JPH04309012A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH04309012A
JPH04309012A JP3100358A JP10035891A JPH04309012A JP H04309012 A JPH04309012 A JP H04309012A JP 3100358 A JP3100358 A JP 3100358A JP 10035891 A JP10035891 A JP 10035891A JP H04309012 A JPH04309012 A JP H04309012A
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JP
Japan
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circuit
differential
output
transistor
pull
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JP3100358A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Usami
光雄 宇佐美
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To improve the margin attended with signal transmission by forming a final output stage of an output circuit of an ECL logic LSI with a differential amplifier circuit including a couple of differential transistors(TRs) in emitter common connection. CONSTITUTION:An output circuit 10 provided in an LSI1 at a sender side is provided with a same inverter circuit 11 as an input stage of a non-threshold logic(NTL) circuit comprising series connection of a collector resistor Rc, a TR Qi and an emitter resistor Re connected between power supply voltages Vcc and Vee and a differential amplifier circuit 12 comprising a couple of differential TRs Q1, Q2 whose emitters are connected in common, a constant current source CC connecting to the common emitter of the differential TRs Q1, Q2 and resistors Rc1, Rc2 connecting to collectors of the differential TRs Q1, Q2. Then the collectors of the TRs Q1, Q2 are connected to LSI signal output terminals Ta, Tb and a differential form output is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、信号伝送技術さらには
電圧駆動方式による差動伝送に適用して特に有効な技術
に関し、例えばECL系論理LSI間の信号伝送に利用
して有効な技術に関する。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to signal transmission technology, and particularly to a technology that is particularly effective when applied to voltage-driven differential transmission, and for example, to a technology that is effective when applied to signal transmission between ECL logic LSIs. .

【0002】0002

【従来の技術】従来、LSI内においてある回路から他
の回路へ信号を伝送する方式としては、例えば内部バス
方式のように信号線の電位をハイレベルとロウレベルに
振り受信側でしきい値電圧と比較するとで信号レベルを
検出する電圧駆動方式と、差動増幅器で一対の信号線を
逆方向に駆動する電流駆動方式がある(特開昭59−4
7698号)。一方、論理LSI間の信号伝送方式とし
ては、一般にMOSLSIでは電圧駆動方式が、またバ
イポーラLSIで電流駆動方式が適用されており、いず
れもピン数を節約するため伝送される信号はシングルエ
ンド(差動信号ではない)とされていた。例えば、EC
LゲートやNTLゲートを基本論理ゲートとするゲート
アレイのようなECL系論理LSI間で信号を伝送する
方式としては、図3に示すように、差動回路(カレント
スイッチ)CSによって駆動されるエミッタフォロワの
抵抗Rfを外付け抵抗とし、これを受信側LSIの近傍
に線路の特性インピーダンスに整合された終端抵抗とし
て接続して送信側の出力トランジスタQoで電流駆動す
る方式が使用されていた(特願昭63−81645号)
[Prior Art] Conventionally, as a method for transmitting signals from one circuit to another in an LSI, for example, an internal bus method has been used, in which the potential of a signal line is changed to high and low levels, and a threshold voltage is applied on the receiving side. In comparison, there is a voltage drive method that detects the signal level, and a current drive method that uses a differential amplifier to drive a pair of signal lines in opposite directions.
No. 7698). On the other hand, as a signal transmission method between logic LSIs, MOSLSI generally uses a voltage drive method, and bipolar LSIs use a current drive method. In both cases, the signals transmitted are single-ended (differential) in order to save the number of pins. (not a moving signal). For example, E.C.
As shown in Figure 3, as a method for transmitting signals between ECL logic LSIs such as gate arrays whose basic logic gates are L gates and NTL gates, an emitter driven by a differential circuit (current switch) CS is used. A method was used in which the follower resistor Rf was an external resistor, connected near the receiving LSI as a terminating resistor matched to the characteristic impedance of the line, and current-driven by the output transistor Qo on the transmitting side. (Gan Sho 63-81645)
.

