JPH04191739A - Photomask manufacturing device - Google Patents
Photomask manufacturing deviceInfo
- Publication number
- JPH04191739A JPH04191739A JP2324649A JP32464990A JPH04191739A JP H04191739 A JPH04191739 A JP H04191739A JP 2324649 A JP2324649 A JP 2324649A JP 32464990 A JP32464990 A JP 32464990A JP H04191739 A JPH04191739 A JP H04191739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- wiring
- mask
- phase shift
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000013075 data extraction Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フォトリソグラフィで使用するための透明
型位相シフトフォトマスクを製造するフォトマスク製造
装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photomask manufacturing apparatus for manufacturing a transparent phase shift photomask for use in photolithography.
半導体装置の高密度化に伴い、転写されるパターンの微
細化か求められている。このパターンの微細化を実現す
る方法として、透明型位相シフトフォトマスクが提案さ
れている。上記透明型位相シフトフォトマスクを作成す
るためには、第５図に示すように、半導体ウエノ１上に
作成すべき所望の図形に対応したマスクデータｌと露光
装置の解像限界データ■とを元に、手計算２手作業で光
の干渉を考慮した透明型位相シフトフォトマスク図形群
と、上記図形の位相差情報とを作成しく４０１）、上記
の情報を電子ビーム（ＥＢ）露光装置に与えて電子ビー
ム露光しく４０２）、さらに現像、エツチングする（４
０３）ことが必要である。As the density of semiconductor devices increases, there is a demand for finer patterns to be transferred. A transparent phase shift photomask has been proposed as a method for realizing this pattern miniaturization. In order to create the above-mentioned transparent phase shift photomask, as shown in FIG. Based on manual calculation 2, manually create a group of transparent phase shift photomask figures that take light interference into account and phase difference information of the above figures (401), and transfer the above information to an electron beam (EB) exposure device. and electron beam exposure (402), further development and etching (402).
03) It is necessary.
従来の方法では、半導体ウエノλ上に作成すべき所望の
図形データおよび露光装置の解像限界データを元に、透
明型位相シフトフォトマスクを作成するための図形群デ
ータを人手によって作図し、また上記図形群相互の位相
差情報を人手によって与えていた。In the conventional method, graphic group data for creating a transparent phase shift photomask is manually drawn based on the desired graphic data to be created on the semiconductor wafer λ and the resolution limit data of the exposure device. The phase difference information between the above graphic groups was given manually.
ＬＳＩ製造に必要な図形データ量は厖大なものであるた
め、透明型位相ソフトフォトマスクを作成するための図
形群データを人手で誤りなく作成することは極めて困難
であるという問題かあった。Since the amount of graphic data required for LSI manufacturing is enormous, there is a problem in that it is extremely difficult to manually create graphic group data for creating a transparent phase soft photomask without making any errors.
また、従来のマスク図形は、それ自体か所望の図形で、
マスク設計者にとってわかりやすいものであるのに対し
、透明型位相ソフトフォトマスクを作成するのに必要な
図形は外見が所望の図形と全く異なったものであるため
、図形データの誤りの発見がきわめて困難であった。In addition, the conventional mask shape is itself or a desired shape,
While it is easy for mask designers to understand, the shape required to create a transparent phase soft photomask has a completely different appearance from the desired shape, making it extremely difficult to discover errors in the shape data. Met.
したがって、この発明の目的は、透明型位相シフトフォ
トマスクを製作するのに必要なデータを信頼性よく生成
することができるフォトマスク製造装置を提供すること
である。Therefore, an object of the present invention is to provide a photomask manufacturing apparatus that can reliably generate data necessary for manufacturing a transparent phase shift photomask.
