JPH04233151A - Ion detector - Google Patents

Ion detector

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Publication number
JPH04233151A
JPH04233151A JP40922790A JP40922790A JPH04233151A JP H04233151 A JPH04233151 A JP H04233151A JP 40922790 A JP40922790 A JP 40922790A JP 40922790 A JP40922790 A JP 40922790A JP H04233151 A JPH04233151 A JP H04233151A
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JP
Japan
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conversion dynode
ions
electron multiplier
secondary electron
electrons
Prior art date
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Pending
Application number
JP40922790A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Nomura
淳一 野村
Hiroshi Yamamoto
宏 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP40922790A priority Critical patent/JPH04233151A/en
Publication of JPH04233151A publication Critical patent/JPH04233151A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide an ion detector, which can detect ions with high sensitivity and lengthen the life of a secondary electron multiplier tube by operating the secondary electron multiplier tube at low operating pressure. CONSTITUTION:This is equipped with the first conversion dynode 15, to which the negative ions from an ion source enter, the second conversion dynode 16, to which the positive ions from the first conversion dynode 15 enter, and a secondary ion multiplier tube 14, to which the electrons 22 generated by this second conversion dynode 16 enter. The negative ions, which have entered the first conversion dynode 15, being drawn by the positive high voltage applied to the first conversion dynode 15, collide against the first conversion dynode 15, and are converted into positive ions. These positive ions enter the above second conversion dynode 16, being sucked by negative high voltage applied to the second conversion dynode 16, and are converted into electrons. The converted electrons are sucked by the voltage applied to the secondary electron multiplier tube 14, and enter the second electron multiplier tube 14 and are doubled.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は二次電子放出能を有する
半導体材料で形成されてなる筒状の構造を有する連続ダ
イノード式電子増倍管(CDEM)と呼ばれる二次電子
増倍管を用いて負のイオンを検出するイオン検出装置に
関する。
[Industrial Application Field] The present invention uses a secondary electron multiplier called a continuous dynode electron multiplier (CDEM), which has a cylindrical structure and is made of a semiconductor material having a secondary electron emission ability. The present invention relates to an ion detection device that detects negative ions.

【0002】0002

【従来の技術】近年、分析分野において、高質量数のイ
オンおよび負イオンの高感度検出が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of analysis, there has been a demand for highly sensitive detection of high mass number ions and negative ions.

【0003】高質量数イオンの検出効率は、二次電子増
倍管に衝突するイオンの衝突の速度が速くなるほど高く
なる。イオンを高速にするには、加速電極を設け、それ
に印加する加速電圧を高くすればよい。最も簡単には二
次電子増倍管の入射部に印加する負の電圧を高くすれば
よい。しかし、この場合電圧を高くすればするほど同時
に増倍管を高利得で動作させることになり、二次電子増
倍管の寿命を短くすることになるので限界がある。また
、負イオンを検出する際に、出力信号をアナログ的に取
り出すにはコレクターをアース電位にする必要があり必
然的に二次電子増倍管のイオンの入射部に負の高電圧を
印加する必要があり、そこに負イオンを衝突させるのは
原理的に不可能である。
[0003] The detection efficiency of high mass number ions increases as the speed of the ions colliding with the secondary electron multiplier increases. In order to increase the speed of ions, an accelerating electrode may be provided and the accelerating voltage applied thereto may be increased. The easiest way to do this is to increase the negative voltage applied to the incident section of the secondary electron multiplier. However, in this case, there is a limit because the higher the voltage, the more the multiplier tube is simultaneously operated at a higher gain, which shortens the life of the secondary electron multiplier tube. In addition, when detecting negative ions, in order to extract the output signal in analog form, it is necessary to set the collector to ground potential, which requires applying a high negative voltage to the ion incidence part of the secondary electron multiplier tube. It is impossible in principle to collide negative ions there.

【0004】そこで、従来より、負イオンを正イオンに
変換し、この変換された正イオンを検出することにより
上記負イオンを検出するようにした、図5に示すような
構成を有するイオン検出装置が提案されている (たと
えば、特公昭58−7229号公報参照)。
[0004] Conventionally, therefore, an ion detection device having a configuration as shown in FIG. 5 has been developed, in which the negative ions are detected by converting negative ions into positive ions and detecting the converted positive ions. has been proposed (for example, see Japanese Patent Publication No. 58-7229).

