JPH04223435A - Production of active matrix liquid crystal display panel - Google Patents

Production of active matrix liquid crystal display panel

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JPH04223435A
JPH04223435A JP40636790A JP40636790A JPH04223435A JP H04223435 A JPH04223435 A JP H04223435A JP 40636790 A JP40636790 A JP 40636790A JP 40636790 A JP40636790 A JP 40636790A JP H04223435 A JPH04223435 A JP H04223435A
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JP
Japan
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liquid crystal
panel
active matrix
crystal display
cooling
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Application number
JP40636790A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirobumi Wakemoto
博文 分元
Yuji Satani
裕司 佐谷
Keisuke Tsuda
津田 圭介
Shoichi Ishihara
石原 将市
Katsuji Hattori
服部 勝治
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the high-grade active matrix liquid crystal display panel free from surface detects by preventing the orientation defects, more particularly reverse twisted domains, to be generated in a liquid crystal panel. CONSTITUTION:The process for producing the active matrix liquid crystal display panel has a stage for cooling the panel after once raising the temp. of the panel to the liquid crystal-isotropic liquid transition temp. or above after charging liquid crystal into the panel; in addition, the cooling rate of the panel at the time of passing the liquid crystal-isotropic liquid transition temp. in the cooling process is set higher than the speed at which plural pieces of nematic nuclei are generated in at least the respective picture elements constituting the panel.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
液晶表示パネルの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an active matrix liquid crystal display panel.

【0002】0002

【従来の技術】画素ごとに薄膜トランジスタ(TFT)
やダイオードなどのスイッチング素子を設けたアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルは、液晶テレビジョン受像
機などの種々のディスプレイに応用されており、最近で
はOA用ディスプレイやプロジェクションテレビジョン
受像機に大いに期待を集めている。
[Prior art] Thin film transistor (TFT) is used for each pixel.
Active matrix liquid crystal display panels equipped with switching elements such as diodes and diodes have been applied to various displays such as liquid crystal television receivers, and have recently attracted great expectations for office automation displays and projection television receivers. .

【0003】アクティブマトリクス液晶表示パネルは、
表示品位向上の流れの中で高密度化、大画面化の方向に
進んでいる。それにともなって、液晶を均一配向させる
のが困難となってきている。現在、アクティブマトリク
ス液晶表示パネルにおいては、一般に上下基板間で液晶
を90°ねじったTN液晶表示モードが用いられている
。 そして、液晶の均一配向処理は、配向膜として形成した
ポリイミド膜の表面を柔らかい布で擦るラビングによっ
てなされている。液晶パネルは、表面に配向処理をほど
こした2枚の基板間の数μmのギャップに液晶を充填し
て形成される。液晶の充填方法は、一般に真空チャンバ
ー内で行なう真空注入法が用いられている。液晶の配向
は注入時の流れの影響を受けて乱れやすいため、パネル
の温度を液晶−等方性液体転移温度以上に一旦上げた後
、冷却して液晶を再配列させて、均一配向させる手段も
とられている。
[0003] Active matrix liquid crystal display panels are
Amid the trend of improving display quality, the trend is toward higher density and larger screens. Along with this, it has become difficult to uniformly align liquid crystals. Currently, active matrix liquid crystal display panels generally use a TN liquid crystal display mode in which the liquid crystal is twisted by 90 degrees between the upper and lower substrates. The uniform alignment treatment of the liquid crystal is performed by rubbing the surface of the polyimide film formed as the alignment film with a soft cloth. A liquid crystal panel is formed by filling a gap of several μm between two substrates whose surfaces have been subjected to alignment treatment with liquid crystal. As a filling method for liquid crystal, a vacuum injection method generally performed in a vacuum chamber is used. Since the alignment of liquid crystals is easily disturbed by the influence of the flow during injection, there is a method for uniformly aligning the liquid crystals by raising the temperature of the panel once above the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature and then cooling it to realign the liquid crystals. It has also been taken.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
液晶表示パネルでは、前述のように一般にTN液晶表示
モードが用いられている。アクティブマトリクス液晶表
示パネルの基板には、TFTやソース、ゲート配線など
により、表面に凸凹が存在する。また、対向基板側もカ
ラーフィルタやブラックストライプがあり、同様に凸凹
が存在する。画素の高密度化にともない凸凹のピッチが
細かくなり、また、大画面化にともなって画素数が増加
すると、均一配向が困難になり、配向欠陥が発生しやす
い。これは、パネル基板全体を均一にラビング処理する
ことが難しくなるからである。
SUMMARY OF THE INVENTION In active matrix liquid crystal display panels, the TN liquid crystal display mode is generally used as described above. The substrate of an active matrix liquid crystal display panel has irregularities on its surface due to TFT, source, gate wiring, and the like. In addition, there are color filters and black stripes on the opposing substrate side, and similarly there are unevenness. As the density of pixels increases, the pitch of unevenness becomes finer, and as the number of pixels increases with larger screens, uniform alignment becomes difficult and alignment defects are likely to occur. This is because it becomes difficult to uniformly rub the entire panel substrate.

