JPH04213137A - Data secrecy device memory module - Google Patents
Data secrecy device memory moduleInfo
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- JPH04213137A JPH04213137A JP2400756A JP40075690A JPH04213137A JP H04213137 A JPH04213137 A JP H04213137A JP 2400756 A JP2400756 A JP 2400756A JP 40075690 A JP40075690 A JP 40075690A JP H04213137 A JPH04213137 A JP H04213137A
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、電磁誘導結合されるリ
ーダ・ライターからのアクセスに応じて内蔵した不揮発
性メモリに対するデータの書込み又は読出しを行うメモ
リモジュールのデータ秘匿装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data concealment device for a memory module that writes data to or reads data from a built-in nonvolatile memory in response to access from a reader/writer to which electromagnetic induction is coupled.
【0002】0002
【従来の技術】従来、この種のメモリモジュールとして
は、例えば特開平1−184781号のメモリパッケー
ジシテムが知られている。このメモリパッケージシステ
ムにあっては、図6に示すように、リーダ・ライター1
2のコイル14に対しメモリモジュール10に設けたコ
イル16を近接させることで、電磁誘導結合により周波
数変調されたアクセス情報をメモリモジュール10の制
御回路18に送り、同時にコイル16の信号を整流回路
22で整流して電源電圧Vccを作り出し、EEPRO
M等の不揮発性メモリ20のリードアクセス又はライト
アクセスを行う。2. Description of the Related Art Conventionally, as a memory module of this type, a memory package system disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-184781 is known. In this memory package system, as shown in FIG.
By placing the coil 16 provided in the memory module 10 close to the coil 14 of No. 2, frequency-modulated access information is sent to the control circuit 18 of the memory module 10 by electromagnetic inductive coupling, and at the same time, the signal of the coil 16 is sent to the rectifier circuit 22. to create the power supply voltage Vcc, and EEPRO
Read access or write access to the nonvolatile memory 20 such as M is performed.
【0003】例えばリードアクセス時には、制御回路1
8は不揮発性メモリ20に対しチップセレクト信号CS
を送って作動状態とし、続いてシフトクロック信号SK
に同期してリードコマンド及びリードアドレスで成る読
出制御データDIを送り、不揮発性メモリ20の指定ア
ドレスから読出された読出データDOを1ビットずつ受
けて周波数変調した後にリーダ・ライター12側に送信
する。For example, during read access, the control circuit 1
8 is a chip select signal CS for the nonvolatile memory 20.
is activated by sending the shift clock signal SK.
It sends read control data DI consisting of a read command and a read address in synchronization with , receives read data DO read out from the designated address of the nonvolatile memory 20 one bit at a time, modulates the frequency, and then transmits it to the reader/writer 12 side. .
【0004】この点は、ライトアクセスについても同様
であり、制御回路18からライトコマンド及びアドレス
に加えてライトデータを書込制御データDIとして不揮
発性メモリ20に送出する。The same holds true for write access, and the control circuit 18 sends write data in addition to a write command and address to the nonvolatile memory 20 as write control data DI.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のメモリモジュールにあっては、リーダ・ライ
ター12からのアクセスに対し不揮発性メモリ20のリ
ード又はライトに関しては特別な秘匿は行われておらず
、リーダ・ライター20のパワーオン・スタートで直接
、メモリモジュール10の読出し又は書込みが自由にで
きる。[Problems to be Solved by the Invention] However, in such conventional memory modules, there is no special secrecy regarding reading or writing of the nonvolatile memory 20 from access from the reader/writer 12. First, when the reader/writer 20 is powered on and started, the memory module 10 can be read or written directly.
【0006】しかし、この種のメモリモジュールは、例
えばキャシュレスシステムで支払金額の口座自動引落し
を行うデータキャリア或いはICカードとしての使用が
予定されており、不正利用を防止するためにメモリアク
セスに対し何らかの秘匿対策を講じなければならないと
いう問題があった。本発明は、このような従来の問題点
に鑑みてなされたもので、リーダ・ライターのパワーオ
ン・スタート時の最初のアクセス情報を利用した秘匿解
除制御によりメモリモジュールを不正使用から保護でき
るようにしたメモリモジュールのデータ秘匿装置を提供
することを目的とする。However, this type of memory module is planned to be used, for example, as a data carrier or an IC card for automatically debiting payment amounts from an account in a cashless system, and memory access must be controlled to prevent unauthorized use. However, there was a problem in that some kind of confidentiality measures had to be taken. The present invention has been made in view of such conventional problems, and it is possible to protect memory modules from unauthorized use by decryption control using the first access information at the time of power-on/start of the reader/writer. The purpose of the present invention is to provide a data concealment device for a memory module.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明によるメモリモジユールのデータ秘匿装置にあっ
ては次のように構成する。尚、実施例図面中の符号を併
せて示す。まず本発明は、リーダ・ライター12に電磁
誘導結合され、コマンド、アドレス及びデータの順番に
送られるリーダ・ライター12からのアクセスに応じて
内蔵した不揮発性メモリ20に対する書込み又は読出し
を行うメモリモジュール10のデータ秘匿装置を対象と
する。[Means for Solving the Problems] In order to achieve this object, a data concealing device for a memory module according to the present invention is constructed as follows. In addition, the reference numerals in the drawings of the embodiments are also shown. First, the present invention provides a memory module 10 which is electromagnetically coupled to a reader/writer 12 and writes or reads from a built-in non-volatile memory 20 in response to an access from the reader/writer 12 which sends a command, an address, and data in this order. Targets data concealment devices.
