JPH04210196A - 無水塩化水素ガスボンベ及びそのクリーニング方法 - Google Patents

無水塩化水素ガスボンベ及びそのクリーニング方法

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JPH04210196A
JPH04210196A JP2340201A JP34020190A JPH04210196A JP H04210196 A JPH04210196 A JP H04210196A JP 2340201 A JP2340201 A JP 2340201A JP 34020190 A JP34020190 A JP 34020190A JP H04210196 A JPH04210196 A JP H04210196A
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gas
bomb
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cleaning
hydrogen chloride
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JP2340201A
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Osamu Suzuki
鈴木 脩
Masanori Inoko
正憲 猪子
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Tsurumi Soda Co Ltd
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Tsurumi Soda Co Ltd
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  • Cleaning In General (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は、無水塩化水素ガスボンベ及びそのクリーニン
グ方法に関するものである。
B、従来の技術 半導体デバイスの製造プロセスにおけるドライエツチン
グガスの一つとして無水塩化水素ガス(以下単にrH(
lガスJという、)が使用されている。この場合半導体
には高い信頼性か要求されていることがらHC,Oガス
中への不純物の混入を避ける必要がある。
ところで高圧ガスボンベは通常鉄で作られているためH
Cjガスと鉄とが反応して塩化鉄が生成され、これがH
CIガス中に不純物として混入するおそれがある。そこ
で従来ではボンベの内壁面を研磨してガスとの接触面積
を小さくするようにしていた。
C1発明が解決しようとする課題 しかしながらボンベ内壁面を?1lIIIする方法は可
成りの手間を要するし、また接触面積が小さいといって
もやはりHCJと鉄とが接触するため完全にその混入を
避けることができなかった。特に最近では半導体の高集
積化が急ピッチで進んでいることから製造プロセス条件
が一段と厳しくなり、エツチングガスへの不純物の混入
は許されない状況になっている。
本発明はこのような背景のもとになされたものであり、
鉄の混入を完全に抑えることのできるHCjガスボンベ
及びそのクリーニング方法を提供・することを目的とす
る。
03課題を解決するための手段及び作用本発明では、H
Cjガスボンベの内壁面と酸素(02)ガスとを、加熱
した状態で接触させるようにしてボンベのクリーニング
を行なう。
具体的にはこの方法は例えは使用済みの空の状態のボン
ベ内を空気で置換し、当該ボンベを加熱することにより
実施される。
このような方法によりボンベをクリーニングした後HC
jガスを当該ボンベに充填してここからガスを取り出す
と、このガス中には後述の実施例からも明らかなように
鉄分及び水分の含有量か極めて少なくなる0次にこの理
由について考察する。
先ず加熱下においてボンベ内壁面と空気とを接触させた
ときに内壁面に存在する可能性のある化学種は、Fe(
メタル)、Fe0(固体)、Fe20s(固体)及びF
e5o<(固体ンの4種であり、これら化学種とH(l
との反応は夫々U下の(1)〜(4)式のように表わさ
れる。
Fe(メタル) +2HC層 (ガス)→FeCj 2
 +H2・(1) Fed(固体)+2HCj  (ガス)−Fe(12+
H20(ガス)    ・ (2)Fe203 (固体
)+6H(1(ガス)−2FeCj s +3H20(
ガス)−(3)Fe304(固体)+8HC11(ガス
)=2 F e c ls +p e c + 2 +
4820 (ガス)・・・(4) ここで上記各反応の自由エネルギーΔGを求めると、△
G、=−111.732KJ/moJ、ΔG、=  9
7.512KJ/mo+、△Gs=268.40KJ/
mol 、ΔG、=−141゜26 K J / m 
o jとなる。たたしΔGの添字は反応式の数字に対応
させている。従って(1)、(3)及び(4)式の反応
は自発反応であり、(2)式の反応については原糸の方
か安定している。このことと、ガス中の鉄成分及び水分
の含有量が極めて少ない事実とを照らし合わせてみると
、ボンベ内では(3)式の反応のみが起こっているとい
える。つまりボンベの内壁面にはPet’sのみの化学
種が安定して存在し、これが内壁全面に緻密な被膜を形
成しているといえる。
次にボンベを水洗した後水蒸気乾燥処理処理を行い、し
かる後に上述のようなりリーニングを行う場合について
考察する。このように考察する理由は、実際に水洗、水
蒸気乾燥処理を行うことがあり、この場合についても検
討することが必要だからである。ここで考えられる化学
種としては、先述した化学種以外にFe (OH)2 
