JPH04314855A - Sputtering target made of co-cr-pt alloy and its manufacture - Google Patents
Sputtering target made of co-cr-pt alloy and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
って磁気記録媒体に薄膜を形成する際にターゲットとし
て用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングタ
ーゲットおよびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Co--Cr--Pt alloy sputtering target used as a target when forming a thin film on a magnetic recording medium by sputtering, and a method for manufacturing the same.
【０００２】0002
【従来の技術】例えばハードディスク等の磁気記録媒体
に単体金属や合金の薄膜を形成する場合には、形成しよ
うとする薄膜と同一の材料を真空中にて蒸発させて前記
磁気記録媒体上に付着させるＰＶＤ法（物理的蒸着法）
が主として用いられている。[Prior Art] For example, when forming a thin film of a single metal or alloy on a magnetic recording medium such as a hard disk, the same material as the thin film to be formed is evaporated in a vacuum and deposited on the magnetic recording medium. PVD method (physical vapor deposition method)
is mainly used.
【０００３】このＰＶＤ法の中でも特にスパッタリング
法では、まず前記薄膜と同一の材料を板状に成形した、
いわゆるスパッタリングターゲット（以下、ターゲット
と称する。）と前記被覆膜部材とを高真空中に保持する
。そして、両者の間にバイアスを印加するとともにイオ
ンを導入してターゲットの構成原子をスパッタしたり、
あるいは前記ターゲット上に磁界を形成して真空中で発
生するプラズマをターゲット近傍の空間に閉じ込め、こ
の磁界内を運動する電子によって前記イオンを発生させ
てターゲット構成原子をスパッタしたりして、構成原子
を前記被覆膜部材に付着させる。Among these PVD methods, especially the sputtering method, first, the same material as the thin film is formed into a plate shape.
A so-called sputtering target (hereinafter referred to as target) and the coating film member are held in a high vacuum. Then, a bias is applied between the two and ions are introduced to sputter the constituent atoms of the target.
Alternatively, a magnetic field is formed on the target to confine plasma generated in a vacuum in a space near the target, and electrons moving within this magnetic field generate the ions and sputter the constituent atoms of the target. is attached to the coating member.
【０００４】このようなスパッタリング法に用いられる
ターゲットは、従来その原料となる材料を粉末化した後
に焼結させて成形する、いわゆるパウダー法によって製
造されていた。[0004] Targets used in such sputtering methods have conventionally been manufactured by the so-called powder method, in which raw materials are powdered and then sintered and shaped.
【０００５】ところが、このようなパウダー法によって
ターゲットを製造する場合には、粉末化した原料の充填
密度をいくら上げても、成形の際にターゲットに酸素が
巻き込まれてしまうことは避けられない。これにより、
製造されるターゲットの酸素の含有量が高いものとなっ
てしまうため、このようなターゲットからスパッタされ
て形成された薄膜も、やはり酸素含有量が高いものとな
ってしまう。この結果、前記媒体の磁気記録特性が劣化
されてしまうという問題があった。However, when a target is manufactured by such a powder method, no matter how much the packing density of the powdered raw material is increased, it is inevitable that oxygen will be drawn into the target during molding. This results in
Since the target to be manufactured has a high oxygen content, a thin film formed by sputtering from such a target also has a high oxygen content. As a result, there was a problem in that the magnetic recording characteristics of the medium deteriorated.
【０００６】そこで、このような問題を解決する手段と
して、前記パウダー法に代えて鋳造により前記ターゲッ
トのインゴットを製造し、このインゴットを熱間圧延等
によってターゲットに成形する方法が採られている。こ
のような方法によれば、比較的酸素含有量が低く、また
大型かつ一体物のターゲットを得ることが可能であると
いう利点を有する。Therefore, as a means to solve this problem, instead of the powder method, a method has been adopted in which an ingot of the target is manufactured by casting, and this ingot is formed into a target by hot rolling or the like. This method has the advantage that it has a relatively low oxygen content and that it is possible to obtain a large and solid target.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
利点を有する反面、鋳造によるターゲットの製造方法の
場合には、インゴットからターゲットへ成形する工程に
おいてターゲットの割れに対する感受性が高められてし
まうという問題がある。この割れ感受性は、特にＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ成分系の合金ではＣｒの含有量が高くなるに
つれて強くなる、すなわち割れ易くなるという傾向があ
る。[Problems to be Solved by the Invention] However, although it has such advantages, the method of manufacturing targets by casting has the problem that the target is more susceptible to cracking during the process of forming the target from an ingot. There is. This cracking susceptibility is particularly important for Co-
In Cr--Pt alloys, there is a tendency that the higher the Cr content, the stronger the alloy, that is, the easier it is to break.