【0005】TN配向のアクティブマトリクス液晶パネ
ルで特に問題となるのは、リバースツイストドメインの
発生である。リバースツイストドメインは周囲の正常部
とねじれ方向が反対のドメインであり、正常部との境界
のディスクリネーションラインが光散乱を起こし、表示
欠陥となる。
[0005] A particular problem in TN-oriented active matrix liquid crystal panels is the occurrence of reverse twist domains. The reverse twist domain is a domain whose twist direction is opposite to that of the surrounding normal area, and the disclination line at the boundary with the normal area causes light scattering, resulting in a display defect.

【0006】リバースツイストドメインの発生を防止す
る方法としては、添加するカイラル剤の量を増やして、
左右のいずれかのツイストを安定化させる方法がある。 しかし、カイラル剤の添加量を増やしすぎると、粘度の
増大による応答速度の低下などの特性劣化が起こる。ま
た、添加量を増やしても、リバースツイストドメインの
発生を完全には防ぎきれない。また、基板表面の凸凹を
平坦化してラビングの均一性を上げる方法も考えられて
いるが、平坦化に用いる材料、プロセスが未確立である
。平坦化膜によって、液晶層にかかる実効電圧が低下す
ることも問題である。
[0006] A method for preventing the occurrence of reverse twist domains is to increase the amount of chiral agent added.
There is a way to stabilize either the left or right twist. However, if the amount of chiral agent added is increased too much, characteristics deterioration such as a decrease in response speed due to an increase in viscosity occurs. Furthermore, even if the amount added is increased, the occurrence of reverse twist domains cannot be completely prevented. In addition, a method has been considered to improve the uniformity of rubbing by flattening the unevenness of the substrate surface, but the materials and processes used for flattening have not yet been established. Another problem is that the planarization film reduces the effective voltage applied to the liquid crystal layer.

【0007】パネルの温度を液晶−等方性液体転移温度
以上に一旦上げた後、冷却して液晶を再配列させて均一
配向させる方法も有効な方法ではあるが、単純に加熱−
冷却を繰り返しても、リバースツイストドメインを完全
に解消することは困難である。
Although it is an effective method to once raise the temperature of the panel to above the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature and then cool it to rearrange the liquid crystals and uniformly align them, simply heating the panel is effective.
Even after repeated cooling, it is difficult to completely eliminate the reverse twist domain.

