JPH04277654A - Method for laser marking and accuracy management - Google Patents
Method for laser marking and accuracy managementInfo
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は,半導体基板上の基板識
別番号の位置精度の管理方法に関する。近年の半導体デ
バイス製造においては,半導体基板上の基板識別記号の
刻印は高速,且つ読み易さ等からレーザーマーキングが
主流を占めている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for managing the positional accuracy of a substrate identification number on a semiconductor substrate. In recent years, in semiconductor device manufacturing, laser marking has become mainstream for marking substrate identification symbols on semiconductor substrates due to its high speed and readability.
【0002】また,半導体基板の処理量の増大から高速
かつ高精度な読み取り装置が開発され,それに対応する
基板識別記号の位置精度の向上が要求されている。[0002] Furthermore, due to the increase in the throughput of semiconductor substrates, high-speed and high-precision reading devices have been developed, and there is a corresponding demand for improved positional accuracy of substrate identification symbols.
【0003】0003
【従来の技術】図5は従来例の説明図である。図におい
て,18は半導体基板,19はオリエンテーションフラ
ット,20は外縁,21はガイド板,22はガイドリン
グ,23は第1のフォトセンサ, 24は第2のフォト
センサ,25は基板チャック, 26は吸着孔である。2. Description of the Related Art FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional example. In the figure, 18 is a semiconductor substrate, 19 is an orientation flat, 20 is an outer edge, 21 is a guide plate, 22 is a guide ring, 23 is a first photosensor, 24 is a second photosensor, 25 is a substrate chuck, and 26 is a It is an adsorption hole.
【0004】従来,基板識別番号のマーキングをレーザ
ーマーキング装置を使用して行う場合,半導体基板18
のオリエンテーションフラット19を基準として,レー
ザーマーキング装置に半導体基板18を自動的にセット
し,マーキング位置で文字記号や数字をマーキング(刻
印)している。Conventionally, when marking a substrate identification number using a laser marking device, the semiconductor substrate 18
The semiconductor substrate 18 is automatically set in a laser marking device using the orientation flat 19 as a reference, and characters and numbers are marked (engraved) at the marking positions.
【0005】即ち,図5(a)に示すように,半導体基
板18をエアベルト等によりアライメント機構に送り込
むと,先ず,第1のフォトセンサ23が塞がれて, ガ
イド板21が回転し, オリエンテーションフラット1
9がガイド板21に接した所で半導体基板18が第2の
フォトセンサ24を塞ぐことにより, 位置決めシグナ
ルが出て, ガイド板21の回転が停止する。That is, as shown in FIG. 5(a), when the semiconductor substrate 18 is fed into the alignment mechanism using an air belt or the like, the first photosensor 23 is first blocked, the guide plate 21 is rotated, and the orientation is adjusted. flat 1
9 contacts the guide plate 21, the semiconductor substrate 18 blocks the second photosensor 24, a positioning signal is output, and the rotation of the guide plate 21 is stopped.
【0006】尚,半導体基板18の前方にあるガイドリ
ング22は回転フリーとなっており, 用いる半導体基
板18により, 5インチ用と6インチ用がある。そし
て, 6インチの半導体基板18を使用した時には,5
インチ用のガイドリングは下に降りて,半導体基板18
に接触しないようになっている。The guide ring 22 in front of the semiconductor substrate 18 is free to rotate, and there are two types, one for 5 inches and one for 6 inches, depending on the semiconductor substrate 18 used. When a 6-inch semiconductor substrate 18 is used, 5
The inch guide ring goes down and the semiconductor substrate 18
It is designed not to come into contact with the
【0007】続いて,図5(b)に示すように,サイド
より基板チャック25が半導体基板18の下側に来て,
真空吸着による吸着孔26によって半導体基板18を基
板チャック25に固着し,そのままの状態でレーザーマ
ーキング装置のマーキングする位置にセットするように
なっている。Next, as shown in FIG. 5(b), the substrate chuck 25 comes below the semiconductor substrate 18 from the side.
