JPH04227840A - ガス発生装置 - Google Patents

ガス発生装置

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JPH04227840A
JPH04227840A JP9821991A JP9821991A JPH04227840A JP H04227840 A JPH04227840 A JP H04227840A JP 9821991 A JP9821991 A JP 9821991A JP 9821991 A JP9821991 A JP 9821991A JP H04227840 A JPH04227840 A JP H04227840A
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JP
Japan
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gas
dopant
flow rate
concentration
carrier gas
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JP9821991A
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English (en)
Inventor
Michael D Brandt
マイケル・ディー・ブラント
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Air Liquide SA
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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Air Liquide SA
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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Publication date
Application filed by Air Liquide SA, LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude filed Critical Air Liquide SA
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0006Calibrating gas analysers
    • GPHYSICS
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    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0011Sample conditioning
    • G01N33/0018Sample conditioning by diluting a gas

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、1987年8月14日
出願の米国特許出願第85,888号、現米国特許第4
,849,174号に記載の装置の改良である装置に関
する。
【0002】本発明は、ガス発生装置に係り、特に、流
量の変化するガス流中に一定のまたは他の所望の水分レ
ベルを連続的に生じさせる装置に関する。
【0003】
【従来の技術及びその課題】移動する流体媒質に多かれ
少なかれ一定の割合でガスを放出し、流体媒質中に既知
のガス濃度を生ずる装置が開発されている。例えば、こ
れらの装置は、ある種の分析装置の検定を容易にするた
めに使用される。これらの装置において、ガスは、その
液相と平衡に、または単独でそのガス相において、加圧
下でシリンダ内に封入される。ガスは透過材料を通って
透過し、シリンダ一端を通るの正確な寸法の通路を満た
す。ある場合には、シリンダは2つのチャンバーに分け
られ、一方は液化された状態のガスを収容し、他方はガ
ス状でそれを収容する。シリンダが二つのチャンバーに
分けられる場合には、ガスは2つのチャンバーの間の隔
膜を通って透過し、その後第2のチャンバーからの出口
にある他の隔膜を通る。この種の典型的な装置は、例え
ば米国特許3,856,204号に開示されている。
【0004】これまで、従来の型の装置には問題があり
、これは、流動媒質へのガスの放出の割合の持続に関す
る特別な時間の問題であった。米国特許に開示されてい
るように、これらの問題の解決の試みは、大部分、シリ
ンダの周囲の温度を一定に保つことに方向付けられてい
た。しかし、これらの試みは、完全に満足できるもので
はなく、多くの種類の分析器を検量するために使用され
るこれらの従来技術は、不正確で再現できない結果を提
供しつづけた。
【0005】また、もちろん、例えば集積回路の製造に
用いられるガス中の水蒸気濃度の正確な制御は、半導体
工業において必要性があることは良く知られている。
【0006】本発明の一般的な目的は、0.05〜10
0ppm の範囲でプロセスガス中に液体ドーパントを
正確に供給するために特に適する新しく改良されたガス