【0003】0003

【発明が解決しようとする課題】上記従来の電流駆動方
式の信号伝送においては、次のような欠点があることが
本発明者によって明らかにされた。すなわち、(1)出
力回路に論理しきい値としての基準電位(Vbb)を必
要とするため、電源電圧Veeを−3Vから−2Vのよ
うに高くして信号を低振幅化して高速化を図ろうとする
と、電源電圧の変動等による基準電圧のわずかな変動、
バラツキによって動作マージンが劣化してしまう。 (2)出力信号がシングルエンドであるため、ノイズマ
ージンが低い。しかも、これを防止するには出力信号の
振幅を大きくしなければならないが、信号の大振幅化に
よってLSIの消費電力が増大し、かつ信号伝達速度が
遅くなってしまう。 (3)終端抵抗がLSIの外付け抵抗となるため、ワン
チップ化が阻害され、プリント基板等への実装密度が低
下する。 (4)パッケージに設けられた外部ピンの抵抗が大きい
と、伝送信号が電位ドロップを起こす。 というものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have discovered that the conventional current-driven signal transmission described above has the following drawbacks. That is, (1) since the output circuit requires a reference potential (Vbb) as a logic threshold, the power supply voltage Vee is increased from -3V to -2V to lower the amplitude of the signal and increase speed. If you try to
The operating margin deteriorates due to variations. (2) Since the output signal is single-ended, the noise margin is low. Furthermore, in order to prevent this, the amplitude of the output signal must be increased, but increasing the amplitude of the signal increases the power consumption of the LSI and slows down the signal transmission speed. (3) Since the terminating resistor becomes an external resistor of the LSI, integration into a single chip is hindered, and the packaging density on a printed circuit board etc. is reduced. (4) If the resistance of the external pin provided on the package is large, a potential drop will occur in the transmission signal. That is what it is.

【0004】本発明の目的は、ECL系論理LSI間の
信号伝送を差動信号を用いて行なうシステムにおいて、
信号伝送に伴うマージンを向上させることにある。本発
明の他の目的は、ECL系論理LSI間の信号伝送を差
動信号を用いて行なうシステムにおいて、LSIの低消
費電力化および高速化を図ることにある。
An object of the present invention is to provide a system in which signal transmission between ECL logic LSIs is performed using differential signals.
The objective is to improve the margin associated with signal transmission. Another object of the present invention is to reduce the power consumption and increase the speed of LSIs in a system in which signal transmission between ECL logic LSIs is performed using differential signals.

【0005】本発明の他の目的は、ECL系論理LSI
間の信号伝送を差動信号を用いて行なうシステムにおい
て、システムを構成するLSIのワンチップ化を容易に
することにある。本発明の他の目的は、ECL系論理L
SI間の信号伝送を差動信号を用いて行なうシステムに
おいて、伝送される信号の電位ドロップを防止すること
にある。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規
な特徴については、本明細書の記述および添附図面から
明らかになるであろう。
Another object of the present invention is to provide an ECL-based logic LSI.
The object of the present invention is to facilitate the integration of LSIs constituting the system into one chip in a system in which differential signals are used for signal transmission between the systems. Another object of the present invention is to
The purpose of this invention is to prevent potential drops in transmitted signals in a system in which signal transmission between SIs is performed using differential signals. The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、ECL系論理LSIの出力回路
の最終出力段を、エミッタ共通接続された一対の差動ト
ランジスタを含む差動回路で構成し、差動トランジスタ
対の各コレクタ端子をそれぞれ外部出力端子に接続して
差動形式で出力させるようにしたものである。
[Means for Solving the Problems] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows. In other words, the final output stage of the output circuit of an ECL logic LSI is configured with a differential circuit including a pair of differential transistors whose emitters are commonly connected, and each collector terminal of the differential transistor pair is connected to an external output terminal. It is designed to output in differential format.