【0008】本発明はこのような課題を解決するもので
、液晶パネルに発生する配向欠陥、特にリバースツイス
トドメインを防止し、表示欠陥のない高品位のアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルを提供することを目的とす
る。
[0008] The present invention solves these problems, and aims to provide a high-quality active matrix liquid crystal display panel free from display defects by preventing alignment defects, particularly reverse twist domains, that occur in liquid crystal panels. shall be.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、アクティブマトリクス液晶表示パネルの製
造工程において、液晶をパネル内に充填した後、一旦パ
ネルの温度を液晶−等方性液体転移温度以上に上げてか
ら冷却する工程を有し、かつ冷却過程において液晶−等
方性液体転移温度を通過するときのパネルの冷却速度が
、少なくともパネルを構成するそれぞれの画素の中に複
数個のネマチック核を発生させる速度より速いことを要
旨とするものである。
[Means for Solving the Problems] In order to solve this problem, the present invention provides a method for, in the manufacturing process of an active matrix liquid crystal display panel, after filling the panel with liquid crystal, the temperature of the panel is changed to a liquid crystal-isotropic liquid. It has a step of raising the temperature to above the transition temperature and then cooling it, and the cooling rate of the panel when passing through the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature in the cooling process is such that at least a plurality of pixels in each pixel constituting the panel The gist is that the speed is faster than the rate at which nematic nuclei are generated.

【0010】0010

【作用】通常、液晶をパネルに充填すると、充填時の流
れの影響などにより、ある程度の配向欠陥が発生する。 一旦、パネルの温度を液晶−等方性液体転移温度以上に
あげると、液晶は等方性液体状態となるので、元の配向
は解消され、冷却すると再配向が起こり、充填時より配
向の均一性は改善される。しかし、単純に加熱−冷却を
繰り返しても、リバースツイストドメインを完全に解消
することは難しい。
[Operation] Normally, when a panel is filled with liquid crystal, some degree of alignment defect occurs due to the influence of the flow during filling. Once the temperature of the panel is raised above the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature, the liquid crystal becomes an isotropic liquid state, so the original orientation is canceled, and when it is cooled, realignment occurs, resulting in a more uniform orientation than when filling. sex is improved. However, even if heating and cooling are simply repeated, it is difficult to completely eliminate the reverse twist domain.

【0011】これは、再冷却過程における等方性液体か
らのネマチック核発生時に、ある確率でリバースツイス
トの核が発生し、成長してしまうことに起因する。リバ
ースツイストドメインは平坦な基板を用いたパネルでは
安定に存在しにくい。しかし、アクティブマトリクス液
晶パネルのような凸凹な基板パネルでは、段差によって
区切られた領域内で安定に存在する。これは、表面形状
および段差エッジ部のラビング不足など表面状態の違い
によると考えられる。等方性液体からの冷却過程におい
て、ネマチック液晶の核が発生、成長する様子を観察す
ると、以下のようなことがわかる。
[0011] This is due to the fact that when nematic nuclei are generated from an isotropic liquid during the recooling process, reverse twist nuclei are generated and grow with a certain probability. Reverse twist domains are difficult to exist stably in panels using flat substrates. However, in an uneven substrate panel such as an active matrix liquid crystal panel, the particles stably exist within regions separated by steps. This is thought to be due to differences in surface conditions such as surface shape and insufficient rubbing of the stepped edge portion. Observing the generation and growth of nematic liquid crystal nuclei during the cooling process from an isotropic liquid reveals the following.

【0012】たとえば、配線部の段差によって区切られ
た1画素内に、1個のネマチック核しか発生しなかった
とする。もし、このネマチック核がリバースツイストの
核であれば、リバースツイストが画素全体に成長して、
安定化してしまう。1画素内に2個以上、複数個の核が
発生する場合には、それらすべてがリバースツイストの
核である可能性はほとんどない。むしろ大部分は安定な
正常ツイストドメインである。したがって、リバースツ
イストの核が発生しても、成長途中で正常なドメインと
ぶつかり合い、安定な正常ドメインに吸収される。
For example, assume that only one nematic nucleus is generated within one pixel separated by a step in the wiring section. If this nematic nucleus is a reverse twist nucleus, the reverse twist grows over the entire pixel,
It becomes stable. When two or more nuclei occur in one pixel, there is almost no possibility that all of them are reverse twist nuclei. Rather, most of them are stable normal twisted domains. Therefore, even if a reverse-twisted nucleus is generated, it collides with the normal domain during growth and is absorbed into the stable normal domain.

