JPH04198094A - New crystalline material - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、新規な結晶構造の光学結晶材料に関する。特
に、Ｂｉ（ＳｒＣａ）Ｏｘ系の希土類元素置換化合物結
晶材料に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field 1] The present invention relates to an optical crystal material having a novel crystal structure. In particular, the present invention relates to a Bi(SrCa)Ox-based rare earth element substituted compound crystal material.
１従来の技術及び発明が解決しようとする問題点１発光
性という観点から見た光学材料、即ち、レーザ材料には
無機物と有機物の２種類がある。そして、無機光学材料
としては、大きくは、半導体と絶縁体（主に酸化物）に
大別される。酸化物レーザ材料の代表例として、ルビー
やＹＡＧ（Ｙ Ｉ Ａ ｌ ｓ○１！：イツトリウム・
アルミニウム・ガーネット）があるが、これらに共通し
ていることは、母体酸化物結晶に遷移金属や希土類元素
が少量ドープされていることである。例えば、ルビーは
Ｃｒ”イオンを０．０５％程度含有するＡ Ｉ ＋Ｏ＋
であり、ピンク色をしている。また、ＹＡＧにおいては
、母体結晶に少量のＮｄ３＋イオンが添加されている。1. Problems to be Solved by the Prior Art and the Invention 1. There are two types of optical materials from the viewpoint of luminescence, that is, laser materials: inorganic materials and organic materials. Inorganic optical materials are broadly classified into semiconductors and insulators (mainly oxides). Typical examples of oxide laser materials include ruby and YAG (YI A l s○1!).
(aluminum garnet), but what they all have in common is that the parent oxide crystal is doped with a small amount of transition metal or rare earth element. For example, ruby contains about 0.05% of Cr'' ions.
and is pink in color. Furthermore, in YAG, a small amount of Nd3+ ions are added to the host crystal.
いずれの場合にも、適当な外部励起を行なうと、ドープ
されたイオン内電子がスピン−軌道準位間で励起、緩和
する内殻遷移に起因して、イオン固有のエネルギー位置
に鋭い発光線を呈する。酸化物レーザ材料を用いて作製
されたレーザを、進捗の著しい半導体レーザと比較する
と、以下のようである。In either case, when appropriate external excitation is applied, a sharp emission line is generated at the energy position unique to the ion due to core transition in which electrons within the doped ion are excited and relaxed between spin-orbital levels. present. A comparison of lasers fabricated using oxide laser materials with semiconductor lasers, which have made significant progress, is as follows.
即ち、酸化物結晶材料によるレーザは、長所としては、
出力が数百ワットという大出力の発振が可能であり、発
振波長が動作温度によらないこと等の特長があり、遷移
、過程を選択することにより、種々の波長で発振が可能
であること等がある。然し乍ら、酸化物結晶材料による
レーザは、半導体材料によるレーザと比べて、短所とし
ては、励起手段が光照射であることから小型化が困難で
あること、発振効率が低いこと等が挙げられる。In other words, lasers using oxide crystal materials have the following advantages:
It is possible to oscillate with a high output of several hundred watts, and has the characteristics that the oscillation wavelength does not depend on the operating temperature.By selecting the transition and process, it is possible to oscillate at various wavelengths. There is. However, compared to lasers made from semiconductor materials, lasers made from oxide crystal materials have disadvantages such as difficulty in miniaturization because the excitation means is light irradiation, and low oscillation efficiency.
本発明は、上記のようなレーザ材料として用いたときの
酸化物結晶材料の技術的短所を解決するために、適当な
外部励起のもとて発光機能を発現させる、新規な光学結
晶材料を提供することを目的にする。In order to solve the technical disadvantages of oxide crystal materials when used as laser materials as described above, the present invention provides a novel optical crystal material that exhibits a light-emitting function under appropriate external excitation. aim to do.
［間組点を解決するための手段］
本発明の要旨とするものは、希土類元素をドープした、
菱面体晶系の結晶構造を有し、ラウェ群丁ｍに属するこ
とを特徴とするＢｉ （Ｓｒ、 Ｃａ）Ｏｘの絶縁性酸
化物結晶材料である。[Means for solving the interpolation point] The gist of the present invention is to
This is an insulating oxide crystal material of Bi (Sr, Ca)Ox, which has a rhombohedral crystal structure and belongs to the Laue group.