【0005】上記イオン検出装置1は、負イオン2が入
射して衝突すると正イオンを発生する変換アノード3を
備える。すなわち、上記イオン検出装置1は、それに設
けられたグリッド状の穴付きスクリーン4が、図6に示
すように、イオン化領域5で発生して質量分析器6にて
分析された負イオン2を質量分析器6から受け取る。そ
してイオン検出装置1は、この負イオン2を上記変換ア
ノード3に衝突させて正イオン7に変換し、変換した正
イオン7を二次電子増倍管8に入射させて発生する二次
電子を増倍し、増倍された二次電子を出力信号として取
り出す。上記変換アノード3には、質量分析器6からの
負イオン2を吸引するために、+3KVの電圧が印加さ
れる。また、二次電子増倍管8のカソードには、上記変
換アノード3にて変換された正イオンを吸引するために
、−1KVないし−3KVの電圧が印加される。
The ion detection device 1 includes a conversion anode 3 that generates positive ions when negative ions 2 are incident and collide with each other. That is, the ion detection device 1 has a grid-like holed screen 4 provided therein, as shown in FIG. Received from analyzer 6. Then, the ion detection device 1 collides the negative ions 2 with the conversion anode 3 to convert them into positive ions 7, and inputs the converted positive ions 7 into a secondary electron multiplier 8 to generate secondary electrons. Multiply the secondary electrons and take out the multiplied secondary electrons as an output signal. A voltage of +3 KV is applied to the conversion anode 3 in order to attract the negative ions 2 from the mass spectrometer 6. Further, a voltage of -1KV to -3KV is applied to the cathode of the secondary electron multiplier tube 8 in order to attract the positive ions converted by the conversion anode 3.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
イオン検出装置1では、変換アノード3は、一般に、負
イオン2を正イオン7に変換する際の変換効率が低い。 このため、二次電子増倍管8は、通常の動作電圧 (2
KV以下)では充分な出力信号を得ることができない。 それを補償するために、二次電子増倍管8の動作電圧を
高くして利得を大きくし、実用レベルの出力信号を得て
いる。その結果、動作電圧が約2.8KVにもなる。そ
して、二次電子増倍管8が劣化してその利得が小さくな
ると、印加電圧をさらに上げて、それを補償する。
However, in the conventional ion detection device 1 described above, the conversion anode 3 generally has a low conversion efficiency when converting the negative ions 2 into positive ions 7. Therefore, the secondary electron multiplier tube 8 has a normal operating voltage (2
KV or less), it is not possible to obtain a sufficient output signal. In order to compensate for this, the operating voltage of the secondary electron multiplier tube 8 is increased to increase the gain, thereby obtaining a practical level output signal. As a result, the operating voltage is about 2.8 KV. When the secondary electron multiplier 8 deteriorates and its gain decreases, the applied voltage is further increased to compensate for this.

【0007】しかし、動作電圧が上記のように2.8K
Vと、はじめから高い場合、イオン検出装置1に使用さ
れる汎用高圧電源の上限が3.0KVであること、およ
び二次電子増倍管8の動作電圧が一般に3KV以下であ
ることから、汎用高電圧電源および二次電子増倍管8の
双方に利得の劣化を補償するだけの余裕がなくなり、相
対的に二次電子増倍管8の寿命が短くなるという問題が
あった。
However, the operating voltage is 2.8K as mentioned above.
If V is high from the beginning, the upper limit of the general-purpose high-voltage power supply used in the ion detection device 1 is 3.0 KV, and the operating voltage of the secondary electron multiplier tube 8 is generally 3 KV or less, so the general-purpose There is a problem in that both the high voltage power supply and the secondary electron multiplier 8 do not have enough margin to compensate for gain deterioration, and the life of the secondary electron multiplier 8 becomes relatively short.

【0008】また、上記従来のイオン検出装置1では、
変換アノード3で発生される正イオン7は、ほとんどが
二次電圧増倍管8のカソードに吸引されるが、変換アノ
ード3に衝突の直後に等方的に分散するので、一部はほ
かの金属に吸収されてしまい、変換アノード3での発生
イオンを完全に収束することができなかった。これも上
記従来のイオン検出装置1では、高い感度が得られない
原因となっていた。
[0008] Furthermore, in the conventional ion detection device 1,
Most of the positive ions 7 generated by the conversion anode 3 are attracted to the cathode of the secondary voltage multiplier 8, but since they are isotropically dispersed immediately after colliding with the conversion anode 3, some of them are absorbed by other ions. The ions were absorbed by the metal, and the ions generated at the conversion anode 3 could not be completely focused. This is also a cause of not being able to obtain high sensitivity in the conventional ion detection device 1 described above.