【0013】冷却時のネマチック核の発生数は、一般の
結晶成長の場合と同様、冷却速度が速いほど多くなる傾
向がある。本発明は、液晶−等方性液体転移温度を通過
するときのパネルの冷却速度が、少なくともパネルを構
成するそれぞれの画素の中に複数個のネマチック核を発
生させる速度より速く設定することで、上記のような作
用により、リバースツイストドメインの発生を防止でき
る。
The number of nematic nuclei generated during cooling tends to increase as the cooling rate increases, as in the case of general crystal growth. In the present invention, the cooling rate of the panel when passing through the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature is set at least faster than the rate at which a plurality of nematic nuclei are generated in each pixel constituting the panel. The above effects can prevent the occurrence of reverse twist domains.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面に基づ
いて説明する。まず本発明は、アクティブマトリクス液
晶表示パネルの製造工程において、液晶をパネル内に充
填した後、一旦パネルの温度を液晶−等方性液体転移温
度以上に上げてから冷却するプロセスを有することを特
徴としている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the present invention is characterized in that in the manufacturing process of an active matrix liquid crystal display panel, after filling the panel with liquid crystal, the temperature of the panel is raised to a temperature equal to or higher than the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature, and then the process is cooled. It is said that

【0015】以下の実施例において、アクティブ素子と
してTFTを有し、対角2.8 インチサイズで縦(ゲ
ート)479 ラインX横(ソース)720 ライン、
画素数344880のマトリクスパネルを用いた。TF
T基板側の配線部の段差はソースライン側が約7000
A、ゲートライン側が約1000Aで、ライン幅は8μ
mある。対向側はクロム(厚み1000A)のブラック
マトリクスを有する基板で構成した。
In the following embodiment, a TFT is used as an active element, and the diagonal size is 2.8 inches, 479 lines (gate) x 720 lines (source),
A matrix panel with 344,880 pixels was used. TF
The level difference in the wiring part on the T board side is about 7000 on the source line side.
A. The gate line side is approximately 1000A, and the line width is 8μ.
There are m. The opposite side was composed of a substrate having a black matrix of chromium (thickness: 1000 Å).

【0016】冷却時における等方性液体中からのネマチ
ック核発生の様子は、メトラー社製のサーモシステムF
P−82を用いて、偏光顕微鏡下で観察した。このとき
の液晶パネルは、試料サイズの関係で、上記のパネルを
対角約1インチサイズに切断したものを用いた。
The generation of nematic nuclei from an isotropic liquid during cooling was investigated using the Thermosystem F manufactured by Mettler.
Observation was made under a polarizing microscope using P-82. Due to the sample size, the liquid crystal panel used was one cut from the above panel to a size of about 1 inch diagonally.

【0017】液晶材料は、ネマチック液晶−等方性液体
転移温度が99℃のPCH系混合液晶を用いた。カイラ
ル剤として、右ねじれの4’−(S−2−メチルブチル
)−4−シアノビフェニルを0.2 %添加した。パネ
ルギャップは90°ねじれTNのグリーン光の最適ギャ
ップ(約5μm)とした。
As the liquid crystal material, a PCH-based mixed liquid crystal having a nematic liquid crystal-isotropic liquid transition temperature of 99° C. was used. As a chiral agent, 0.2% of right-handed 4'-(S-2-methylbutyl)-4-cyanobiphenyl was added. The panel gap was set to be the optimum gap (approximately 5 μm) for green light of 90° twisted TN.

【0018】次に具体実施例について述べる。Next, a specific example will be described.

