JPH04207012A - Position detector - Google Patents
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- JPH04207012A JPH04207012A JP2339907A JP33990790A JPH04207012A JP H04207012 A JPH04207012 A JP H04207012A JP 2339907 A JP2339907 A JP 2339907A JP 33990790 A JP33990790 A JP 33990790A JP H04207012 A JPH04207012 A JP H04207012A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造用
のプロキシミティタイプの露光装置において、マスクや
レチクル(以下「マスク」という。)等の第1物体面上
に形成されている微細な電子回路パターンをウェハ等の
第2物体面上に露光転写する際にマスクとウェハとの相
対的な位置決め(アライメント)を行う場合に好適な位
置検出装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a position detection device, and is used, for example, in a proximity-type exposure device for manufacturing semiconductor devices, to detect a position detection device such as a mask or reticle (hereinafter referred to as “mask”). A position detection device suitable for performing relative positioning (alignment) between a mask and a wafer when exposing and transferring a fine electronic circuit pattern formed on one object surface onto a second object surface such as a wafer. It is related to.
(従来の技術)
従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されてしAる。(Prior Art) Conventionally, in exposure apparatuses for semiconductor manufacturing, relative alignment between a mask and a wafer has been an important element for improving performance. Particularly in alignment in recent exposure apparatuses, alignment accuracy of, for example, submicron or less is required due to the high integration of semiconductor devices.
多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウニ八面
上に位置合わせ用の所謂アライメントノドターンを設け
、それらより得られる位置情報を利用して、双方のアラ
イメントを行っている。このときのアライメント方法と
しては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を
画像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第
4037969号や特開昭56−157033号公報で
提案されているようにアライメントパターンとしてゾー
ンプレートを用い、該ゾーンプレートに光束を照射し、
このときゾーンプレートから射出した光束の所定面上に
おける集光点位置を検出すること等により行つている。In many alignment devices, so-called alignment throat turns for alignment are provided on the mask and the eight faces of the sea urchin, and position information obtained from these is used to align both. As an alignment method at this time, for example, the amount of deviation between both alignment patterns is detected by performing image processing, or alignment method as proposed in U.S. Pat. Using a zone plate as a pattern, irradiating the zone plate with a light beam,
At this time, this is done by detecting the position of the focal point of the light beam emitted from the zone plate on a predetermined surface.
一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、
単なるアライメントパターンを用いた方法に比へてアラ
イメントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度の
アライメントが出来る特長がある。In general, alignment methods using zone plates are
Compared to a method using a simple alignment pattern, this method has the advantage of being able to perform alignment with relatively high precision without being affected by defects in the alignment pattern.
この他本出願人は先に特願昭63−226003号にお
いてマスクとしての第1物体とウェハとしての第2物体
との相対的な位置すれ検出を行った位置検出装置を提案
している。同号では第1物体及び第2物体面上に各々2
組のレンズ作用を有するアライメントマークとしての物
理光学素子を設け、該物理光学素子にレーザを含む投光
手段から光束を照射し、該物理光学素子で逐次回折され
た回折光をセンサ(検出手段)に導光している。モして
センサ面上での2つの光スポットの相対間隔値を求める
ことにより第1物体と第2物体の相対的位置ずれ量を検
出している。In addition, the present applicant has previously proposed in Japanese Patent Application No. 63-226003 a position detection device that detects relative positional misalignment between a first object as a mask and a second object as a wafer. In the same issue, there are two
A physical optical element as an alignment mark having a lens action is provided, a light beam is irradiated onto the physical optical element from a light projecting means including a laser, and the diffracted light sequentially diffracted by the physical optical element is detected (detection means). It guides light. The amount of relative positional deviation between the first object and the second object is detected by determining the relative distance between the two light spots on the sensor surface.
このとき投光手段は位置検出をすへく物体面上の設けた
2組の物理光学素子で逐次回折された光を受光する検出
手段と共に1つの筐体内に収納されている。At this time, the light projecting means is housed in a single housing along with a detection means for receiving light sequentially diffracted by two sets of physical optical elements provided on the object surface to facilitate position detection.
、 (発明が解決しようとする課題)一般に投光手段
からの投射光束(ビーム)のアライメントマーク(物理
光学素子)への入射位置精度が不十分であると検出手段
で得られる信号のS/N比が低下し、又オフセットの発
生等が生じてくる。この為高い機械精度及び高い組立精
度が要求されてくる。, (Problem to be solved by the invention) In general, if the precision of the incident position of the projected light flux (beam) from the light projecting means onto the alignment mark (physical optical element) is insufficient, the S/N of the signal obtained by the detection means will decrease. The ratio decreases and offset occurs. For this reason, high mechanical precision and high assembly precision are required.
投射ビームの強度分布は一般に例えば第6図に示すよう
に2つの対称軸1.、I、を有するガウシアン分布を有
しており、アライメントマークに到達する際には略々平
面波となるように設定される。例えばX方向とX方向の
強度がe−2に低下するビーム半径を仮にwX、w、と
する。尚、第6図において13はレーザー、14はコリ
メーターレンズ、Lは光束を示している。The intensity distribution of the projected beam is generally divided into two axes of symmetry, 1. , I, and is set to be approximately a plane wave when reaching the alignment mark. For example, assume that the beam radius at which the intensity in the X direction and the X direction decreases to e-2 is wX, w. In FIG. 6, 13 is a laser, 14 is a collimator lens, and L is a light beam.
このときビーム径WX、W、を大きくしてアライメント
マークを充分カバーできる様に設定すると投射ビームと
アライメントマークの相対位置合わせ精度を緩和しても
、アライメントマークに入射する光束の強度分布が変化
しにくくなる。これよりセンサ上の2つのスポットの重
心位置の間隔変化が生じにくくその面の安定度は向上す
る。しかしながら投射ビームの有効利用が悪くなり、信
号強度の低下、ノイズ成分の増加を伴なう等の問題点が
生じてくる。At this time, if the beam diameters WX and W are set to be large enough to cover the alignment mark, the intensity distribution of the light beam incident on the alignment mark will change even if the relative positioning accuracy between the projection beam and the alignment mark is relaxed. It becomes difficult. This makes it difficult to change the distance between the center of gravity positions of the two spots on the sensor, and improves the stability of that surface. However, the effective use of the projection beam becomes poor, resulting in problems such as a decrease in signal strength and an increase in noise components.