【0007】[0007]

【作用】上記手段によれば、差動信号で出力するため、
電源電圧の変動等による基準電圧のわずかな変動、バラ
ツキによって入出力回路の動作マージンが劣化すること
がないとともに、耐雑音性にすぐれ、低振幅化が可能で
ある。また、電流駆動でなくコレクタ端子からの電圧駆
動となるため、チップ内に終端抵抗を設ける必要がなく
なってワンチップ化が容易となるとともに、伝送線路に
流される電流は極めて小さくなり出力ピンに抵抗があっ
ても電位ドロップをほとんど起こすことがなく、出力信
号レベルの安定化を図ることができる。
[Operation] According to the above means, since differential signals are output,
The operating margin of the input/output circuit does not deteriorate due to slight fluctuations or variations in the reference voltage due to fluctuations in the power supply voltage, etc., and it has excellent noise resistance and can reduce amplitude. In addition, since it is driven by voltage from the collector terminal instead of current drive, there is no need to provide a termination resistor within the chip, making it easier to integrate into a single chip. Even if there is a difference, there is almost no potential drop, and the output signal level can be stabilized.

【0008】[0008]

【実施例】図1には、本発明を適用した伝送回路の一実
施例が示されている。この実施例の伝送回路は、プリン
ト基板等に搭載された2つの論理LSI1,2間をツイ
ステッドペア線等からなる伝送線路3a,3bによって
接続した構成として示されている。送信側のLSI1内
に設けられた出力回路10は、電源電圧Vcc−Vee
間にコレクタ抵抗RcとトランジスタQiおよびエミッ
タ抵抗Reが直列接続されてなるNTL回路(ノンスレ
ッショールド・ロジック回路)の入力段と同一のインバ
ータ回路11と、エミッタ共通接続された一対の差動ト
ランジスタQ1,Q2と、この差動トランジスタQ1,
Q2の共通エミッタ端子に接続された定電流源CCと、
上記差動トランジスタQ1,Q2のコレクタ側に接続さ
れた抵抗Rc1,Rc2とからなる差動回路12とによ
って構成され、上記差動トランジスタQ1,Q2のコレ
クタ端子がLSIの信号出力端子Ta,Tbに接続され
ている。この実施例では、上記インバータ回路11のノ
ードN1の電位が上記差動回路11の一方のトランジス
タQ1のベース端子に、またインバータ回路11の入力
信号Vinがそのまま他方のトランジスタQ2ベース端
子に印加されている。なお、図1において、インバータ
回路11のエミッタ抵抗Reと並列に接続されているコ
ンデンサCsはスピードアップ用のものであり、省略す
ることが可能である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an embodiment of a transmission circuit to which the present invention is applied. The transmission circuit of this embodiment is shown as having a configuration in which two logic LSIs 1 and 2 mounted on a printed circuit board or the like are connected by transmission lines 3a and 3b made of twisted pair wires or the like. The output circuit 10 provided in the LSI 1 on the transmitting side has a power supply voltage Vcc-Vee.
An inverter circuit 11, which is the same as the input stage of an NTL circuit (non-threshold logic circuit) in which a collector resistor Rc, a transistor Qi, and an emitter resistor Re are connected in series, and a pair of differential transistors whose emitters are commonly connected. Q1, Q2 and this differential transistor Q1,
a constant current source CC connected to the common emitter terminal of Q2;
It is constituted by a differential circuit 12 consisting of resistors Rc1 and Rc2 connected to the collector sides of the differential transistors Q1 and Q2, and the collector terminals of the differential transistors Q1 and Q2 are connected to the signal output terminals Ta and Tb of the LSI. It is connected. In this embodiment, the potential of the node N1 of the inverter circuit 11 is applied to the base terminal of one transistor Q1 of the differential circuit 11, and the input signal Vin of the inverter circuit 11 is directly applied to the base terminal of the other transistor Q2. There is. Note that in FIG. 1, the capacitor Cs connected in parallel with the emitter resistor Re of the inverter circuit 11 is for speeding up, and can be omitted.