【0009】本発明の目的は、イオンを高感度で検出す
ることができ、かつ、二次電子増倍管を低い電圧で動作
させて二次電子増倍管の長寿命化をはかったイオン検出
装置を提供することである。
An object of the present invention is to detect ions with high sensitivity, and to extend the life of the secondary electron multiplier by operating the secondary electron multiplier at a low voltage. The purpose is to provide equipment.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】このため、本発明は、イ
オン源から入射する負イオンを検出するイオン検出装置
であって、上記負イオンが入射して衝突し、それに比例
する量の正イオンを発生する第1変換ダイノードと、こ
の第1変換ダイノードから発生した上記正イオンが入射
して衝突し、それに比例する量の電子を発生する第2変
換ダイノードと、この第2変換ダイノードから発生する
電子が入射し、出力端から増倍された二次電子が出力す
る二次電子増倍管とを備えたことを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] Therefore, the present invention provides an ion detection device for detecting negative ions incident from an ion source, in which the negative ions are incident and collided with each other, and a proportionate amount of positive ions are generated. a first conversion dynode that generates a It is characterized by comprising a secondary electron multiplier tube into which electrons enter and from which multiplied secondary electrons are output from an output end.

【0011】[0011]

【作用】第1変換ダイノードに印加されている正の高電
圧に吸引されて、第1変換ダイノードに入射した負イオ
ンは正イオンに変換される。変換された正イオンは、第
2変換ダイノードに印加されている負の高電圧に吸引さ
れ、第2変換ダイノードに入射して電子に変換される。 変換された電子は、二次電子増倍管に印加されている電
圧に吸引され、二次電圧増倍管に入射してその内壁に衝
突して二次電子を発生し、この二次電子が再び二次電子
増倍管の内壁に衝突して二次電子を発生する動作を繰り
返す過程で、いわゆるねずみ算式に増倍される。上記第
2変換ダイノードのカソードに印加される電圧と二次電
圧増倍管に印加される電圧とは、それぞれ別個に印加、
制御される。
[Operation] Negative ions incident on the first conversion dynode are converted into positive ions by being attracted by the high positive voltage applied to the first conversion dynode. The converted positive ions are attracted to the negative high voltage applied to the second conversion dynode, enter the second conversion dynode, and are converted into electrons. The converted electrons are attracted by the voltage applied to the secondary electron multiplier, enter the secondary voltage multiplier, collide with its inner wall, and generate secondary electrons. In the process of repeating the process of colliding with the inner wall of the secondary electron multiplier tube to generate secondary electrons, the secondary electrons are multiplied in a so-called mouse equation. The voltage applied to the cathode of the second conversion dynode and the voltage applied to the secondary voltage multiplier are applied separately,
controlled.

【0012】0012

【発明の効果】本発明によれば、二次電子増倍管のカソ
ードに印加する電圧は、第2変換ダイノードに印加され
る負の高電圧よりも低く、しかも第2変換ダイノードに
印加される電圧と二次電圧増倍管に印加される電圧とは
、それぞれ別個に印加、制御することができるので、第
2変換ダイノードに印加される電圧に応じて正イオンか
ら電子への変換効率を高めることが出来、効率の向上に
応じて二次電子増倍管に印加される電圧を低くすること
ができ、二次電子増倍管の寿命を大幅にのばすことがで
きる。
According to the present invention, the voltage applied to the cathode of the secondary electron multiplier is lower than the negative high voltage applied to the second conversion dynode, and Since the voltage and the voltage applied to the secondary voltage multiplier can be applied and controlled separately, the conversion efficiency from positive ions to electrons is increased depending on the voltage applied to the second conversion dynode. As efficiency improves, the voltage applied to the secondary electron multiplier can be lowered, and the life of the secondary electron multiplier can be significantly extended.

【0013】また、本発明によれば、第1変換ダイノー
ドにて発生されたイオンが集束して第2変換ダイノード
に入射し、第2変換ダイノードで発生した電子も集束し
て二次電子増倍管に入射するので、イオンのロスがなく
、高い感度を得ることができる。
Further, according to the present invention, the ions generated in the first conversion dynode are focused and incident on the second conversion dynode, and the electrons generated in the second conversion dynode are also focused, resulting in secondary electron multiplication. Since the ions are incident on the tube, there is no loss of ions and high sensitivity can be obtained.

