JPH04208075A - High frequency heater - Google Patents

High frequency heater

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Publication number
JPH04208075A
JPH04208075A JP2338176A JP33817690A JPH04208075A JP H04208075 A JPH04208075 A JP H04208075A JP 2338176 A JP2338176 A JP 2338176A JP 33817690 A JP33817690 A JP 33817690A JP H04208075 A JPH04208075 A JP H04208075A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
switching element
vce
output
semiconductor switching
Prior art date
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Pending
Application number
JP2338176A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Matsumoto
松本 孝広
Naoyoshi Maehara
前原 直芳
Daisuke Betsusou
大介 別荘
Yuji Nakabayashi
裕治 中林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH04208075A publication Critical patent/JPH04208075A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce damage of an element due to switching at the zero points of a voltage Vce by comparing the output of a DC converter for converting a power source voltage into a predetermined constant voltage with an applied voltage of a switching element in the case of detecting a zero point of a voltage to be applied to the element. CONSTITUTION:In order to switch at the points when a voltage Vce becomes zero, a drive controller 12 compares the Vce with the output voltage Vout of a DC converter 22, and conducts an element after a predetermined time from a point B where the Vce is crossed at the Vout from large to small. The output Vout of the converter 22 and the voltage Vce of a switching element 5 are input to a trigger generator 15. The generator 15 compares both the signals, and generates a trigger signal at a point A where the Vce is crossed at the Vout from large to small. A synchronizing signal is output from a synchronization oscillator 16 so as to turn ON the element 5 after a predetermined time upon synchronization with the trigger signal.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はバッテリーなどの直流電源を用いた高周波加熱
装置に関するもので、特に共振型のインバータ回路を備
えた高周波加熱装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a high frequency heating device using a DC power source such as a battery, and particularly to a high frequency heating device equipped with a resonant inverter circuit.

従来の技術 従来、バッテリーによる直流電源シス゛テムに対応した
様々な機器が開発されてきた。それらの中で高周波加熱
装置は、短時間調理、安全性、高効率などの面から、乗
り物の中で使用するのに適した装置である。そこで、車
や船舶等のハソテリー電源に対応した高周波加熱装置が
開発された。
BACKGROUND OF THE INVENTION Conventionally, various devices have been developed that are compatible with battery-powered DC power systems. Among them, high-frequency heating devices are suitable for use in vehicles because of their short cooking times, safety, and high efficiency. Therefore, a high-frequency heating device was developed that is compatible with the power sources of cars and ships.

第4図に従来の高周波加熱装置の回路構成を示す、第4
図において、ハツチ゛リ−1と平滑コンデンサ2で直流
電源3が構成されている。直流電源3の出力は、共振コ
ンデンサ4、半導体スイッチング素子6などからなるイ
ンバータ回路6に接続されている。インバータ回路6に
よって直流電源3が高周波に変換されるため、トランス
7が小さくできる。トランス7によって2次巻線8に得
られる高圧電圧は倍電圧整流回路9によりさらに昇圧さ
れマグネトロン10のカソード・アノード間に印加され
る。一方、トランス7の3次巻線11からマグネトロン
10のカソードフィラメントに低圧電力が供給される。
Figure 4 shows the circuit configuration of a conventional high-frequency heating device.
In the figure, a hatchery 1 and a smoothing capacitor 2 constitute a DC power supply 3. The output of the DC power supply 3 is connected to an inverter circuit 6 comprising a resonant capacitor 4, a semiconductor switching element 6, and the like. Since the DC power source 3 is converted to high frequency by the inverter circuit 6, the transformer 7 can be made smaller. The high voltage obtained in the secondary winding 8 by the transformer 7 is further boosted by the voltage doubler rectifier circuit 9 and applied between the cathode and anode of the magnetron 10. On the other hand, low voltage power is supplied from the tertiary winding 11 of the transformer 7 to the cathode filament of the magnetron 10.

カソードフィラメントが十分加熱され、アノード・カソ
ード間に高電圧が加わると、マグネトロン10が発振を
開始し高周波を発生する。
When the cathode filament is sufficiently heated and a high voltage is applied between the anode and cathode, the magnetron 10 starts oscillating and generates high frequency waves.

