JPH04292497A - Method and device for forming diamond film - Google Patents
Method and device for forming diamond filmInfo
- Publication number
- JPH04292497A JPH04292497A JP5246791A JP5246791A JPH04292497A JP H04292497 A JPH04292497 A JP H04292497A JP 5246791 A JP5246791 A JP 5246791A JP 5246791 A JP5246791 A JP 5246791A JP H04292497 A JPH04292497 A JP H04292497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond film
- substrate
- diamond
- gas
- torch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 13
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 6
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000010180 surface X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、気相合成を用いたダイ
ヤモンド被覆の形成方法及びその形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for forming a diamond coating using vapor phase synthesis.
【0002】0002
【従来の技術】ダイヤモンドは、ビッカース硬度が10
000で、地球上で最も硬い材料である。また、ヤング
率も高く、耐磨耗性、化学的安定性にも優れている。こ
れらの優れた性質を有するダイヤモンドは、いわゆる高
度先端技術産業に用いられる優れた工具用材料として、
必要不可欠な存在である。さらに、気相合成によるダイ
ヤモンド膜として、耐磨耗性コーティング、スピーカの
振動板、光学部品の透明コーティング等への応用も期待
されている。[Prior art] Diamond has a Vickers hardness of 10.
000, making it the hardest material on earth. It also has a high Young's modulus and is excellent in abrasion resistance and chemical stability. Diamond, which has these excellent properties, is an excellent material for tools used in so-called high-tech industries.
It is an essential existence. Furthermore, as a diamond film produced by vapor phase synthesis, it is expected to be applied to wear-resistant coatings, speaker diaphragms, transparent coatings for optical components, etc.
【0003】しかしながら、気相合成により形成される
ダイヤモンド膜は、その密着力が極めて弱いため、上記
応用分野の製品に十分な応用ができないという問題点を
有している。ダイヤモンドの核発生密度を増加させたり
、炭化物等の中間層を設けたりして、密着性の改善を図
ろうとする試みがなされているが、十分な成果は得られ
ていなかった。[0003] However, diamond films formed by vapor phase synthesis have a problem in that their adhesion is extremely weak, so that they cannot be sufficiently applied to products in the above application fields. Attempts have been made to improve adhesion by increasing the nucleation density of diamond or by providing an intermediate layer such as carbide, but no satisfactory results have been obtained.
【0004】本願発明者達は、ダイヤモンドの高速気相
合成法であるDCプラズマジェットCVD法(特開昭6
4−33096号)を発展させ、DCプラズマジェット
CVD法によるダイヤモンド合成時に、プラズマ中に金
属やセラミックスの粉末を供給して、ダイヤモンドを含
む溶射膜を形成させる方法を発明しており(特開平2−
22741号)、この方法で溶射膜とダイヤモンド膜の
間に溶射材とダイヤモンドからなる中間層を形成するこ
とにより、高い密着力を得ることに成功している。The inventors of the present application have developed the DC plasma jet CVD method (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 1983-1993), which is a high-speed vapor phase synthesis method for diamond.
4-33096), and invented a method to form a sprayed film containing diamond by supplying metal or ceramic powder into the plasma during diamond synthesis using the DC plasma jet CVD method (Japanese Patent Application Laid-Open No. −
No. 22741), this method has succeeded in obtaining high adhesion by forming an intermediate layer made of a thermal spray material and diamond between the thermal spray coating and the diamond coating.
【0005】図5に従来のダイヤモンド膜形成装置を示
す。DC電源104の陰極に接続されたカソード102
の周囲に、DC電源104の陽極に接続されたアノード
101が形成され、カソード102及びアノード101
間にダイヤモンド合成用ガス103が流れる流路が形成
されている。アノード101の外周囲に粉末供給ノズル
105が形成され、アノード101及び粉末供給ノズル
105間に、金属やセラミックスの粉末を含むキャリア
ガス106が流れる流路が形成されている。FIG. 5 shows a conventional diamond film forming apparatus. Cathode 102 connected to the cathode of DC power supply 104
An anode 101 connected to the anode of a DC power source 104 is formed around the cathode 102 and an anode 101.
A flow path through which diamond synthesis gas 103 flows is formed between them. A powder supply nozzle 105 is formed around the outer periphery of the anode 101, and a flow path is formed between the anode 101 and the powder supply nozzle 105 through which a carrier gas 106 containing metal or ceramic powder flows.
【0006】この装置において、ダイヤモンド合成用ガ
ス103及び粉末を含むキャリアガス106は粉末供給
ノズル105出口で混合され、プラズマジェット110
となって高速に基板107に照射される。照射の初期段
階はダイヤモンド合成用ガス103及び粉末を含むキャ
リアガス106の混合割合を高めることにより溶射膜1
08を形成し、徐々に混合比を低下させ、ダイヤモンド
合成用ガス103の比率を高めることによりダイヤモン
ド膜109を形成する。In this apparatus, a diamond synthesis gas 103 and a carrier gas 106 containing powder are mixed at the outlet of a powder supply nozzle 105, and a plasma jet 110
As a result, the substrate 107 is irradiated at high speed. In the initial stage of irradiation, the sprayed film 1 is formed by increasing the mixing ratio of the diamond synthesis gas 103 and the carrier gas 106 containing powder.