本発明によると、母体媒質として新規な物質であるＢｉ
（Ｓｒ、Ｃａ）Ｏ，化合物結晶を用いることを、最も重
要な点としている。レーザ材料として、発光機能を発現
するために、希土類元素を少量置換するという手法は、
従来技術である。According to the present invention, Bi, which is a new substance, is used as the host medium.
The most important point is to use (Sr,Ca)O, compound crystals. The method of substituting a small amount of rare earth elements in order to achieve light-emitting function as a laser material is
This is conventional technology.
然し乍ら、母体媒体として、従来の材料とは異なる新規
な結晶構造の結晶材料を用いることは、結晶構造の違い
を反映して、ドープされたイオンの周りの結晶場を変化
させることになる。このことは発光に寄与する電子遷移
の準位及び振動子強度に変化を与えることを意味する。However, using a crystal material with a new crystal structure different from conventional materials as a host medium changes the crystal field around the doped ions to reflect the difference in crystal structure. This means that the level of electronic transition and the oscillator strength that contribute to light emission are changed.
また、本材料特有の強い構造的異方性は更にその摂動を
助長させる。本発明の結晶材料は、従来の結晶材料と異
なって、画期的な発光特性即ち、遷移エネルギー、寿命
、発光効率等を提供するものである。Moreover, the strong structural anisotropy peculiar to this material further promotes the perturbation. The crystalline material of the present invention differs from conventional crystalline materials in that it provides innovative luminescent properties, such as transition energy, lifetime, and luminous efficiency.
Ｂｌ系高温超伝導体は、単位格子中に含有されるＣｕＯ
平面の数によって、超伝導特性が大きく変化することが
知られている。本発明者らは、高温超伝導特性をより良
く理解するためには、単結晶を用いた研究が不可欠であ
ることを早くから認識し、フラックス溶融法により、比
較的大型の結晶が容易に得られるＢｌ系超伝導体単結晶
を取り上げ、その良質化を目指して研究を行なってきた
。その中で、結晶作製時に一定の陽イオン比で原料を仕
込むと、Ｃｕを含まないＢ１．Ｓｒ、Ｃａからなる酸化
物結晶が得られることを見出した。更に、その結晶にお
いて、希土類元素の局所置換を行なうことにより、発光
特性を導入することに成功した。Bl-based high-temperature superconductors contain CuO contained in the unit cell.
It is known that superconducting properties vary greatly depending on the number of planes. The inventors recognized early on that research using single crystals was essential to better understand high-temperature superconducting properties, and relatively large crystals could be easily obtained using the flux melting method. We have been conducting research aimed at improving the quality of Bl-based superconductor single crystals. Among them, if raw materials are prepared at a certain cation ratio during crystal production, B1. It has been found that oxide crystals consisting of Sr and Ca can be obtained. Furthermore, by locally substituting rare earth elements in the crystal, we succeeded in introducing luminescent properties.
プリセツション法による構造解析の結果、得られた結晶
は、元素置換の有無にかがわらず、菱面体晶系に属する
こと、また、そのＣ軸長は置換した元素のイオン半径と
正の相関を示すことが分かった。As a result of structural analysis using the preset method, the obtained crystals belong to the rhombohedral crystal system, regardless of the presence or absence of element substitution, and the C-axis length shows a positive correlation with the ionic radius of the substituted element. That's what I found out.
各種励起法により、発光特性について調べたところ、Ｅ
ｒ置換結晶において、置換した３価のＥｒイオンに関与
した内殻電子遷移に起因する特徴的な発光が観測された
。When the emission characteristics were investigated using various excitation methods, E
In the r-substituted crystal, characteristic light emission caused by core electron transitions related to the substituted trivalent Er ions was observed.
Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系で臨界温度１１０Ｋを示
す超伝導体の存在が知られている。It is known that there is a superconductor in the B1-5r-Ca-Cu-0 system that exhibits a critical temperature of 110K.