半導体スイッチング素子5は駆動制御回路12により駆
動される。スイッチング素子5の損失を少なくするため
、共振コンデンサ4とトランス7の1次インダクタンス
成分14で構成される共振回路により、半導体スイッチ
ング素子5への印加電圧Vceを正弦波状とし、電圧V
ceがゼロになるタイミングで駆動信号13をオンオフ
する。駆動信号13のオン信号は半導体スイッチング素
子5の電圧■ceがゼロになった時点で導通されると、
損失が最低となる。このため、電!1の電圧Vinと半
導体スイッチング素子電圧Vceをトリガ発生回路15
で比較しVceがVinを大から小ヘクロスする点でト
リガ信号を発生する。とのトリガ信号から所定時間後に
半導体スイッチング素子5をオンするように同期発振′
r!]、6が動作し、また、オン期間はアノード電流を
所定の値に保つように検出抵抗17の両端電圧を整流増
幅したフィートノλツク信号18によりパルス幅変調回
路19で決められている。パルス幅変調回路19の出力
はドライブ回路20で電流増幅されスイッチング素子5
の駆動信号Vd13となる。
The semiconductor switching element 5 is driven by a drive control circuit 12. In order to reduce the loss of the switching element 5, the voltage Vce applied to the semiconductor switching element 5 is made into a sine wave by a resonant circuit composed of the resonant capacitor 4 and the primary inductance component 14 of the transformer 7, and the voltage V
The drive signal 13 is turned on and off at the timing when ce becomes zero. When the ON signal of the drive signal 13 is turned on at the time when the voltage CE of the semiconductor switching element 5 becomes zero,
The loss is the lowest. For this reason, Den! The trigger generation circuit 15 uses the voltage Vin of 1 and the semiconductor switching element voltage Vce.
A trigger signal is generated at the point where Vce crosses Vin from large to small. Synchronous oscillation is performed to turn on the semiconductor switching element 5 after a predetermined time from the trigger signal.
r! ], 6 are operated, and the on-period is determined by a pulse width modulation circuit 19 based on a foot strike signal 18 obtained by rectifying and amplifying the voltage across the detection resistor 17 so as to maintain the anode current at a predetermined value. The output of the pulse width modulation circuit 19 is current-amplified by the drive circuit 20 and the switching element 5
The drive signal becomes Vd13.

第5図に半導体スイッチング素子5に印加される電圧V
ceと駆動信号V d13の波形、および電源電圧Vi
nを示す。第5図において、半導体スイッチング素子5
がオフしたあとに、電圧Vceが発生し、共振回路の特
性でA点でゼロとなる。A点を検出するために、電圧V
ceと電B電圧Vinを比較し、VceがVinを大か
ら小にクロスするB点を検出し、B点から所定の時間後
に半導体スイッチング素子5をオンする構成にしている
。このようにすると、電圧がゼロの時点でスイッチング
動作を行なうので、スイッチングによる素子の損失が著
しく低減可能であった。
FIG. 5 shows the voltage V applied to the semiconductor switching element 5.
ce, the waveform of the drive signal V d13, and the power supply voltage Vi
Indicates n. In FIG. 5, a semiconductor switching element 5
After Vce is turned off, voltage Vce is generated and becomes zero at point A due to the characteristics of the resonant circuit. In order to detect point A, the voltage V
ce is compared with the electric B voltage Vin, a point B where Vce crosses Vin from large to small is detected, and the semiconductor switching element 5 is turned on after a predetermined time from point B. In this way, since the switching operation is performed when the voltage is zero, the loss of the element due to switching can be significantly reduced.

発明が解決しようとする課題 しかし、このような構成では、以下に示すような課題が
あった。
Problems to be Solved by the Invention However, such a configuration has the following problems.

バッテリーなとの直流を源の電圧の変動が大きい場合、
半導体スイッチング素子電圧Vceのゼロ点を検出する
ための基準電圧としてVinを用いた場合、基準電圧が
安定せず、損失の少ない最適なスイッチオンのタイミン
グを検出することができないという課題があった。すな
わち、第6図に示すようにtaX圧が大きくなった場合
に、スイッチング素子電圧がゼロになる前に、素子を導
通させることがあった。このため、素子に電圧VLが印
加された状態でスイッチング動作するための素子のスイ
ッチング損失が増え、この損失による発熱のため装置の
温度上昇が大きくなる。このため装置を冷却する冷却装
置が太き(なったり、発熱のため素子の信軌性を著しく
低下させるという課題があった。
If there are large fluctuations in the voltage of the DC source such as a battery,
When Vin is used as a reference voltage for detecting the zero point of the semiconductor switching element voltage Vce, there is a problem that the reference voltage is not stable and it is not possible to detect the optimum switch-on timing with less loss. That is, as shown in FIG. 6, when the taX pressure increases, the switching element may become conductive before the switching element voltage becomes zero. For this reason, the switching loss of the element for performing a switching operation with the voltage VL applied to the element increases, and the heat generated by this loss increases the temperature rise of the device. For this reason, there were problems in that the cooling device for cooling the device was thick and the reliability of the device was significantly reduced due to heat generation.