【０００８】このように割れ感受性が高くなると、熱間
圧延の最中に割れを生じてしまうためにターゲットへの
成形が困難となり、結果的に歩留まりが悪化してしまう
。また、成形中に割れを生じなくてもターゲットとして
使用中に割れてしまうおそれもある。[0008] When the sensitivity to cracking increases as described above, cracking occurs during hot rolling, making it difficult to form into a target, resulting in a decrease in yield. Furthermore, even if no cracks occur during molding, there is a risk that cracks may occur during use as a target.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】ここで本発明の発明者等
は、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ成分系の合金について研究を
重ねた結果、次のような知見を得るに至った。すなわち
、このような合金には不純物としてＳやＣ等の元素が含
有されることは避けられないが、このような不可避不純
物であるＳおよびＣには合金の結晶粒界に存在して該粒
界の延性を著しく劣化させるという特性がある。そして
、前記の割れ感受性は合金中のＣｒの含有量と、該合金
中に不可避不純物として含有されるＳおよびＣの含有量
との関係によって決定されるというものである。[Means for Solving the Problems] The inventors of the present invention have conducted extensive research on the Co--Cr--Pt component system alloys and have come to the following findings. In other words, it is inevitable that such alloys contain elements such as S and C as impurities, but these unavoidable impurities, S and C, exist in the grain boundaries of the alloy and interfere with the grains. It has the property of significantly deteriorating the ductility of the field. The above-mentioned cracking susceptibility is determined by the relationship between the Cr content in the alloy and the S and C content contained as unavoidable impurities in the alloy.
【００１０】本発明はかかる知見に基づき、前記の課題
を解決するためになされたもので、請求項１のＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットは、５〜２０
ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ％のＰｔとを含有すると
ともに、不純物としてＳとＣとを含み、前記Ｃｒの含有
量をＸｗｔ％とし、前記Ｓの含有量をＹｗｔ・ｐｐｍと
し、このＳの含有量と前記Ｃの含有量との和をＺｗｔ・
ｐｐｍとしたとき、これらＸとＹ、およびＸとＺの間に
は、[0010] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems based on this knowledge.
The sputtering target made of r-Pt alloy is 5 to 20
Contains wt% Cr and 15 to 55 wt% Pt, and also contains S and C as impurities, the Cr content is Xwt%, the S content is Ywt ppm, and the S content is The sum of the content and the above C content is Zwt・
When expressed as ppm, between these X and Y, and between X and Z,
【００１１】[0011]
【数１】Ｙ≦−２／３Ｘ＋７０／３[Math 1] Y≦-2/3X+70/3
【００１２】0012
【数２】Ｚ≦−４／３Ｘ＋１７０／３[Math 2] Z≦-4/3X+170/3
【００１３】なる関係が成り立っていることを特徴とす
る。It is characterized in that the following relationship holds true.
【００１４】また、請求項２のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製
スパッタリングターゲットの製造方法は、前記請求項１
記載の成分系を有する素材を鋳造してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金のインゴットを得、このインゴットを熱間圧延を施
して板状に成形することを特徴とする。[0014] Furthermore, the method for manufacturing a Co-Cr-Pt alloy sputtering target according to claim 2 is a method for manufacturing a sputtering target made of a Co-Cr-Pt alloy.
Co-Cr-Pt is produced by casting a material having the listed component system.
The method is characterized in that an alloy ingot is obtained and this ingot is hot-rolled to form a plate.