その超伝導体と本発明の結晶を比較した場合、本発明の
結晶ではＣｕが欠落している。然し乍ら、半導体分野で
多用されているプロセス技術（例えば、イオン注入法や
熱拡散法）を用いることにより、Ｃｕを本発明結晶中に
導入し、絶縁領域を超伝導領域に変えることが可能とな
ってくる。このことは、このＣｕ導入技術に基づく超伝
導性と、前記の本発明の結晶の発光機能を併用すること
によりもたらされるモノリシック超伝導・光集積回路の
実現を示唆するものとして興味深い。When comparing the superconductor with the crystal of the present invention, the crystal of the present invention lacks Cu. However, by using process techniques that are widely used in the semiconductor field (for example, ion implantation and thermal diffusion), it is possible to introduce Cu into the crystal of the present invention and transform the insulating region into a superconducting region. It's coming. This is interesting as it suggests the realization of a monolithic superconducting/optical integrated circuit brought about by combining the superconductivity based on this Cu introduction technology and the light emitting function of the crystal of the present invention.
本発明は、適当な外部励起のもとて発光機能を発現する
結晶を見出したもので、例えば、特徴的なレーザ等発光
素子を実現できる利点がある。そして、Ｃｕの選択的導
入技術を用いることにより、局所的に超伝導領域を作り
込むことができるため、超伝導素子と発光素子を本発明
の結晶材料上にモノリシックに作成した、即ち、超伝導
−光集積回路の実現が可能である。The present invention has discovered a crystal that exhibits a light-emitting function under appropriate external excitation, and has the advantage that, for example, a characteristic light-emitting device such as a laser can be realized. Since superconducting regions can be created locally by using Cu selective introduction technology, superconducting elements and light emitting elements can be fabricated monolithically on the crystal material of the present invention. - It is possible to realize optical integrated circuits.
次に、本発明の結晶材料を、具体的に実施例により説明
するが、本発明はそれらによって限定されるものではな
い。Next, the crystal material of the present invention will be specifically explained using Examples, but the present invention is not limited thereto.
［Ｘ亙囮］
結晶材料は、酸化物、炭酸化物粉末を出発原料とし、フ
ラックス溶融法で作製した。陽イオン比Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝８：ｌ ：３：３に秤量、混合した粉末を、
アルミするつぼに仕込み、１０００℃で２４時間溶融し
た後、冷却速度５℃／時間で７００℃まで冷却し、更に
、冷却速度４０℃／時間で、５００℃まで冷却し、その
後は、そのまま炉内で、室温まで冷却した。[X-yield decoy] The crystal material was prepared by a flux melting method using oxide and carbonate powders as starting materials. Cation ratio Bi:Sr:C
Weighed and mixed powder at a:Cu=8:l:3:3,
It was charged into an aluminum crucible and melted at 1000°C for 24 hours, then cooled to 700°C at a cooling rate of 5°C/hour, further cooled to 500°C at a cooling rate of 40°C/hour, and then placed in the furnace as it was. Then, it was cooled to room temperature.
単結晶への希土類元素のドーピングは、ＥｒとＮｃｌの
２種類について、仕込み組成中のＣａの１１原子％まで
置き換えることにより行なった。The single crystal was doped with rare earth elements by replacing up to 11 atomic % of Ca in the charged composition with two types, Er and Ncl.
得られた単結晶の構造は、Ｘ線プリセツション法により
調べた。その１つを第１図Ｂに示す。The structure of the obtained single crystal was investigated by X-ray preset method. One of them is shown in FIG. 1B.
組成については、マイクロプローブ電子顕微鏡（ＥＰＭ
Ａ）で測定した。The composition was determined using a microprobe electron microscope (EPM).
Measured in A).
可視域の発光特性は、カソードルミネッセンス（ＣＬ）
法とアルゴンレーザを励起源とした７オトルミネツセン
ス（Ｐ Ｌ）法により測定した。The emission characteristics in the visible range are cathodoluminescence (CL)
The measurement was carried out by the 7 otoluminescence (PL) method using an argon laser as an excitation source.