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明は、バッテリーなどか
ら構成される直流電源と、半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子に並列または直列に接続さ
れた共振コンデンサと、前記半導体スイッチング素子に
よって高周波に変換された電源を昇圧するトランスと、
前記トランスの2次側に接続されるマグネトロンと、前
記直流電源の出力を所定の直流電源に変換する直流電圧
コンバータと、前記半導体スイッチング素子に印加され
る電圧と前記直流電圧コンバータの出力を逐次比較し、
それらのクロス信号に同期して前記半導体スイッチング
素子を駆動する駆動制御回路をそなえた構成としたもの
であ。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above objects, the present invention provides a direct current power source composed of a battery or the like, a semiconductor switching element,
a resonant capacitor connected in parallel or series to the semiconductor switching element; a transformer that boosts the power source converted to a high frequency by the semiconductor switching element;
A magnetron connected to the secondary side of the transformer, a DC voltage converter that converts the output of the DC power source into a predetermined DC power source, and a voltage applied to the semiconductor switching element and the output of the DC voltage converter are successively compared. death,
The configuration includes a drive control circuit that drives the semiconductor switching element in synchronization with these cross signals.

作用 本発明の高周波加熱装置は、スイッチング素子に印加さ
れる電圧のゼロ点検出を、電源電圧を所定の定電圧に変
換する直流直流コンバータ出力と、スイッチング素子の
印加電圧を比較することで検出しているため、電源電圧
Vinが変動した場合でも、スイッチングのタイミング
が遅れたり早かったりすることがないので、素子のスイ
ッチング損失が少なく安定した動作が可能となる。
Function The high-frequency heating device of the present invention detects the zero point of the voltage applied to the switching element by comparing the output of a DC-DC converter that converts the power supply voltage into a predetermined constant voltage with the voltage applied to the switching element. Therefore, even if the power supply voltage Vin fluctuates, the switching timing will not be delayed or early, so that the switching loss of the element is small and stable operation is possible.

また、電源電圧が多少変動しても、インバータ回路のス
イッチング動作に影響が少ないため、平滑用コンデンサ
C2も小さくすることができる。
Furthermore, even if the power supply voltage fluctuates somewhat, it has little effect on the switching operation of the inverter circuit, so the smoothing capacitor C2 can also be made smaller.

実施例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
Embodiment Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the accompanying drawings.

第1図は本発明の高周波加熱装置の回路図を示す。第4
図と同し構成要素は同し符号を附す。
FIG. 1 shows a circuit diagram of the high frequency heating device of the present invention. Fourth
Components that are the same as those in the figures are given the same reference numerals.

第1図において、単方向電源3はバッテリ=■と平滑コ
ンデンサ2により構成されている。単方向電源3の出力
は共振コンデンサ4、スイッチング素子5、回生用ダイ
オード21で構成されるインバータ回路6により高周波
出力に変換される。高周波出力は昇圧トランス7により
昇圧され、2次巻線8には高圧高周波電圧が発生する。
In FIG. 1, the unidirectional power supply 3 is composed of a battery =■ and a smoothing capacitor 2. The output of the unidirectional power supply 3 is converted into a high frequency output by an inverter circuit 6 composed of a resonant capacitor 4, a switching element 5, and a regeneration diode 21. The high-frequency output is boosted by a step-up transformer 7, and a high-voltage high-frequency voltage is generated in the secondary winding 8.

2次巻線8には倍電圧整流回路9が接続され、2次側の
出力を整流昇圧し、マグネトロン10に印加する。−方
、トランス7の3次巻線11からマグネトロン10のカ
ソードフィラメントを加熱する電力が供給される。
A voltage doubler rectifier circuit 9 is connected to the secondary winding 8 to rectify and boost the output of the secondary side and apply it to the magnetron 10 . On the other hand, power is supplied from the tertiary winding 11 of the transformer 7 to heat the cathode filament of the magnetron 10.

