JPH0424476Y2 - - Google Patents
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- JPH0424476Y2 JPH0424476Y2 JP1986020747U JP2074786U JPH0424476Y2 JP H0424476 Y2 JPH0424476 Y2 JP H0424476Y2 JP 1986020747 U JP1986020747 U JP 1986020747U JP 2074786 U JP2074786 U JP 2074786U JP H0424476 Y2 JPH0424476 Y2 JP H0424476Y2
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- Paper Feeding For Electrophotography (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
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Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は、対向配置した複数の発光素子と受光
素子との間に介在する被検知物体を識別する為の
検知装置に係り、例えば、複写原稿のサイズを検
知する為複写機等の１構成部品として供給される
光電式物体検知装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a detection device for identifying a detected object interposed between a plurality of light emitting elements and a light receiving element arranged oppositely. The present invention relates to a photoelectric object detection device that is supplied as a component of a copying machine or the like to detect the size of a document.
＜考案の概要＞
複数対の発光素子と受光素子の時分割駆動によ
り、両素子の間に形成された光路中に介在する物
体を識別する光電式物体検知装置に於いて、受光
素子に加えるバイアス電圧をＣ−MOSアナログ
スイツチにて切換え、且つ、そのバイアス電圧を
アナログスイツチの電源より低くし、受光素子の
アノード側をスイツチングすることにより、動作
の安定化を行う。<Summary of the invention> In a photoelectric object detection device that identifies objects intervening in the optical path formed between the light-emitting elements and light-receiving elements by time-division driving of multiple pairs of light-emitting elements and light-receiving elements, the bias applied to the light-receiving element is The operation is stabilized by switching the voltage with a C-MOS analog switch, making the bias voltage lower than the power supply of the analog switch, and switching the anode side of the light receiving element.
＜従来の技術＞
光電式物体検知装置は、対応する複数対の発光
素子と受光素子とを配設し、両素子の光路中に介
在する物体によつて遮断或いは減衰される受光素
子への入射光の変化を検知することにより、物体
の存在さらにはその物体のサイズ等を識別するも
のである。ところが、上記従来構造では、各受光
素子に対して独立した出力信号の処理手段を有す
るため、回路構成が複雑でコストアツプを招来す
るという欠点を有している。<Prior art> A photoelectric object detection device has a plurality of corresponding pairs of light emitting elements and light receiving elements, and the incident light on the light receiving element is blocked or attenuated by an object interposed in the optical path of both elements. By detecting changes in light, the existence of an object and the size of the object can be identified. However, the above-mentioned conventional structure has the disadvantage that the circuit configuration is complicated and costs increase because each light receiving element has an independent output signal processing means.
そこで、複数対の発光素子と受光素子とを、同
期したタイミングにて時分割で駆動させ、１系統
の回路で出力信号を処理することが提案される。 Therefore, it has been proposed to drive a plurality of pairs of light emitting elements and light receiving elements in a time-division manner at synchronized timing, and to process the output signals with one system of circuits.
＜考案が解決しようとする問題点＞
さて、上記の後者において、発光素子又は受光
素子を時分割駆動させるスイツチング回路として
Ｃ−MOSアナログスイツチの利用が考えられる。
Ｃ−MOSアナログスイツチはIC化され広く市販
されているところのものであるが、本考案はこの
Ｃ−MOSアナログスイツチを用いて回路構成を
より簡略化し、コストダウンを行うとともに、か
つ回路動作の安定化が図れる光電式物体検知装置
を提供することを目的とする。<Problems to be Solved by the Invention> Now, in the latter case, it is conceivable to use a C-MOS analog switch as a switching circuit for driving the light emitting element or the light receiving element in a time division manner.
C-MOS analog switches are integrated circuits and are widely available on the market.The present invention uses this C-MOS analog switch to further simplify the circuit configuration, reduce costs, and improve circuit operation. The purpose of the present invention is to provide a photoelectric object detection device that can be stabilized.
＜問題点を解決するための手段＞
前記目的を達成するために本考案は、対向配置
した複数対の発光素子と受光素子の時分割駆動に
より、両素子間に介在する被検知物体を識別する
光電式物体検知装置において、前記各受光素子を
前記各発光素子に同期して順次時分割に切換える
Ｃ−MOSアナログスイツチを備え、前記各受光
素子のアノード側に、前記各受光素子のそれぞれ
に対し一端が接続され、他端が共通接続され前記
各受光素子の出力を外部へ導出する前記Ｃ−
MOSアナログスイツチが接続され、前記各受光
素子のカソード側は共通接続され、該接続部に前
記Ｃ−MOSアナログスイツチの電源電圧より低
い値に設定された前記各受光素子に対するバイア
ス電圧が供給されてなることを特徴とする。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention identifies a detected object interposed between the two elements by time-division driving of multiple pairs of light emitting elements and light receiving elements arranged opposite to each other. The photoelectric object detection device includes a C-MOS analog switch that sequentially switches each of the light receiving elements in a time division manner in synchronization with each of the light emitting elements; Said C-- one end is connected, the other end is commonly connected, and the output of each of said light-receiving elements is guided to the outside.