得られた単結晶は、希土類元素のドープに依らず黄（緑
）色艶縁体で、薄く襞間する性質の強いものであった。The single crystal obtained had a yellow (green) glossy edge, and had a strong tendency to have thin folds, regardless of the rare earth element doping.
第１図Ａは、本発明のＥｒドーピングの結晶表面の電子
顕微鏡写真である。この結晶はフラックス溶融法により
作製された結晶であるが、他の結晶成長技術を用いても
問題なく作製できる。FIG. 1A is an electron micrograph of an Er-doped crystal surface of the present invention. Although this crystal is produced by a flux melting method, it can also be produced using other crystal growth techniques without any problem.
第１図Ａでは、その襞間ステップを除いて、非常に平坦
な面を有することが、示唆される。Figure 1A suggests that it has a very flat surface, except for its interfold steps.
無添加結晶で撮影されたプリセツション写真と、観測さ
れるスポットのミラー指数を、第１図Ｂ、Ｃに示す。こ
こで、第１図Ｂの写真は、Ｘ線の入射方向に０を薄片状
結晶の襞間面に垂直にしたとき、即ち、ｋ ｏ／／＜０
０１＞の時に得られたもので、第１図Ｃの写真は、ｋ０
上＜００１＞の時に得られたものである。観測されたス
ポットの対称性、及びそれらミラー指数（ｈｋｌ）の間
に一定の関係式（〜ｈ＋に＋１＝３ｎ）が満足されるこ
とを考慮すると、本発明の結晶は、菱面体晶系に属する
ことが分かる。更に詳細には、ラウェ晶系で、３ｍの可
能性が高い。Preset photographs taken with additive-free crystals and the Miller indices of the observed spots are shown in FIGS. 1B and C. Here, the photograph in FIG. 1B shows the incident direction of X-rays when 0 is perpendicular to the interfold plane of the flaky crystal, that is, k o//<0
01>, and the photograph in Figure 1C is k0
This was obtained at the time of <001> above. Considering the symmetry of the observed spots and the fact that a certain relational expression (~h++1=3n) is satisfied between the mirror indices (hkl), the crystal of the present invention has a rhombohedral crystal system. I know I belong. More specifically, it is a Laue crystal system and is likely to be 3m.
希土類元素添加の結晶についても、同様の結果が得られ
た。第１表には、プリセツション写真から求めた各種結
晶の格子定数を比較して示した。Similar results were obtained for crystals doped with rare earth elements. Table 1 shows a comparison of the lattice constants of various crystals determined from preset photographs.
無添加 ３．９０５ ２８．２５２Ｅ
ｒ添加 ３．８９６ ２８．０５４
Ｎｄ添加 ３．９２８ ２８．１１
６結晶作製時にイオン半径の小さな希土類元素（イオン
半径の順： Ｅ ｒ＜Ｎｄ＜Ｃａ＜Ｂ ｉ＜Ｓｒ）を添
加することにより得られた結晶のＣ軸長が減少している
ことが分かる。このことは、添加された元素が有効に結
晶サイトを置換していることを示唆するものである。No additives 3.905 28.252E
r addition 3.896 28.054
Nd addition 3.928 28.11
It can be seen that the C-axis length of the crystal obtained by adding a rare earth element with a small ionic radius (in the order of ionic radius: E r<Nd<Ca<B i<Sr) during crystal production. This suggests that the added elements are effectively replacing crystal sites.
第２図は、本発明の結晶材料のＸ線回折スペクトルを示
す。FIG. 2 shows the X-ray diffraction spectrum of the crystalline material of the invention.
各回折ピークは、六方晶系格子により、定義された格子
定数（ａ＝３．９０−３．９３人、Ｃ＝２８．０５〜２
８．２５人；置換する希土類元素の種類や量により変化
する）を用いて、同定される。Each diffraction peak is defined by a hexagonal lattice with lattice constants (a = 3.90-3.93, C = 28.05-2
8.25 people (varies depending on the type and amount of rare earth element to be substituted).