A diamond film 109 is formed by gradually lowering the mixing ratio and increasing the ratio of the diamond synthesis gas 103.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】この方法は、溶射膜1
08とダイヤモンド膜109の間に溶射材とダイヤモン
ドからなる中間層が形成され、密着性の高いダイヤモン
ド膜を連続に、しかも高速に形成できる優れた方法であ
るが、DCアーク放電を利用しているため、アノード1
01及びカソード102の電極材料が、ダイヤモンド膜
109中に不純物として混入してしまうという問題があ
る。[Problems to be Solved by the Invention] This method is based on the thermal spray coating 1
An intermediate layer made of thermal spray material and diamond is formed between the diamond film 109 and the diamond film 109, and it is an excellent method that can form a diamond film with high adhesion continuously and at high speed, but it uses DC arc discharge. Therefore, anode 1
There is a problem in that the electrode materials of 01 and the cathode 102 are mixed into the diamond film 109 as impurities.
【0008】本発明の目的は、不純物が混入することな
く、高純度、高品質で密着性のよいダイヤモンド膜を高
速で形成することができるダイヤモンド膜形成方法及び
その形成装置を提供することにある。[0008] An object of the present invention is to provide a method and apparatus for forming a diamond film that can form a diamond film of high purity, high quality, and good adhesion at high speed without contamination with impurities. .
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の原理を説明する
。本発明は、燃焼炎を利用したダイヤモンド合成法を基
本的に利用する。燃焼を利用したダイヤモンド合成は、
広瀬らにより開発されたもので(NEW DIAMON
D,No.10,p.34(1988))、アセチレン
と酸素の燃焼炎の内炎に水冷された基板を置くことによ
り、基板上面にダイヤモンド膜を成長させる方法である
。[Means for Solving the Problems] The principle of the present invention will be explained. The present invention basically utilizes a diamond synthesis method using combustion flame. Diamond synthesis using combustion
It was developed by Hirose et al. (NEW DIAMON
D.No. 10, p. 34 (1988)), is a method of growing a diamond film on the upper surface of a substrate by placing a water-cooled substrate in the inner flame of a combustion flame of acetylene and oxygen.
【0010】本願発明者達は、この従来の方法に改良を
加え、加圧燃焼により発生させた高速のガスフレームを
基板に照射してダイヤモンドを合成する方法(特願平2
−1367号)、さらに、トーチ内の燃焼室で燃焼反応
を起こし、発生した高温高圧の燃焼ガスをノズルより噴
出させて基板に照射してダイヤモンドを合成する方法(
特願平2−402541号;平成2年12月15日出願
)を開発している。The inventors of the present invention have improved this conventional method, and have developed a method (Japanese Patent Application No. 2003-20002) of synthesizing diamond by irradiating a substrate with a high-speed gas flame generated by pressurized combustion.
-1367), and a method of synthesizing diamond by causing a combustion reaction in the combustion chamber in the torch, ejecting the generated high-temperature, high-pressure combustion gas from a nozzle and irradiating it onto the substrate (
Japanese Patent Application No. 2-402541; filed on December 15, 1990).
【0011】本発明は、これらの方法でダイヤモンドを
合成させながら、フレームに金属或いはセラミックスの
粉末または線材を供給し、これらを溶射させることによ
り、ダイヤモンドと溶射材との混合層を形成することを
特徴とする。図1に、本発明の基本原理である燃焼炎を
利用してダイヤモンド合成と溶射を行う装置を示す。[0011] The present invention is capable of forming a mixed layer of diamond and thermal spraying material by supplying metal or ceramic powder or wire to the frame and thermally spraying them while synthesizing diamond using these methods. Features. FIG. 1 shows an apparatus that performs diamond synthesis and thermal spraying using combustion flame, which is the basic principle of the present invention.
【0012】トーチ111内に燃料ガス112、酸素ガ
ス113、そして金属やセラミックスの粉末を含むキャ
リアガス(パウダガス)114を流すための流路が形成
されている。上記ガスは、トーチ111先端で混合され
、加速されてフレーム115として、基板118に照射
される。[0012] A flow path is formed in the torch 111 for flowing a fuel gas 112, an oxygen gas 113, and a carrier gas (powder gas) 114 containing metal or ceramic powder. The above gases are mixed at the tip of the torch 111, accelerated, and irradiated onto the substrate 118 as a frame 115.
【0013】このとき、パウダガス114の混合比を徐
々に低下させることにより、基板118上に溶射膜11
7が形成され、次に溶射材とダイヤモンドからなる中間
層が形成され、その上にダイヤモンド膜116が形成さ
れる。密着力が極めて高いダイヤモンド膜を得るには、
溶射材を基板118と同一材料とし、基板118側から
ダイヤモンド膜116表面に向けて、溶射材からダイヤ
モンドに連続的に組成が変化するような膜構造とする(
傾斜機能材料)とよい。At this time, by gradually lowering the mixing ratio of the powder gas 114, the sprayed film 11 is formed on the substrate 118.
7 is formed, then an intermediate layer of thermal spray material and diamond is formed, and a diamond film 116 is formed thereon. To obtain a diamond film with extremely high adhesion,
The thermal spraying material is made of the same material as the substrate 118, and the film structure is such that the composition changes continuously from the thermal spraying material to diamond from the substrate 118 side toward the surface of the diamond film 116.
Functionally graded materials).