【0008】このようなデータ秘匿装置として本発明に
あっては、コマンドがリードコマンド「0110」であ
ることを検出するリードコマンド検出手段(32a)と
、アドレスデータ「A5〜A0」が予め定めたビットパ
ターン「000000」と一致することを検出するアド
レス一致検出手段(28)と、アドレス一致検出手段の
予め定めたビットパターン「000000」で指示され
る不揮発性メモリ20のアドレスに格納された秘匿解除
データ「K63〜K0」とデータ「D63〜D0」とが
一致することを検出するデータ一致検出手段(28)と
、コマンド、アドレスデータ及び秘匿解除データの3つ
が前記の順番で全て一致したことを電源がオフされるま
で記憶する一致記憶手段(32b)と、一致記憶手段(
32b)の一致記憶に基づき不揮発性メモリ20への書
込み及び読出しを許可する許可手段(32c、34、3
6)と、コマンド、アドレス、及び秘匿解除データの中
で、最初に不一致が検出された時点で不揮発性メモリ2
0の動作を停止させる停止手段(32d、34、36)
とを設けたことを特徴とする。In the present invention, such a data concealment device includes a read command detection means (32a) for detecting that the command is a read command "0110", and a read command detection means (32a) for detecting that the command is a read command "0110", and a read command detecting means (32a) for detecting that the command is a read command "0110", and a read command detection means (32a) for detecting that the command is a read command "0110", An address match detection means (28) that detects a match with the bit pattern "000000" and a decipher stored at an address in the nonvolatile memory 20 specified by the predetermined bit pattern "000000" of the address match detection means. The data matching detection means (28) detects that the data "K63-K0" and the data "D63-D0" match, and the data matching detection means (28) detects that the data "K63-K0" and the data "D63-D0" match, and the data matching detection means (28) detects that the command, address data, and deciphering data all match in the above order. A coincidence storage means (32b) that stores information until the power is turned off, and a coincidence storage means (32b).
Permitting means (32c, 34, 3
6), and the non-volatile memory 2 when a mismatch is first detected among the command, address, and deciphering data.
Stopping means (32d, 34, 36) for stopping the operation of 0
It is characterized by having the following.
【0009】[0009]
【作用】このような構成を備えた本発明のメモリモジュ
ールのデータ秘匿装置によれば、パワーオン・スタート
で、リーダ・ライターから1ビットつづシリアル転送さ
れる秘匿解除情報としてのリードコマンド、アドレス、
及びデータを、最初のビットから逐次比較を行い、予め
定めたビットパターンのリードコマンド、アドレスアド
レス及び秘匿解除データとは異なるビットデータが送ら
れた場合には、ビット不一致を検出した時点で比較を中
止し、不揮発性メモリの動作を停止し、それ以降のメモ
リアクセスができないようにする。[Operation] According to the data concealment device for a memory module of the present invention having such a configuration, upon power-on start, the read command, address, and
and data are successively compared from the first bit, and if bit data different from the read command, address address, and deciphering data of a predetermined bit pattern is sent, the comparison is performed when a bit mismatch is detected. The non-volatile memory operation is stopped and no further memory access is possible.
【0010】0010
【実施例】図1はメモリモジュールに設けられるデータ
秘匿装置の一実施例を示した実施例構成図である。図1
において、まずメモリモジュールには図6の従来例と同
様、リーダライタ側と電磁誘導結合されるコイル16、
制御回路18、電源電圧Vccを作り出す整流回路22
及びEEPROM等を用いた不揮発性メモリ20が設け
られる。制御回路18から不揮発性メモリ20に対して
はチップセレクト信号CS、シフトクロック信号SK及
び読出制御データ(リードコマンド・リードアドレス)
あるいは書込制御信号(ライトコマンド・ライトアドレ
ス及びライトデータ)を送るDI信号が与えられる。ま
た、不揮発性メモリ20から制御回路18に対しては読
出データDOが送出される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a data concealment device provided in a memory module. Figure 1
First, the memory module includes a coil 16 that is electromagnetically coupled to the reader/writer side, as in the conventional example shown in FIG.