、Fe (OH)、が加わる。
先fPe(OH)、について前記クリーニングを行った
場合に考えられる反応式は次の(5)〜(7)式である
Fe(OH)t−FeO+HzO−・・(5)2Fe 
(OH)2 +02−+ 2 F e O+2 H20・・・(6)4 F e 
(OH) x +302−2Fe203 +4H20−
(7) ここで上記各反応の自由エネルギーΔGを求めるとΔG
5−1 95KJ/moN  △Ga=−13,96K
J/mo、ll  ΔG?=’486゜72 K J 
/ m o jである。これらΔGの値かられかるよう
にΔG6、ΔG6の値か非常に小さく、ΔG7のみか相
当大きいことから実質的には(7)式の反応が起こり、
Fe (OH)2 (固体)を出発物質としても空気と
加熱した状態で接触させるとF e 20x  (固体
)か最も安定したものになる。
なおFe(OH)zを出発物質としてFe50<を生成
することについてはFe(OH)2の方か安定であるか
ら考慮しなくてよい。
続いてF e (OH) 3について考えられる反応式
は次の(8)式である。
2Fe (OH)s →Fe20s +3H20・・・
(8) この自由エネルギーは△Gs”  145374 K 
J / m o jであり、このΔGかられかるように
Fe (OH)3 (固体)を出発物質としてもFex
O3か轟も安定なものになる。なお、Fe(OH) 3
と酸素とによりFeO,Fe20sあるいはFe3O4
が生成する反応については化学量論的には起きないので
考慮しなくてよい。
以上のことを総括すると本発明のクリーニング処理を行
うと、ボンベ内壁面に存在する化学種はFe2O3であ
ると結論付けられる。実際ボンベの中を覗くと黒かかっ
た被膜により内壁全面が覆われており、目視観察からも
Fe20sの存在が裏付けられる。そしてこのF e 
20 sがパーティクルとして混入しにくい理由は、F
e2usの比重が5.1〜5.2であり、温度25℃に
おける液化塩化水素の比重が0.8であることからボン
ベ内壁面の緻密なFe203WAの一部が脱落したとし
ても液底に沈積してしまうことによると推察される。
E、実施例 使用済みのHCjガスボンベについて残ガスを十分吸引
した後弁部を外してボンベ内を空気で置換し、次いでボ
ンベを保温ボックス内にて底部から加熱し、ボンベの温
度を100°Cに維持して2時間加熱した。このような
りリーニング処理をした後ボンベの中を覗くと内壁全面
か黒い被膜で覆われていた。そしてこのボンベの中にH
(lガスを充填し、HCjガスを収り出して0.1μm
のフィルターで鉄分を捕集したところ不検出であった。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては0.5μmの
フィルターで不検出であれば可とされていることから、
このクリーニング処理は非常に有効なものであることが
わかる。
また1気圧、25°Cの下でボンベから取り出されたH
Cjガス中の水分の実測値は50ppmであり、ボンベ
内の気相部の体積を20jとすると、ボンベ内での水(
ガス)の体積は837.3m1である。これをモル数に
換算すると3.42X10−2mofとなり、分圧に換
算するとP (H2O)=0.04178気圧となる。
ただし水は高圧容器内では理想気体として挙動するとし
、a(H20)=P (H20)が成り立つものとする
一方HCJガスについてはa (HCJI ) =P(
HCJI )とすると分圧はP (HCj ) =45
気圧となる。a (F e x Os ) = 1とす
ると、先述した(3)式の反応についての平衡定数の関
係式からa(FeCJls )=1.0122X10−
17気圧となる。これを重量に換算すると134.55
xlO−17gであり、結局水分量の実測値に基づいて
鉄分量を計算してみても、極めて微量であるという結果
が得られる。
以上において本発明では、ボンベの内壁面と酸素ガスと
を接触させるときの加熱温度としては反応速度を考慮す
ると50°C以上であることか望ましい。
F1発明の効果 本発明によれば、例えば使用済みのHC,Ilガスボン
ベを加熱した状態で空気と接触させることによりクリー
ニングを行っているため、ボンベの内壁全面がpe2o
3WAにより覆われ、この結果上述の考察事項及び実験
結果かられかるように、ボンベから取り出されるHCj
ガス中の鉄分量は実用上零であり、従ってこのHCJガ
スは例えば半導体製造プロセスに対して悪影響を及ぼす
ことかなく、極めて実用価値の高いものである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)空の状態の無水塩化水素ガスボンベの内壁面と酸
    素ガスとを加熱した状態で接触させることを特徴とする
    無水塩化水素ガスボンベのクリーニング方法。
  2. (2)内壁全面に酸化鉄(Fe_2O_3)の被膜が形
    成されていることを特徴とする無水塩化水素ガスボンベ
JP2340201A 1990-11-30 1990-11-30 液化無水塩化水素ガスボンベ Expired - Lifetime JP2587728B2 (ja)

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JP2004245249A (ja) * 2003-02-10 2004-09-02 Mcc Kogyo:Kk 高純度高圧ガス用容器およびその製造方法

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JPS5096912A (ja) * 1973-12-22 1975-08-01

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