrid integrated circuit device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】図1は本発明に依るアクティブフィルタ装置を
説明する回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an active filter device according to the present invention.

【図2】図2は本発明に用いる検出回路DECを説明す
る回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a detection circuit DEC used in the present invention.

【図3】図3は本発明のアクティブフィルタを混成集積
回路基板に実装した状態を説明する上面図である。
FIG. 3 is a top view illustrating a state in which the active filter of the present invention is mounted on a hybrid integrated circuit board.

【図4】図4は従来のアクティブフィルタ装置を説明す
る回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a conventional active filter device.

【図5】図5は従来のアクティブフィルタ装置の動作を
説明する波形図である。
FIG. 5 is a waveform diagram illustrating the operation of a conventional active filter device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L        リアクタ D1〜D5    ダイオード Cd      平滑コンデンサ Q0       トランジスタ COM    制御回路 DEC    検出回路 R0       検出抵抗 L Reactor D1~D5 Diode Cd Smoothing capacitor Q0 Transistor COM Control circuit DEC detection circuit R0 Detection resistor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  整流回路とスイッチング素子とリアク
タと前記リアクタより充電電圧を取り出すダイオードと
充電電圧を充電されるコンデンサと前記スイッチング素
子のスイッチングを制御する制御回路とを具備し、前記
整流回路で交流電源を整流交流電圧に変換した後前記ス
イッチング素子で前記リアクタに断続的にコイル電流を
流すように構成したアクティブフィルタ装置において、
前記リアクタに流れる電流を検出する金属抵抗体を備え
た検出回路を設け、この検出出力を前記制御回路に印加
することを特徴とするアクティブフィルタ装置。
1. A rectifying circuit, a switching element, a reactor, a diode for extracting charging voltage from the reactor, a capacitor charged with the charging voltage, and a control circuit for controlling switching of the switching element, An active filter device configured to convert a power source into a rectified alternating current voltage and then intermittently cause a coil current to flow through the reactor using the switching element,
An active filter device comprising: a detection circuit including a metal resistor for detecting a current flowing through the reactor; and applying a detection output from the detection circuit to the control circuit.
【請求項2】  前記検出回路は、前記低抵抗の金属の
検出抵抗の一端と+入力端子が接続されたオペアンプと
前記低抵抗の金属の検出抵抗の他端と前記オペアンプの
−入力端子間に接続された抵抗と前記比較器の−入力端
子と出力端子間に接続された抵抗とを備えたことを特徴
とする請求項1記載のアクティブフィルタ装置。
2. The detection circuit includes an operational amplifier to which one end of the low-resistance metal detection resistor and a + input terminal are connected, and an operational amplifier connected between the other end of the low-resistance metal detection resistor and a − input terminal of the operational amplifier. 2. The active filter device according to claim 1, further comprising a resistor connected between the negative input terminal and the output terminal of the comparator.
【請求項3】  前記金属抵抗体としてニッケルメッキ
抵抗を用いたことを特徴とする請求項1記載のアクティ
ブフィルタ装置。
3. The active filter device according to claim 1, wherein a nickel-plated resistor is used as the metal resistor.
【請求項4】  前記整流回路、前記スイッチング素子
、前記ダイオード、前記制御回路を同一の混成集積回路
基板上に実装することを特徴とする請求項1記載のアク
ティブフィルタ装置。
4. The active filter device according to claim 1, wherein the rectifier circuit, the switching element, the diode, and the control circuit are mounted on the same hybrid integrated circuit board.
JP8858291A 1991-04-19 1991-04-19 Active filter device Pending JPH04320506A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8858291A JPH04320506A (en) 1991-04-19 1991-04-19 Active filter device

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JP8858291A JPH04320506A (en) 1991-04-19 1991-04-19 Active filter device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH037066A (en) * 1989-05-31 1991-01-14 Sanken Electric Co Ltd Dc power source

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