A MOS analog switch is connected, cathodes of the respective light receiving elements are commonly connected, and a bias voltage for each of the light receiving elements set to a value lower than the power supply voltage of the C-MOS analog switch is supplied to the connection portion. It is characterized by becoming.
＜作用＞
Ｃ−MOSアナログスイツチを用いてより回路
構成を簡略化、コストダウン化できる。また、バ
イアス電圧が受光素子のカソード側から加えら
れ、且つバイアス電圧の値がＣ−MOSアナログ
スイツチの電源電圧より低く設定されているの
で、受光電流がＣ−MOSアナログスイツチの寄
生ダイオードに流れ込むことがない。<Function> By using a C-MOS analog switch, the circuit configuration can be simplified and costs can be reduced. In addition, since the bias voltage is applied from the cathode side of the light receiving element and the value of the bias voltage is set lower than the power supply voltage of the C-MOS analog switch, the light receiving current does not flow into the parasitic diode of the C-MOS analog switch. There is no.
即ち、選択されている受光素子にあつては、こ
れに対応する各個スイツチ部の寄生ダイオードに
流れる電流が防止されることによつて、正確な受
光電流がＣ−MOSアナログスイツチを介して得
られる。 In other words, for the selected light-receiving element, by preventing the current flowing through the parasitic diode of each corresponding switch section, an accurate light-receiving current can be obtained via the C-MOS analog switch. .
また、仮に非選択受光素子が受光し、受光電流
が発生した場合も、これに対応する各個スイツチ
部の寄生ダイオードに流れる電流を防止してオフ
動作を安定なものにできる利点がある。 Furthermore, even if a non-selected light-receiving element receives light and a light-receiving current is generated, there is an advantage that the current flowing to the corresponding parasitic diode of each switch section can be prevented and the off-operation can be made stable.
＜実施例＞
第１図は本考案の一実施例を示す電気回路図で
ある。<Embodiment> FIG. 1 is an electrical circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
発光素子１ａ、……、１ｎと受光素子２ａ、…
…、２ｎは対向配置されたもので、発光素子１個
と受光素子１個でそれぞれ対をなしている。な
お、受光素子２はここではホトダイオードで構成
している。発光素子１ａ、……１ｎはスイツチン
グ回路３により時分割駆動される。受光素子２
ａ、……、２ｎのアノード側には、受光素子２
ａ、……、２ｎのそれぞれに対し一端が接続さ
れ、他端が共通接続され各受光素子の出力を後述
するアンプ８に導くＣ−MOSアナログスイツチ
４が接続されている。受光素子２ａ、……、２ｎ
はこのＣ−MOSアナログスイツチ４により時分
割駆動される。発光素子側のスイツチング回路３
として、同様のＣ−MOSアナログスイツチを用
いることも可能である。 Light emitting elements 1a,..., 1n and light receiving elements 2a,...
. . , 2n are arranged opposite to each other, each consisting of one light-emitting element and one light-receiving element. Note that the light receiving element 2 is constructed of a photodiode here. The light emitting elements 1a, . . . 1n are time-divisionally driven by a switching circuit 3. Light receiving element 2
On the anode side of a, ..., 2n, there is a light receiving element 2.
A C-MOS analog switch 4 is connected to each of the light receiving elements a, . Light receiving elements 2a, ..., 2n
is time-divisionally driven by this C-MOS analog switch 4. Switching circuit 3 on the light emitting element side
It is also possible to use a similar C-MOS analog switch.
スイツチング回路３及びＣ−MOSアナログス
イツチ４はマイコン５により制御され、両者の時
分割タイミングは同期するようにしている。 The switching circuit 3 and the C-MOS analog switch 4 are controlled by a microcomputer 5, and their time division timings are synchronized.
受光素子２ａ、……、２ｎのバイアス電圧Vb
は、ここでは比較レベル発生回路６を利用し、こ
の回路内の抵抗接続点より得ている。他の抵抗接
続点の電圧はコンパレータ７に入力され、コンパ
レータ７の比較レベルとして使用される。 Bias voltage Vb of light receiving elements 2a, ..., 2n
Here, the comparison level generation circuit 6 is used and is obtained from a resistor connection point in this circuit. The voltage at the other resistance connection point is input to the comparator 7 and used as a comparison level for the comparator 7.