【0019】〔具体実施例1〕 レーヨン製の布を用いて、TFT基板側、対向基板側を
、図1に示すようにゲートライン(x方向)、ソースラ
イン(y方向)に対して45°の角度でラビング処理を
行ない、右まわり90°ねじれTNパネルを作製した。 上記の液晶材料を真空注入し、配向状態を観察すると、
注入時の流れ方向に沿って、多数のリバースツイストド
メインが存在した。これらのパネルを110 ℃に加熱
、3分間保持した後、室温付近まで冷却したときの配向
状態を冷却速度との関係で調べた。冷却速度はパネル表
面に取り付けた熱電対でモニタした。パネルの温度がネ
マチック液晶−等方性液体転移温度の99℃を通過する
前後のパネルの冷却速度と、冷却後にリバースツイスト
ドメインが発生した画素数の関係を表1に示す。
[Specific Example 1] Using a rayon cloth, the TFT substrate side and the counter substrate side were placed at 45° with respect to the gate line (x direction) and source line (y direction) as shown in FIG. The rubbing process was performed at an angle of 90° clockwise to produce a TN panel twisted at 90°. When the above liquid crystal material is injected in vacuum and the alignment state is observed,
There were numerous reverse twist domains along the flow direction during injection. These panels were heated to 110° C., held for 3 minutes, and then cooled to around room temperature, and the orientation state was examined in relation to the cooling rate. The cooling rate was monitored with a thermocouple attached to the panel surface. Table 1 shows the relationship between the cooling rate of the panel before and after the panel temperature passed the nematic liquid crystal-isotropic liquid transition temperature of 99° C., and the number of pixels in which reverse twist domains occurred after cooling.

【0020】[0020]

【表1】[Table 1]

【0021】ネマチック液晶−等方性液体転移温度の9
9℃を通過する前後のパネルの冷却速度と、1画素あた
りの、ネマチック核発生数の関係を表2に示す。一画素
あたりの核発生数は、ネマチック核発生の様子をビデオ
撮影し、スロー再生して観察し、20画素分の核発生数
をカウントして、その平均値として示した。
Nematic liquid crystal - isotropic liquid transition temperature 9
Table 2 shows the relationship between the cooling rate of the panel before and after passing through 9°C and the number of nematic nuclei generated per pixel. The number of nuclei generated per pixel was determined by taking a video of the nematic nucleus generation, observing it by slow playback, counting the number of nuclei generated for 20 pixels, and showing the average value.

【0022】[0022]

【表2】[Table 2]

【0023】表1よりパネルの冷却速度を速くするほど
、リバースツイストドメインの発生数が減少することが
わかる。このことは、表2の結果と対応している。つま
り、冷却速度が速くなるほど、等方性液体からのネマチ
ック核発生数が増える傾向があり、それにともなって、
リバースツイストドメインの発生が抑制される。この理
由は前述のように、1画素内に多数のネマチック核が発
生する場合には、たとえリバースツイストの核が発生し
ても、成長途中で正常なドメインとぶつかり合い、安定
な正常ドメインに吸収されるからである。
From Table 1, it can be seen that the faster the panel cooling rate is, the fewer reverse twist domains occur. This corresponds to the results in Table 2. In other words, as the cooling rate increases, the number of nematic nuclei generated from the isotropic liquid tends to increase, and along with this,
The occurrence of reverse twist domains is suppressed. The reason for this is, as mentioned above, when many nematic nuclei are generated within one pixel, even if a reverse twist nucleus is generated, it collides with a normal domain during growth and is absorbed into a stable normal domain. This is because it will be done.

【0024】核発生の様子は、パネルの状態、特に液晶
−配向膜の界面の状態に依存し、冷却速度だけでは規定
できない。しかし、本実施例にも示すように、通常ネマ
チック液晶一等方性液体転移温度を通過する際の冷却速
度が、−5℃/分以上であれば、ネマチック核発生数が
増加し、リバースツイストドメインの発生を抑制する効
果が大きいことができる。
The state of nucleation depends on the state of the panel, especially the state of the interface between the liquid crystal and the alignment film, and cannot be determined solely by the cooling rate. However, as shown in this example, if the cooling rate at which the nematic liquid crystal passes through the one-isotropic liquid transition temperature is -5°C/min or higher, the number of nematic nuclei generated increases and reverse twist occurs. The effect of suppressing the generation of domains can be large.