The semiconductor substrate 18 is fixed to the substrate chuck 25 by the suction hole 26 by vacuum suction, and is set in that state at a position to be marked by a laser marking device.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし,この様な機構
を用いても,半導体基板18の送り機構やオリエンテー
ションフラット19の調節機構によって,突発的な位置
ずれ, 角度ずれが起こって,必ずしも所定の位置に精
度良く装填することが困難であった。[Problem to be Solved by the Invention] However, even if such a mechanism is used, sudden positional and angular deviations may occur due to the feeding mechanism of the semiconductor substrate 18 and the adjusting mechanism of the orientation flat 19, and the positional deviation may not necessarily be the same as the specified one. It was difficult to load it in the correct position.
【0009】即ち, 図5(c)に示すように,突発的
なずれとして, 半導体基板18のオリエンテーション
フラット19が完全にガイド板21に密着しなくて,隙
間が開いていても,角度Θが傾いた場合に半導体基板1
8が第2のフォトセンサ24を塞いだ状態になる場合に
は,そのまま角度Θに傾いたまま固定されて真空の吸着
孔26を有する基板チャック25により横に水平移動し
て, レーザーマーキング装置にセットされてしまうと
いった問題があった。That is, as shown in FIG. 5(c), as a result of sudden deviation, the orientation flat 19 of the semiconductor substrate 18 does not come into complete contact with the guide plate 21, and even though there is a gap, the angle Θ Semiconductor substrate 1 when tilted
8 blocks the second photosensor 24, it is fixed as it is tilted at the angle Θ, and is horizontally moved laterally by the substrate chuck 25 having a vacuum suction hole 26, and then attached to the laser marking device. There was a problem with it being set.
【0010】従って, マーキングした基板識別記号の
位置ずれが生じて,高速自動読み取り装置で読み取る範
囲から外れて,読み取り不能や読み取り違いを生ずるこ
とがあった。[0010] Therefore, the marked substrate identification symbol may be misaligned and may be out of the reading range of the high-speed automatic reading device, resulting in unreadability or misreading.
【0011】本発明は, マーキングを半導体基板の所
定の位置に正確にマーキングすること,また,その精度
を確認することを目的として提供されるものである。The present invention is provided for the purpose of accurately marking a semiconductor substrate at a predetermined position and confirming the accuracy thereof.
【0012】0012
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図において,1は半導体基板,2はオリエン
テーションフラット,3は外縁,4は基板識別記号,
5は絶縁膜, 6は基準フレーム,7はガイド板,8は
ガイドリング,9はリング軸,10はリング軸固定板で
ある。[Means for Solving the Problems] FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor substrate, 2 is an orientation flat, 3 is an outer edge, 4 is a substrate identification symbol,
5 is an insulating film, 6 is a reference frame, 7 is a guide plate, 8 is a guide ring, 9 is a ring shaft, and 10 is a ring shaft fixing plate.
【0013】上記の問題点を解決するためには, 図1
に示すように,半導体基板1上に基板識別記号4をマー
キングする位置に基準フレーム6を絶縁膜5の食刻によ
り作成すると共に,半導体基板1のマーキング装置への
装填時の半導体基板1の傾き角度等を再修正する際アラ
イメント機構を併用することにより解決される。[0013] In order to solve the above problems, Fig. 1
As shown in FIG. 2, a reference frame 6 is created by etching the insulating film 5 at the position where the substrate identification symbol 4 is to be marked on the semiconductor substrate 1, and the inclination of the semiconductor substrate 1 is adjusted when the semiconductor substrate 1 is loaded into the marking device. This problem can be solved by using an alignment mechanism when re-correcting the angle, etc.