【0014】燃料ガス112としては、炭素化合物ガス
、または炭素化合物ガスと水素の混合ガスを主成分とす
るガスを用いる。しかし、速い製膜速度でダイヤモンド
膜を合成しようとすれば、高い燃焼温度が得られるガス
を用いる必要があり、例えばアセチレン、プロパン(C
3 H8 )、プロピレン(C3 H6 )、マップ(
C3 H4 )、水素と炭化水素ガスの混合ガス等が最
も適している。As the fuel gas 112, a gas whose main component is a carbon compound gas or a mixed gas of a carbon compound gas and hydrogen is used. However, in order to synthesize a diamond film at a high film formation rate, it is necessary to use a gas that can obtain a high combustion temperature, such as acetylene, propane (C
3 H8 ), propylene (C3 H6 ), map (
C3 H4), a mixed gas of hydrogen and hydrocarbon gas, etc. are most suitable.
【0015】この方法でダイヤモンド膜を合成するには
、フレーム115が還元性で炭素リッチである必要があ
る。つまり、燃料ガス112と酸素ガス113の組成が
、炭素原子数が酸素原子数より多くなくてはならない。
ダイヤモンド膜合成時の基板118表面温度は500〜
1200℃でなくてはならない。この温度範囲より高い
とグラファイトが生じ易く、低いと非晶質になりやすい
からである。[0015] To synthesize a diamond film using this method, the frame 115 needs to be reducible and carbon-rich. In other words, the compositions of the fuel gas 112 and the oxygen gas 113 must have more carbon atoms than oxygen atoms. The surface temperature of the substrate 118 during diamond film synthesis is 500~
Must be 1200℃. This is because if the temperature is higher than this range, graphite tends to form, and if it is lower than this range, it tends to become amorphous.
【0016】また、ダイヤモンド膜の合成は大気圧下で
も可能だが、減圧下で合成させれば窒素の混合を防止す
ることができ、速い製膜速度が得られ、さらに溶射膜1
17の密度を高くすることができる。[0016]Although it is possible to synthesize a diamond film under atmospheric pressure, if it is synthesized under reduced pressure, mixing of nitrogen can be prevented, a high film forming rate can be obtained, and furthermore, the thermal sprayed film 1
17 can be increased in density.
【0017】[0017]
【作用】本発明によれば、不純物が混入することなく、
高純度、高品質で密着性のよいダイヤモンド膜を高速で
形成することができる。[Operation] According to the present invention, without contamination with impurities,
A diamond film of high purity, high quality, and good adhesion can be formed at high speed.
【0018】[0018]
【実施例】本発明の第1の実施例によるダイヤモンド膜
形成方法及びその形成装置を図2を用いて説明する。本
実施例によるダイヤモンド膜形成装置について説明する
。寸法が20×20×5mmの超硬合金(WC−12%
Co)製基板124が、水冷基板ホルダ125A上に固
定されている。基板124の上方に、マニピュレータ1
26端部に支持され、移動可能なトーチ119が設けら
れている。トーチ119内に、アセチレンの燃料ガス1
20、酸素ガス121、及びパウダガス122を流すた
めの流路が形成されている。トーチ119内で燃焼した
これらのガスは、トーチ119先端の噴出ノズルからフ
レーム123となって、基板124表面を照射すること
ができる。Embodiment A method and apparatus for forming a diamond film according to a first embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. A diamond film forming apparatus according to this embodiment will be explained. Cemented carbide (WC-12%) with dimensions 20 x 20 x 5 mm
A substrate 124 made of Co., Ltd.) is fixed on a water-cooled substrate holder 125A. Above the substrate 124, the manipulator 1
A movable torch 119 is supported at the end of the torch 119. Inside the torch 119, acetylene fuel gas 1
20, a flow path for flowing oxygen gas 121, and powder gas 122 is formed. These gases combusted within the torch 119 form a flame 123 from a jet nozzle at the tip of the torch 119, and can irradiate the surface of the substrate 124.
【0019】次に、本実施例によるダイヤモンド膜形成
方法について説明する。トーチ119内のガス流路に、
燃料ガス120としてアセチレンを20l/min、酸
素ガス121を20l/minの割合で流しつつ点火し
、フレーム123を基板124表面に照射する。基板1
24の表面温度が1000℃になるまでトーチ119を
基板124に近づける。Next, a method for forming a diamond film according to this embodiment will be explained. In the gas flow path in the torch 119,
The fuel gas 120 is ignited while flowing acetylene at a rate of 20 l/min and oxygen gas 121 at a rate of 20 l/min, and the flame 123 is irradiated onto the surface of the substrate 124. Board 1
The torch 119 is brought close to the substrate 124 until the surface temperature of the torch 24 reaches 1000°C.
【0020】基板124の基板材料と同一材料のWC−
12%Coの粉末を窒素キャリアガスと共にパウダガス
122としてトーチ119内の流路から供給して10分
間の溶射を行い、溶射膜を形成する。次に、30分間で
、パウダガス122をゼロ流量にまで徐々に減少させる
と共に、酸素ガス121の流量を20l/minから1
7l/minにまで減少させて、混合層を形成する。WC- made of the same material as the substrate material of the substrate 124
A 12% Co powder is supplied as powder gas 122 together with a nitrogen carrier gas from a flow path in the torch 119, and thermal spraying is performed for 10 minutes to form a thermal sprayed film. Next, for 30 minutes, the powder gas 122 is gradually reduced to zero flow rate, and the flow rate of oxygen gas 121 is decreased from 20 l/min to 1
The rate is reduced to 7 l/min to form a mixed layer.