【００１５】[0015]
【作用】本発明によれば、合金中に含まれるＣｒの含有
量に対して不可避不純物であるＳおよびＣの含有量が低
い水準に抑制されているため、合金の結晶粒界に存する
ＳおよびＣも僅かであり、このため合金の延性が阻害さ
れることはない。これによって合金の割れ感受性が弱く
抑えられるので、インゴットからターゲットに成形する
工程において熱間圧延を施したとしても割れを生じるこ
となく、一体的かつ比較的大型のターゲットを成形する
ことが可能となる。[Operation] According to the present invention, the content of S and C, which are unavoidable impurities, is suppressed to a low level relative to the content of Cr contained in the alloy. C is also small, so the ductility of the alloy is not inhibited. This suppresses the alloy's susceptibility to cracking, making it possible to form an integral and relatively large target without cracking even if hot rolling is performed during the process of forming an ingot into a target. .
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。こ
の実施例では、５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ
％のＰｔとを含有するとともに不可避不純物としてＳと
Ｃとを含み、Ｃｒの含有量をＸｗｔ％とし、Ｓの含有量
をＹｗｔ・ｐｐｍとし、Ｓの含有量とＣの含有量との和
をＺｗｔ・ｐｐｍとしたとき、これらＸとＹ、およびＸ
とＺの間に、[Examples] Examples of the present invention will be described below. In this example, 5-20 wt% Cr and 15-55 wt%
% Pt and S and C as unavoidable impurities, the Cr content is Xwt%, the S content is Ywt ppm, and the sum of the S content and C content is When Zwt・ppm, these X, Y, and
Between and Z,
【００１７】[0017]
【数３】Ｙ≦−２／３Ｘ＋７０／３[Math 3] Y≦-2/3X+70/3
【００１８】[0018]
【数４】Ｚ≦−４／３Ｘ＋１７０／３[Math 4] Z≦-4/3X+170/3
【００１９】なる関係が成り立っている７種の組成のＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を製造し、それぞれ実施例１〜７と
した。これら実施例１〜７の組成を表１に示す。Seven compositions of C that hold the following relationship:
o-Cr-Pt alloys were manufactured and designated as Examples 1 to 7, respectively. The compositions of Examples 1 to 7 are shown in Table 1.
【００２０】また、これら実施例１〜７のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金のＣｒの含有量に対するＳの含有量およびＳと
Ｃとの含有量の和を、それぞれ図１および図２にＡ１〜
Ａ７として示す。ただし、図１における直線Ｙおよび図
２における直線Ｚは、それぞれ本発明のＣｒの含有量に
対するＳの含有量の上限値およびＳとＣとの含有量の和
の上限値を示すものである。[0020] Also, Co-Cr- of these Examples 1 to 7
The S content and the sum of the S and C contents relative to the Cr content of the Pt alloy are shown in A1 to A1 to FIG. 2, respectively.
Shown as A7. However, the straight line Y in FIG. 1 and the straight line Z in FIG. 2 respectively indicate the upper limit of the S content and the upper limit of the sum of the S and C contents relative to the Cr content of the present invention.
【００２１】[0021]
【表１】[Table 1]
【００２２】また、この実施例に対する比較例１〜７と
して、５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ％のＰｔ
とを含有するとともに、前記Ｓの含有量およびＳとＣと
の含有量の和の少なくとも一方を前記上限値より大きく
設定したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を製造した。これらの比
較例１〜７の組成を表２に示すとともに、Ｃｒの含有量
に対するＳの含有量およびＳとＣとの含有量の和を、そ
れぞれ前記図１および図２にＢ１〜Ｂ７として示す。Furthermore, as comparative examples 1 to 7 with respect to this example, 5 to 20 wt% of Cr and 15 to 55 wt% of Pt were used.
A Co-Cr-Pt alloy was produced in which at least one of the S content and the sum of the S and C contents was set to be larger than the upper limit. The compositions of Comparative Examples 1 to 7 are shown in Table 2, and the S content relative to the Cr content and the sum of the S and C contents are shown as B1 to B7 in FIGS. 1 and 2, respectively. .