トランスの1次巻線14と共振コンデンサ4で構成され
る共振回路の働きで、スイッチ−・グ素子5には第2図
に示すような電圧Vceが発生する。
A voltage Vce as shown in FIG. 2 is generated in the switching element 5 by the function of the resonant circuit composed of the primary winding 14 of the transformer and the resonant capacitor 4.

ここで、駆動制御回路12は、電圧Vceがゼロになる
時点でスイッチング動作を行なうために、Vceがと直
流コンバータ22の出力電圧Voutを比較して、Vc
eがVoutを大から小ヘクロスする点Bから、所定の
時間後に素子を導通するようにしている。    ′ 直流コンバータ22の出力Voutとスイッチング素子
5の電圧Vceは、トリガ発生回路15に入力される。
Here, in order to perform a switching operation when the voltage Vce becomes zero, the drive control circuit 12 compares Vce with the output voltage Vout of the DC converter 22, and compares Vce with the output voltage Vout of the DC converter 22,
The element is made conductive after a predetermined time from point B where e crosses Vout from large to small. ' The output Vout of the DC converter 22 and the voltage Vce of the switching element 5 are input to the trigger generation circuit 15.

トリガ発生回路15では両信号を比較しVceがVou
tを大から小ヘクロスする点Aでトリガ信号を発注させ
る。前記トリガ信号に同期して所定の時間後にスイッチ
ング素子5をオンするように、同期発振器16から同期
信号が出される。また、オン期間はアノード電流を所定
の値に保つように検出抵抗17の両端電圧を整流増幅し
たフィードバック信号18によりパルス幅変調回路19
で決められる。
The trigger generation circuit 15 compares both signals and determines that Vce is Vou.
A trigger signal is issued at point A where t crosses from large to small. A synchronizing signal is output from the synchronous oscillator 16 so as to turn on the switching element 5 after a predetermined time in synchronization with the trigger signal. In addition, during the on period, the pulse width modulation circuit 19 is controlled by a feedback signal 18 obtained by rectifying and amplifying the voltage across the detection resistor 17 so as to maintain the anode current at a predetermined value.
It can be determined by

すなわち、アノード電流が大きいときはオン期間を短く
、アノード電流が小さいときはオン期間を長くするパル
ス幅変調を行なうことで、高周波加熱装置の出カ一定制
御を行なっている。パルス幅変調回路の出力はドライブ
回路20で電流増幅されスイッチング素子5の駆動信号
V d13となる。
That is, constant output control of the high-frequency heating device is performed by performing pulse width modulation that shortens the on-period when the anode current is large and lengthens the on-period when the anode current is small. The output of the pulse width modulation circuit is current-amplified by the drive circuit 20 and becomes the drive signal V d13 for the switching element 5.

第2図にスイッチング素子電圧Vceと、駆動信号Vd
の波形を示す。第2図において電源電圧■inmaxか
らVirvinまで変動してもVoutは安定している
ので、トリガ信号の発生点への時期がばらつかない。し
たがって、確実にゼロ点でスイッチングが可能となる。
FIG. 2 shows the switching element voltage Vce and the drive signal Vd.
The waveform of is shown. In FIG. 2, Vout remains stable even when the power supply voltage varies from inmax to Virvin, so the timing to the trigger signal generation point does not vary. Therefore, switching can be performed reliably at the zero point.

そのため、スイッチング素子の損失が非常に小さくてよ
い。このため、冷却構成が簡単で品質の安定した高周波
加熱装置が実現可能となる。
Therefore, the loss of the switching element may be extremely small. Therefore, it is possible to realize a high-frequency heating device with a simple cooling configuration and stable quality.

第3図に本発明の高周波加熱装置の他の実施例を示す。FIG. 3 shows another embodiment of the high frequency heating device of the present invention.

第1図と同じ構成要素は同符号を付し、説明を省略する
Components that are the same as those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and explanations thereof will be omitted.