ここで、マイコン５、Ｃ−MOSアナログスイ
ツチ４、比較レベル発生回路６等の電源電圧は図
示のようにVccであり、結局、バイアス電圧Vb
はＣ−MOSスイツチ４の電源電圧Vccより低い
値に設定されることとなる。また、このバイアス
電圧Vbは各受光素子２ａ、……、２ｎのカソー
ド側から加えられ、アノード側をＣ−MOSアナ
ログスイツチ４に接続し、各受光電流出力はＣ−
MOSアナログスイツチ４を介して取出すように
構成される。 Here, the power supply voltage of the microcomputer 5, C-MOS analog switch 4, comparison level generation circuit 6, etc. is Vcc as shown in the figure, and the bias voltage Vb
is set to a value lower than the power supply voltage Vcc of the C-MOS switch 4. Further, this bias voltage Vb is applied from the cathode side of each light receiving element 2a, ..., 2n, the anode side is connected to the C-MOS analog switch 4, and each light receiving current output is C-
It is configured to take out via the MOS analog switch 4.
アンプ８はＣ−MOSアナログスイツチ４を介
して取出した受光電流出力を増幅し、コンパレー
タ７の他方に入力するものである。コンパレータ
７の出力信号はマイコン５に入力され、マイコン
５内で、各発光素子１ａ、……、１ｎと受光素子
２ａ、……、２ｎ間に介在する被検知物体の有
無、サイズ等を識別すべく信号処理される。 The amplifier 8 amplifies the photodetection current output taken out via the C-MOS analog switch 4 and inputs it to the other side of the comparator 7. The output signal of the comparator 7 is input to the microcomputer 5, and the microcomputer 5 identifies the presence, size, etc. of the object to be detected interposed between each light emitting element 1a, ..., 1n and the light receiving element 2a, ..., 2n. The signal is processed accordingly.
第２図は第１図におけるＣ−MOSアナログス
イツチ４の内部に寄生ダイオードＤ，Ｄ、……が
生じている様子を示す図である。前述したよう
に、受光素子２ａ、……、２ｎのバイアス電圧
Vbは、Ｃ−MOSアナログスイツチ４の電源電圧
Vccより低くしている。従つて、受光素子２の受
光時に発生する電流は、決してＣ−MOSアナロ
グスイツチ４の内部ダイオードＤ，Ｄ、……に流
れ込むことがなく、Ｃ−MOSアナログスイツチ
４の動作を安定化してスイツチングさせることが
できる。また受光素子２ａ、……、２ｎのバイア
ス電圧Vbは、アノード側のＣ−MOSアナログス
イツチ４の切換えにより、カソード側から加えら
れることとなるので、仮に非選択の受光素子２に
光が入射しても、非選択の受光素子２は逆バイア
ス状態にあつて電流が流れない。 FIG. 2 is a diagram showing how parasitic diodes D, D, . . . are generated inside the C-MOS analog switch 4 in FIG. 1. As mentioned above, the bias voltage of the light receiving elements 2a, ..., 2n
Vb is the power supply voltage of C-MOS analog switch 4
Lower than Vcc. Therefore, the current generated when the light receiving element 2 receives light never flows into the internal diodes D, D, . . . of the C-MOS analog switch 4, thereby stabilizing the operation of the C-MOS analog switch 4 for switching. be able to. Also, the bias voltage Vb of the light receiving elements 2a, . . . , 2n is applied from the cathode side by switching the C-MOS analog switch 4 on the anode side. However, the unselected light receiving elements 2 are in a reverse bias state and no current flows therethrough.
第３図は受光素子２ａ、……、２ｎのカソード
側にＣ−MOSアナログスイツチ４を接続し、こ
のＣ−MOSアナログスイツチ４を介しバイアス
電圧Vbを加えるようにしたものである。この場
合、非選択の受光素子２に光が入射されれば、図
示したループで電流Is′が流れ、Ｃ−MOSアナロ
グスイツチ４の動作を不安定にするとともに、受
光素子２ａ、……２ｎに共通に接続された抵抗Ｒ
への電流注入により、選択された受光素子２から
の光電流出力量にも悪影響を与える。第２図の回
路構成ではこのようなことがない。 In FIG. 3, a C-MOS analog switch 4 is connected to the cathode side of the light receiving elements 2a, . . . , 2n, and a bias voltage Vb is applied through the C-MOS analog switch 4. In this case, if light is incident on the unselected light-receiving element 2, a current Is' flows in the illustrated loop, making the operation of the C-MOS analog switch 4 unstable, and causing the light-receiving elements 2a, . . . , 2n to become unstable. Commonly connected resistor R
The injection of current into the photodetector 2 adversely affects the amount of photocurrent output from the selected photodetector 2. This does not happen with the circuit configuration shown in FIG.