【００２３】[0023]
【表２】[Table 2]
【００２４】前記表１に示すような組成のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金では、当該合金中に不可避不純物として含まれ
るＳおよびＣの含有量が低いため、該合金の結晶粒界に
存在して粒界の延性を劣化せしめるＳおよびＣも少なく
なり、結果的に合金の延性の向上を図ることができる。
これにより、合金の割れ感受性が弱く抑えられるので、
熱間圧延によってターゲットを成形した場合でも割れを
生じることなく、大型かつ一体物のターゲットを比較的
簡単に製造することができる。[0024] Co-Cr- having the composition shown in Table 1 above.
In Pt alloys, the content of S and C contained as unavoidable impurities in the alloy is low, so there is also less S and C, which exist in the grain boundaries of the alloy and deteriorate the ductility of the grain boundaries. It is possible to improve the ductility of the alloy. This makes the alloy less susceptible to cracking, so
Even when the target is formed by hot rolling, it is possible to manufacture a large, integrated target relatively easily without cracking.
【００２５】また、ＳおよびＣの含有量を低く抑えたこ
とに伴い、これらの不純物が合金製造工程において空気
と反応して合金中に取り込まれる酸素の含有量も比較的
低い水準に抑えられる。このような酸素含有量の低いＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金から成形されたターゲットをスパッ
タすることにより形成される薄膜も、やはり酸素含有量
の低いものとなるため、このような薄膜を例えば磁気記
録媒体に形成した場合には、前記パウダー法による従来
のターゲットをスパッタして薄膜を形成した場合に比べ
、磁気記録特性に優れた記録媒体を得ることができる。Furthermore, as the contents of S and C are kept low, the content of oxygen, which is introduced into the alloy through reaction of these impurities with air during the alloy manufacturing process, is also kept to a relatively low level. Such low oxygen content C
A thin film formed by sputtering a target formed from an o-Cr-Pt alloy also has a low oxygen content, so when such a thin film is formed, for example, on a magnetic recording medium, the above A recording medium with superior magnetic recording properties can be obtained compared to the case where a thin film is formed by sputtering a conventional target using a powder method.
【００２６】ところで、このような構成のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金は、例えば以下のような方法により製造され、
スパッタリングターゲットとして成形される。[0026] By the way, Co-Cr-
Pt alloy is manufactured, for example, by the following method,
Molded as a sputtering target.
【００２７】まず原材料として、不可避不純物であるＳ
の含有量が１００ｗｔ・ｐｐｍ、同じくＣの含有量が１
０ｗｔ・ｐｐｍの純度９９．９％のＣｏと、純度９９．
９９％のＰｔおよび純度９９．９９％のＣｒ、さらに脱
酸剤としてＣ（クリプトルカーボン）を混合し、Ｃｒの
含有量が５〜２０ｗｔ％、Ｐｔの含有量が１５〜５５ｗ
ｔ％となるようにする。First, as a raw material, S is an inevitable impurity.
The content of C is 100wt・ppm, and the content of C is 1
0wt・ppm purity 99.9% Co and purity 99.9%.
A mixture of 99% Pt and 99.99% pure Cr, and C (cryptor carbon) as a deoxidizing agent, with a Cr content of 5 to 20 wt% and a Pt content of 15 to 55 w.
t%.
【００２８】次に、この原材料を１００ｋＷの出力の電
子ビーム溶解によって１５００〜２０００℃の高温、５
×１０−５〜１×１０−６Ｔｏｒｒの高真空下で溶解し
、Ｃｏ−Ｐｔ母合金を生成する。この際、Ｓを溶解時間
を５〜３０分間にコントロールすることによってベーパ
ーさせ、その含有量を前記上限値以下に制御する。Next, this raw material is subjected to electron beam melting with an output of 100 kW at a high temperature of 1500 to 2000°C for 50 minutes.
It is melted under a high vacuum of ×10 −5 to 1×10 −6 Torr to produce a Co—Pt master alloy. At this time, S is vaporized by controlling the dissolution time to 5 to 30 minutes, and its content is controlled to be below the upper limit value.