ＥＰＭＡ法による各種結晶の襞開面における組成分析結
果（酸素もモル比を５とした場合）を、第２表に示す。Table 2 shows the compositional analysis results of the folded planes of various crystals by the EPMA method (when the molar ratio of oxygen is also 5).
無添加 ２．７００．３２０．６３ ５２．７
１０．３００．６４ ５Ｅｒ添加 ２．５１０
．２６０．４８０．３４５２．５６０，２４０．４９０
．２９ ５Ｎｄ添加 ２．４７０，３１０．４５
０．３５５２．６００．３６０．６０ ０．０
９５各結晶について各々場所を変えて２回測定している
。Ｎｄ添加結晶では、作製条件がＥｒ添加のものと同じ
であるにもがかわらず、Ｎｄの場所分布が観測される。No additives 2.700.320.63 52.7
10.300.64 5Er addition 2.510
．． 260.480.3452.560,240.490
．． 29 5Nd addition 2.470,310.45
0.3552.600.360.60 0.0
95 Each crystal was measured twice at different locations. In the Nd-doped crystal, although the manufacturing conditions are the same as the Er-doped crystal, a Nd location distribution is observed.
然し乍ら、Ｅｒ、Ｎｄのいずれの場合においても、仕込
み原料中に添加された希土類元素が結晶中に取り込まれ
ていることが明らかである。However, in both cases of Er and Nd, it is clear that the rare earth elements added to the raw materials are incorporated into the crystals.
尚、この組成比は一例で、他の組成比においても先に述
べた結晶構造を取り得る。Note that this composition ratio is just an example, and the crystal structure described above can be obtained with other composition ratios.
本発明の結晶材料について、各単結晶をルミネッセンス
法により調べた結果、Ｅｒ添加結晶において、可視域に
特徴的な発光がＷｔ＃された。As a result of examining each single crystal of the crystal material of the present invention by a luminescence method, it was found that the Er-doped crystal emitted characteristic light emission in the visible region of Wt#.
第３図は、本発明の希土類元素としてＥｒで置換してい
る結晶の璧開面におけるＣＬイメージを示す。均一な下
地からの発光に加えて、局所的な発光強度が高く、寿命
の長い発光が見られる。これらは表面に残留したフラッ
クスに起因するものと考えられる。下地がらの発光に注
目して、そのＣＬスペクトルを観測した結果が、第４図
である。測定処理の都合上、スペクトルの分解能を上げ
れないものの、Ｅｒ添加結晶では、無添加結晶では得ら
れない５５０ｎｍ付近にピークを有する特徴的な発光が
観測されることが分かる。FIG. 3 shows a CL image of the crystal plane in which Er is substituted as the rare earth element of the present invention. In addition to luminescence from a uniform base, luminescence with high local luminescence intensity and long lifetime can be seen. It is thought that these are caused by flux remaining on the surface. FIG. 4 shows the results of observing the CL spectrum, focusing on the light emission from the base material. Although the resolution of the spectrum cannot be improved due to the measurement process, it is clear that characteristic light emission with a peak around 550 nm is observed with the Er-doped crystal, which cannot be obtained with the non-doped crystal.
より高い分解能でスペクトル測定を行なうなめに、同様
の試料をＰＬ法により調べた。A similar sample was investigated by the PL method in order to perform spectral measurements with higher resolution.
第５図は、Ｅｒ添加結晶で得られるＰＬスペクトルを示
す。FIG. 5 shows the PL spectrum obtained with the Er-doped crystal.
それによると、励起光源として、波長４８８ｎｍのアル
ゴンレーザを用いた場合、５４４，７ｎｍと５５５．７
ｎｍに微細構造を伴う２つの発光線がレーザ光のテール
に載って観測された。これらの発光線は、結晶中に取り
込まれたＥ ｒ ”（４ｆ”）イオンのスピン−軌道準
位間の電子遷移に起因しており、短波長側の発光線から
各々’Ｈ，，，，→ ｒ＋ｉｚ＋＋”Ｓ＋／Ｉ→’Ｉｌ
ｌ／ｌと同定された。これらの発光は、電気的な励起法
によっても容易に得られるものである。According to this, when an argon laser with a wavelength of 488 nm is used as an excitation light source, the excitation wavelength is 544.7 nm and 555.7 nm.