【0014】即ち,本発明の目的は, 図1(a)に示
すように, 半導体基板1のオリエンテーションフラッ
ト2と外縁3を基準として位置決めを行い,該半導体基
板1の所定の位置に基板識別記号4をマーキングするレ
ーザーマーキング方法において,該半導体基板1上に形
成された絶縁膜5の,基板識別記号4をマーキングする
所定の位置に,図1(b)に示すように,精度検出用の
基準フレーム6を設け,該基準フレーム6を基準として
,該基板識別番号4の位置精度を測定することによりま
た,前記半導体基板1をレーザーマーキング装置へ装填
するに際し,図1(c)に示すように,該半導体基板1
の再アライメントを行うことにより達成される。That is, the object of the present invention is to position the semiconductor substrate 1 using the orientation flat 2 and the outer edge 3 as a reference, as shown in FIG. In the laser marking method for marking 4, a reference for accuracy detection is placed on the insulating film 5 formed on the semiconductor substrate 1 at a predetermined position where the substrate identification symbol 4 is to be marked, as shown in FIG. 1(b). By providing a frame 6 and measuring the positional accuracy of the substrate identification number 4 using the reference frame 6 as a reference, when loading the semiconductor substrate 1 into the laser marking device, as shown in FIG. , the semiconductor substrate 1
This is achieved by realigning the
【0015】[0015]
【作用】本発明では,レーザーマーキング装置にオリエ
ンテーションフラットを揃えて送り込んだ半導体基板を
再アライメント機構により再位置決めすることにより高
精度でレーザーマーキングが行え,かつ,半導体基板上
の位置精度確認用の基準フレームによって容易にずれの
検出ができる。[Operation] In the present invention, laser marking can be performed with high precision by repositioning the semiconductor substrate fed into the laser marking device with the orientation flats aligned using the realignment mechanism, and it is also possible to perform laser marking with high precision by using a realignment mechanism to reposition the semiconductor substrate that is fed into the laser marking device with the orientation flat aligned. Misalignment can be easily detected by the frame.
【0016】[0016]
【実施例】図2は本発明の一実施例の再アライメント機
構である。図3は本発明の一実施例の精度測定方法,図
4はΘ方向ずれ量と発生枚数である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 2 shows a realignment mechanism according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 shows an accuracy measuring method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows the amount of deviation in the Θ direction and the number of sheets generated.
【0017】図において, 7はガイド板,8はガイド
リング,11はモーター,12は偏心カム,13はロー
ラー, 14は菱形可動軸, 15は案内軸, 16は
スプリング, 17は固定板である。In the figure, 7 is a guide plate, 8 is a guide ring, 11 is a motor, 12 is an eccentric cam, 13 is a roller, 14 is a diamond-shaped movable shaft, 15 is a guide shaft, 16 is a spring, and 17 is a fixed plate. .
【0018】先ず,従来のレーザーマーキング装置にお
ける実際の精度の調査を行った。6インチの半導体基板
を対象とし,10ロットの各ロットより10枚ずつ,計
100枚の半導体基板について測定を行った。First, the actual accuracy of the conventional laser marking device was investigated. Measurements were performed on a total of 100 semiconductor substrates, 10 from each lot of 10 lots, targeting 6-inch semiconductor substrates.
【0019】先ず,ミクロメーター付金属顕微鏡に基板
をセットしてオリエンテーションフラットをミクロ接眼
レンズの基準線に合わせる。測定点をマーキング位置に
移動して先ず,X,Y方向のずれを測定したが,何れも
±0.1mm を越えるものがなかった。First, a substrate is set on a metallurgical microscope equipped with a micrometer, and the orientation flat is aligned with the reference line of the micro eyepiece. After moving the measurement point to the marking position, we first measured the deviation in the X and Y directions, but none of them exceeded ±0.1 mm.