【0021】次に、パウダガス122の供給を停止し、
酸素ガス121の流量は17l/minの条件で、フレ
ーム123を基板124表面に1時間照射して、ダイヤ
モンド膜を形成する。基板124表面に形成されたダイ
ヤモンド被膜(溶射膜、混合層、及びダイヤモンド膜)
125をSEM、X線回折、EPMA、SIMSで分析
すると共に、引っ張り試験により密着力を調べた。Next, the supply of powder gas 122 is stopped, and
A diamond film is formed by irradiating the surface of the substrate 124 with the frame 123 for one hour under the condition that the flow rate of the oxygen gas 121 is 17 l/min. Diamond coating formed on the surface of the substrate 124 (sprayed coating, mixed layer, and diamond coating)
125 was analyzed by SEM, X-ray diffraction, EPMA, and SIMS, and the adhesion was examined by a tensile test.
【0022】断面のSEM観察から、ダイヤモンド被膜
125の厚さは約150μmであり、EPMAの分析か
ら、溶射膜が約50μm、溶射材とダイヤモンドの混合
層が約50μm、ダイヤモンド膜が約50μmであった
。表面のX線回折ではダイヤモンドだけが検出され、断
面のX線回折からはダイヤモンド、WC、及びCoが検
出され、グラファイトは全く検出されなかった。From the SEM observation of the cross section, the thickness of the diamond coating 125 is about 150 μm, and from the EPMA analysis, the thickness of the sprayed film is about 50 μm, the mixed layer of sprayed material and diamond is about 50 μm, and the diamond film is about 50 μm. Ta. Only diamond was detected in the surface X-ray diffraction, diamond, WC, and Co were detected in the cross-sectional X-ray diffraction, and no graphite was detected at all.
【0023】ダイヤモンド膜のSIMS分析では、Cと
微少量のN、及び検出限界に近いレベルでOとHが検出
された。密着力は、引っ張り試験の測定限界である15
0kg/cm2 を越える値が得られた。従来のDCア
ークプラズマ法では、形成されたダイヤモンド膜中に電
極材のW、及びCuが混入してしまうが、本実施例のダ
イヤモンド膜形成方法及びその形成装置発明によれば、
高純度のダイヤモンド膜を得ることができる。また、優
れた密着力を有するダイヤモンド膜を得ることができる
。SIMS analysis of the diamond film detected C, a small amount of N, and O and H at levels close to the detection limit. The adhesion strength is 15, which is the measurement limit of the tensile test.
A value exceeding 0 kg/cm2 was obtained. In the conventional DC arc plasma method, the electrode materials W and Cu are mixed into the formed diamond film, but according to the invention of the diamond film forming method and its forming apparatus of this embodiment,
A highly pure diamond film can be obtained. Further, a diamond film having excellent adhesion can be obtained.
【0024】本発明の第2の実施例によるダイヤモンド
膜形成方法及びその形成装置を図3を用いて説明する。
本実施例は、排気系を伴う減圧チャンバ内で、減圧雰囲
気下でダイヤモンド被膜の形成を行うことを特徴として
いる。本実施例によるダイヤモンド膜形成装置について
説明する。A method and apparatus for forming a diamond film according to a second embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. This example is characterized in that the diamond coating is formed in a reduced pressure atmosphere in a reduced pressure chamber with an exhaust system. A diamond film forming apparatus according to this embodiment will be explained.
【0025】寸法が20×20×5mmのモリブデン製
基板132が、水冷基板ホルダ134上に固定されてい
る。基板132の上方に、マニピュレータ135端部に
支持され、移動可能なトーチ127が設けられている。
トーチ127、水冷基板ホルダ134、基板132、マ
ニピュレータ135、はチャンバ136内に設置され、
チャンバ136内の雰囲気は排気口137から排気する
ことができる。A molybdenum substrate 132 with dimensions of 20×20×5 mm is fixed on a water-cooled substrate holder 134. A movable torch 127 is provided above the substrate 132 and supported by the end of the manipulator 135. The torch 127, the water-cooled substrate holder 134, the substrate 132, and the manipulator 135 are installed in the chamber 136,
The atmosphere within chamber 136 can be exhausted through exhaust port 137.
【0026】チャンバ136外からトーチ127に、プ
ロピレンの燃料ガス128、酸素ガス129、及びパウ
ダガス130供給用のパイプが接続され、トーチ127
内にこれらのガスを流すためのそれぞれの流路が形成さ
れている。トーチ127内で燃焼したこれらのガスはト
ーチ127先端の噴出ノズルからフレーム131となっ
て、基板132表面を照射することができる。Pipes for supplying propylene fuel gas 128, oxygen gas 129, and powder gas 130 are connected to the torch 127 from outside the chamber 136.
Respective channels for flowing these gases are formed within the chamber. These gases burned in the torch 127 form a flame 131 from a jet nozzle at the tip of the torch 127, and can irradiate the surface of the substrate 132.
【0027】次に、本実施例によるダイヤモンド膜形成
方法について説明する。トーチ127内のガス流路に、
燃料ガス128として圧力6気圧のプロピレンを20l
/min、同じく6気圧の酸素ガス129を30l/m
inの割合で流しつつ点火し、フレーム131を基板1
32表面に照射する。基板132の表面温度が1000
℃になるまでトーチ127を基板132に近づける。Next, a method for forming a diamond film according to this embodiment will be explained. In the gas flow path in the torch 127,
20 liters of propylene at a pressure of 6 atmospheres as fuel gas 128
/min, 30l/m of oxygen gas 129, also at 6 atm.