Control circuit 18, rectifier circuit 22 that produces power supply voltage Vcc
A nonvolatile memory 20 using EEPROM or the like is provided. A chip select signal CS, a shift clock signal SK, and read control data (read command/read address) are sent from the control circuit 18 to the nonvolatile memory 20.
Alternatively, a DI signal that sends a write control signal (write command, write address, and write data) is provided. Further, read data DO is sent from the nonvolatile memory 20 to the control circuit 18.
【0011】このような構成で成るメモリモジュール1
0には秘匿回路100が新たに設けられる。秘匿回路1
00には比較回路28、カウンタ30及び順序回路32
が設けられる。本発明にあっては、図示のリーダ・ライ
ター12のパワーオン・スタートで、リーダライタから
秘匿解除情報が電磁結合によりメモリモジュール10の
制御回路18に送られ、制御回路18でこれを復調して
、図2に示すシフトクロック信号、チップセレクト信号
、およびシフトクロック信号に同期したDI信号が不揮
発メモリ20に対して送られる。Memory module 1 having such a configuration
0 is newly provided with a secret circuit 100. Hidden circuit 1
00 has a comparison circuit 28, a counter 30, and a sequential circuit 32.
is provided. In the present invention, when the illustrated reader/writer 12 is powered on and started, the decryption information is sent from the reader/writer to the control circuit 18 of the memory module 10 by electromagnetic coupling, and the control circuit 18 demodulates the information. , a shift clock signal shown in FIG. 2, a chip select signal, and a DI signal synchronized with the shift clock signal are sent to the nonvolatile memory 20.
【0012】この実施例において、図2のDI信号で示
す秘匿解除要求情報は75ビットのビット長で構成され
る。75ビットのうち先頭の4ビットがリードコマンド
「0110」であり、次の6ビットがアドレスA5〜A
0であり、更に1つの0ビットをおいて残り64ビット
に第1の秘匿解除データD63〜D0を格納している。
このような図2に示すリーダライタ側からの秘匿解除要
求情報に対応して、図2のアドレスA5〜A0で指定さ
れる不揮発性メモリ20のアドレスには、秘匿解除デー
タD63〜D0と同じ秘匿解除データK63〜K0が予
め格納されている。不揮発性メモリ20は制御回路18
からの秘匿解除要求情報に含まれるリードコマンド「0
110」及びアドレスA5〜A0を受けて図2に示すK
63〜K0でなる読出データDOを出力する。ここでリ
ードコマンド及びアドレスを受信しているtoの期間、
不揮発性メモリ20の読出出力DOはハイインピーダン
スの状態にある。In this embodiment, the deciphering request information shown by the DI signal in FIG. 2 has a bit length of 75 bits. The first 4 bits of the 75 bits are the read command "0110", and the next 6 bits are the addresses A5 to A.
0, and with one 0 bit added, the remaining 64 bits store first deciphering data D63 to D0. In response to such deciphering request information from the reader/writer side shown in FIG. 2, the addresses of the nonvolatile memory 20 specified by addresses A5 to A0 in FIG. Release data K63 to K0 are stored in advance. The nonvolatile memory 20 is the control circuit 18
The read command “0” included in the anonymization request information from
110'' and addresses A5 to A0, K shown in FIG.
The read data DO consisting of 63 to K0 is output. Here, the period to when the read command and address are being received,
The read output DO of the nonvolatile memory 20 is in a high impedance state.
【0013】再び図1を参照するに、比較回路28はD
I信号とDO信号との一致、不一致を判別しており、秘
匿解除データD63〜D0と、不揮発性メモリ20から
読出された秘匿解除データK63〜K0とが一致するこ
とを検出するデータ一致検出手段としての機能を有する
。また比較回路28は、図2のアドレスA5〜A0が予
め定めたビットパターン「000000」に一致するこ
とを検出するアドレス一致検出手段としての機能も併せ
て有する。Referring again to FIG. 1, comparison circuit 28
Data coincidence detection means that determines whether the I signal and the DO signal match or do not match, and detects that the deciphering data D63 to D0 and the deciphering data K63 to K0 read from the nonvolatile memory 20 match. It has the function of The comparator circuit 28 also has a function as an address match detection means for detecting that addresses A5 to A0 in FIG. 2 match a predetermined bit pattern "000000".