【0020】次にΘを測定する。図3に示すように,こ
れは1番目の文字のドットと最終の12番目の文字のド
ットとのずれ量を基準線で読み取る。文字内のレーザー
のドットの大きさは80μmである。即ち1ドット分ず
れれば,ずれは0.08mmとなる。Next, Θ is measured. As shown in FIG. 3, the amount of deviation between the dots of the first character and the dots of the final 12th character is read using a reference line. The size of the laser dot within the character is 80 μm. That is, if there is a shift of one dot, the shift will be 0.08 mm.
【0021】測定結果を表1並びに図4に示す。The measurement results are shown in Table 1 and FIG. 4.
【0022】[0022]
【表1】[Table 1]
【0023】半導体基板 100枚を測定した結果によ
ると, 表1に示すように,半導体基板の傾き方向のず
れが,従来の技術の項で前述した突発的なアライメント
不良によるずれを除いては, 通常のばらつきでは数1
で分かるように,±0.5 °の規格値の範囲を越える
ことはない。ここで±0.5 °のずれは記号の始めと
終わりの文字の上下ずれで±0.57mmに相当する。According to the results of measuring 100 semiconductor substrates, as shown in Table 1, the deviations in the tilt direction of the semiconductor substrates are as follows, except for deviations due to sudden alignment failures mentioned above in the section of the prior art. With normal variation, the number is 1.
As can be seen, the standard value range of ±0.5° is not exceeded. Here, the deviation of ±0.5° corresponds to the vertical deviation of the characters at the beginning and end of the symbol, and corresponds to ±0.57 mm.
【0024】[0024]
【数1】[Math 1]
【0025】しかし,読み取り装置の方でも同じ確率で
角度がずれた場合には,数2,数3However, if the reading device also deviates in angle with the same probability, Equations 2 and 3
【0026】[0026]
【数2】[Math 2]
【0027】[0027]
【数3】[Math 3]
【0028】となり,約 100枚につき1枚の読み取
りエラーが予想される。また読み取り装置の方の角度ず
れが1mmを越えることがない時には数4,数5となり
,約 1,000枚に1枚の読み取りエラーが予想され
る。(表1諸値B参照)Therefore, it is expected that there will be a reading error of approximately 1 out of 100 sheets. Further, if the angular deviation on the reading device side does not exceed 1 mm, the equations are 4 and 5, and a reading error of about 1 in 1,000 sheets is expected. (See Table 1 Values B)
【0029】[0029]
【数4】[Math 4]
【0030】[0030]
【数5】[Math 5]
【0031】上記のように,自動読み取りを 100%
可能にするためには,通常のばらつきではなく,突発す
る1mm以上のずれを無くすことが必要となる。そこで
, 本発明では, レーザーマーキング装置でアライメ
ントを行い, そのままの状態で基板チャックによりマ
ーキング位置にセットされた半導体基板の再アライメン
ト機構を設けることにより, 突発的に起こる角度ずれ
を皆無にした。[0031] As mentioned above, automatic reading is 100%
In order to make this possible, it is necessary to eliminate not only normal variations but also sudden deviations of 1 mm or more. Therefore, in the present invention, alignment is performed using a laser marking device, and by providing a realignment mechanism for the semiconductor substrate that is set at the marking position using a substrate chuck in that state, sudden angular deviations are completely eliminated.
【0032】本発明の再アライメント機構の概要図を図
2に示す。原理的には,図1(c)に示したように,半
導体基板1のオリエンテーションフラット2をガイド板
7で角度ずれΘを零にし,Y方向の位置決めを行った後
,半導体基板1の外縁3を2個のガイドリング8で抑え
てX方向の位置決めを行うものである。A schematic diagram of the realignment mechanism of the present invention is shown in FIG. In principle, as shown in FIG. 1(c), after the orientation flat 2 of the semiconductor substrate 1 is positioned in the Y direction by making the angular deviation Θ zero with the guide plate 7, the outer edge 3 of the semiconductor substrate 1 is aligned. is held down by two guide rings 8 for positioning in the X direction.