【００２９】さらに、こうして得られたＣｏ−Ｐｔ母合
金を真空高周波誘導溶解によって１５００〜１６００℃
の温度で溶解してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を生成する。こ
の際、Ｃの含有量を脱酸によってコントロールして前記
上限値以下に制御する。これによって、当該Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金に含有される酸素の含有量を１００ｗｔ・ｐ
ｐｍ以下とする。Furthermore, the Co-Pt master alloy thus obtained is heated to 1500 to 1600°C by vacuum high-frequency induction melting.
Co-Cr-Pt alloy is produced by melting at a temperature of . At this time, the C content is controlled by deoxidation to be below the upper limit. As a result, the Co-Cr
-The content of oxygen contained in the Pt alloy is 100wt・p
pm or less.
【００３０】こうして生成された溶融Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金を鋳造することにより、当該Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金
のインゴットを得ることができる。このインゴットは、
例えば外形寸法が幅９０ｍｍ、厚さ２５ｍｍ、長さ１３
０ｍｍ、重量が３ｋｇの直方体状インゴットである。The molten Co-Cr-Pt thus produced
By casting the alloy, an ingot of the Co-Cr-Pt alloy can be obtained. This ingot is
For example, the external dimensions are width 90mm, thickness 25mm, and length 13mm.
It is a rectangular parallelepiped ingot with a diameter of 0 mm and a weight of 3 kg.
【００３１】こうして製造された前記表１の組成のＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ合金のインゴットは前述のように熱間圧延
加工が可能であるので、加熱温度６５０℃にて圧延して
前記厚さを２５ｍｍから７ｍｍにまで引き延ばし、さら
に成形を施すことにより、外形寸法が厚さ５ｍｍ、幅８
８ｍｍ、長さ４９０ｍｍの大型かつ一体物のターゲット
を得ることができる。[0031] The thus produced Co having the composition shown in Table 1 above
-Cr-Pt alloy ingots can be hot-rolled as mentioned above, so by rolling at a heating temperature of 650°C to increase the thickness from 25 mm to 7 mm, and further forming, the outer shape can be Dimensions: thickness 5mm, width 8
A large and integrated target with a diameter of 8 mm and a length of 490 mm can be obtained.
【００３２】表１および表２の右欄は、この熱間圧延が
可能であるか否か、すなわち成形の途中で割れが生じる
か否かを示すものである。これらの結果より分かるよう
に、表１に示した本実施例１〜７ではすべて前記熱間圧
延が可能であったのに対し、表２に示した比較例１〜７
では合金中の結晶粒界に存在するＳおよびＣによって粒
界の延性が劣化せしめられ、圧力を加えた際にインゴッ
トが割れてしまって圧延は不可能であった。The right columns of Tables 1 and 2 indicate whether or not this hot rolling is possible, that is, whether or not cracks occur during forming. As can be seen from these results, hot rolling was possible in all of Examples 1 to 7 shown in Table 1, whereas Comparative Examples 1 to 7 shown in Table 2
In this case, S and C present in the grain boundaries in the alloy deteriorated the ductility of the grain boundaries, and the ingot cracked when pressure was applied, making rolling impossible.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、合
金中に不可避不純物として含まれるＳおよびＣの含有量
を低くすることにより、合金の結晶粒界に存在するＳお
よびＣも低い水準に抑えられるので、合金の延性の劣化
を防ぐことが可能である。これにより、合金の割れ感受
性が弱く抑えられるので、熱間圧延によってターゲット
を成形しても割れを生じることなく大型かつ一体物のタ
ーゲットを得ることができる。Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, by lowering the contents of S and C contained as inevitable impurities in the alloy, the S and C present in the grain boundaries of the alloy can also be reduced to a low level. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the ductility of the alloy. As a result, the cracking susceptibility of the alloy is suppressed, so that even if the target is formed by hot rolling, a large and integral target can be obtained without cracking.