Two emission lines with fine structures in nm were observed on the tail of the laser beam. These emission lines are caused by electronic transitions between spin-orbit levels of E r "(4f") ions incorporated into the crystal, and 'H,,,... → r+iz++”S+/I→'Il
It was identified as l/l. These light emissions can also be easily obtained by electrical excitation.
［発明の効果］
本発明の結晶材料は、次のような顕著な技術的効果を奏
する。[Effects of the Invention] The crystal material of the present invention has the following remarkable technical effects.
第１に、適当な外部励起のもとて発光機能を発現する結
晶を見出したもので、例えば、特徴的なレーザ等発光素
子を実現できる利点がある。First, we have discovered a crystal that exhibits a light-emitting function under appropriate external excitation, which has the advantage of making it possible to realize, for example, a distinctive light-emitting device such as a laser.
第２に、Ｃｕの選択的導入技術を用いることにより、局
所的に超伝導領域を作り込むことができるため、超伝導
素子と発光素子を本発明の結晶材料上に七ノリシックに
作成した、即ち、超伝導−光集積回路の実現が可能であ
る。Second, by using the selective introduction technique of Cu, superconducting regions can be created locally, so superconducting elements and light emitting elements can be fabricated seven-dimensionally on the crystalline material of the present invention. , it is possible to realize superconducting optical integrated circuits.
第１図Ａは、本発明のＥｒドーピングの結晶表面の電子
顕微鏡写真である。また、第１図Ｂ、 Ｃは、本発明に
よる無添加の結晶の結晶構造を示すためのＸ線プリセツ
ション写真である。
第２図は、本発明の結晶材料のＸＩＱ回折スペクトルで
ある。
第３図は、本発明の結晶材料の結晶襞間面におけるＣＬ
イメージである。
第４図は、本発明の結晶材料の発光スペクトルを、無置
換の母体結晶からのものと比較して示すグラフである。
第５図は、本発明の結晶材料で得られるＰＬスペクトル
である。
特許出願人 住友セメント株式会社
代理人 弁理士 倉 侍 裕
第２図
２θ （蔑）
第４図
戒＆ Ｃｎｍ）FIG. 1A is an electron micrograph of an Er-doped crystal surface of the present invention. Moreover, FIGS. 1B and 1C are X-ray preset photographs for showing the crystal structure of the additive-free crystal according to the present invention. FIG. 2 is an XIQ diffraction spectrum of the crystalline material of the present invention. FIG. 3 shows the CL in the crystal interfold plane of the crystal material of the present invention.
It is an image. FIG. 4 is a graph showing the emission spectrum of the crystalline material of the present invention in comparison with that from an unsubstituted host crystal. FIG. 5 is a PL spectrum obtained with the crystal material of the present invention. Patent Applicant Sumitomo Cement Co., Ltd. Agent Patent Attorney Yutaka Kura Samurai Figure 2 2θ (Disparaging) Figure 4 Precept & Cnm)
Claims (1)
、ラウエ群＠３＠ｍに属することを特徴とするＢｉ（Ｓ
ｒ、Ｃａ）Ｏｘの絶縁性酸化物結晶材料。Bi(S) is doped with rare earth elements and has a rhombohedral crystal structure and belongs to the Laue group @3@m.
r, Ca) Ox insulating oxide crystal material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32592090A JP2618530B2 (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | New crystalline materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32592090A JP2618530B2 (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | New crystalline materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198094A true JPH04198094A (en) | 1992-07-17 |
| JP2618530B2 JP2618530B2 (en) | 1997-06-11 |
Family
ID=18182075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32592090A Expired - Lifetime JP2618530B2 (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | New crystalline materials |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2618530B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1299161C (en) * | 2005-01-26 | 2007-02-07 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | Bismuth ion doped crystal for tunable laser and wide-band amplifier |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP32592090A patent/JP2618530B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2618530B2 (en) | 1997-06-11 |
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