【0009】上記出力端子Ta,Tbには、伝送線路l
a,lbを介して受信側のLSIの入力端子Tc,Td
が接続されている。また、入力端子Tc,Tdには、公
知のECLゲート回路と同一形式の回路からなる入力回
路20が接続されている。なお、図1において、符号r
1,r2,r3,r4で示されているのは、パッケージ
の外部出力ピンの持つ抵抗値である。
[0009] The output terminals Ta and Tb are connected to a transmission line l.
input terminals Tc and Td of the LSI on the receiving side via a and lb.
is connected. Further, an input circuit 20 consisting of a circuit of the same type as a known ECL gate circuit is connected to the input terminals Tc and Td. In addition, in FIG. 1, the symbol r
1, r2, r3, and r4 are the resistance values of the external output pins of the package.

【0010】上記出力回路11から送信される出力信号
Va,Vbのレベルは上記差動回路12の定電流源CC
の電流値とコレクタ抵抗Rc1,Rc2の値とによって
決まる。この実施例では、コレクタ抵抗Rc1,Rc2
の抵抗値は50Ω程度のかなり低い値に、また定電流源
CCの電流値は例えば4mAに設定され、200mVの
低振幅の信号Va,Vbが出力される。また、特に制限
されるものでないが、この実施例では、出力信号Va,
Vbの低振幅化に伴って差動回路12の電源電圧Vee
が、インバータ回路11の電源電圧Veeと同一の−2
Vの電圧とされている。従って、この実施例の出力回路
10の消費電力は、8mWと極めて少なくなる。
The levels of the output signals Va and Vb transmitted from the output circuit 11 are determined by the constant current source CC of the differential circuit 12.
It is determined by the current value of and the values of collector resistors Rc1 and Rc2. In this embodiment, collector resistors Rc1, Rc2
The resistance value of the constant current source CC is set to a fairly low value of about 50Ω, and the current value of the constant current source CC is set to, for example, 4 mA, and low amplitude signals Va and Vb of 200 mV are output. Although not particularly limited, in this embodiment, the output signals Va,
As the amplitude of Vb decreases, the power supply voltage Vee of the differential circuit 12 decreases.
is −2, which is the same as the power supply voltage Vee of the inverter circuit 11.
It is assumed that the voltage is V. Therefore, the power consumption of the output circuit 10 of this embodiment is extremely low at 8 mW.

【0011】なお、上記実施例では出力回路10の入力
段をNTL回路の入力段と同一のインバータ回路11で
構成しているが、インバータ回路の代わりに、通常のエ
ミッタフォロワ付きのNTLゲート回路や図2に示すよ
うなSPL回路を用いても良い。図2の回路は、通常の
NTL回路のエミッタフォロワの代わりにプルアップ用
トランジスタとプルダウン用トランジスタとからなるプ
ッシュプル回路を用い、これにいわゆるアクティブプル
ダウン回路を付加して出力のハイレベルからロウレベル
へのスイッチング速度を高速化させたものである。
[0011] In the above embodiment, the input stage of the output circuit 10 is composed of the same inverter circuit 11 as the input stage of the NTL circuit, but instead of the inverter circuit, an ordinary NTL gate circuit with an emitter follower or an ordinary NTL gate circuit with an emitter follower is used. An SPL circuit as shown in FIG. 2 may also be used. The circuit in Figure 2 uses a push-pull circuit consisting of a pull-up transistor and a pull-down transistor instead of the emitter follower of a normal NTL circuit, and adds a so-called active pull-down circuit to change the output from high level to low level. The switching speed has been increased.