【0014】[0014]

【実施例】以下に、添付の図面を参照して本発明の実施
例を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0015】本発明に係るイオン検出装置の一実施例の
構成を図1に示す。
FIG. 1 shows the configuration of an embodiment of the ion detection device according to the present invention.

【0016】図1に示すイオン検出装置11は、図示し
ないイオン源からの負イオン12が通過する穴13aを
有する穴付きスクリーン13の背後に、この穴付きスク
リーン13と二次電子増倍管14との間に配置された、
いずれもCu−Be,Ag−Mg,Au−Al,Au−
Siなどの金属、ZnO−TiO2系、BaTiO系な
どの半導体セラミクスあるいはこれらの薄膜などからな
る。第1変換ダイノード15と第2変換ダイノード16
とを備える。 上記第1変換ダイノード15および第2変換ダイノード
16は、いずれも図2および図3に示すように、直方体
の箱形の形状を有する。上記第1変換ダイノード15お
よび第2変換ダイノード16はいずれも、その4つの側
面の一つに、イオン入射用窓17を有し、このイオン入
射用窓17の開口を覆ってメッシュ18が取り付けられ
ている。また、上記第1変換ダイノード15および第2
変換ダイノード16はいずれも、その一方の端面がそれ
ぞれ正イオン21および電子22の出射開口となってい
る。上記第1変換ダイノード15および第2変換ダイノ
ード16のイオン入射面にイオンが衝突すると、電荷の
異なる荷電粒子を発生する。たとえば負イオン12は正
イオン21を、また、正イオン21は電子22を発生す
る。
The ion detection device 11 shown in FIG. 1 has a holed screen 13 and a secondary electron multiplier tube 14 installed behind a holed screen 13 having holes 13a through which negative ions 12 from an ion source (not shown) pass. placed between
All are Cu-Be, Ag-Mg, Au-Al, Au-
It is made of a metal such as Si, a semiconductor ceramic such as ZnO-TiO2 type, BaTiO type, or a thin film thereof. First conversion dynode 15 and second conversion dynode 16
Equipped with. The first conversion dynode 15 and the second conversion dynode 16 each have a rectangular parallelepiped box shape, as shown in FIGS. 2 and 3. Both the first conversion dynode 15 and the second conversion dynode 16 have an ion incidence window 17 on one of their four sides, and a mesh 18 is attached to cover the opening of the ion incidence window 17. ing. Further, the first conversion dynode 15 and the second conversion dynode
One end face of each of the conversion dynodes 16 serves as an exit opening for positive ions 21 and electrons 22, respectively. When ions collide with the ion incidence surfaces of the first conversion dynode 15 and the second conversion dynode 16, charged particles with different charges are generated. For example, negative ions 12 generate positive ions 21, and positive ions 21 generate electrons 22.

【0017】図1に示すように、上記第1変換ダイノー
ド15は、そのイオン入射用窓17を穴付きスクリーン
13の穴13aに対向させて、この穴付きスクリーン1
3の背後に配置される。一方、上記第2変換ダイノード
16は、そのイオン入射用窓17を第1変換ダイノード
15の上記イオンの出射開口19に対向させて、穴付き
スクリーン13の背後に配置される。そして、二次電子
増倍管14のラッパ状の入射端14aを、上記第2変換
ダイノード16の電子の出射開口19に対向させて、上
記二次電子増倍管14が配置される。
As shown in FIG. 1, the first conversion dynode 15 has its ion incidence window 17 facing the hole 13a of the holed screen 13.
It is placed behind 3. On the other hand, the second conversion dynode 16 is arranged behind the holed screen 13 with its ion incidence window 17 facing the ion exit opening 19 of the first conversion dynode 15 . The secondary electron multiplier 14 is arranged such that the trumpet-shaped entrance end 14a of the secondary electron multiplier 14 faces the electron exit opening 19 of the second conversion dynode 16.

【0018】上記第1変換ダイノード15には、たとえ
ば+3KVの正の高電圧が印加される。また、上記第2
変換ダイノード16には、正イオン21が効率よく電子
に変換される、たとえば−3KVの負の高電圧が印加さ
れる。そして、上記二次電子増倍管14には、たとえば
−2KVの電圧が印加される。
A positive high voltage of, for example, +3 KV is applied to the first conversion dynode 15. In addition, the second
A negative high voltage of, for example, -3 KV is applied to the conversion dynode 16 so that the positive ions 21 are efficiently converted into electrons. A voltage of, for example, -2 KV is applied to the secondary electron multiplier tube 14.