【0014】この比較回路28による比較機能は図3に
示す反転型の排他論理和回路(EX−OR)で実現され
る。図3の比較回路28は、DI信号とDO信号が一致
すると1となる一致出力EQを生ずる。DI信号とDO
信号とが不一致であれば比較回路28は0となる不一致
出力*EQ(EQの反転出力を示す)を生ずる。またD
O信号の入力ラインを抵抗Rによりプルダウンしており
、図2に示したようにto期間に亘る不揮発性メモリ2
0のDO出力がハイインピーダンスの間は、DO信号を
0に固定する。この抵抗RによるDO信号のプルダウン
で、アドレスA5〜A0との一致判別のためのビットパ
ターン「000000」を設定することになる。The comparison function of the comparison circuit 28 is realized by an inverting exclusive OR circuit (EX-OR) shown in FIG. Comparison circuit 28 of FIG. 3 produces a coincidence output EQ which becomes 1 when the DI signal and DO signal match. DI signal and DO
If the signals do not match, the comparison circuit 28 generates a mismatch output *EQ (indicating an inverted output of EQ) which becomes 0. Also D
The input line of the O signal is pulled down by a resistor R, and as shown in FIG.
While the DO output of 0 is in high impedance, the DO signal is fixed to 0. By pulling down the DO signal by this resistor R, a bit pattern "000000" is set for determining a match with addresses A5 to A0.
【0015】更に、図1の秘匿回路100にはカウンタ
30が設けられる。カウンタ30は制御回路18から得
られるシフトクロック信号SKを計数し、パワーオン・
スタートから図2にDIとして示した秘匿解除要求情報
のビット長としての75ビットに対応する75個のシフ
トクロック信号SKが得られたときに計数出力CNTを
生ずる。Furthermore, a counter 30 is provided in the secret circuit 100 of FIG. The counter 30 counts the shift clock signal SK obtained from the control circuit 18, and
When 75 shift clock signals SK corresponding to 75 bits as the bit length of the deciphering request information shown as DI in FIG. 2 are obtained from the start, a count output CNT is generated.
【0016】図4はカウンタ30の具体的な実施例を示
したもので、図2に示すチップセレクト信号CSがCS
=0でクリア状態に置かれ、チップセレクト信号CSが
オンしてCS=1になるとクリア状態が解除されてシフ
トクロック信号SKの計数を開始し、シフトクロック信
号SKを75個計数するとカウント出力CNTを生ずる
。FIG. 4 shows a specific embodiment of the counter 30, in which the chip select signal CS shown in FIG.
= 0, the clear state is released and when the chip select signal CS is turned on and CS = 1, the clear state is released and counting of shift clock signals SK is started. When 75 shift clock signals SK are counted, the count output CNT will occur.
【0017】再び図1の秘匿回路100を参照するに、
順序回路32が設けられる。順序回路32は、DI信号
、DO信号、比較回路28の出力及びカウンタ30の出
力を受け、図5に示す状態遷移をリードコマンド一致部
32a、一致記憶部32b、許可部32c及び停止部3
2dにより行う。第5図の状態遷移にあっては、まず順
序回路32はアイドル状態IDLにあり、アイドル状態
IDLでチップセレクト信号CSがオンになるとDI信
号を受け付ける。ここでDI信号がリードコマンドであ
って、「0110」と入力されると、状態はS1、S2
、S3及びS4と遷移する。遷移状態S4においては、
比較回路28より一致出力EQ及びカウンタ30より7
5カウントによるカウント出力CNTが得られると、両
者の論理積(EQ・CNT)に基づいてパス状態PAS
Sに移行し、図1のANDゲート34に対する出力を1
として不揮発性メモリ20からのDO信号の制御回路1
8に対する出力を許容すると共に、ゲート回路36のA
NDゲート38に対するPASS出力を1とし、CS信
号をANDゲート38及びORゲート42を介して不揮
発性メモリ20に送る。Referring again to the secret circuit 100 of FIG.
A sequential circuit 32 is provided. The sequential circuit 32 receives the DI signal, the DO signal, the output of the comparison circuit 28, and the output of the counter 30, and performs the state transition shown in FIG.
2d. In the state transition shown in FIG. 5, the sequential circuit 32 is first in the idle state IDL, and when the chip select signal CS turns on in the idle state IDL, it accepts the DI signal. Here, if the DI signal is a read command and "0110" is input, the status is S1, S2
, S3 and S4. In transition state S4,
Match output EQ from comparison circuit 28 and 7 from counter 30
When the count output CNT from 5 counts is obtained, the pass state PAS is determined based on the logical product (EQ・CNT) of the two.