【0025】パネルの加熱温度は、液晶−等方性液体転
移温度からあまり高く上げない方がよい。温度を高くし
ても配向性をよくする効果がないばかりか、液晶材料の
熱劣化を引き起こす。一般に液晶−等方性液体転移温度
+10℃程度でよい。等方性液体温度での保持時間につ
いても、同様に液晶の熱劣化の観点から短時間の方が好
ましい。
It is better not to raise the heating temperature of the panel too high above the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature. Increasing the temperature not only has no effect on improving alignment, but also causes thermal deterioration of the liquid crystal material. Generally, the temperature may be about 10° C. above the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature. Regarding the holding time at the isotropic liquid temperature, a short time is also preferable from the viewpoint of thermal deterioration of the liquid crystal.

【0026】リバースツイストドメインの発生する画素
は一定していない。つまり、パネルを液晶−等方性液体
転移温度以上の温度に上げた後、ゆっくり冷却すると、
同程度の数のリバースツイストドメインが再現よく発生
するが、発生する画素はまったくランダムであり、場所
の再現性はない。このことは、リバースツイストドメイ
ンの発生がまったく確率的に起こり、冷却過程における
ネマチック核の発生数の増加が、リバースツイストドメ
イン発生の防止に効果的であることを示唆している。
[0026] The pixels in which the reverse twist domain occurs are not constant. In other words, if the panel is raised to a temperature above the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature and then slowly cooled down,
A similar number of reverse twist domains occur with good reproducibility, but the pixels that occur are completely random, and the locations are not reproducible. This suggests that the generation of reverse twist domains occurs completely stochastically, and that increasing the number of nematic nuclei generated during the cooling process is effective in preventing the generation of reverse twist domains.

【0027】〔具体実施例2〕レーヨン製の布を用いて
、TFT基板側、対向基板側を、図2に示すようにラビ
ング処理を行ない、右まわり90°ねじれTNパネルを
作製した。図2に示すように、TFT基板側を最初にソ
ースラインに沿ってAの方向にラビング処理し、続いて
配線に対して45°の角度でBの方向にラビング処理し
た。TFT基板表面の液晶は、後でラビング処理したB
の方向にそろい、90°右まわりのTNパネルが作製で
きた。上記の液晶材料を真空注入し、配向状態を観察す
ると、注入時の流れ方向に沿って、多数のリバースツイ
ストドメインが存在した。これらのパネルを110 ℃
に加熱、3分間保持した後、室温付近まで冷却したとき
の配向状態を、冷却速度との関係で調べた。冷却速度は
パネル表面に取り付けた熱電対でモニタした。パネルの
温度がネマチック液晶−等方性液体転移温度の99℃を
通過する前後のパネルの冷却速度と、冷却後にリバース
ツイストドメインが発生した画素数の関係を表3に示す
[Specific Example 2] Using a rayon cloth, the TFT substrate side and the opposing substrate side were rubbed as shown in FIG. 2 to produce a TN panel twisted 90° clockwise. As shown in FIG. 2, the TFT substrate side was first rubbed in the direction A along the source line, and then rubbed in the direction B at an angle of 45° with respect to the wiring. The liquid crystal on the surface of the TFT substrate was then rubbed with B.
A TN panel aligned in the direction of 90° clockwise was fabricated. When the above liquid crystal material was injected under vacuum and the alignment state was observed, a large number of reverse twist domains were present along the flow direction at the time of injection. These panels were heated to 110℃
The state of orientation when heated to , held for 3 minutes, and then cooled to around room temperature was examined in relation to the cooling rate. The cooling rate was monitored with a thermocouple attached to the panel surface. Table 3 shows the relationship between the cooling rate of the panel before and after the panel temperature passed the nematic liquid crystal-isotropic liquid transition temperature of 99° C., and the number of pixels in which a reverse twist domain occurred after cooling.