【0033】即ち,再アライメント機構のガイド板7と
ガイドリング8はモーター11の回転により回転する偏
心カム12と対向するローラー13を摩擦でX方向に移
動させ,ローラー13と一端が連結した菱形可動軸14
を可動させて,案内軸15に沿って,ガイドリング8と
ガイド板7をY方向に動かす。また,ガイドリング8と
ガイド板7は絶えず,スプリング16によって引っ張ら
れている。That is, the guide plate 7 and the guide ring 8 of the realignment mechanism move the roller 13 facing the eccentric cam 12 rotated by the rotation of the motor 11 in the X direction by friction, and form a diamond-shaped movable ring whose one end is connected to the roller 13. axis 14
is moved to move the guide ring 8 and guide plate 7 in the Y direction along the guide shaft 15. Further, the guide ring 8 and the guide plate 7 are constantly pulled by the spring 16.
【0034】この再アライメント機構のガイドリング8
とガイド板7を最初開いておき,基板チャックにより搬
送された半導体基板1をこの再アライメント機構にセッ
トした後,モーター11を回転してガイドリング8とガ
イド板7により,半導体基板1を徐々に挟み混んで完全
に固定する。Guide ring 8 of this realignment mechanism
The guide plate 7 is initially opened, and after setting the semiconductor substrate 1 carried by the substrate chuck in this realignment mechanism, the motor 11 is rotated and the semiconductor substrate 1 is gradually moved by the guide ring 8 and the guide plate 7. Pinch and secure completely.
【0035】この結果,半導体基板1は角度Θは零とな
り,X,Y方向のずれもなくなり,所望の位置に基板識
別記号4がレーザーマーキングによりマーキングされる
。これにより,位置精度は 100%保証される。As a result, the angle Θ of the semiconductor substrate 1 becomes zero, there is no deviation in the X and Y directions, and the substrate identification symbol 4 is marked at a desired position by laser marking. This ensures 100% positional accuracy.
【0036】但し,レーザーマーキング装置のレーザー
機構の位置決めトラブルや経年変化による位置ずれの発
生に対する対策として,図1に示したように,半導体基
板1上に絶縁膜5を形成し,マヒキングする位置に基板
識別記号4を囲む基準フレーム6をフォトリソグラフィ
技術を用いて形成したものをツールとして,一定間隔で
レーザーマーキング装置に挿入して,精度管理を行い,
装置側のトラブルに対処する。However, as a countermeasure against positioning problems of the laser mechanism of the laser marking device and positional deviation due to aging, an insulating film 5 is formed on the semiconductor substrate 1 as shown in FIG. A reference frame 6 surrounding the board identification symbol 4 is formed using photolithography technology and is inserted into a laser marking device at regular intervals as a tool to perform accuracy control.
Deal with problems on the equipment side.
【0037】また,実際,工程に使用する半導体基板1
をレーザーマーキングの前,或いは後に初期酸化して,
素子分離領域,或いは埋没拡散領域等のパターニングす
る際に,同時に全数の半導体基板1に基準フレーム6を
形成することにより,レーザーマーキングの前,或いは
後にずれ精度の検出を行うことも可能である。[0037] In fact, the semiconductor substrate 1 used in the process
by initial oxidation before or after laser marking,
By forming the reference frame 6 on all the semiconductor substrates 1 at the same time when patterning the element isolation region or the buried diffusion region, it is also possible to detect the deviation accuracy before or after laser marking.
【0038】[0038]
【発明の効果】以上説明したように, 本発明によれば
, 再アライメント機構を設けることにより半導体基板
上の基板識別記号の突発的な位置ずれにも対応すること
ができ,また半導体基板上の絶縁膜に基準フレームを設
けて,ツールとして使用するか,半導体基板全数に基板
フレームを形成することにより,レーザーマーキングの
経年変化や装置の故障にも対応でき,半導体基板の並べ
換えやセット揃え等の自動読み取り技術の性能向上に寄
与するところが大きい。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, by providing a realignment mechanism, it is possible to cope with sudden displacement of the substrate identification symbol on the semiconductor substrate. By providing a reference frame on the insulating film and using it as a tool, or by forming a substrate frame on all semiconductor substrates, it is possible to deal with aging of laser marking and equipment failure, and it is also possible to rearrange semiconductor substrates, align sets, etc. This greatly contributes to improving the performance of automatic reading technology.