The flame 131 is ignited while flowing at a rate of
32 irradiate the surface. The surface temperature of the substrate 132 is 1000
The torch 127 is brought close to the substrate 132 until the temperature reaches .
【0028】基板132の基板材料と同じモリブデンの
粉末をArキャリアガスと共にパウダガス130として
トーチ127内の流路から供給して5分間の溶射を行い
、溶射膜を形成する。次に、10分間で、パウダガス1
30をゼロ流量にまで徐々に減少させると共に、酸素ガ
ス129の流量を30l/minから24l/minに
まで減少させて、混合層を形成する。Molybdenum powder, which is the same as the substrate material of the substrate 132, is supplied together with an Ar carrier gas as the powder gas 130 from the channel in the torch 127, and thermal spraying is performed for 5 minutes to form a thermal spray film. Next, for 10 minutes, powder gas 1
30 is gradually decreased to zero flow rate, and the flow rate of oxygen gas 129 is decreased from 30 l/min to 24 l/min to form a mixed layer.
【0029】次に、パウダガス130の供給を停止し、
酸素ガス129の流量は24l/minの条件で、フレ
ーム131を基板132表面に30分間照射して、ダイ
ヤモンド膜を形成する。基板132表面に形成されたダ
イヤモンド被膜(溶射膜、混合層、及びダイヤモンド膜
)133をSEM、X線回折、EPMA、SIMSで分
析すると共に、引っ張り試験により密着力を調べた。Next, the supply of powder gas 130 is stopped, and
A diamond film is formed by irradiating the surface of the substrate 132 with the frame 131 for 30 minutes at a flow rate of oxygen gas 129 of 24 l/min. The diamond coating (sprayed coating, mixed layer, and diamond coating) 133 formed on the surface of the substrate 132 was analyzed by SEM, X-ray diffraction, EPMA, and SIMS, and the adhesion was examined by a tensile test.
【0030】断面のEPMAによる分析から、溶射材と
ダイヤモンドの混合層が約20μm、ダイヤモンド膜が
約50μmであった。表面のX線回折ではダイヤモンド
だけが検出され、断面のX線回折からはダイヤモンド、
Mo、及びMoC2 が検出され、グラファイトは全く
検出されなかった。[0030] Analysis of the cross section by EPMA revealed that the mixed layer of thermal spray material and diamond was approximately 20 μm thick, and the diamond film was approximately 50 μm thick. Surface X-ray diffraction detects only diamond, cross-sectional X-ray diffraction reveals diamond,
Mo and MoC2 were detected, and no graphite was detected.
【0031】ダイヤモンド膜のSIMS分析では、検出
限界に近いレベルでO、H、及びNが検出された。密着
力は、引っ張り試験の測定限界である150kg/cm
2 を越える値が得られた。[0031] In the SIMS analysis of the diamond film, O, H, and N were detected at levels close to the detection limit. The adhesion strength is 150 kg/cm, which is the measurement limit of the tensile test.
Values exceeding 2 were obtained.
【0032】このように、本実施例においても、従来得
ることのできなかった、高純度で密着力に優れたダイヤ
モンド膜を得ることができる。さらに、排気系を伴う減
圧チャンバ内で、減圧雰囲気下でダイヤモンド被膜の形
成を行うので、製膜速度を高速にすることができるとい
う利点を有する。本発明の第3の実施例によるダイヤモ
ンド膜形成方法及びその形成装置を図4を用いて説明す
る。In this way, also in this example, a diamond film of high purity and excellent adhesion, which could not be obtained conventionally, can be obtained. Furthermore, since the diamond film is formed in a reduced pressure atmosphere in a reduced pressure chamber with an exhaust system, there is an advantage that the film forming rate can be increased. A method and apparatus for forming a diamond film according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0033】本実施例によるダイヤモンド膜形成装置に
ついて説明する。寸法が20×20×5mmの銅製基板
144が、水冷基板ホルダ146上に固定されている。
基板144の上方に、マニピュレータ147端部に支持
され、移動可能な内燃式トーチ138が設けられている
。内燃式トーチ138、水冷基板ホルダ146、基板1
44、マニピュレータ147、は真空チャンバ148内
に設置され、真空チャンバ148内の雰囲気は排気口1
49から排気することができる。The diamond film forming apparatus according to this embodiment will be explained. A copper substrate 144 with dimensions of 20×20×5 mm is fixed on a water-cooled substrate holder 146. A movable internal combustion torch 138 is provided above the substrate 144 and supported by the end of the manipulator 147 . Internal combustion torch 138, water-cooled board holder 146, board 1
44, the manipulator 147 is installed in the vacuum chamber 148, and the atmosphere in the vacuum chamber 148 is controlled by the exhaust port 1.
49 can be exhausted.
【0034】真空チャンバ148外から内燃式トーチ1
38に、プロパンの燃料ガス139、酸素ガス140、
及びパウダガス141供給用のパイプが接続され、内燃
式トーチ138内部に設けられた燃焼室142内にこれ
らのガスを送込むためのそれぞれの流路が形成されてい
る。Internal combustion torch 1 from outside the vacuum chamber 148
38, propane fuel gas 139, oxygen gas 140,
and powder gas 141 supply pipes are connected to each other to form respective flow paths for sending these gases into a combustion chamber 142 provided inside the internal combustion torch 138.