【0028】[0028]

【表3】[Table 3]

【0029】一方向からのみラビングした具体実施例1
の場合と比較して、具体実施例2では冷却速度が遅くて
も、リバースツイストドメインの発生数は少なくなって
いる。このことは、2つの方向からラビング処理するこ
とで、冷却時のネマチック核発生数が増加しているため
と考えられる。実際に、冷却速度−3℃/分のときのネ
マチック核の発生数を具体実施例1と同様にカウントす
ると、一画素あたり6.7 個であり、具体実施例1の
2.9 個に対して増加していることが確認できた。
[0029] Specific example 1 in which rubbing was performed only from one direction
Compared to the case of Example 2, even if the cooling rate is slow, the number of reverse twist domains generated is small. This is considered to be because the number of nematic nuclei generated during cooling increases by performing the rubbing treatment from two directions. In fact, when the number of nematic nuclei generated at a cooling rate of -3°C/min was counted in the same manner as in Example 1, it was 6.7 per pixel, compared to 2.9 in Example 1. It was confirmed that there was an increase in the number of

【0030】異なる方向からラビング処理を行なうこと
は、特にTFT基板のような段差形状を有する基板にお
いて効果的である。それは、段差エッジ部はラビング布
の繊維が当りにくく、配向性をもたせにくいためであり
、リバースツイストドメイン発生の原因となる。このよ
うな現象は、段差の大きい部分ほど起きやすく、段差の
大きいソースラインに沿ってラビング処理することで、
段差エッジ付近にまで液晶配向性を付与することができ
効果的である。
[0030] Performing the rubbing process from different directions is particularly effective for a substrate having a step shape such as a TFT substrate. This is because it is difficult for the fibers of the rubbing cloth to contact the stepped edge portions, making it difficult to provide orientation, which causes the occurrence of reverse twist domains. This phenomenon is more likely to occur in areas with larger steps, and by performing rubbing along source lines with larger steps,
This is effective because liquid crystal orientation can be imparted even near the step edges.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のように本発明のアクティブマリト
クス液晶表示パネルの製造方法は、液晶パネルに発生す
る配向欠陥、特にリバースツイストドメインの発生を防
止し、表示欠陥のない高品位のアクティブマトリクス液
晶表示パネルを実現できる。
As described above, the method for manufacturing an active matrix liquid crystal display panel of the present invention prevents alignment defects, particularly reverse twist domains, from occurring in a liquid crystal panel, and produces a high-quality active matrix without display defects. A liquid crystal display panel can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の具体実施例1の液晶パネルのラビング
処理方向を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing the rubbing direction of a liquid crystal panel according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の具体実施例2の液晶パネルのラビング
処理方向を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing the rubbing direction of a liquid crystal panel according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

x    ゲートライン方向 y    ソースライン方向 x Gate line direction y Source line direction

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  アクティブマトリクス液晶表示パネル
の製造工程において、液晶をパネル内に充填した後、一
旦パネルの温度を液晶−等方性液体転移温度以上に上げ
てから冷却する工程を有し、かつ冷却過程において液晶
−等方性液体転移温度を通過するときのパネルの冷却速
度が、少なくともパネルを構成するそれぞれの画素の中
に複数個のネマチック核を発生させる速度より速いこと
を特徴とするアクティブマトリクス液晶表示パネルの製
造方法。
1. In the manufacturing process of an active matrix liquid crystal display panel, after filling the panel with liquid crystal, the temperature of the panel is raised to a temperature equal to or higher than the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature, and then cooling is performed, and An active device characterized in that the cooling rate of the panel when passing through the liquid crystal-isotropic liquid transition temperature in the cooling process is faster than the rate at which a plurality of nematic nuclei are generated in each pixel constituting the panel. A method for manufacturing a matrix liquid crystal display panel.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11109316A (en) * 1997-10-06 1999-04-23 Fujitsu Ltd Production of liquid crystal display device

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