【0019】上記穴付きスクリーン13の穴13aから
、第1変換ダイノード15のイオン入射用窓17を通し
て、上記第1変換ダイノード15の内壁に負イオン12
が衝突すると、正イオン21が発生する。発生した正イ
オン21は、第2変換ダイノード16の電位に吸引され
るとともに、第1変換ダイノード15に印加されている
電圧に反発、収束して、指向性を有してその出射開口1
9から、第2変換ダイノード16のイオン入射用窓17
に向かって出射する。
Negative ions 12 are introduced into the inner wall of the first conversion dynode 15 from the hole 13a of the holed screen 13 through the ion incidence window 17 of the first conversion dynode 15.
When the two collide, positive ions 21 are generated. The generated positive ions 21 are attracted to the potential of the second conversion dynode 16, are repelled by the voltage applied to the first conversion dynode 15, are converged, and are directed to the exit aperture 1.
9 to the ion incidence window 17 of the second conversion dynode 16
fire towards.

【0020】上記第2変換ダイノード16のイオン入射
用窓17から第2変換ダイノード16に入射した正イオ
ン21は、第2変換ダイノード16の内壁に衝突して、
電子22を発生する。
The positive ions 21 entering the second conversion dynode 16 from the ion incidence window 17 of the second conversion dynode 16 collide with the inner wall of the second conversion dynode 16, and
Generates electrons 22.

【0021】上記で発生し電子22は、第2変換ダイノ
ード16よりも電位が低い二次電子増倍管14の入射端
14aの電位に吸引されるとともに、第2変換ダイノー
ド16に印加されている電圧に反発、収束して、指向性
を有してその出射開口19から、二次電子増倍管14の
入射端14aに入射する。そして、この二次電子増倍管
14により増倍され、出力端14bから増倍出力を得、
出力端14bから放出された電子はコレクターに受けら
れる。
The electrons 22 generated above are attracted to the potential of the incident end 14a of the secondary electron multiplier 14, which has a lower potential than the second conversion dynode 16, and are applied to the second conversion dynode 16. The electrons are repelled by the voltage and converge, and enter the incident end 14a of the secondary electron multiplier 14 through the exit aperture 19 with directionality. Then, it is multiplied by this secondary electron multiplier tube 14, and a multiplied output is obtained from the output end 14b,
Electrons emitted from the output end 14b are received by the collector.

【0022】上記のように、第2変換ダイノード16に
より変換された電子22は、二次電子増倍管14に入射
して検出されるが、上記電子22が二次電子増倍管14
に入射するようにするには、電子22を二次電子増倍管
14の入射端14aに向かって加速する必要がある。こ
のようにするためには、二次電子増倍管14の動作電圧
は、上記したように負の高電圧(たとえば−3KV)が
印加されている第2変換ダイノード16の上記負の高電
圧よりも低く(たとえば−2KV)する必要があり、必
然的に、二次電子増倍管14の動作電圧を下げることが
できる。
As described above, the electrons 22 converted by the second conversion dynode 16 enter the secondary electron multiplier tube 14 and are detected.
In order to make the electrons 22 incident on the secondary electron multiplier 14, it is necessary to accelerate the electrons 22 toward the incident end 14a of the secondary electron multiplier tube 14. In order to do this, the operating voltage of the secondary electron multiplier 14 must be lower than the negative high voltage of the second conversion dynode 16 to which a negative high voltage (for example, -3 KV) is applied as described above. It is also necessary to lower the voltage (for example, -2 KV), and the operating voltage of the secondary electron multiplier 14 can necessarily be lowered.

【0023】また、上記第1変換ダイノード15および
第2変換ダイノード16で発生される正イオン21およ
び電子22は、途中で失われることなく、収束してしか
も指向性を有して第2変換ダイノード16および二次電
子増倍管14に入射する。これにより、イオン検出装置
11の感度が大幅に向上することがわかる。
Further, the positive ions 21 and electrons 22 generated in the first conversion dynode 15 and the second conversion dynode 16 are not lost on the way, but are converged and directed to the second conversion dynode. 16 and the secondary electron multiplier 14 . It can be seen that this significantly improves the sensitivity of the ion detection device 11.