＜考案の効果＞
以上、説明したように本考案によれば、対向配
置した複数対の発光素子と受光素子の時分割駆動
により、両素子間に介在する被検知物体を識別す
る光電式物体検知装置において、各受光素子を各
受光素子に同期して順次時分割に切換えるＣ−
MOSアナログスイツチを備え、各受光素子のア
ノード側に前記Ｃ−MOSアナログスイツチが接
続され、各受光素子のカソード側には、前記Ｃ−
MOSアナログスイツチの電源電圧より低い値に
設定された前記各受光素子に対するバイアス電圧
が供給されてなるので、部品点数が少なく回路構
成を簡略化、コストダウン化できる。<Effects of the invention> As explained above, according to the invention, by time-division driving of multiple pairs of light-emitting elements and light-receiving elements arranged opposite to each other, photoelectric object detection can be performed to identify a detected object interposed between the two elements. In the device, C-
The C-MOS analog switch is connected to the anode side of each light receiving element, and the C-MOS analog switch is connected to the cathode side of each light receiving element.
Since a bias voltage is supplied to each of the light receiving elements, which is set to a value lower than the power supply voltage of the MOS analog switch, the number of parts is small, and the circuit configuration can be simplified and costs can be reduced.
また、Ｃ−MOSアナログスイツチの寄生ダイ
オードに電流が流れ込むことを防止できるので、
Ｃ−MOSアナログスイツチの動作を安定化でき、
高信頼性の光電式物体検知装置を実現できる。 In addition, it is possible to prevent current from flowing into the parasitic diode of the C-MOS analog switch.
The operation of C-MOS analog switch can be stabilized,
A highly reliable photoelectric object detection device can be realized.
第１図は本考案の一実施例を示す回路構成図、
第２図は第１図の要部詳細を示す回路図、第３図
は第２図と対比される構成を示す回路図である。
１ａ、……、１ｎ……発光素子、２ａ、……、
２ｎ……受光素子、３……スイツチング回路、４
……Ｃ−MOSアナログスイツチ、８……比較レ
ベル発生回路、Vb……バイアス電圧、Vcc……
電源電圧。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a circuit diagram showing details of the main parts of FIG. 1, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration compared to FIG. 2. 1a,..., 1n...light emitting element, 2a,...,
2n... Light receiving element, 3... Switching circuit, 4
...C-MOS analog switch, 8...Comparison level generation circuit, Vb...Bias voltage, Vcc...
Power-supply voltage.
Claims (1)
分割駆動により、両素子間に介在する被検知物体
を識別する光電式物体検知装置において、 前記各受光素子を前記各発光素子に同期して順
次時分割に切換えるＣ−MOSアナログスイツチ
を備え、 前記各受光素子のアノード側に、前記各受光素
子のそれぞれに対し一端が接続され、他端が共通
接続され前記各受光素子の出力を外部へ導出する
前記Ｃ−MOSアナログスイツチが接続され、 前記各受光素子のカソード側は共通接続され、
該接続部に前記Ｃ−MOSアナログスイツチの電
源電圧より低い値に設定された前記各受光素子に
対するバイアス電圧が供給されてなることを特徴
とする光電式物体検知装置。[Scope of Utility Model Registration Claims] A photoelectric object detection device for identifying a detected object interposed between the two elements by time-division driving of a plurality of pairs of light-emitting elements and light-receiving elements arranged opposite to each other, wherein each of the light-receiving elements is A C-MOS analog switch is provided which sequentially switches in time division in synchronization with each light emitting element, and one end is connected to each of the light receiving elements on the anode side of each of the light receiving elements, and the other end is commonly connected to each of the light receiving elements. The C-MOS analog switch that leads the output of the light receiving element to the outside is connected, the cathode side of each of the light receiving elements is commonly connected,
A photoelectric object detection device characterized in that a bias voltage for each of the light receiving elements set to a value lower than a power supply voltage of the C-MOS analog switch is supplied to the connection portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986020747U JPH0424476Y2 (en) | 1986-02-14 | 1986-02-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986020747U JPH0424476Y2 (en) | 1986-02-14 | 1986-02-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132491U JPS62132491U (en) | 1987-08-21 |
| JPH0424476Y2 true JPH0424476Y2 (en) | 1992-06-09 |
Family
ID=30816540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986020747U Expired JPH0424476Y2 (en) | 1986-02-14 | 1986-02-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0424476Y2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698667A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | Object detector |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877481U (en) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | 富士電機株式会社 | object detection device |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP1986020747U patent/JPH0424476Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698667A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | Object detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62132491U (en) | 1987-08-21 |
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