第3図で、抵抗23とツェナーダイオード24により構
成される降圧レギュレータ型の直流電圧コンバータ25
が、定電圧源Vout2を形成する。ここでダイオード
24のツェナー電圧はt′fAt圧Vinの最小値に設
定しである。この構成にすることで、同期のための電源
信号はVout2と一定となり、インバータ回路6の安
定動作が可能となる。また、電源信号を安定する回路は
ツェナーダイオード24と抵抗を接続するだけで簡単に
構成できる。
In FIG. 3, a step-down regulator type DC voltage converter 25 consisting of a resistor 23 and a Zener diode 24 is shown.
forms a constant voltage source Vout2. Here, the Zener voltage of the diode 24 is set to the minimum value of the t'fAt pressure Vin. With this configuration, the power supply signal for synchronization becomes constant at Vout2, and stable operation of the inverter circuit 6 is possible. Further, a circuit for stabilizing the power supply signal can be easily constructed by simply connecting the Zener diode 24 and a resistor.

発明の効果 以上のように本発明の高周波加熱装置では以下のような
効果が得られる。
Effects of the Invention As described above, the high frequency heating device of the present invention provides the following effects.

(1)を圧Vceのゼロの点でスイツチングするため、
素子の損失が少ない。
In order to switch (1) at the zero point of pressure Vce,
Less element loss.

(2)を源電圧を電圧コンバータで変換したものを駆動
制御同期のために使用するので、を源が変動してもイン
バータ動作に影響が少ない。したがって、電源平滑用の
コン≠ンサC2を小さくすることができる。このため、
安価な高周波加熱装置が実現できる。
(2) Since the source voltage converted by a voltage converter is used for drive control synchronization, even if the source changes, there is little effect on the inverter operation. Therefore, the power supply smoothing capacitor C2 can be made smaller. For this reason,
An inexpensive high-frequency heating device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例における直流電源用高周
波加熱装置の回路図、第2図は同装置の回路波形図、第
3図は本発明の他の実施例の高周波加熱装置の回路図、
第4図は従来例の高周波加熱装置の回路図、第5図、第
6図は同装置の回路波形図である。 3・・・・・・直流電源、4・・・・・・共振コンデン
サ、5・・・・・・半導体スイッチング素子、7・・・
・・・トランス、10・・・・・・マグネトロン、I2
・・・・・・駆動制御回路、22・・・・・直流電圧コ
ンバータ。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか2名3−直流
電源 U−一一直流電圧〕ン仄−7 1斂帽#F層y 黛 2 w zs−74釆コ〉ハータ 第 1 図 第5!!!
FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency heating device for DC power supply according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit waveform diagram of the same device, and FIG. 3 is a diagram of a high-frequency heating device according to another embodiment of the present invention. circuit diagram,
FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional high-frequency heating device, and FIGS. 5 and 6 are circuit waveform diagrams of the same device. 3...DC power supply, 4...Resonant capacitor, 5...Semiconductor switching element, 7...
...Transformer, 10...Magnetron, I2
... Drive control circuit, 22 ... DC voltage converter. Name of agent: Patent attorney Akira Okaji and two others 3-DC power supply U-11 DC voltage] N-7 1. ! ! !

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)直流電源と、半導体スイッチング素子と、前記半
導体スイッチング素子に並列または直列に接続された共
振コンデンサと、前記半導体スイッチング素子によって
高周波に変換された電源を昇圧するトランスと、前記ト
ランスの2次側に接続されるマグネトロンと、前記直流
電源の出力を所定の直流電源に変換する直流電圧コンバ
ータと、前記半導体スイッチング素子に印加される電圧
と前記直流電圧コンバータの出力を比較し、それらのク
ロス信号に同期して前記半導体スイッチング素子を駆動
する駆動制御回路を備えた高周波加熱装置。
(1) A DC power source, a semiconductor switching element, a resonant capacitor connected in parallel or series to the semiconductor switching element, a transformer that boosts the power source converted to a high frequency by the semiconductor switching element, and a secondary transformer of the transformer. A magnetron connected to the side, a DC voltage converter that converts the output of the DC power source into a predetermined DC power source, and a voltage applied to the semiconductor switching element and the output of the DC voltage converter are compared, and a cross signal thereof is generated. A high-frequency heating device comprising a drive control circuit that drives the semiconductor switching element in synchronization with.
(2)直流電圧コンバータを降圧レギュレータとした特
許請求の範囲第1項記載の高周波加熱装置。
(2) The high-frequency heating device according to claim 1, wherein the DC voltage converter is a step-down regulator.
JP2338176A 1990-11-30 1990-11-30 High frequency heater Pending JPH04208075A (en)

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