S, and the output to the AND gate 34 in FIG. 1 is set to 1.
The control circuit 1 for the DO signal from the non-volatile memory 20 as
8 of the gate circuit 36, and
The PASS output to the ND gate 38 is set to 1, and the CS signal is sent to the nonvolatile memory 20 via the AND gate 38 and the OR gate 42.
【0018】また、遷移状態S4で比較回路28より不
一致出力*EQが得られているときにはフェール状態F
AILに移行し、図1のANDゲート34に対する順序
回路32の出力は0のまま維持され、不揮発性メモリ2
0からのDO信号の制御回路18への送出を禁止する。
同時にゲート回路36のANDゲート38が不一致出力
*EQによるPASS信号の0で禁止状態となり、また
ANDゲート40もFAIL出力=1により禁止状態と
なり、不揮発性メモリ20へのチップセレクト信号CS
をオフにする。Furthermore, when the comparison circuit 28 obtains a mismatch output *EQ in the transition state S4, the fail state F
AIL, the output of the sequential circuit 32 to the AND gate 34 in FIG.
Sending of the DO signal from 0 to the control circuit 18 is prohibited. At the same time, the AND gate 38 of the gate circuit 36 is disabled due to the PASS signal being 0 due to the mismatch output *EQ, and the AND gate 40 is also disabled due to the FAIL output being 1, and the chip select signal CS to the non-volatile memory 20 is disabled.
Turn off.
【0019】そして、フェール状態FAILにおいてチ
ップセレクト信号CSが停止すれば、即ち*CS(CS
の反転値)となれば、元のアイドル状態IDLに戻るよ
うになる。またIDL状態でリードコマンド「0110
」以外のパターンが入力されると、その時点でFAIL
状態に移行する。この結果、順序回路32は、リードコ
マンドであることを検出するリードコマンド検出部32
aと、コマンド、アドレスデータ及び秘匿解除データの
3つが順番に全て一致したことを電源がオフされるまで
記憶する一致記憶部32bと、一致記憶部32bの一致
記憶に基づき不揮発性メモリ20への書込み及び読出し
を許可する許可部32cと、コマンド、アドレス、及び
秘匿解除データの中で、最初に不一致が検出された時点
で不揮発性メモリ20の動作を停止させる停止部32d
としての機能を備えることになる。Then, if the chip select signal CS stops in the fail state FAIL, that is, *CS(CS
(inverted value), the state returns to the original idle state IDL. Also, in the IDL state, the read command “0110
” If a pattern other than “” is entered, FAIL will occur at that point.
transition to state. As a result, the sequential circuit 32 detects the read command detection unit 32 which detects that it is a read command.
a, a coincidence storage section 32b that stores that all three of the command, address data, and deciphering data match in order until the power is turned off; and based on the coincidence storage of the coincidence storage section 32b, a A permission section 32c that permits writing and reading, and a stop section 32d that stops the operation of the nonvolatile memory 20 when a mismatch is first detected among commands, addresses, and deciphering data.
It will have the function of
【0020】次に図1の実施例の動作を説明する。尚、
アドレスA5〜A0は「000000」を使用する。メ
モリモジュールのコイル16を図示しないリーダ・ライ
ター側のコイルに近接させた状態でリーダ・ライター側
をパワーオン・スタートあるいはイニシャル・スタート
させると、メモリモジュールに対し図に示すシフトクロ
ック信号SK、チップセレクト信号CS及びDI信号で
示す所定のフォーマット構成をもった秘匿解除要求情報
が送られる。勿論、電磁誘導結合においてはこれらのビ
ット情報は周波数変調されて送られる。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained. still,
Addresses A5 to A0 use "000000". When the reader/writer side is powered on or initial started with the coil 16 of the memory module brought close to the reader/writer side coil (not shown), the shift clock signal SK and chip select signal shown in the figure are sent to the memory module. Deciphering request information having a predetermined format shown by signals CS and DI is sent. Of course, in electromagnetic inductive coupling, these bit information are frequency modulated and sent.