発生装置装置を提供することにある。
【0007】より明確には、本発明の目的は、濃度と流
量の両方が変化するプロセスガス中に所望の低レベルの
水分を供給することにある。
【0008】本発明の他の目的は、経済的に製造でき、
動作において信頼性が高いガス発生装置を提供すること
にある。
【0009】本発明の実施態様において、この装置は、
入り口またはプロセスガスの供給系の形式での流体媒質
を含む。供給系から液体ドーパントを含む飽和器への入
り口ガスの一部を計量するためにマスフローコントロー
ラが利用される。このガスを噴霧器を通し、細かいバブ
ルに砕いて、ガスの飽和を確実にし、かつ液体ドーパン
トの温度を達成する。飽和されたガスは、飽和器からプ
ロセスガス流へ通り、ガス状混合物を提供する。このよ
うに、ドーパントはプロセスガス中に含められる。ガス
混合物の小部分をサンプリングし、混合物中におけるド
ーパント濃度を測定し、マスフローコントローラを通し
てガス混合物の所定の最終濃度を確立する所定の流量を
決定する。
【0010】本発明は、図1に示す装置の改良である。 この改良を理解するために、図1をまず説明する。図1
において、ガス供給系1からのベクトルまたはキャリヤ
ガスの流れを、ダクト2を介してスクラバーまたは乾燥
機3中へ注入する。乾燥機3は、キャリヤガス中に存在
する水蒸気及び他の不所望なガス不純物の除去に効果的
であり、9インチ×1/2インチ内径の通常の乾燥剤で
満たされたカートリッジを含む。あるいは、乾燥機は、
残留水分を除去するために、高温で活性化されている1
3Xまたは5Aのモレキュラーシーブの形であってもよ
い。
【0011】乾燥機3から出るキャリヤガスは、ダクト
4を通ってフィルター5へ向かう。このフィルターは、
キャリヤガス流中に含まれる粒状物質を除去するのに役
立つ。この態様において、フィルター5は、2μmフィ
ルターであり、不純物のないキャリヤガスのための放出
ダクト6を具備する。
【0012】放出ダクト6は、図中の7で示すマスフロ
ーコントローラに接続されている。コントローラ7は、
商標ALPHAGAZ−841−09の下で市販されて
いるタイプのものであり、このコントローラは、正確な
一定のガスフローをダクト8を通して放出する。コント
ローラ7は、マスフローの出力供給及び読み出し装置1
4を具備し、ライン16によってこれに接続される。装
置14はコントローラ7に出力を供給し、コントローラ
から放出される不純物のないガスの流量を変化させるた
めに外的調節を提供する。
【0013】ダクト8は不純物のないガスをマスフロー
コントローラ7からT型混合分岐点9に正確な質量流量
で放出する。分岐点9の中央部は、キャリヤガスが分岐
点を通るとき、一定の流量の水蒸気またはその他の不純
物ガスをキャリヤガスの不純物のない流れへ放出するた
めの隔膜11を有する透過装置10に接続されている。 装置10は、GCインダストリー社によりG−CAL透
過装置として販売されているタイプのものであり、上記
米国特許4,399,942号によれば、装置は、ジメ
チル−ポリシロキサン隔膜を含む。
【0014】透過装置10は、オーブン12により実質
的に一定の温度に維持され、この温度は、温度コントロ
ーラ13によりライン15を介してモニターされる。コ
ントローラ13は、オメガエンジニアリング社から市販
されているタイプのものであり、オメガ  CN  3
00  KCなる名称である。オーブン12は、アルミ
ニウム性の容器の形であり、その周囲にはベルトのよう
な加熱要素が巻かれており、ライン15を介して温度コ
ントローラ13に電気的に接続されている。外径より僅
かに大きい内径を有するアルミ封入状である。このオー
ブンは、数パーセントの所望濃度の範囲内すなわち0.
01〜10ppm H2  Oの範囲内に水分濃度を保
つために、1℃の設定温度の範囲内に装置の外部温度を
維持する。
【0015】与えられた隔膜11では、与えられた温度
で、隔膜を通る透過率P.R.はキャリヤガスの圧力P
の一次関数であるように見える。 P.R.=A(D)+B(D)×P ここでPは隔膜を押すキャリヤガスの圧力であり、A(
D)及びB(D)は隔膜を通過したキャリヤガスの流量
Dに依存するパラメータである。
【0016】隔膜11を通してT分岐点9へ透過する不
純物ガスのベクトルガスにおける濃度は次式で与えられ
る。
【0017】   ここで、C=キャリヤガスにおける不純物ガスの濃
度(ppm −容積)、K=25℃におけるモル気体定
数(下記Fが25℃におけるcc/分であるときの24
.45/分子量 、F=ガス流量(cc/分)である。
【0018】隔膜11を通過して移動するキャリヤガス
流の圧力を圧力調節器22によって制御する。この調節
器22は、R  3Aシリーズの名称の下でNupro
社から市販されているタイプである。調節器22は、ダ
クト18によって混合分岐点9の下流側のダクト8に接
続され、適切な圧力ゲージ19を具備する。ダクト8に
おけるガス圧が、調節器22によって所定の圧力より上
に増加すると、キャリヤガス及び不純物ガスの混合物は
、圧力が所定の圧力に落ちるまで、ベント23を通って
出る。このように、混合物の圧力は、正確に維持され、
隔膜11の付近における所定の圧力にほぼ等しい。