【００３４】また、不純物であるＳおよびＣの含有量を
抑えることにより、これらの不純物と反応して合金中に
巻き込まれる酸素量も減少するので、酸素含有量の低い
スパッタリングターゲットを提供することが可能となる
。従って、このようなターゲットよりスパッタされて形
成される薄膜も酸素含有量の低いものとなるため、この
ような薄膜を例えば磁気記録媒体に形成した場合には、
該記録媒体の磁気記録特性の向上を図ることができる。[0034] Furthermore, by suppressing the content of impurities S and C, the amount of oxygen that reacts with these impurities and gets dragged into the alloy is also reduced, making it possible to provide a sputtering target with a low oxygen content. It becomes possible. Therefore, the thin film formed by sputtering from such a target also has a low oxygen content, so when such a thin film is formed, for example, on a magnetic recording medium,
The magnetic recording characteristics of the recording medium can be improved.
【図１】本発明の実施例１〜７および比較例１〜７の、
Ｃｒの含有量に対するＳの含有量を示す図である。FIG. 1: Examples 1 to 7 of the present invention and Comparative Examples 1 to 7,
It is a figure showing content of S with respect to content of Cr.
【図２】本発明の実施例１〜７および比較例１〜７の、
Ｃｒの含有量に対するＳとＣとの含有量との和を示す図
である。FIG. 2: Examples 1 to 7 of the present invention and Comparative Examples 1 to 7,
FIG. 3 is a diagram showing the sum of the S and C contents relative to the Cr content.
Ａ１〜Ａ７ 実施例１〜７のＣｒの含有量に対するＳ
の含有量およびＳとＣとの含有量の和
Ｂ１〜Ｂ７ 比較例１〜７のＣｒの含有量に対するＳ
の含有量およびＳとＣとの含有量の和
Ｙ 本発明のＣｒの含有量に対するＳの含有量の上限
値Ｚ 本発明のＣｒの含有量に対するＳとＣとの含有
量の和の上限値A1 to A7 S relative to the Cr content of Examples 1 to 7
and the sum of the contents of S and C B1 to B7 S to the content of Cr in Comparative Examples 1 to 7
and the sum of S and C contents Y Upper limit value of the S content relative to the Cr content of the present invention Z Upper limit value of the sum of the S and C contents relative to the Cr content of the present invention
Claims (2)
ｔ％のＰｔとを含有するとともに、不純物としてＳとＣ
とを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲ
ットであって、前記Ｃｒの含有量をＸｗｔ％とし、前記
Ｓの含有量をＹｗｔ・ｐｐｍとし、このＳの含有量と前
記Ｃの含有量との和をＺｗｔ・ｐｐｍとしたとき、これ
らＸとＹ、およびＸとＺの間には、 Ｙ≦−２／３Ｘ＋７０／３ Ｚ≦−４／３Ｘ＋１７０／３ なる関係が成り立っていることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲット。Claim 1: 5-20wt% Cr and 15-55w
t% of Pt, as well as S and C as impurities.
A sputtering target made of a Co-Cr-Pt alloy containing When the sum is Zwt ppm, the following relationships hold between X and Y and X and Z: Y≦-2/3X+70/3 Z≦-4/3X+170/3 Co-Cr
-Pt alloy sputtering target.
材を鋳造してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金のインゴットを得、
このインゴットを熱間圧延を施して板状に成形すること
を特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングタ
ーゲットの製造方法。2. Obtaining a Co-Cr-Pt alloy ingot by casting a material having the component system according to claim 1,
A method for producing a Co-Cr-Pt alloy sputtering target, which comprises hot rolling this ingot to form it into a plate shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP230691A JPH04314855A (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Sputtering target made of co-cr-pt alloy and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP230691A JPH04314855A (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Sputtering target made of co-cr-pt alloy and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314855A true JPH04314855A (en) | 1992-11-06 |
Family
ID=11525675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP230691A Pending JPH04314855A (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Sputtering target made of co-cr-pt alloy and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314855A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07118818A (en) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Kobe Steel Ltd | Method for making magnetic permeability of hard-to-work co alloy low |
| DE4438202A1 (en) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Cobalt@-platinum@-chromium@ alloy magnetron sputtering target |
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP230691A patent/JPH04314855A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07118818A (en) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Kobe Steel Ltd | Method for making magnetic permeability of hard-to-work co alloy low |
| DE4438202A1 (en) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Cobalt@-platinum@-chromium@ alloy magnetron sputtering target |
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
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