【0021】コイル16に誘起された信号は整流回路2
2で整流されてメモリモジュール内に対する電源電圧V
ccを作り出し、同時に制御回路18からは周波数変調
信号から復調された図2に示すシフトクロック信号SK
、チップセレクト信号CS及びDI信号が不揮発性メモ
リ20に対し出力される。制御回路18から出力される
DI信号は秘匿回路100の順序回路32に入力される
。
また、制御回路18からのリードコマンド及びアドレス
の送出が不揮発性メモリ20に対しビット単位に行われ
ると、その後の秘匿解除データD63〜D0に同期して
不揮発性メモリ20より予め格納されている同じ内容を
もつ秘匿解除データK63〜K0がビット単位に読み出
される。The signal induced in the coil 16 is transmitted to the rectifier circuit 2.
The power supply voltage V for the inside of the memory module is rectified by 2.
cc, and at the same time, the control circuit 18 outputs the shift clock signal SK shown in FIG. 2 demodulated from the frequency modulation signal.
, a chip select signal CS and a DI signal are output to the nonvolatile memory 20. The DI signal output from the control circuit 18 is input to the sequential circuit 32 of the secret circuit 100. Furthermore, when the control circuit 18 sends a read command and address to the nonvolatile memory 20 bit by bit, the same data stored in advance from the nonvolatile memory 20 is sent in synchronization with subsequent deciphering data D63 to D0. The deciphering data K63 to K0 having contents are read bit by bit.
【0022】更に詳細に説明すると、まずリードコマン
ド「0110」が入力されると状態はS4になる。ここ
から比較回路28の出力EQが評価される。次にアドレ
スA5〜A0にダミー1ビットを加えた「000000
0」が入力されている図2のto期間中は不揮発性メモ
リ20のDO出力はハイインピーダンス状態なので、図
3に示した比較回路28の抵抗Rによりプルダウンされ
てDO信号はtoの間、0となる。このためアドレス+
ダミービットが「0000000」であれば、to期間
のあいだ比較回路28の出力EQはEQ=1となり、遷
移状態S4が維持される。To explain in more detail, first, when a read command "0110" is input, the state changes to S4. From here, the output EQ of the comparison circuit 28 is evaluated. Next, add 1 dummy bit to addresses A5 to A0 to create “000000”.
Since the DO output of the non-volatile memory 20 is in a high impedance state during the to period in FIG. 2 when "0" is input, it is pulled down by the resistor R of the comparison circuit 28 shown in FIG. 3, and the DO signal becomes 0 during the to period. becomes. For this reason, address +
If the dummy bit is "0000000", the output EQ of the comparison circuit 28 becomes EQ=1 during the to period, and the transition state S4 is maintained.
【0023】続いてデータの比較が行われる。即ち、D
iとKi(但しi=63〜0)の比較が各ビット毎に行
われ、連続してDiとKiが等しい場合には、状態はS
4のままであるが、途中で等しくなくなると、その時点
で状態はS4からFAIL状態となり、CS=0になる
までFAIL状態を維持する。一方、カウンタ30はチ
ップセレクト信号CSがオンした時点でクリア状態を解
除し、続いて得られるシフトクロック信号SKを計数し
ており、シフトクロック信号SKの計数出力が秘匿解除
要求情報のビット数75に達した時点で計数出力CNT
を生ずる。[0023] Subsequently, data comparison is performed. That is, D
A comparison of i and Ki (where i = 63 to 0) is performed for each bit, and if Di and Ki are consecutively equal, the state is S.
4, but if they become no longer equal halfway through, the state changes from S4 to FAIL, and the FAIL state is maintained until CS=0. On the other hand, the counter 30 releases the clear state when the chip select signal CS turns on, and counts the subsequently obtained shift clock signal SK. When the count is reached, the count output CNT
will occur.
【0024】このカウンタ30より計数値75のカウン
ト出力CNTが得られた時、遷移状態がS4で且つ比較
回路28が一致出力EQを生じていれば、図5に示すよ
うに順序回路32はパス状態PASSに移行し、AND
ゲート34を許容状態とする。同時にゲート回路36の
ANDゲート38のオンにより制御回路18からのチッ
プセレクト信号CSを不揮発性メモリ20にORゲート
42を介してそのまま送る。When the count output CNT of count value 75 is obtained from this counter 30, if the transition state is S4 and the comparison circuit 28 has produced a coincidence output EQ, the sequential circuit 32 passes the pass as shown in FIG. Move to state PASS, AND
The gate 34 is placed in an allowable state. At the same time, by turning on the AND gate 38 of the gate circuit 36, the chip select signal CS from the control circuit 18 is sent directly to the nonvolatile memory 20 via the OR gate 42.
【0025】従って、それ以降、ANDゲート34を介
して不揮発性メモリ20の読出データDOを制御回路1
8に送出することができ、またチップセレクト信号CS
もそのままゲート回路36を介して不揮発性メモリ20
に送られるので、リーダ・ライター側でパワーオフされ
るまでメモリモジュールの不揮発性メモリ20に対する
リードアクセス及びまたはライトアクセスを有効に行う
ことができる。Therefore, from then on, the read data DO of the nonvolatile memory 20 is transferred to the control circuit 1 via the AND gate 34.