【0019】混合分岐点9は、ダクト17及びダクト2
0により、1つまたはそれ以上の湿度計または他の検量
される分析装置に接続される。圧力調節器22はその圧
力のしきい値を変えるように調節可能であり、それによ
りダクト8、17及び20及び分岐点9における混合物
の圧力を変化し得る。
【0020】図1の装置は低ppb範囲の多くの種類の
分析器の検定に良い結果を示す。
【0021】図2に示す本発明の一実施態様は、図1に
示す装置の改良である。この図は、本発明の実施態様を
表し、ここで百万分の1単位の低レベルのドーパントは
、ガスの組成と流量の両方が変化する間ですら、大きな
流量のガス中に連続的に発生する。
【0022】特に、図2は、流量の変化するガス中に所
望の(例えば一定の)ドーパントレベルを生ずるシステ
ムを図示する。プロセスガスは、入り口50で入り、限
流器60を通ってプロセスに入る。限流器は、(流量に
比例して)圧力低下を生じ、この圧力低下は水分量発生
器30の運転に必要な差圧を提供する。限流器は、独立
したガス源例えばシリンダ等を用いてガス発生器30を
運転するときは省略する。その後、入り口ガスの一部を
ガス発生器30に含まれるマスフローコントロール手段
32によって計量する。このコントローラ32は図1の
コントローラ7と同様である。このコントローラ32は
、そのガスをダクト55を通して水もしくは他の所望の
液体であり得るドーパント75を含む飽和器70(発生
器にも含まれている)に放出する。飽和器70において
、計量されたガスは、噴霧器80を通過し、このガスを
砕いてバブルにし、ガスの飽和を確実にし、ドーパント
75の所定の温度を維持する。ドーパントレベルは、ド
ーパントレベルのコントロール手段(図示せず)によっ
て一定に維持され、ドーパントの温度は、温度コントロ
ール手段90によって予め設定された温度に維持される
【0023】ドーパントで飽和された後、飽和されたガ
スは例えば1/16インチ管のような加熱された移動ラ
イン100を通って、飽和器を通ってプロセスガス流へ
入り、ガス混合物を作る。移動ライン100は、ドーパ
ントの凝縮を防ぐため及び濃縮された飽和ガスとプロセ
スガスとの混合を助けるために加熱される。このように
、ドーパントは、プロセスガス中に含められてガス混合
物を形成し、このガス混合物はパイプ130の下手のプ
ロセスへ続く。ガス混合物の小部分は、湿度計110(
あるいはドーパントの性質に応じて他の分析器)によっ
て採取される。その後、温度計により測定されたガス混
合物中のドーパント濃度に応じて、マスフローコントロ
ーラ32を通る流量を、ガス混合物中に所望の最終濃度
のドーパントを得るまで、調節することができる。
【0024】このシステムは、多くのガスと共に良好に
動作し、プロセスへの高流量及び高圧を利用し、例えば
非常に低レベルの濃度を有する水分ドープガスを製造す
る。飽和器中のドーパントレベルは、たやすく一定に維
持できるので、システムは、連続的に不定の時間で連続
的に作動する。
【0025】マスフローコントローラを通る流量は、計
算することが可能である。この計算から流量を予め設定
することができ、次いでガス混合物中のドーパント濃度
を測定した後に調節することができる。
【0026】以下の計算は、ドーパントとして水蒸気を
用いた種々のガス及び流量のマスフローコントローラの
設定点の概算である。
【0027】Arの場合: 飽和器の最適温度=30℃ 5kg/cm2 及び30℃における水蒸気容量濃度(
ppmv)=8,240ppmv Arのガスファクター:1,443 マスフローコントローラ:5  sccm(N2 )フ
ロー範囲:8,333cc/分〜1,667cc/分設
定点MFC: 8,333cc/分Arフロー: 設定点=(2.5ppm ×8,333cc/分×10
0)/(8,240ppm   5cc/分×1.43
3)=35.0% 1,667cc/分Arフロー 設定点=(2.5ppm ×1,667cc/分×10
0)/(8,240ppm   5cc/分×1.43
3)=7.0%O2 の場合、 飽和器の光学的温度=32℃ 5kg/cm2 及び30℃における水蒸気容量濃度(
ppmv)=9,244ppmv O2 のガスファクター:0.996 マスフローコントローラ:5  sccm(N2 )フ
ロー範囲:16,667cc/分〜3,333cc/分
16,667cc/分O2 フロー: 設定点=(2.5ppm ×16,667cc/分×1
00)/(9,244ppm   5cc/分×0.9
96)=90.5% 3,333cc/分O2 フロー 設定点=(2.5ppm ×3,333cc/分×10
0)/(9,244ppm   5cc/分×0.99
6)=18.1% N2 の場合、 飽和器の光学的温度=50℃ 5kg/cm2 及び30℃における水蒸気容量濃度(
ppmv)=27,833ppmv マスフローコントローラ:5  sccm(N2 )フ
ロー範囲:50,000cc/分〜10,000cc/
分50,000cc/分O2 フロー: 設定点=(2.5ppm ×50,000cc/分×1
00)/(27,833ppm 5cc/分×0.99
6)=89.8% 10,000cc/分O2 フロー: 設定点=(2.5ppm ×10,000cc/分×1
00)/(27,833ppm 5cc/分)=18.