【0035】内燃式トーチ138内部の燃焼室142で
燃焼したこれらのガスは、トーチ138先端の噴出ノズ
ルからフレームジェット143となって、基板144表
面を照射することができる。These gases combusted in the combustion chamber 142 inside the internal combustion torch 138 become a flame jet 143 from the jet nozzle at the tip of the torch 138, and can irradiate the surface of the substrate 144.
【0036】次に、本実施例によるダイヤモンド膜形成
方法について説明する。内燃式トーチ138内の燃焼室
142内に、燃料ガス139として圧力5気圧でプロパ
ンを20l/min、同じく5気圧で酸素ガス140を
30l/minの割合で送込みながら点火し、フレーム
ジェット143を基板144表面に照射する。基板14
4の表面温度が900℃になるまで内燃式トーチ138
を基板144に近づける。Next, a method for forming a diamond film according to this embodiment will be explained. The flame jet 143 is ignited by feeding propane as a fuel gas 139 into the combustion chamber 142 of the internal combustion torch 138 at a rate of 20 l/min at a pressure of 5 atm and oxygen gas 140 at a rate of 30 l/min at a pressure of 5 atm. The surface of the substrate 144 is irradiated. Substrate 14
Internal combustion torch 138 until the surface temperature of 4 reaches 900°C.
is brought closer to the substrate 144.
【0037】基板144の基板材料と同一材料の銅粉末
をArキャリアガスと共にパウダガス141として内燃
式トーチ138内の燃焼室142内に供給して5分間の
溶射を行い、溶射膜を形成する。次に、10分間で、パ
ウダガス141をゼロ流量にまで徐々に減少させると共
に、酸素ガス140の流量を30l/minから24l
/minにまで減少させて、混合層を形成する。Copper powder made of the same material as the substrate material of the substrate 144 is supplied as a powder gas 141 together with an Ar carrier gas into the combustion chamber 142 of the internal combustion torch 138, and thermal spraying is performed for 5 minutes to form a thermal spray film. Next, over 10 minutes, the powder gas 141 is gradually reduced to zero flow rate, and the flow rate of oxygen gas 140 is decreased from 30 l/min to 24 l/min.
/min to form a mixed layer.
【0038】次に、パウダガス141の供給を停止し、
酸素ガス140の流量は24l/minの条件で、フレ
ームジェット143を基板144表面に1時間照射して
、ダイヤモンド膜を形成する。基板144表面に形成さ
れたダイヤモンド被膜(溶射膜、混合層、及びダイヤモ
ンド膜)145をSEM、X線回折、EPMA、SIM
Sで分析すると共に、引っ張り試験により密着力を調べ
た。Next, the supply of powder gas 141 is stopped, and
A diamond film is formed by irradiating the surface of the substrate 144 with the flame jet 143 for one hour under the condition that the flow rate of the oxygen gas 140 is 24 l/min. The diamond coating (sprayed coating, mixed layer, and diamond coating) 145 formed on the surface of the substrate 144 is analyzed by SEM, X-ray diffraction, EPMA, and SIM.
In addition to the analysis using S, the adhesion was examined by a tensile test.
【0039】断面のEPMAによる分析から、溶射材と
ダイヤモンドの混合層が約25μm、ダイヤモンド膜が
約120μmであった。表面のX線回折ではダイヤモン
ドだけが検出され、断面のX線回折からはダイヤモンド
とCuが検出され、グラファイトは全く検出されなかっ
た。[0039] Analysis of the cross section by EPMA revealed that the mixed layer of thermal spray material and diamond was approximately 25 μm thick, and the diamond film was approximately 120 μm thick. Only diamond was detected in the surface X-ray diffraction, diamond and Cu were detected in the cross-sectional X-ray diffraction, and no graphite was detected at all.
【0040】ダイヤモンド膜のSIMS分析では、検出
限界に近いレベルでO、H、及びNが検出された。密着
力は、引っ張り試験の測定限界である150kg/cm
2 を越える値が得られた。[0040] SIMS analysis of the diamond film detected O, H, and N at levels close to the detection limit. The adhesion strength is 150 kg/cm, which is the measurement limit of the tensile test.
Values exceeding 2 were obtained.
【0041】このように、本実施例においても、従来得
ることのできなかった、高純度で密着力の優れたダイヤ
モンド膜を得ることができる。本実施例も、排気系を伴
う減圧真空チャンバ内で、減圧雰囲気下でダイヤモンド
被膜の形成を行うので、製膜速度を高速にすることがで
きるという利点を有する。In this way, also in this example, a diamond film of high purity and excellent adhesion, which could not be obtained conventionally, can be obtained. This embodiment also has the advantage that the diamond coating is formed in a reduced-pressure atmosphere in a reduced-pressure vacuum chamber with an exhaust system, so that the film-forming speed can be increased.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、高純度で
優れた密着性を有するダイヤモンド膜を形成でき、ダイ
ヤモンド膜の品質、信頼性を向上することができる。As described above, according to the present invention, a diamond film of high purity and excellent adhesion can be formed, and the quality and reliability of the diamond film can be improved.
【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施例によるダイヤモンド膜形
成装置を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a diamond film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施例によるダイヤモンド膜形
成装置を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a diamond film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施例によるダイヤモンド膜形
成装置を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a diamond film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図5】従来のダイヤモンド膜形成装置を示す図である
。FIG. 5 is a diagram showing a conventional diamond film forming apparatus.