8, and the chip select signal CS
The nonvolatile memory 20 is also directly connected to the nonvolatile memory 20 via the gate circuit 36.
Therefore, read access and/or write access to the nonvolatile memory 20 of the memory module can be effectively performed until the reader/writer side is powered off.
【0026】一方、不正使用された場合には、リーダ・
ライター側から図2のDI信号に示すようにリードコマ
ンド以外のコマンドが送られたてコマンドのビット不一
致を検出した時点で、またリードコマンドは正しくとも
リードコマンドに続くアドレス及び秘匿解除データが誤
ったものが送られた時にも誤り(不一致)が検出された
時点で、順序回路32は図5のフェール状態FAILに
移行し、ANDゲート34に対する順序回路32の出力
を0のままとし、且つゲート回路36によりチップセレ
クト信号CSをオフにする。従って、不揮発性メモリ2
0からの読出データDOの送出が禁止され、且つチップ
セレクト信号CSはオフされたままとなり、リーダ・ラ
イター側からの不正使用による不揮発性メモリ20のリ
ードアクセス及びまたはライトアクセスを不可能とする
。On the other hand, in the case of unauthorized use, the reader
As shown in the DI signal in Figure 2 from the writer side, when a command other than the read command is sent and a bit mismatch in the command is detected, even if the read command is correct, the address and deciphering data following the read command are incorrect. When an error (inconsistency) is detected even when an item is sent, the sequential circuit 32 shifts to the fail state FAIL in FIG. 5, keeps the output of the sequential circuit 32 to the AND gate 34 at 0, and 36 turns off the chip select signal CS. Therefore, non-volatile memory 2
Sending of read data DO from 0 is prohibited, and the chip select signal CS remains off, making read access and/or write access to the nonvolatile memory 20 impossible due to unauthorized use from the reader/writer side.
【0027】尚、上記の実施例にあっては、秘匿解除要
求情報が不一致となる不正使用時にあっては、不揮発性
メモリ20からの読出データの送出を禁止すると共にチ
ップセレクト信号CSもオフするようにしているが、同
時に不揮発性メモリ20に対するDI信号のラインを切
り離して不揮発性メモリ20に対するライトアクセス及
びリードアクセスそのものを禁止するようにしても良い
。更に不揮発性メモリ20の動作禁止はシフトクロック
信号SKのラインについて行うようにしても良い。勿論
、不揮発性メモリ20に対する整流回路22からの電源
供給を遮断するようにしても良い。また、上記の実施例
にあっては、アドレスA5〜A0としてオール0を例に
とるものであったが、これ以外の適宜のアドレスをキー
ワードの格納アドレスしても良いことは勿論である。In the above embodiment, in the event of unauthorized use where the decryption request information does not match, the transmission of read data from the non-volatile memory 20 is prohibited and the chip select signal CS is also turned off. However, at the same time, the DI signal line for the nonvolatile memory 20 may be disconnected to prohibit write access and read access to the nonvolatile memory 20 itself. Furthermore, the operation of the nonvolatile memory 20 may be prohibited for the line of the shift clock signal SK. Of course, the power supply from the rectifier circuit 22 to the nonvolatile memory 20 may be cut off. Further, in the above embodiment, the addresses A5 to A0 are all zeros, but it goes without saying that any other appropriate address may be used as the keyword storage address.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれば
、リーダ・ライター側のパワーオン・スタート直後に秘
匿解除要求をメモリモジュールに対し行い、この秘匿解
除要求を受けてメモリモジュール側に準備された秘匿解
除情報との一致が得られない限りメモリモジュールに対
するアクセスを行うことができず、メモリモジュールの
メモリ内容を不正に書き替えるような不正使用を確実に
防止することができる。また秘匿解除要求を送る前にリ
ードコマンド等を送っても、これらのコマンドを無視す
ることができる。As described above, according to the present invention, a decryption request is made to the memory module immediately after the power-on start of the reader/writer side, and upon receiving this decryption request, the memory module side makes preparations. The memory module cannot be accessed unless a match is obtained with the decryption information, and unauthorized use such as unauthorized rewriting of the memory contents of the memory module can be reliably prevented. Furthermore, even if a read command or the like is sent before sending a deciphering request, these commands can be ignored.
【図1】本発明の一実施例を示した実施例構成図[Fig. 1] An embodiment configuration diagram showing one embodiment of the present invention.