0%この計算は、さまざまな質量流量に合わせるために
飽和温度を変えつつ、単一のマスフローコントローラを
用いて行われた。しかしながら、フローコントローラを
変えても同様の効果が得られるであろう。
【0028】図3は、本発明の好ましい実施態様を示す
。図2に関してすでに述べたのと同様にして、ガス混合
物を形成するプロセスガス中にドーパントを含有させ、
このガス混合物をパイプ130の下流のプロセスへ続け
る。ガス混合物の小部分を分析器110によって採取し
、計量された濃度をマイクロプロセッサ120(あるい
は他の電気コントローラ)に供給する。マイクロプロセ
ッサ120からの濃度出力は、その後コントロールシグ
ナルとして用いられ、マスフローコントローラ32を通
って流量を制御し、これにより、ガス混合物中に所定の
最終濃度のドーパントを確定する。さらに、流量が変化
するに従って、最終濃度を、マイクロプロセッサを介し
て所望のレベルに制御する。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のガス発生装置の概略図。
【図2】本発明の一実施態様にかかる大流量のガス流中
へドーパントを連続的に発生するためのガス発生装置の
概略図。
【図3】本発明の他の実施態様にかかる大流量のガス流
中へドーパントを連続的に発生するためのガス発生装置
の概略図。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  キャリヤガスの供給手段、選択された
    流量でキャリヤガスの一部を放出するための、該供給手
    段からキャリヤガスが供給される計量手段、ドーパント
    の供給手段、ドーパントとキャリヤガスとを混合してド
    ープされたガスを提供する手段、ドープされたガスをキ
    ャリヤガスに加えて、ガス混合物を形成する手段、前記
    ガス混合物中の前記ドーパント濃度を測定する手段及び
    前記ガス混合物中に所望の濃度のドーパントが測定され
    るまで選択された流量を調節する手段の組み合わせを具
    備するガス発生装置。
  2. 【請求項2】  前記ドーパントとキャリヤガスを混合
    する手段は、飽和器と噴霧器との組み合わせを含む請求
    項1に記載のガス発生装置。
  3. 【請求項3】  前記選択された流量を調節する手段は
    、電気的手段である請求項1に記載のガス発生装置。
  4. 【請求項4】  前記電気的手段は、マイクロプロセッ
    サである請求項1に記載のガス発生装置。
  5. 【請求項5】  前記計量手段は、制御し得るマスコン
    トローラである請求項1に記載のガス発生装置。
  6. 【請求項6】  前記計量手段は、混合手段と連結され
    た制御し得る加圧ガス源を含むガス発生装置。
  7. 【請求項7】  キャリヤガスを供給する工程、選択さ
    れた流量でキャリヤガスの一部を計量する工程、ドーパ
    ントを供給する工程、前記ドーパントとキャリヤガスを
    混合し、ドープされたガスを提供する工程、前記ドープ
    されたガスを前記キャリヤガスに添加し、ガス混合物を
    形成する工程、前記ガス混合物中の前記ドーパントの濃
    度を測定する工程、及び前記ガス混合物中に所望のドー
    パント濃度が計測されるまで選択された流量を調節する
    工程を具備し、組成及び流量の変化するガスストリーム
    中に一定の濃度のドーパントを連続的に発生する方法。
  8. 【請求項8】  前記ドーパントは水である請求項7に
    記載の方法。
JP9821991A 1990-04-06 1991-04-03 ガス発生装置 Pending JPH04227840A (ja)

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US50540790A 1990-04-06 1990-04-06
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