101…アノード
102…カソード
103…ダイヤモンド合成用ガス
104…DC電源
105…粉末供給ノズル
106…粉末を含むキャリアガス
107…基板
108…溶射膜
109…ダイヤモンド膜
110…プラズマジェット
111…トーチ
112…燃料ガス
113…酸素ガス
114…粉末を含むキャリアガス(パウダガス)115
…フレーム
116…ダイヤモンド膜
117…溶射膜
118…基板
119…トーチ
120…燃料ガス
121…酸素ガス
122…パウダガス
123…フレーム
124…基板
125…ダイヤモンド被膜
125A…水冷基板ホルダ
126…マニピュレータ
127…トーチ
128…燃料ガス
129…酸素ガス
130…パウダガス
131…フレーム
132…基板
133…ダイヤモンド被膜
134…水冷基板ホルダ
135…マニピュレータ
136…チャンバ
137…排気口
138…内燃式トーチ
139…燃料ガス
140…酸素ガス
141…パウダガス
142…燃焼室
143…フレームジェット
144…基板
145…ダイヤモンド被膜
146…水冷基板ホルダ
147…マニピュレータ
148…真空チャンバ
149…排気口101...Anode 102...Cathode 103...Diamond synthesis gas 104...DC power source 105...Powder supply nozzle 106...Carrier gas containing powder 107...Substrate 108...Sprayed film 109...Diamond film 110...Plasma jet 111...Torch 112...Fuel gas 113...Oxygen gas 114...Carrier gas (powder gas) 115 containing powder
…Frame 116…Diamond film 117…Sprayed film 118…Substrate 119…Torch 120…Fuel gas 121…Oxygen gas 122…Powder gas 123…Frame 124…Substrate 125…Diamond coating 125A…Water-cooled substrate holder 126…Manipulator 127…Torch 128… Fuel gas 129...Oxygen gas 130...Powder gas 131...Frame 132...Substrate 133...Diamond coating 134...Water-cooled substrate holder 135...Manipulator 136...Chamber 137...Exhaust port 138...Internal combustion torch 139...Fuel gas 140...Oxygen gas 141...Powder gas 142...Combustion chamber 143...Flame jet 144...Substrate 145...Diamond coating 146...Water-cooled substrate holder 147...Manipulator 148...Vacuum chamber 149...Exhaust port
Claims (8)
生した燃焼炎を基板に照射して、前記基板上にダイヤモ
ンド膜を形成するダイヤモンド膜形成方法において、前
記燃焼炎中に、溶射材を含むパウダガスを供給して前記
溶射材を混合し、前記パウダガスの供給量を変化させる
ことにより、前記基板及び前記ダイヤモンド膜の間に、
ダイヤモンドと前記溶射材の混合層を形成することを特
徴とするダイヤモンド膜形成方法。1. A method for forming a diamond film in which a diamond film is formed on the substrate by combusting oxygen gas and fuel gas and irradiating the generated combustion flame onto the substrate, wherein a thermal spray material is added to the combustion flame. between the substrate and the diamond film by supplying a powder gas containing the thermal spray material and changing the supply amount of the powder gas.
A method for forming a diamond film, comprising forming a mixed layer of diamond and the thermal spraying material.
法において、前記燃料ガスと前記酸素ガスの組成は、炭
素原子数が酸素原子数より多いことを特徴とするダイヤ
モンド膜形成方法。2. The diamond film forming method according to claim 1, wherein the composition of the fuel gas and the oxygen gas is such that the number of carbon atoms is greater than the number of oxygen atoms.
形成方法において、前記ダイヤモンド膜の形成は、減圧
雰囲気下で行われることを特徴とするダイヤモンド膜形
成方法。3. The diamond film forming method according to claim 1, wherein the diamond film is formed in a reduced pressure atmosphere.
イヤモンド膜形成方法において、前記燃焼炎中に前記パ
ウダガスの代りに前記溶射材を含む線材を供給し、前記
線材を押出して前記溶射材を混合することを特徴とする
ダイヤモンド膜形成方法。4. The diamond film forming method according to claim 1, wherein a wire containing the thermal spraying material is supplied into the combustion flame instead of the powder gas, and the wire is extruded to remove the thermal spraying material. A diamond film forming method characterized by mixing.
イヤモンド膜形成方法において、前記基板上の前記溶射
膜から前記ダイヤモンド膜間に形成される前記混合層内
の前記溶射材の割合は、前記溶射膜から前記ダイヤモン
ド膜方向に向かって連続的に低下するように、前記溶射
材の混合比を調整することを特徴とするダイヤモンド膜
形成方法。5. The method for forming a diamond film according to claim 1, wherein the proportion of the sprayed material in the mixed layer formed between the sprayed film on the substrate and the diamond film is: A method for forming a diamond film, characterized in that the mixing ratio of the thermal spraying material is adjusted so that it decreases continuously from the thermal sprayed film toward the diamond film.
する燃料ガス供給口と、酸素ガスを供給する酸素ガス供
給口と、前記燃料ガス及び酸素ガスの燃焼により発生す
る燃焼炎を噴出する噴出ノズルと、前記燃焼炎に溶射材
を供給する溶射材供給装置とを有するトーチと、前記燃
焼炎が照射される基板を保持する基板保持機構と、前記
基板と前記トーチ間の距離を変化させる基板・トーチ間
距離変化機構とを備えたことを特徴とするダイヤモンド
膜形成装置。6. A fuel gas supply port for supplying fuel gas for diamond formation, an oxygen gas supply port for supplying oxygen gas, and a jet nozzle for jetting combustion flame generated by combustion of the fuel gas and oxygen gas. , a torch having a thermal spraying material supply device that supplies thermal spraying material to the combustion flame; a substrate holding mechanism that holds a substrate to which the combustion flame is irradiated; and a substrate/torch that changes the distance between the substrate and the torch. A diamond film forming apparatus characterized by comprising a distance changing mechanism.