【0039】また, 将来は, 半導体基板上の基準フ
レームに基板識別記号を自動で位置合わせ出来るような
マーキング装置へ発展させる可能性を有している。Furthermore, in the future, there is a possibility of developing a marking device that can automatically align a board identification symbol to a reference frame on a semiconductor board.
【図1】 本発明の原理説明図[Figure 1] Diagram explaining the principle of the present invention
【図2】 本発明の一実施例の再アライメント機構[Figure 2] Realignment mechanism of one embodiment of the present invention
【
図3】 本発明の一実施例の精度測定方法[
Figure 3: Accuracy measurement method according to an embodiment of the present invention
【図4】
Θ方向ずれ量と発生枚数[Figure 4]
Amount of deviation in Θ direction and number of sheets generated
【図5】 従来例の説明図[Figure 5] Explanatory diagram of conventional example
1 半導体基板 2 オリエンテーションフラット 3 外縁 4 基板識別記号 5 絶縁膜 6 基準フレーム 7 ガイド板 8 ガイドリング 9 リング軸 10 リング軸固定板 11はモーター 12は偏心カム 13はローラー 14は菱形可動軸 15は案内軸 16はスプリング 17は固定板 1 Semiconductor substrate 2 Orientation flat 3 Outer edge 4 Board identification symbol 5 Insulating film 6 Reference frame 7 Guide plate 8 Guide ring 9 Ring shaft 10 Ring shaft fixing plate 11 is the motor 12 is an eccentric cam 13 is a roller 14 is a diamond-shaped movable axis 15 is the guide shaft 16 is a spring 17 is a fixed plate
Claims (2)
ョンフラット(2)と外縁(3) を基準として位置決
めを行い,該半導体基板(1) の所定の位置に基板識
別記号(4) をマーキングするレーザーマーキングに
おいて,該半導体基板(1) 上に形成された絶縁膜(
5) の,基板識別記号(4) をマーキングする所定
の位置に,精度検出用の基準フレーム(6) を設け,
該基準フレーム(6) を基準として,該基板識別番号
(4) の位置精度を測定することを特徴とするレーザ
ーマーキング精度管理方法。[Claim 1] Laser marking for positioning a semiconductor substrate (1) based on the orientation flat (2) and outer edge (3) and marking a substrate identification symbol (4) at a predetermined position on the semiconductor substrate (1). In the step, an insulating film (
5) A reference frame (6) for accuracy detection is provided at the predetermined position where the board identification symbol (4) is marked.
A laser marking accuracy control method characterized by measuring the positional accuracy of the substrate identification number (4) using the reference frame (6) as a reference.
ーキング装置へ装填するに際し,該半導体基板(1)
の再アライメントを行うことを特徴とするレーザーマー
キング方法。2. When loading the semiconductor substrate (1) into a laser marking device, the semiconductor substrate (1)
A laser marking method characterized by realigning.
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JP (1) | JP2541386B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
CN104816559A (en) * | 2015-05-29 | 2015-08-05 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | Laser marking method of semiconductor material |
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1991
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
US8643177B2 (en) | 2006-01-11 | 2014-02-04 | Amkor Technology, Inc. | Wafers including patterned back side layers thereon |
CN104816559A (en) * | 2015-05-29 | 2015-08-05 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | Laser marking method of semiconductor material |
CN104816559B (en) * | 2015-05-29 | 2017-04-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | Laser marking method of semiconductor material |
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JP2541386B2 (en) | 1996-10-09 |
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