【0024】上記実施例では、第1変換ダイノード15
および第2変換ダイノード16として、箱形のものを用
いたが、図4に示すように、正イオン21の発生面およ
び電子22の発生面が放物面状を有しているものであっ
てもよい。このものでは、電子22が第2変換ダイノー
ド24から第1変換ダイノード23に戻らないようにす
るために、第2変換ダイノード24と第1変換ダイノー
ド23との間の電位勾配よりも、第2変換ダイノード2
4と二次電子増倍管14の入射端14aとの間の電位勾
配を大きくする必要がある。そのためには、二次電子増
倍管14を第2変換ダイノード24にできるだけ近付け
て配置すればよい。さらに、穴付きスクリーン13と第
1変換ダイノード23と同電位にすることにより、箱形
のダイノードと同様の効果を得ることができる。なお、
図4において、図1に対応する部分には対応する符号を
付して示し、重複する説明は省略する。
In the above embodiment, the first conversion dynode 15
A box-shaped one was used as the second conversion dynode 16, but as shown in FIG. 4, the positive ion 21 generation surface and the electron 22 generation surface have a parabolic shape. Good too. In this case, in order to prevent the electrons 22 from returning from the second conversion dynode 24 to the first conversion dynode 23, the potential gradient between the second conversion dynode 24 and the first conversion dynode 23 is dynode 2
4 and the incident end 14a of the secondary electron multiplier 14 must be increased. For this purpose, the secondary electron multiplier 14 may be placed as close as possible to the second conversion dynode 24. Furthermore, by setting the holed screen 13 and the first conversion dynode 23 at the same potential, it is possible to obtain the same effect as a box-shaped dynode. In addition,
In FIG. 4, parts corresponding to those in FIG. 1 are indicated with corresponding symbols, and redundant explanations will be omitted.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明に係るイオン検出装置の一実施例の構成
を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of an embodiment of an ion detection device according to the present invention.

【図2】図1のイオン検出装置の第1変換ダイノードお
よび第2変換ダイノードの構成を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of a first conversion dynode and a second conversion dynode of the ion detection device of FIG. 1;

【図3】図1のイオン検出装置の第1変換ダイノードお
よび第2変換ダイノードの縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a first conversion dynode and a second conversion dynode of the ion detection device of FIG. 1;

【図4】本発明に係るイオン検出装置のいま一つの実施
例の構成を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of another embodiment of the ion detection device according to the present invention.

【図5】従来のイオン検出装置の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional ion detection device.

【図6】質量分析装置の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a mass spectrometer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11  イオン検出装置 12  負イオン 13  穴付きスクリーン 13a  穴 14  二次電子増倍管 14a  入射端 15  第1変換ダイノード 16  第2変換ダイノード 17  イオン入射用窓 19  出射開口 21  正イオン 22  電子 23  第1変換ダイノード 24  第2変換ダイノード 11 Ion detection device 12 Negative ions 13 Screen with holes 13a Hole 14 Secondary electron multiplier 14a Incidence end 15 First conversion dynode 16 Second conversion dynode 17 Ion incidence window 19 Output aperture 21 Positive ions 22 Electron 23 First conversion dynode 24 Second conversion dynode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  イオン源から入射する負イオンを検出
するイオン検出装置であって、上記負イオンが入射して
衝突し、それに比例する量の正イオンを発生する第1変
換ダイノードと、この第1変換ダイノードから発生した
上記正イオンが入射して衝突し、それに比例する量の電
子を発生する第2変換ダイノードと、この第2変換ダイ
ノードから発生する電子が入射し、出力端から増倍され
た二次電子が出力する二次電子増倍管とを備えたことを
特徴とするイオン検出装置。
1. An ion detection device for detecting negative ions incident from an ion source, comprising: a first conversion dynode for generating an amount of positive ions in proportion to the incident and colliding negative ions; The above-mentioned positive ions generated from the first conversion dynode enter and collide, and the second conversion dynode generates an amount of electrons proportional to the positive ions. The electrons generated from this second conversion dynode enter and are multiplied from the output end. An ion detection device comprising: a secondary electron multiplier that outputs secondary electrons.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446275A (en) * 1992-05-20 1995-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Electron multiplying device having multiple dynode stages encased by a housing
US11640902B2 (en) 2020-05-01 2023-05-02 Hamamatsu Photonics K.K. Ion detector and mass spectrometer each including multiple dynodes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446275A (en) * 1992-05-20 1995-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Electron multiplying device having multiple dynode stages encased by a housing
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