【図2
】リーダ・ライタから最初に送られてくるシフトクロッ
ク信号SK、チップセレクト信号CS、秘匿解除要求情
報としてのDI信号及びメモリから読出されるDO信号
を示した説明図[Figure 2
] An explanatory diagram showing the shift clock signal SK first sent from the reader/writer, the chip select signal CS, the DI signal as decryption request information, and the DO signal read from the memory.
【図3】図1の比較回路の具体的な実施例説明図[Fig. 3] A diagram illustrating a specific example of the comparison circuit in Fig. 1.
【図4
】図1のカウンタの具体例の実施例説明図[Figure 4
] An explanatory diagram of a specific example of the counter in FIG. 1
【図5】図1
の順序回路の遷移状態説明図[Figure 5] Figure 1
Transition state diagram of sequential circuit
【図6】従来装置の説明図[Fig. 6] Explanatory diagram of a conventional device
10:メモリモジュール 12:リーダ・ライター 14,16:コイル 18:制御回路 20:不揮発性メモリ(EEPROM)22:整流回路 28:比較回路 30:カウンタ 32:順序回路 32a:リードコマンド検出部 32b:一致記憶部 32c:許可部 32d:停止部 34,38,40:ANDゲート 36:ゲート回路 42:ORゲート 10: Memory module 12: Reader/writer 14, 16: Coil 18: Control circuit 20: Non-volatile memory (EEPROM) 22: Rectifier circuit 28: Comparison circuit 30: Counter 32: Sequential circuit 32a: Read command detection section 32b: Match storage unit 32c: Permission section 32d: Stop part 34, 38, 40: AND gate 36: Gate circuit 42: OR gate
Claims (1)
マンド、アドレス及びデータの順番に送られるリーダ・
ライターからのアクセスに応じて内蔵した不揮発性メモ
リに対するデータ書込み又はデータ読出しを行うメモリ
モジュールに於いて、前記コマンドがリードコマンドで
あることを検出するリードコマンド検出手段と;前記ア
ドレスデータが予め定めたビットパターンと一致するこ
とを検出するアドレス一致検出手段と;前記アドレス一
致検出手段の予め定めたビットパターンで指示される前
記不揮発性メモリのアドレスに格納された秘匿解除デー
タと前記データとが一致することを検出するデータ一致
検出手段と; 前記コマンド、アドレスデータ及び秘匿解除データの3
つが順番に全て一致したことを電源がオフされるまで記
憶する一致記憶手段と;前記一致記憶手段の一致記憶に
基づき前記不揮発性メモリへの書込み及び読出しを許可
する許可手段と; 前記コマンド、アドレス、及び秘匿解除データの中で、
最初に不一致が検出された時点で前記不揮発性メモリの
動作を停止させる停止手段と; を備えたことを特徴とするメモリモジュールのデータ秘
匿装置。Claim 1: A reader/writer that is electromagnetically coupled to a reader/writer and sends commands, addresses, and data in this order.
In a memory module that writes data to or reads data from a built-in nonvolatile memory in response to access from a writer, a read command detection means detects that the command is a read command; address match detection means for detecting a match with a bit pattern; the data matches deciphering data stored at an address in the nonvolatile memory indicated by a predetermined bit pattern of the address match detection means; a data matching detection means for detecting that;
a coincidence storage means for storing that all the commands and addresses match in order until the power is turned off; permission means for permitting writing to and reading from the non-volatile memory based on the coincidence memory of the coincidence storage means; and the command and the address. , and in the de-masked data,
A data concealment device for a memory module, comprising: stopping means for stopping the operation of the nonvolatile memory when a mismatch is first detected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2400756A JPH04213137A (en) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | Data secrecy device memory module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2400756A JPH04213137A (en) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | Data secrecy device memory module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04213137A true JPH04213137A (en) | 1992-08-04 |
Family
ID=18510636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2400756A Pending JPH04213137A (en) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | Data secrecy device memory module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04213137A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07200287A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Protected program-type memory cartridge and computer system using it |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184781A (en) * | 1988-01-18 | 1989-07-24 | Tokyo Keiki Co Ltd | Memory package system |
JPH0245850A (en) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Nec Corp | Non-volatile semiconductor memory |
-
1990
- 1990-12-07 JP JP2400756A patent/JPH04213137A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184781A (en) * | 1988-01-18 | 1989-07-24 | Tokyo Keiki Co Ltd | Memory package system |
JPH0245850A (en) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Nec Corp | Non-volatile semiconductor memory |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07200287A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Protected program-type memory cartridge and computer system using it |
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