逆に投射ビーム径を小さくした場合、前述のS/N比は
向上するか、アライメントマーク面上の強度分布が不均
一となる為、投射ビームとアライメントマークの相対位
置が変化するとマスクのアライメントマークで形成され
る像の強度分布が変化を受け、この像を拡大結像して形
成されるセンサ上の2つの光スポットの重心間隔が変化
し、精度が劣化してくる。Conversely, if the projection beam diameter is made smaller, the aforementioned S/N ratio will improve, or the intensity distribution on the alignment mark surface will become uneven, so if the relative position between the projection beam and the alignment mark changes, the alignment mark on the mask will change. The intensity distribution of the image formed by the sensor changes, and the distance between the centers of gravity of the two light spots on the sensor, which is formed by enlarging this image, changes and the accuracy deteriorates.
従って投射ビーム(投光手段)とアライメントマーク(
第1物体又は第2物体)の位置決め精度を向上させ、最
適な投射ビーム径とすることでアライメントの高精度化
が可能となる。Therefore, the projection beam (light projection means) and alignment mark (
By improving the positioning accuracy of the first object or the second object and setting the optimum projection beam diameter, it is possible to achieve high alignment accuracy.
しかしながら投射ビームのアライメントマーク面上への
入射位置決め精度を機械系のみで向上させようとすると
系の複雑化及び大型化を伴い長期間の安定性を図るのが
難しいという問題点が生じてくる。However, if an attempt is made to improve the accuracy of the incident position of the projection beam onto the alignment mark surface using only a mechanical system, the problem arises that the system becomes more complex and larger, making it difficult to maintain long-term stability.
本発明は第1物体又は第2物体に設けたアライメントマ
ークである物理光学素子に対する投光手段からの投射ビ
ームの入射位置決めを簡便な方法で高精度に行なうこと
により機械精度及び組み立て精度等の緩和を図り、その
後の第1物体と第2物体の相対的位置検出を高精度に行
うことができる位置検出装置の提供を目的とする。The present invention alleviates mechanical accuracy, assembly accuracy, etc. by highly accurately determining the incident position of a projection beam from a light projection means with respect to a physical optical element, which is an alignment mark provided on a first object or a second object, using a simple method. It is an object of the present invention to provide a position detection device that can perform subsequent relative position detection of a first object and a second object with high precision.
(課題を解決するための手段)
本発明の位置検出装置は、第1物体と第2物体とを対向
させて相対的な位置検出を行う際、該第1物体面上と該
第2物体面上に各々物理光学素子を形成し、このうち一
方の物体面上の物理光学素子Aに投光手段から光を入射
させたときに生じる回折光を他方の物体面上の物理光学
素子Bに入射させ、該物理光学素子Bにより所定面上に
生ずる回折パターンの光束位置を検出手段により検出す
ることにより、該第1物体と該第2物体との相対的な位
置検出を行う際、該他方の物体面上若しくは該他方の物
体と実質的に一体的に構成されている物体面上に該物理
光学素子Bと等価な光学的作用を有する物理光学素子B
Bと、該投光手段からの光束の入射位置の検出か可能な
光電変換手段とを設け、該光電変換手段と該物理光学素
子BBを利用して該投光手段と該物理光学素子Aとの位
置設定を行うようにしたことを特徴としている。(Means for Solving the Problems) When the position detection device of the present invention performs relative position detection with a first object and a second object facing each other, it is possible to A physical optical element is formed on each of the physical optical elements, and the diffracted light generated when light is incident on the physical optical element A on one of the object surfaces from the light projection means is incident on the physical optical element B on the other object surface. When detecting the relative position of the first object and the second object by detecting the position of the light beam of the diffraction pattern generated on a predetermined surface by the physical optical element B using the detection means, A physical optical element B that has an optical action equivalent to that of the physical optical element B on the object plane or on an object plane that is substantially integrally configured with the other object.
B and a photoelectric conversion means capable of detecting the incident position of the light beam from the light projection means, and the light projection means and the physical optical element A are connected by using the photoelectric conversion means and the physical optical element BB. The feature is that the position can be set.
特に前記光電変換手段と前記物理光学素子BBは相対的
位置関係が既知の所定の値となるように形成されている
ことを特徴としている。In particular, the photoelectric conversion means and the physical optical element BB are formed so that their relative positional relationship has a known predetermined value.
即ち本発明では他方の物体面上に予め所定の既知の位置
関係となるように光電変換手段と物理光学素子BBとを
設け、投光手段からの光束の他方の物体面への入射位置
を光電変換手段で求め、これより投光手段と物理光学素
子BBとの位置情報を得ている。そして物理光学素子B
Bを利用して投光手段の位置設定を行い、その後第1物
体と第2物体との位置ずれ検出を行なうことを特徴とし
ている。That is, in the present invention, the photoelectric conversion means and the physical optical element BB are provided on the other object surface so as to have a predetermined known positional relationship, and the incident position of the light beam from the light projecting means on the other object surface is determined by photoelectric conversion. This is determined by the conversion means, and from this the positional information of the light projecting means and the physical optical element BB is obtained. and physical optical element B
The present invention is characterized in that the position of the light projecting means is set using B, and then the positional deviation between the first object and the second object is detected.
(実施例)
第1図は本発明の位置検出装置に係る位置検出の際の原
理及び構成要件等を展開して示した説明図、第2図、第
3図(A) 、 (B)は各々第1図の構成に基づく本
発明の第1実施例の要部斜視図である。(Example) Fig. 1 is an explanatory diagram showing the principles and structural requirements for position detection related to the position detection device of the present invention, and Figs. 2, 3 (A) and (B) are 2A and 2B are perspective views of essential parts of a first embodiment of the present invention based on the configuration shown in FIG. 1, respectively; FIG.
まず第1物体と第2物体の相対的位置検出方法について
説明する。図中、1は第1物体、2は第2物体であり、
第1〜第3図は第1物体1と第2物体2との相対的な位
置ずれ量を検出する場合を示している。5は第1物体1
に、3は第2物体2に設けたアライメントマークであり
、第1信号を得る為のものである。同様に6は第1物体
1に、4は第2物体2に設けたアライメントマークであ
り、第2信号光を得る為のものである。First, a method for detecting the relative positions of the first object and the second object will be explained. In the figure, 1 is the first object, 2 is the second object,
1 to 3 show the case of detecting the amount of relative positional deviation between the first object 1 and the second object 2. FIG. 5 is the first object 1
3 is an alignment mark provided on the second object 2 for obtaining the first signal. Similarly, 6 is an alignment mark provided on the first object 1, and 4 is an alignment mark provided on the second object 2, for obtaining the second signal light.
100は直線格子であり、第1物体1面上のアライメン
トマーク5,6近傍に設けられており、後述するピック
アップ筺体16からの入射光束を第2物体2の方向へ垂
直に射出偏向させている。A linear grating 100 is provided near the alignment marks 5 and 6 on the surface of the first object 1, and deflects an incident light beam from a pickup casing 16, which will be described later, perpendicularly toward the second object 2. .
101はリファレンス部材であり、ウェハステージ17
面上に固設されており、その面上には後述するような光
束の入射位置を検出する為の光電変換手段102とアラ
イメントマーク3,4と同様の光学的作用を有する物理
光学素子3a。101 is a reference member, and a wafer stage 17
A physical optical element 3a is fixedly installed on a surface, and has a photoelectric conversion means 102 for detecting the incident position of a light beam as described later, and a physical optical element 3a having the same optical function as the alignment marks 3 and 4.
4aが設けられている。直線格子100とリファレンス
部材101とにより後述するようにピックアップ筺体1
6内の投光手段と第1物体1との相対的な位置関係を検
出している。4a is provided. The linear grating 100 and the reference member 101 form the pickup housing 1 as described later.
The relative positional relationship between the light projecting means in 6 and the first object 1 is detected.
各アライメントマーク3,4,5.6は1次元又は2次
元のレンズ作用のある又はレンズ作用のない物理光学素
子の機能を有しており、パターン領域の4ケ所に各々設
けられている。9はウェハスクライブライン、10はマ
スクスクライブラインである。Llは入射光束である。Each alignment mark 3, 4, 5.6 has the function of a physical optical element with or without a one-dimensional or two-dimensional lens effect, and is provided at four locations in the pattern area. 9 is a wafer scribe line, and 10 is a mask scribe line. Ll is the incident light flux.
7.8は前述の第1及び第2のアライメント用の第1.
第2信号光束を示す。11.12は各々第1及び第2信
号光束を検出する為の第1及び第2検出部である。第2
物体2から第1又は第2検出部11゜12までの光学的
な距離を説明の便宜上りとする。物体1と第2物体2の
距離をg、アライメントマーク5及び6の焦点距離を各
々fal、fa2とし、第1物体1と第2物体2の相対
位置すれ量をΔσとし、そのときの第1.第2検出部1
1゜12の第1及び第2信号光束重心の合致状態からの
変位量を各々Sl、S2とする。尚、第1物体1に入射
するアライメント光束は便宜上平面波とし、符合は図中
に示す通りとする。7.8 is the first and second alignments described above.
A second signal beam is shown. 11 and 12 are first and second detection units for detecting the first and second signal beams, respectively. Second
For convenience of explanation, the optical distance from the object 2 to the first or second detection unit 11 or 12 will be described. The distance between the object 1 and the second object 2 is g, the focal lengths of the alignment marks 5 and 6 are fal and fa2, respectively, the relative positional deviation between the first object 1 and the second object 2 is Δσ, and the first .. Second detection unit 1
Let S1 and S2 be the amount of displacement from the coincident state of the first and second signal beam centers of gravity of 1°12, respectively. Note that the alignment light flux incident on the first object 1 is assumed to be a plane wave for convenience, and the signs are as shown in the figure.
信号光束重心の変位量51及びS2はアライメントマー
ク5及び6の焦点F、、F2とアライメントマーク3,
4の光軸中心を結ぶ直線Ll。The displacement amount 51 and S2 of the center of gravity of the signal beam are the focal points F, , F2 of the alignment marks 5 and 6 and the alignment mark 3,
A straight line Ll connecting the optical axis centers of No. 4.
F2と、検出部11及び12の受光面との交点として近
似的に幾何学により求められる。従って第1物体1と第
2物体2の相対位置ずれに対して各信号光束重心の変位
量S、、S2は第1図より明らかのようにアライメント
マーク3,4の光学的な結像倍率の符合を互いに逆とす
ることで逆方向となる。It is approximately determined geometrically as the intersection between F2 and the light-receiving surfaces of the detection units 11 and 12. Therefore, as is clear from FIG. 1, the amount of displacement S, S2 of the center of gravity of each signal beam with respect to the relative positional deviation between the first object 1 and the second object 2 is the optical imaging magnification of the alignment marks 3 and 4. By reversing the signs, the directions are opposite.
また定量的には
L−fa+”g
S1=−□Δ0 :
fl。−g
L ”−f a2” g
S2=−□Δσ
f −2−g
と表わせ、すれ倍率はβ+ =5+ /Δσ、β2=S
2/Δσと定義てきる。従って、ずれ倍率を逆符合とす
ると第1物体1と第2物体2のすれに対して光束7,8
は検出部11.12の受光面で逆方向に、具体的にはそ
れぞれ距離St、Sまたけ変化する。Also, quantitatively, it can be expressed as L-fa+"g S1=-□Δ0 : fl.-g L"-f a2"g S2=-□Δσ f -2-g, and the sliding magnification is β+ =5+/Δσ, β2 =S
It is defined as 2/Δσ. Therefore, if the shift magnification is set to have an opposite sign, the light fluxes 7 and 8 will be
change in opposite directions on the light-receiving surfaces of the detection units 11 and 12, specifically, over distances St and S, respectively.
第1図の上側においてはアライメントマ〜り5に入射し
た光束を集光光束とし、その集光点F1に至る前にアラ
イメントマーク3に光束を照射し、これを更に第1検出
部11に結像させている。このときのアライメントマー
ク3の焦点距離fゎ、はレンズの式
%式%
を満たすように定められる。同様に第1図の下側におい
てはアライメントマーク6により入射光束を入射側の点
であるF2より発散する光束に変え、これをアライメン
トマーク4を介して第2検出部12に結像させている。In the upper part of FIG. 1, the light beam incident on the alignment marker 5 is made into a condensed light beam, and the light beam is irradiated onto the alignment mark 3 before reaching the condensing point F1. I'm making an image. The focal length f of the alignment mark 3 at this time is determined to satisfy the lens formula %. Similarly, in the lower part of FIG. 1, the alignment mark 6 changes the incident light flux into a light flux that diverges from the point F2 on the incident side, and this is imaged on the second detection unit 12 via the alignment mark 4. .
このときのアライメントマーク4の焦点距離fb2は
を満たすように定められる。以上の構成条件でアライメ
ントマーク3、アライメントマーク5の集光像に対する
結像倍率は図より明らかに正の倍率であり、第2物体2
のずれ量Δσと第1検出部11の光点変位量S1の方向
は逆となり、先に定義したずれ倍率β1は負となる。同
様にアライメントマーク6の点像(虚像)に対するアラ
イメントマーク4の結像倍率は負であり、第2物体2の
ずれ量Δσと第2検出部12上の光点変位量S2の方向
は同方向で、ずれ倍率β2は正となる。The focal length fb2 of the alignment mark 4 at this time is determined to satisfy. Under the above configuration conditions, the imaging magnification for the condensed images of alignment mark 3 and alignment mark 5 is clearly positive as shown in the figure, and the second object 2
The directions of the deviation amount Δσ and the light spot displacement amount S1 of the first detection unit 11 are opposite, and the deviation magnification β1 defined earlier becomes negative. Similarly, the imaging magnification of the alignment mark 4 with respect to the point image (virtual image) of the alignment mark 6 is negative, and the deviation amount Δσ of the second object 2 and the direction of the light spot displacement amount S2 on the second detection unit 12 are in the same direction. Then, the shift magnification β2 is positive.
従って第1物体1と第2物体2.の相対ずれ量Δσに対
してアライメントマーク5,3の系とアライメントマー
ク6.4の系の信号光束ずれ量S、、S2は互いに逆方
向となる。Therefore, the first object 1 and the second object 2. With respect to the relative deviation amount Δσ, the signal beam deviation amounts S, , S2 of the system of alignment marks 5, 3 and the system of alignment mark 6.4 are in opposite directions.
即ち、第1図の配置において第1物体1を空間的に固定
し、第2物体2を図面下側に変位させた状態を考えると
合致状態の第1検出部11及び第2検出部12上のスポ
ット間隔が広がり、逆に図面上側に変位させると挟まる
ように変化する。That is, considering the state in which the first object 1 is fixed spatially and the second object 2 is displaced toward the bottom of the drawing in the arrangement shown in FIG. The interval between the spots widens, and conversely, when the spots are moved upward in the drawing, they appear to be sandwiched between them.
次に本発明をプロキシミティ型半導体製造装置に適用し
た際の装置周辺部分を示す第2図、第3図(A) 、
(B)の各構成要素について説明する。Next, FIGS. 2 and 3 (A) showing the peripheral parts of the apparatus when the present invention is applied to a proximity type semiconductor manufacturing apparatus,
Each component of (B) will be explained.
図中、13は光源、14はコリメーターレンズ(または
ビーム径変換レンズ)、15は投射光束折り曲げミラー
、16はピックアップ筐体、17はウェハステージ、2
3は信号処理装置、19は測長機を含むウェハステージ
駆動制御部であり、Eは露光光束幅を示す。光源13、
コリメーターレンズ14は投光手段の一部を構成してい
る。In the figure, 13 is a light source, 14 is a collimator lens (or beam diameter conversion lens), 15 is a projection light beam bending mirror, 16 is a pickup housing, 17 is a wafer stage, 2
3 is a signal processing device, 19 is a wafer stage drive control unit including a length measuring device, and E is the exposure beam width. light source 13,
The collimator lens 14 constitutes a part of the light projecting means.
尚、ピックアップ筺体16内には各プロセスに対応する
アライメントマーク位置変更に対応する為、可動機構を
有し、その位置決めの為の測長機(不図示)を含む駆動
制#部が設けられてぃる。In addition, in order to correspond to changes in the position of the alignment mark corresponding to each process, a drive control unit is provided inside the pickup housing 16, which has a movable mechanism and includes a length measuring device (not shown) for positioning the mechanism. Ill.
又1は第1物体で、例えばマスつてある。2は第2物体
で、例えばマスク1と位置合わせされるウェハである。Further, 1 is a first object, for example, a square. 2 is a second object, for example a wafer to be aligned with the mask 1;
各アライメントマーク5,6と3.4は例えば1次元あ
るいは2次元のフレネルゾーンプレート等のクレーテイ
ンクレンズより成り、それぞれマスク1面上とウェハ2
面上のスクライブライン10,9上に設けられている。Each alignment mark 5, 6 and 3.4 consists of a crete lens, such as a one-dimensional or two-dimensional Fresnel zone plate, respectively, on one side of the mask and on one side of the wafer 2.
It is provided on the scribe lines 10 and 9 on the surface.
7は第1光束、8は第2光束であり、これらの光束(信
号光束)7,8は光源13から出射した光束L1のうち
レンズ系14により所定のビーム経にコリメートされ、
ミラー15で光路を曲げられてアライメントマーク5(
6)、3(4)を介した後の光束を示している。Reference numeral 7 denotes a first light beam, and 8 a second light beam. These light beams (signal light beams) 7 and 8 are collimated into a predetermined beam diameter by the lens system 14 out of the light beam L1 emitted from the light source 13.
The optical path is bent by the mirror 15 and the alignment mark 5 (
6) and 3(4) are shown.
本実施例において、光源の種類としては半導体レーザー
(LD)の場合を示したが、この他HウーNeレーザー
、Arレーザー等のコヒーレント光束を放射する光源や
、発光ダイオード等の非コヒーレント光束を放射する光
源、あるいはスーパールミネッセントタイオート(、S
L D )等の中間的特性の光源等でも良い。In this example, a semiconductor laser (LD) is shown as the type of light source, but there are also light sources that emit a coherent light beam such as an H-Ne laser and an Ar laser, and light sources that emit a non-coherent light beam such as a light emitting diode. A light source that
A light source with intermediate characteristics such as L D ) may also be used.
又、第1検出部11と第2検出部12が本図では1つの
センサ(光電変換素子)22であり、光束7及び8を受
光する、例えば1次元CCD等より成っている。In addition, the first detection section 11 and the second detection section 12 are one sensor (photoelectric conversion element) 22 in this figure, which is composed of, for example, a one-dimensional CCD or the like that receives the light beams 7 and 8.
ここて投射光束L1は各々マスク1面上のアライメント
マーク5,6に所定の角度で入射した後、透過回折し、
更にウェハ2面上のアライメントマーク3.4で反射回
折し、受光レンズ21で集光されてセンサ22の受光面
上に入射している。尚、第3図(A)では受光レンズ2
1は省略している。そしてセンサ22からの信号を受け
た信号処理装置23で該センサ22面上に入射したアラ
イメント光束のセンサ22面内での重心位置を検出し、
該センサ22からの出力信号を利用して信号処理装置2
3でマスク1とウェハ2について位置ずれ検出を行って
いる。Here, the projected light beam L1 enters the alignment marks 5 and 6 on the mask 1 surface at a predetermined angle, and then is transmitted and diffracted,
Further, the light is reflected and diffracted by the alignment mark 3.4 on the wafer 2 surface, is focused by the light receiving lens 21, and is incident on the light receiving surface of the sensor 22. In addition, in FIG. 3(A), the light receiving lens 2
1 is omitted. Then, the signal processing device 23 that receives the signal from the sensor 22 detects the center of gravity position within the sensor 22 surface of the alignment light flux that has entered the sensor 22 surface,
The signal processing device 2 uses the output signal from the sensor 22.
In step 3, positional deviation detection between the mask 1 and the wafer 2 is performed.
ここで光束の重心とは光束断面内において、断面円各点
のその点からの位置ベクトルにその点の光強度を乗算し
たものを断面全面で積分したときに積分値が0ベクトル
になる点のことであるが、別な例として光強度がピーク
となる点の位置を用いても良い。Here, the center of gravity of the light beam is the point in the cross section of the light beam where the integral value becomes 0 vector when the product of the position vector of each point of the cross section circle from that point multiplied by the light intensity of that point is integrated over the entire cross section. However, as another example, the position of the point where the light intensity is at its peak may be used.
次に本実施例の具体的な数値例について説明する。Next, a specific numerical example of this embodiment will be explained.
アライメントマーク3,4,5.6は各々異った値の焦
点距離を有するフレネルゾーンプレート(又はグレーテ
ィングレンズ)より成っている。The alignment marks 3, 4, 5.6 consist of Fresnel zone plates (or grating lenses) each having a different value of focal length.
これらのマークの寸法は各々スクライブライン9及び1
0の方向に50〜300μm、スクライブライン幅方向
(X方向)に20〜100μmが実用的に適当なサイズ
である。The dimensions of these marks are scribe lines 9 and 1, respectively.
Practically appropriate sizes are 50 to 300 μm in the 0 direction and 20 to 100 μm in the scribe line width direction (X direction).
本実施例においては投射光束7はいずれもマスク1に対
して入射角約17.5°で、マスク1面への射影成分が
スクライブライン方向(X方向)に直交するように入射
している。In this embodiment, each of the projected light beams 7 enters the mask 1 at an incident angle of about 17.5 degrees, and the projected component onto the mask 1 surface is perpendicular to the scribe line direction (X direction).
これらの所定角度でマスク1に入射した投射光束L1は
各々グレーティングレンズ5,6のレンズ作用を受けて
収束、又は発散光となり、マスク1からその主光線がマ
スク1の法線に対して所定角度になるように出射してい
る。The projected light beams L1 incident on the mask 1 at these predetermined angles are converged or diverged by the lens action of the grating lenses 5 and 6, and the chief ray from the mask 1 is at a predetermined angle with respect to the normal line of the mask 1. The light is emitted so that
そしてアライメントマーク5及び6を透過回折した光束
7と8は各々ウニへ面2の鉛直下方、鉛直上方の所定点
に集光点、発散原点をもつ。このときのアライメントマ
ーク5と6の焦点距離は各々214.723μm、15
6.57μmである。又マスク1とウェハ2との間隔は
30μmである。第1信号光束7はアライメントマーク
5で透過回折し、ウェハ2面上のアライメントマーク3
で凹レンズ作用を受け、センサ22面上の一点に集光し
ている。このとき、センサ22面上への光束がこの光束
の入射位置の変動量がアライメントマーク5゜3のX方
向における位置ずれ量、即ち軸ずれ量に対応し、かつそ
の量が拡大された状態となって入射する。この結果、入
射光束の重心位置の変動がセンサ22で検出される。The light beams 7 and 8 transmitted and diffracted through the alignment marks 5 and 6 have a convergence point and a divergence origin at predetermined points vertically below and above the surface 2, respectively. The focal lengths of alignment marks 5 and 6 at this time are 214.723 μm and 15 μm, respectively.
It is 6.57 μm. Further, the distance between the mask 1 and the wafer 2 is 30 μm. The first signal beam 7 is transmitted and diffracted by the alignment mark 5, and the first signal beam 7 is transmitted and diffracted by the alignment mark 3 on the wafer 2 surface.
The light is subjected to the action of a concave lens and is focused on one point on the surface of the sensor 22. At this time, the amount of change in the incident position of the light beam onto the surface of the sensor 22 corresponds to the amount of positional deviation of the alignment mark 5°3 in the X direction, that is, the amount of axial deviation, and the amount is expanded. It becomes incident. As a result, the sensor 22 detects a change in the position of the center of gravity of the incident light beam.
又、第2信号光束8はアライメントマーク6で透過回折
し、ウェハ2面上のアライメントマーク4で結像点での
スポット位置な第1信号光束と具なる方向に移動せしめ
るように反射回折されてセ2922面上の一点に集光す
る。光束8も光束7同様、入射位置の変動量は軸ずれ量
に対応し、かつ拡大された状態になっている。又光束7
.8の回折方位は入射光側の7°〜13°程度が適当で
ある。Further, the second signal light beam 8 is transmitted and diffracted by the alignment mark 6, and is reflected and diffracted by the alignment mark 4 on the wafer 2 surface so as to move in a direction that matches the spot position of the first signal light beam at the imaging point. The light is focused on one point on the 2922-plane. Like the light beam 7, the amount of variation in the incident position of the light beam 8 corresponds to the amount of axis deviation, and is in an enlarged state. Also luminous flux 7
.. The appropriate diffraction direction of No. 8 is about 7° to 13° on the incident light side.
このとき、光束7,8の集光するセンサ22の受光面の
位置をウェハ面から18.657mmあるいは受光レン
ズ21を介して、ここと等価な位置とすると、各々のず
れ倍率(=センサスボット間隔変化/マスク、ウェハの
ずれ量)の絶対値か100倍で方向が逆方向に設定でき
合成で200倍となる。これによりマスク1とウェハ2
がX方向にo、oosμmずれると、2つの光束の重心
位置間隔、即ちスポット間隔が1μm変化する。At this time, if the position of the light-receiving surface of the sensor 22 where the light beams 7 and 8 are focused is set at 18.657 mm from the wafer surface or at an equivalent position through the light-receiving lens 21, each shift magnification (=sensor robot spacing The direction can be set in the opposite direction by multiplying the absolute value of change/mask, wafer shift amount) by 100 times, and the combination becomes 200 times. This allows mask 1 and wafer 2 to
When the light beam shifts by o, oos μm in the X direction, the interval between the barycenters of the two light beams, that is, the spot interval changes by 1 μm.
このスポット間隔を検出してマスク1とウェハ2どの位
置ずれを検出する。このとき、センサ22面のスポット
径はアライメントマークのレンズとしての有効径を20
0μm程度て、光源として0.8μm帯の半導体レーザ
ーを用いたとすると、略々200μm程度にそれぞれ設
定可能であり、通常の処理技術を用いてこれを判定する
ことは可能である。又合致状態に於ける2つのスポ・ソ
ト間隔は、例えば2mm程度に設定しておくのか適当で
ある。By detecting this spot interval, a positional deviation between the mask 1 and the wafer 2 is detected. At this time, the spot diameter on the sensor 22 surface is 20 times the effective diameter of the alignment mark as a lens.
If it is about 0 μm and a 0.8 μm band semiconductor laser is used as a light source, it can be set to about 200 μm, and it is possible to determine this using a normal processing technique. In addition, it is appropriate to set the spacing between the two spots to about 2 mm in the matched state, for example.
次に第3図(A)、(B)に示すリファレンス部材10
1について説明する。Next, the reference member 10 shown in FIGS. 3(A) and 3(B)
1 will be explained.
本実施例ではリファレンス部材101は第2物体2であ
るウェハと実質的に一体的に構成されているウェハステ
ージ17面上の一部に固設されている。In this embodiment, the reference member 101 is fixed to a part of the surface of a wafer stage 17 that is substantially integral with the wafer, which is the second object 2.
第4図は本実施例におけるリファレンス部材101の要
部概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram of the main parts of the reference member 101 in this embodiment.
同図に示すようにリファレンス部材101は4つの画素
(エレメント)102a〜102dより成る例えばピン
フォトダイオードやCCD等の光電変換手段102と前
述した第2物体2面上の物理光学素子より成るアライメ
ントマーク3,4と略等価な光学的作用を有する物理光
学素子3a、4bとを有している。As shown in the figure, a reference member 101 includes a photoelectric conversion means 102 consisting of four pixels (elements) 102a to 102d, such as a pin photodiode or a CCD, and an alignment mark consisting of a physical optical element on the second surface of the second object described above. It has physical optical elements 3a and 4b which have optical functions substantially equivalent to those of physical optical elements 3 and 4.
そして第3図(A)に示すようにリファレンス部材10
1をウェハステージ17上に設置し、第2物体2(ウェ
ハ)をウェハステージ17にチャッキングした後は互い
に相対位置関係は変化しないように一体的に設定されて
いる。Then, as shown in FIG. 3(A), the reference member 10
After the second object 2 (wafer) is placed on the wafer stage 17 and the second object 2 (wafer) is chucked onto the wafer stage 17, they are integrally set so that their relative positions do not change.
又、光電変換手段102と物理光学素子3a及び4aは
通常の半導体プロセスにより作成され、エレクトロンビ
ームで作成されるフォトマスクと縮小投影露光装置等の
精度上例えば0.1μm程度で相対位置が既知となって
いる。Further, the photoelectric conversion means 102 and the physical optical elements 3a and 4a are manufactured by a normal semiconductor process, and their relative positions are known within, for example, about 0.1 μm due to the accuracy of a photomask created with an electron beam and a reduction projection exposure device. It has become.
今、物理光学素子3a、4aの中心から光電変換手段1
02の中心への距離を(x、y)とする。又、光電変換
素子102の4つの画素102a−102dの光電変換
効率は通常の手段で均一化ないし補正が行え、ここでは
均一と見なし得るものである。Now, from the center of the physical optical elements 3a, 4a, the photoelectric conversion means 1
Let the distance to the center of 02 be (x, y). Further, the photoelectric conversion efficiency of the four pixels 102a to 102d of the photoelectric conversion element 102 can be made uniform or corrected by ordinary means, and can be considered to be uniform here.
次に本実施例の特長である投光手段と第1物体1との相
対的な位置検出を行う方法について説明する。Next, a method of detecting the relative position between the light projecting means and the first object 1, which is a feature of this embodiment, will be explained.
まずピックアップ筺体16を移動し、ピックアップ筺体
16からの投射光束がマスク1面上に設けた直線格子1
00上の任意の位置に位置するように移動し、この時の
ピックアップ筺体16の位置圧!(x、y)paを記録
する。この時直線格子100は投射光束に対しピックア
ップ筐体16の絶対位置決め精度を加味して充分カバー
し得る広い面積で概ね設定しおく。第5図はこの様子を
示す概略図である。First, the pickup casing 16 is moved, and the projected light beam from the pickup casing 16 is projected onto the linear grating 1 provided on the mask 1 surface.
00, and the position pressure of the pickup casing 16 at this time! Record (x,y)pa. At this time, the linear grating 100 is approximately set to have a wide area that can sufficiently cover the projected light beam, taking into consideration the absolute positioning accuracy of the pickup housing 16. FIG. 5 is a schematic diagram showing this situation.
又、直線格子100のピッチはステージ17の2方向の
位置決め誤差の影響をなくす為、第1物体1より第2物
体2側へ回折光束が垂直に出射するよう投射光束の入射
角と波長により設定している。In addition, the pitch of the linear grating 100 is set according to the incident angle and wavelength of the projected light beam so that the diffracted light beam is vertically emitted from the first object 1 to the second object 2 side in order to eliminate the influence of positioning errors in two directions of the stage 17. are doing.
次にウェハステージ17を移動させてリファレンス部材
101面上の略々光電変換手段102上に前記直線格子
100からの回折光束が入射するよう設定する。ここで
光電変換手段102の画素102a〜102dからの出
力信号を各々A。Next, the wafer stage 17 is moved so that the diffracted light beam from the linear grating 100 is incident approximately onto the photoelectric conversion means 102 on the surface of the reference member 101. Here, the output signals from the pixels 102a to 102d of the photoelectric conversion means 102 are respectively A.
B、C,DとしくA+B)−(C十D)=O及び(A+
D)−(C+B)=0ないしくA+C)−(B+D)=
Oとなるようにウェハステージ17を移動させてリファ
レンス部材101を設定する。この時のウェハステージ
17の座標を(X。B, C, D and A + B) - (C + D) = O and (A +
D)-(C+B)=0 or A+C)-(B+D)=
The reference member 101 is set by moving the wafer stage 17 so that the position becomes O. The coordinates of the wafer stage 17 at this time are (X.
y)、、o′とする。y), , o'.
これより光電変換手段102とピックアップ筺体16と
の位置関係を特定している。そしてピックアップ筺体1
6からの投射光束の直線格子100からの回折光にアラ
イメントマーク3a及び4aを合わせる為にリファレン
ス部材101を載置したウェハステージ17を(x+3
’)ro’−(マ、y)だけ測長機19を参照しながら
移動する。このときのリファレンス部材101の物理光
学素子3a、4aの位置座標を(X、y)roとする。From this, the positional relationship between the photoelectric conversion means 102 and the pickup housing 16 is specified. And pickup housing 1
In order to align the alignment marks 3a and 4a with the diffracted light from the linear grating 100 of the projected light beam from 6, the wafer stage 17 on which the reference member 101 is placed is
Move by ')ro'-(ma, y) while referring to the length measuring device 19. The positional coordinates of the physical optical elements 3a and 4a of the reference member 101 at this time are (X, y)ro.
以上のようにしてピックアップ筺体16の位置座標(X
、y)Poとリファレンス部材101上の物理光学素子
3a、4aの中心位置座標(x。As described above, the position coordinates (X
, y) Po and the center position coordinates (x.
y)roの転生が完了する。y) Ro's reincarnation is completed.
次にピックアップ筺体16に設けた測長機を参照し、投
射光束中心が略々アライメントマーク5.6の中心に移
動するようピックアップ筐体16を移動する。このとき
同時にリファレンス部材101を載置したウェハステー
ジ17もこの時のピックアップ筺体16の移動量と同−
量及び同一方向に移動させる。Next, referring to the length measuring device provided in the pickup housing 16, the pickup housing 16 is moved so that the center of the projected light beam is moved approximately to the center of the alignment mark 5.6. At this time, the wafer stage 17 on which the reference member 101 is placed also moves the same amount as the pickup housing 16 at this time.
amount and move in the same direction.
ここで前述の第1物体1と第2物体2の相対位置ずれ量
検出原理に基づき位置ずれ量Δσを求める。続いてピッ
クアップ筺体16とリファレンス部材101をΔσたけ
移動する。この時アライメントマーク5.6と物理光学
素子3a、4aの相対位置ずれ量は真値0に近づく。再
度この相対位置ずれ検出とピックアップ筺体16とリフ
ァレンス部材101の一体移動を縁り返し行い収斂させ
ることによりアライメントマーク5.6と物理光学素子
3a、4gの位置合わせが完了する。同時にピックアッ
プ筐体16と物理光学素子3a。Here, the amount of positional deviation Δσ is determined based on the principle of detecting the amount of relative positional deviation between the first object 1 and the second object 2 described above. Subsequently, the pickup housing 16 and the reference member 101 are moved by Δσ. At this time, the amount of relative positional deviation between the alignment mark 5.6 and the physical optical elements 3a, 4a approaches the true value of 0. The relative positional deviation detection and the integral movement of the pickup casing 16 and the reference member 101 are repeated again and converged, thereby completing the alignment of the alignment mark 5.6 and the physical optical elements 3a, 4g. At the same time, the pickup housing 16 and the physical optical element 3a.
4aの位置合わせが完了していることにより、アライメ
ントマーク5.6と投射光束の位置合わせが完了したこ
ととなる。4a has been completed, it means that the alignment between the alignment mark 5.6 and the projection light beam has been completed.
このようにしてピックアップ筺体16を設置した後、第
2物体上のアライメントマーク3,4を略々アライメン
トマーク5.6の下に位置するようにウェハステージ1
7を移動する。After installing the pickup housing 16 in this manner, align the wafer stage 1 with the alignment marks 3 and 4 on the second object positioned approximately below the alignment mark 5.6.
Move 7.
以下、本実施例では前述の相対位置ずれ検出原理にもと
づき第1物体1と第2物体2の位置合わせを行っている
。Hereinafter, in this embodiment, the first object 1 and the second object 2 are aligned based on the above-mentioned relative positional deviation detection principle.
尚、本実施例では光電変換手段102は便宜上4画素で
説明したが、当然一方向の検出のみを行う必要のときは
検出方向に並んだ2画素の構成でよい。又、光電変換手
段102として通常のTVカメラ等に用いられる多数画
素より構成される2次元エリアセンサな用い重心計算等
の処理により投射光束の重心位置を求めても良いし、直
接光点位置情報を出力し得る例えばPSD (ポジショ
ンセンシングデバイス)等を用いて行っても良い。In this embodiment, the photoelectric conversion means 102 has been described as having four pixels for convenience, but of course, when it is necessary to perform detection in only one direction, a structure of two pixels arranged in the detection direction may be used. Alternatively, the center of gravity position of the projected light beam may be determined by processing such as center of gravity calculation using a two-dimensional area sensor composed of a large number of pixels used in ordinary TV cameras as the photoelectric conversion means 102, or direct light spot position information may be used. For example, a PSD (position sensing device), etc., which can output , may be used.
本実施例においてはピックアップ筺体16からの投射光
束を17.5°の斜入射光とし、第1物体1のアライメ
ントマーク5,6を透過回折した角度を第1物体に対し
て垂直出射する特性として示したが、検出原理より明ら
かなように、これらは設計上任意に設定可能である。例
えばこの特殊例として第1物体1に対し投射光束を垂直
に入射させる系にしても良い。この場合はマスク1面上
に設けた直線格子100はピッチが無限大、即ち無地の
パターンとなる。即ち直線格子100を不要とすること
かできる。In this embodiment, the projected light beam from the pickup housing 16 is assumed to be obliquely incident light at an angle of 17.5°, and the angle at which the beam is transmitted through and diffracted through the alignment marks 5 and 6 of the first object 1 is used as a characteristic for perpendicular output to the first object. However, as is clear from the detection principle, these can be set arbitrarily in terms of design. For example, as a special example of this, a system may be used in which the projected light beam is perpendicularly incident on the first object 1. In this case, the linear grating 100 provided on one surface of the mask has an infinite pitch, that is, a plain pattern. In other words, the linear grating 100 can be made unnecessary.
又、便宜上第1物体面1上に直線格子100とアライメ
ントマーク5及び6を設けたものとして説明したが、ピ
ックアップ筐体16の設定手順から明らかなように初め
に第1物体1上に直線格子100のみ存在する形態とし
、リファレンス部材101の位置(x、y)−oを求め
た後、第1物体1とは別な被位置合わせ物体(即ち例え
ば通常のフォトマスク)に置き換え、以下同様の手順で
両者の位置合わせを行っても良い。Furthermore, for convenience, the linear grating 100 and the alignment marks 5 and 6 are provided on the first object surface 1 in the explanation, but as is clear from the procedure for setting the pickup housing 16, the linear grating 100 and the alignment marks 5 and 6 are provided on the first object surface 1 at the beginning. After determining the position (x, y)-o of the reference member 101, the first object 1 is replaced with a different object to be aligned (i.e., a normal photomask), and the same process is performed as follows. The positioning of both may be performed in a procedure.
(発明の効果)
本発明によれば第1物体面上に前述したような直線格子
を設け、該直線格子から生ずる所定次数の回折光を第2
物体側に設けたリファレンス部材で検出することにより
、投光手段と第1物体との位置関係又は投光手段と第2
物体との位置関係を適切に設定することができる為、後
に行う第1物体と第2物体との相対的な位置検出を高精
度に行うことのできる位置検出装置を達成することがで
きる。(Effects of the Invention) According to the present invention, a linear grating as described above is provided on the first object plane, and diffracted light of a predetermined order generated from the linear grating is transferred to the second object plane.
By detecting with a reference member provided on the object side, the positional relationship between the light projecting means and the first object or the positional relationship between the light projecting means and the second object is detected.
Since the positional relationship with the object can be appropriately set, it is possible to achieve a position detection device that can perform later relative position detection between the first object and the second object with high precision.
第1図は本発明の位置検出装置の位置検出の際の原理説
明図、第2図、第3図(A) 、 (B)は第1図に基
づく本発明の一実施例の要部概略図、第4゜第5図は本
発明の詳細な説明図、第6図は従来のレーザから放射さ
れる光束の概略図である。
図中、1は第1物体、2は第2物体、3,4゜5.6は
各々アライメントマーク、100は直線格子、101は
リファレンス部材、Ll、L2は光束、7,8は各々信
号光束、11は第1検出部、12は第2検出部、13は
光源、14はコリメーターレンズ、15はミラー、22
はセンサである。
第 2 図
第 3 図(A)
第4図
第5図FIG. 1 is an explanatory diagram of the principle of position detection by the position detection device of the present invention, and FIGS. 2, 3 (A), and (B) are outlines of essential parts of an embodiment of the present invention based on FIG. 1. Figures 4 and 5 are detailed explanatory diagrams of the present invention, and Figure 6 is a schematic diagram of a luminous flux emitted from a conventional laser. In the figure, 1 is the first object, 2 is the second object, 3 and 4° 5.6 are alignment marks, 100 is a linear grating, 101 is a reference member, Ll and L2 are light fluxes, and 7 and 8 are signal light fluxes, respectively. , 11 is a first detection section, 12 is a second detection section, 13 is a light source, 14 is a collimator lens, 15 is a mirror, 22
is a sensor. Figure 2 Figure 3 (A) Figure 4 Figure 5
Claims (3)
検出を行う際、該第1物体面上と該第2物体面上に各々
物理光学素子を形成し、このうち一方の物体面上の物理
光学素子Aに投光手段から光を入射させたときに生じる
回折光を他方の物体面上の物理光学素子Bに入射させ、
該物理光学素子Bにより所定面上に生ずる回折パターン
の光束位置を検出手段により検出することにより、該第
1物体と該第2物体との相対的な位置検出を行う際、該
他方の物体面上若しくは該他方の物体と実質的に一体的
に構成されている物体面上に該物理光学素子Bと等価な
光学的作用を有する物理光学素子BBと、該投光手段か
らの光束の入射位置の検出が可能な光電変換手段とを設
け、該光電変換手段と該物理光学素子BBを利用して該
投光手段と該物理光学素子Aとの位置設定を行うように
したことを特徴とする位置検出装置。(1) When performing relative position detection with a first object and a second object facing each other, physical optical elements are formed on the first object surface and the second object surface, respectively, and one of the physical optical elements is formed on the first object surface and the second object surface. Diffraction light generated when light is incident on the physical optical element A on the object plane from the light projecting means is made incident on the physical optical element B on the other object plane,
When detecting the relative positions of the first object and the second object by detecting the light flux position of the diffraction pattern generated on a predetermined surface by the physical optical element B, the other object surface is detected. A physical optical element BB having an optical action equivalent to the physical optical element B on the object surface that is substantially integrally formed with the upper or the other object, and an incident position of the light beam from the light projecting means. A photoelectric conversion means capable of detecting is provided, and the position of the light projecting means and the physical optical element A is set using the photoelectric conversion means and the physical optical element BB. Position detection device.
手段からの光束を該直線格子を介して偏向させた後、前
記光電変換手段に入射させるようにしたことを特徴とす
る請求項1記載の位置検出装置。(2) A linear grating is provided on the one object surface, and after the light beam from the light projecting means is deflected via the linear grating, it is made to enter the photoelectric conversion means. Item 1. Position detection device according to item 1.
的位置関係が既知の所定の値となるように形成されてい
ることを特徴とする請求項2記載の位置検出装置。(3) The position detection device according to claim 2, wherein the photoelectric conversion means and the physical optical element BB are formed so that a relative positional relationship has a known predetermined value.
Priority Applications (1)
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JP2339907A JP2924178B2 (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Position detection device |
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JP2924178B2 JP2924178B2 (en) | 1999-07-26 |
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1990
- 1990-11-30 JP JP2339907A patent/JP2924178B2/en not_active Expired - Fee Related
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