【0012】すなわち、NTL回路の出力段を構成する
エミッタフォロワ・トランジスタQ21のエミッタ端子
と電源電圧端子Vtt間のエミッタ抵抗の代わりに、プ
ルダウン用トランジスタQ22を接続するとともに、入
力段11を構成するトランジスタQiのエミッタ端子に
CR微分回路(Rd,Cd)を接続してノードN1のレ
ベルの変化を検出し、出力の立下り時に微分回路の出力
でプルダウン用トランジスタQ22を一時的にオンさせ
ることでロウレベルへの変化を高速化させたものである
。このような高速回路を使用することにより、次段の差
動回路12の駆動に必要な相補信号を容易に得ることが
できる。なお、図2において、CR微分回路を構成する
抵抗Rdと直列に接続されそのベース端子に定電圧Vb
1が印加されたトランジスタQ31は、出力トランジス
タQ22のバイアス点を与えるため設けられたトランジ
スタである。
That is, in place of the emitter resistor between the emitter terminal of the emitter follower transistor Q21 constituting the output stage of the NTL circuit and the power supply voltage terminal Vtt, a pull-down transistor Q22 is connected, and a transistor constituting the input stage 11 is connected. A CR differentiator circuit (Rd, Cd) is connected to the emitter terminal of Qi to detect a change in the level of node N1, and when the output falls, the output of the differentiator circuit temporarily turns on the pull-down transistor Q22 to set the low level. This speeds up the changes to . By using such a high-speed circuit, complementary signals necessary for driving the next-stage differential circuit 12 can be easily obtained. In addition, in FIG. 2, a constant voltage Vb is connected in series with the resistor Rd constituting the CR differential circuit, and a constant voltage Vb is connected to its base terminal.
The transistor Q31 to which 1 is applied is a transistor provided to provide a bias point for the output transistor Q22.

【0013】以上説明したように、上記実施例は、EC
L系論理LSIの出力回路の最終出力段を、エミッタ共
通接続された一対の差動トランジスタと該差動トランジ
スタのコレクタ端子に接続された抵抗と、上記差動トラ
ンジスタの共通エミッタ端子に接続された定電流源とか
らなる差動回路で構成し、差動トランジスタ対の各コレ
クタ端子をそれぞれ外部出力端子に接続して差動形式で
出力させるようにしたので、電源電圧の変動等によって
出力回路の動作マージンが劣化することがないとともに
、耐雑音性にすぐれているため、低振幅化が可能である
。また、低振幅であるため、システム全体の低消費電力
を低減させることができる。さらに、電流駆動でなくコ
レクタ端子からの電圧駆動となるため、チップ内に終端
抵抗を設ける必要がなくなってワンチップ化が容易とな
るとともに、伝送線路に流される電流は極めて小さくな
り出力ピンに抵抗があっても電位ドロップをほとんど起
こすことがなく、出力信号レベルの安定化を図ることが
できるという効果がある。
As explained above, the above embodiment is an EC
The final output stage of the output circuit of the L-based logic LSI is formed by a pair of differential transistors whose emitters are commonly connected, a resistor connected to the collector terminal of the differential transistor, and a resistor connected to the common emitter terminal of the differential transistors. It is configured with a differential circuit consisting of a constant current source, and each collector terminal of the differential transistor pair is connected to an external output terminal to output in a differential format. Since the operating margin does not deteriorate and the noise resistance is excellent, it is possible to reduce the amplitude. Furthermore, since the amplitude is low, the power consumption of the entire system can be reduced. Furthermore, since it is driven by voltage from the collector terminal rather than by current, there is no need to provide a termination resistor within the chip, making it easier to integrate into a single chip. Even if there is a voltage drop, there is almost no potential drop, and the output signal level can be stabilized.

【0014】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上
記実施例では、出力回路10の入力段をNTL回路の入
力段と同一形式のインバータ回路もしくは通常のエミッ
タフォロワ付きのNTLゲート回路や図2に示すような
SPL回路で構成するとしているが、これらの代わりに
ECLゲートを用いることも可能である。
[0014] The invention made by the present inventor has been specifically explained based on examples, but the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Needless to say. For example, in the above embodiment, the input stage of the output circuit 10 is configured with an inverter circuit of the same type as the input stage of the NTL circuit, an ordinary NTL gate circuit with an emitter follower, or an SPL circuit as shown in FIG. , it is also possible to use ECL gates instead of these.