置において、前記トーチと前記基板保持機構と前記基板
・トーチ間距離変化機構は、排気系を伴う減圧チャンバ
内に設けられていることを特徴とするダイヤモンド膜形
成装置。7. The diamond film forming apparatus according to claim 6, wherein the torch, the substrate holding mechanism, and the substrate-torch distance changing mechanism are provided in a reduced pressure chamber with an exhaust system. Diamond film forming equipment.
成装置において、前記トーチは、前記燃料ガスと前記酸
素ガスを燃焼させる燃焼室を有していることを特徴とす
るダイヤモンド膜形成装置。8. The diamond film forming apparatus according to claim 6, wherein the torch has a combustion chamber in which the fuel gas and the oxygen gas are combusted.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3052467A JP2579071B2 (en) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | Diamond film forming method and its forming apparatus |
DE69125118T DE69125118T2 (en) | 1990-12-15 | 1991-12-12 | Process for the production of a diamond coating |
EP91311560A EP0491521B1 (en) | 1990-12-15 | 1991-12-12 | Process for producing diamond film |
US07/806,246 US5217700A (en) | 1990-12-15 | 1991-12-13 | Process and apparatus for producing diamond film |
US07/994,287 US5338364A (en) | 1990-12-15 | 1992-12-21 | Process and apparatus for producing diamond film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3052467A JP2579071B2 (en) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | Diamond film forming method and its forming apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04292497A true JPH04292497A (en) | 1992-10-16 |
JP2579071B2 JP2579071B2 (en) | 1997-02-05 |
Family
ID=12915526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3052467A Expired - Fee Related JP2579071B2 (en) | 1990-12-15 | 1991-03-18 | Diamond film forming method and its forming apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2579071B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009249741A (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sulzer Metco Ag | Method and apparatus for coating and surface treatment of substrate by means of plasma beam |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01264998A (en) * | 1988-04-13 | 1989-10-23 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | Method of synthesizing diamond-like carbon by combustion flame |
JPH01282193A (en) * | 1988-01-14 | 1989-11-14 | Yoichi Hirose | Method for synthesizing diamond by vapor phase process |
JPH0222471A (en) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Fujitsu Ltd | Diamond coated sintered hard alloy and method for coating sintered hard alloy with diamond |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3052467A patent/JP2579071B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01282193A (en) * | 1988-01-14 | 1989-11-14 | Yoichi Hirose | Method for synthesizing diamond by vapor phase process |
JPH01264998A (en) * | 1988-04-13 | 1989-10-23 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | Method of synthesizing diamond-like carbon by combustion flame |
JPH0222471A (en) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Fujitsu Ltd | Diamond coated sintered hard alloy and method for coating sintered hard alloy with diamond |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009249741A (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sulzer Metco Ag | Method and apparatus for coating and surface treatment of substrate by means of plasma beam |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2579071B2 (en) | 1997-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5338364A (en) | Process and apparatus for producing diamond film | |
KR940002751B1 (en) | Process and apparatus for production of a coating film | |
EP0286306B1 (en) | Method and apparatus for vapor deposition of diamond | |
Kurihara et al. | High rate synthesis of diamond by dc plasma jet chemical vapor deposition | |
WO1992005110A1 (en) | Flame or plasma synthesis of diamond under turbulent and transition flow conditions | |
Loh et al. | Supersonic DC-arcjet synthesis of diamond | |
Lu et al. | Diamond synthesis by DC thermal plasma CVD at 1 atm | |
JP2628601B2 (en) | Diamond coated cemented carbide and method of diamond coating of cemented carbide | |
Kurihara et al. | Formation of functionally gradient diamond films | |
JP2579071B2 (en) | Diamond film forming method and its forming apparatus | |
EP0469204B1 (en) | Method for vapour deposition of diamond film | |
RU2032765C1 (en) | Method of diamond coating application from vapor phase and a device for it realization | |
US5667852A (en) | Plasma jet CVD method of depositing diamond or diamond-like films | |
Loh et al. | Diamond synthesis in supersonic direct-current arcjet plasma at subtorr pressures | |
JP2545498B2 (en) | Diamond synthesis method and apparatus | |
JPH01201481A (en) | Method and apparatus for vapor phase synthesis of high-pressure phase boron nitride | |
Loh et al. | Study of precursor transport during diamond synthesis in a supersonic flow | |
Aoyama et al. | Diamond deposition with Ar CO2 CH4 H2 plasma jets | |
JPH055179A (en) | Method and device for production of diamond film and mixture layer | |
JPH0255294A (en) | Method for synthesizing diamond by vapor process | |
Okada et al. | A process for continuous manufacturing of diamond in atmosphere | |
JPH03208892A (en) | Method and device for synthesizing diamond film | |
KR920004081A (en) | Vapor deposition method of diamond film and its apparatus | |
JPH0472076A (en) | Method and device for coating diamond film | |
Komplin et al. | Other CVD methods for diamond production |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961001 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |