JPH0420565B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明はさとうきびの単位面積当たりの収穫
量を飛躍的に高めることが出来る栽培方法に関す
るものである。

＜従来の技術＞ 我国では沖縄県や鹿児島県の一部で主として栽
培されているさとうきびについては、その品種や
用いる肥料についての研究はそれなりになされて
いる様ではあるが、栽培法自体に関しては国が指
導している方法を基にした方法が永年そのまま採
用され、10アール当りの収穫は約６トンであり、
世界平均の７トンよりも低いのが現状である。こ
の国が指導している栽培法とは、植溝と盛土とを
交互に作り、植溝内へ苗を植付ける方法ではある
が、まず苗植付け前の耕土の深さが浅く、必然的
に盛土の高さも低くなり、かつ又１つ１つの植溝
及び盛土の幅も狭いが為にきびがある程度に成長
した際に行なう培土をすれば、その分盛土部の畑
土が少なくなり結果的にきびの根本的の畑土が少
なくなつてきびが倒伏し断根をする原因となる。
更には上述の如く盛土部の畑土量が少ない為にそ
うなるのかもしれないが、植溝内へ植付ける苗は
２節以下の物を非常にまばら、即ち粗植付けをし
ているのでそれだけ単位面積当りの収穫量は少な
く、又苗を植付けた上に敷草を置かないので地肌
が露出し水分の蒸散が激しくスプリンクラー等で
補水をする必要があり、その分栽培に手間を要し
ていた。

＜発明が解決しようとする問題点＞ 本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、栽培
作業自体も簡素化すると共に、単位面積当りの収
穫量を大とする事が出来るさとうきびの栽培方法
を提供することを目的とするものである。

＜問題点を解決する為の手段＞ 上記本発明の目的は、次の如き手段を採用する
事により達成出来る。即ちその要旨は苗を植付け
る前に畑土を深く耕し、植溝となる凹条と、盛土
となる凸条とを交互に形成し、しかも該凹条底部
から該凸条頂部までのい高さを約１ｍ以上とな
し、又該凹条の幅は約１ｍ、該凸条の幅は約1.2
ｍとなし、上記植溝に４〜６節を有する苗を密植
し、その上に薄く畑土を被せた後に敷草を施し、
苗が発芽、発根しある程度の大きさに生育した時
に上記盛土部の畑土を培土として上記生育きびの
根本部へ移すことを特徴とするさとうきび栽培方
法である。

＜実施例及び作用＞ 以下本発明方法を、この実施例を示し乍ら詳述
する。

この実施例は、本件発明者が居住する鹿児島県
大島郡与論町に於いて行なつたものである。

まず畑土をユンボを使用し1.5ｍ位の深さまで
十分に耕し、第１図に示す様な断面形状を有する
様に、植溝１及び盛土２を形成した。その際の各
部の深さや幅は第１図中に示す数値（単位ｍ）の
大きさである。

なお比較の為に従来から行なわれて来た栽培法
による場合の例を第２図に示すが、従来法ではこ
の第２図に示す数値（単位ｍ）の様に、植溝１′
の深さは約20cm、その幅も上部開口部で約20cmで
しかも該植溝１′は深部へ至るにつれ狭窄状とな
つているものである。

第１図に示す様に形成した植溝１内へ、第３図
に示す如く、１本に４〜６個の節を持つ苗３，
３，…を相当に密に配置し、その後第４図に示す
様に薄く畑土４を被せ、更にその上に敷草５を施
した。なお従来法の場合には、第５図に示す様に
各植溝１′内には１節あるいは２節の苗３′を適当
な間隔を置いて配置し、その上に畑土４′を被せ
るのみで敷草は何ら無いのである。

第４図に示した状態で、一応の植付けは終わる
が本実施例の場合には、植付け苗の数は10アール
当約10000本であり、第２図や第５図に示した従
来法の場合のそれが約3000本であるのに比べると
相当の開きがある。

なお以上の説明に合つては、施肥の事について
は触れていないが、肥料は元肥、追肥ともに行な
い、本発明方法では単位面積当りの植付け苗の数
が従来法よりも著しく多いので、その分従来より
も多量の肥料を施す事が望ましい、がしかしこの
より多く与える肥料代を考慮したとしても総合的
な採算では従来法を大きく上まわるのである。

上述の如く苗植え、敷草が済んだら、その時の
降雨量による畑土の乾燥度合を考慮し乍ら適宜間
隔下に潅水を行ない乍ら放置すれば、苗の植付け
時期やその後の気温、降雨量等によつてもやや違
いはあるが通常10日前後で発芽し、40日も経てば
自然分訣で多数のきびが出来る。本実施例の場合
には植付け後100日経過の時点では有効分訣分を
含め１m²当り約100本のきびが育つた。この様に
有効分訣も終りある程度の大きさにまできびが育
つた時点で、きびが育つている云々は植溝部と植
溝部との間の盛土部からきびの根本部へ畑土を移
行する培土を行なう。この培土はその後も行なう
ものであり、通常は１年目に１回、２年目は行な
わず、３年目に又１回行ないそれで新たな苗植え
となすという方法を採る。

以上述べて来た本実施例の方法に従つて、昭和
62年８月15日に苗植えを行なつたきびは、現時点
では１m²当り平均100本の生育きびとして成長中
であり、何度から強風にも倒伏する事はなかつ
た。

＜発明の効果＞ 以上詳細に述べて来た如く、本発明方法によれ
ば、深耕、密植、培土という特徴、そしてそれら
がより有効に働くが為の幅の広い植溝の形成、更
には敷草という従来法では全く採用されていなか
つた新規な手法を採入れる事でさとうきびの単位
面積当りの収穫量を飛躍的に高める事が出来る。
更に詳述すれば、まず苗を植付ける前に畑土を深
く耕す事で、該被耕土がほぐされ発根した根が生
長し易い上に空気も十分に行き渡るという農耕の
基本的条件を満足するのは勿論ではあるが、それ
以上に、植溝底と盛土頂部との高さを大きくする
事が出来、その後に行なう培土処理でも盛土部を
掘り返す事なく十分な培土が出来る為に生育きび
の根の露呈による倒伏がないという大きな効果が
ある。又本発明では従来法では全く採入れられて
いなつた敷草を施す事によつて、年間に約7250ml
は必要とされる要水量の確保、即ち地下水の地表
蒸散を防止出来、しかもこの敷草はやがては土に
還元して堆肥となる効果もある。

この様な本発明方法によれば、単純な計算上で
は、10アール当り100トン前後の収穫が期待され、
それに伴なう肥料の増加や敷草が必要であるとい
う点を差し引いても従来法と比し著しく生産効果
が高まるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の苗植付け前の畑土形状
を示す断面図、第２図は従来方式の畑土形状を示
す断面図、第３図は本発明実施例の苗の密植状態
を示す斜視図、第４図は同苗植付け後の状態を示
す一部切欠斜視図、第５図は従来方式の苗植付け
後の状態を示す一部切欠斜視図。 図中、１：植溝、２：盛土、３：苗、４：畑
土、５：敷草。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 苗を植付ける前に畑土を深く耕し、植溝とな
   る凹条と、盛土となる凸条とを交互に形成し、し
   かも該凹条底部から該凸条頂部までの高さを約１
   ｍ以上となし、又該凹条の幅は約１ｍ、該凸条の
   幅は約1.2ｍとなし、上記植溝に４〜６節を有す
   る苗を密植し、その上に薄く畑土を被せた後に敷
   草を施し、苗が発芽、発根しある程度の大きさに
   生育した時に上記盛土部の畑土を培土として上記
   生育きびの根本部へ移すことを特徴とするさとう
   きび栽培方法。