【0015】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である論理L
SI間の信号伝送に適用した場合について説明したが、
この発明はそれに限定されるものでなく、ウェーハスケ
ールのLSIにおけるチップ間の信号伝送に利用するこ
とができる。
[0015] In the above explanation, the invention made by the present inventor will be mainly explained in relation to the logic L
Although we have explained the case where it is applied to signal transmission between SIs,
The present invention is not limited thereto, but can be used for signal transmission between chips in wafer scale LSI.

【0016】[0016]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、ECL系論理LSI間の信
号伝送を差動信号を用いて行なうシステムにおいて、信
号伝送に伴うマージンを向上させ、システムの低消費電
力化および高速化を図ることができるとともに、LSI
のワンチップ化が容易となり、かつ伝送される信号の電
位ドロップを防止することができる。
Effects of the Invention The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are briefly explained below. In other words, in a system that uses differential signals to transmit signals between ECL logic LSIs, it is possible to improve the margin associated with signal transmission, reduce power consumption and speed up the system, and
can be easily integrated into one chip, and potential drops in transmitted signals can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明に係る半導体集積回路を用いた信号伝送
回路の一実施例を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a signal transmission circuit using a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図2】信号出力回路の入力段の他の実施例を示す回路
図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the input stage of the signal output circuit.

【図3】従来の電流駆動方式の信号伝送回路の一例を示
す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional current-driven signal transmission circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  送信側LSI 2  受信側LSI 3a,3b  伝送線路 10  出力回路 12  最終出力段 20  入力回路 Q1,Q2  差動トランジスタ CC  定電流源 1 Transmitting side LSI 2 Receiving side LSI 3a, 3b Transmission line 10 Output circuit 12 Final output stage 20 Input circuit Q1, Q2 Differential transistor CC constant current source

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  外部へ信号を送信する出力回路の最終
出力段を、エミッタ共通接続された一対の差動トランジ
スタと、この差動トランジスタのコレクタ端子に接続さ
れた抵抗と、上記差動トランジスタ対の共通エミッタ端
子に接続された定電流源とを含む差動回路によって構成
し、上記差動トランジスタ対の各コレクタ端子をそれぞ
れ外部出力端子に接続して差動形式の信号を出力可能に
したことを特徴とする半導体集積回路。
Claim 1: The final output stage of an output circuit that transmits a signal to the outside is composed of a pair of differential transistors whose emitters are commonly connected, a resistor connected to the collector terminal of the differential transistor, and the pair of differential transistors. and a constant current source connected to the common emitter terminal of the differential transistor pair, and each collector terminal of the differential transistor pair is connected to an external output terminal to output a differential format signal. A semiconductor integrated circuit characterized by:
【請求項2】  上記最終出力段の前段には、ベース入
力のトランジスタとそのコレクタ抵抗およびエミッタ抵
抗とからなるインバータ回路が入力段として設けられて
いることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein an inverter circuit comprising a base input transistor, its collector resistor, and its emitter resistor is provided as an input stage before the final output stage. circuit.
【請求項3】  上記最終出力段の前段には、ベース入
力のトランジスタとそのコレクタ抵抗およびエミッタ抵
抗とからなるインバータ回路と、プルアップトランジス
タとプルダウントランジスタとを含むプッシュプル回路
および上記インバータ回路内のレベルの変化を検出して
上記プッシュプル回路のプルダウン側トランジスタを駆
動するレベル検出手段とからなる回路が、入力段として
設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体
集積回路。
3. A stage preceding the final output stage includes an inverter circuit including a base input transistor and its collector resistance and emitter resistance, a push-pull circuit including a pull-up transistor and a pull-down transistor, and a push-pull circuit in the inverter circuit. 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a circuit comprising level detection means for detecting a change in level and driving a pull-down side transistor of said push-pull circuit as an input stage.
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