この発明のフォトマスク製造装置は、少なくとも１層の
マスク層についての配線データと窓データとからなるマ
スクデータを格納するマスクデータ格納手段と、
露光装置の解像限界データを格納する解像限界データ格
納手段と、
前記解像限界データ格納手段から読み出した解像限界デ
ータから遮光部を形成するための解像限界以下の幅のラ
インおよびスペースデータからなりマスク全面を覆う縞
模様データを作成する縞模様データ作成手段と、
前記マスクデータ格納手段から読み出した１層のマスク
データが配線データか窓データかを判定する配線層判定
手段と、
前記配線層判定手段により判定したマスクデータが配線
データであるときに、その配線データに近接した平行配
線の配線データを抽出して判定したマスクデータを含む
近接平行配線の個数の奇偶を判定し、近接平行配線数が
偶数であるときに２本の配線を生成する透明型位相シフ
トマスク配線データを近接平行配線の個数の４だけ作成
し、近接平行配線数が奇数であるときに透明型位相ソフ
トマスク配線データを近接平行配線の個数より１少ない
個数の４だけ作成するとともに１本の配線データを付加
する配線データ変換手段と、前記配線層判定手段により
判定したマスクデータが窓データであるときに、この窓
データと前記縞模様データとのＯＲ図形論理演算を行っ
て透明型位相シフトマスク窓データを生成する窓データ
変換手段と、
前記配線データ変換手段および前記窓データ変換手段に
より生成した透明型位相シフトマスク配線データおよび
透明型位相シフトマスク窓データを格納する透明型位相
シフトマスクデータ格納手段とを備えている。The photomask manufacturing apparatus of the present invention includes mask data storage means for storing mask data consisting of wiring data and window data for at least one mask layer, and resolution limit data for storing resolution limit data of an exposure device. storage means; and stripes for creating striped pattern data covering the entire surface of the mask, consisting of line and space data having a width equal to or less than the resolution limit for forming a light-shielding portion from the resolution limit data read from the resolution limit data storage means. pattern data creation means; wiring layer determination means for determining whether one layer of mask data read from the mask data storage means is wiring data or window data; and the mask data determined by the wiring layer determination means is wiring data. Sometimes, the wiring data of parallel wiring adjacent to the wiring data is extracted and determined whether the number of adjacent parallel wirings including the determined mask data is odd or even, and when the number of adjacent parallel wirings is even, two wirings are selected. The number of transparent phase shift mask wiring data to be generated is 4, which is the number of adjacent parallel wirings, and when the number of adjacent parallel wirings is an odd number, the transparent phase soft mask wiring data is created by 4, which is one less than the number of adjacent parallel wirings. wiring data converting means for creating only one wire and adding one piece of wiring data, and when the mask data determined by the wiring layer determining means is window data, an OR graphic logical operation between the window data and the striped pattern data. window data converting means for generating transparent phase shift mask window data by performing the following steps; and storing transparent phase shift mask wiring data and transparent phase shift mask window data generated by the wiring data converting means and the window data converting means. and transparent phase shift mask data storage means.
なお、上記透明型位相シフトマスクデータ格納手段には
、透明型位相シフトマスク配線データおよび透明型位相
シフトマスク窓データと合わせて位相差情報も格納され
ている。The transparent phase shift mask data storage means also stores phase difference information together with the transparent phase shift mask wiring data and the transparent phase shift mask window data.
そして、これらの透明型位相シフトマスク配線データお
よび透明型位相シフトマスク窓データを電子ビーム露光
装置に与え、電子ビーム露光１現像エツチングすること
により目的とする透明型位相ノットフォトマスクを製作
する。Then, these transparent phase shift mask wiring data and transparent phase shift mask window data are supplied to an electron beam exposure device, and a desired transparent phase-knot photomask is manufactured by performing electron beam exposure, development, etching.
この発明の構成によれば、マスクデータか配線データか
窓データかを判定し、配線データであるときには、近接
平行配線数か偶数であるときに２本の配線を生成する透
明型位相ソフトマスク配線データを近接平行配線の個数
の４だけ作成し、近接平行配線数か奇数であるときに透
明型位相ソフトマスク配線データを近接平行配線の個数
より１少ない個数の１／２だけ作成するとともに１本の
配線データを付加する。また、窓データであるときには
、窓データと縞模様データとのＯＲ図形論理演算を行っ
て透明型位相シフトマスク窓データを生成する。そして
、生成した透明型位相ソフトマスク配線データおよび透
明型位相シフトマスク窓データを透明型位相シフトマス
クデータ格納手段に格納する。この結果、透明型位相シ
フトフォトマスクを製作するのに必要なデータを信頼性
よく生成することができる。According to the configuration of the present invention, transparent phase soft mask wiring that determines whether it is mask data, wiring data, or window data, and when it is wiring data, generates two wirings when the number of adjacent parallel wirings is an even number. Create data for 4 times the number of adjacent parallel wires, and when the number of adjacent parallel wires is an odd number, create transparent phase soft mask wiring data for 1/2 of the number of adjacent parallel wires, and 1 wire. Add wiring data. When the data is window data, an OR graphic logic operation is performed on the window data and the striped pattern data to generate transparent phase shift mask window data. Then, the generated transparent phase soft mask wiring data and transparent phase shift mask window data are stored in the transparent phase shift mask data storage means. As a result, data necessary for manufacturing a transparent phase shift photomask can be generated with high reliability.
以下、この発明の実施例を図面を参照しなから説明する
。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例のフォトマスク製造装置の
構成を示すブロック図である。このフォトマスク製造装
置は、半導体ウェハ上に作成すべき所望の図形に対応し
たマスクデータｌおよび透明型位相ソフトフォトマスク
を使用するためのステッパの解像限界データ２か、マス
クデータ格納手段および解像限界データ格納手段に相当
する記憶装置（図示せず）に蓄えられている。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a photomask manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. This photomask manufacturing apparatus includes mask data 1 corresponding to a desired figure to be created on a semiconductor wafer, resolution limit data 2 of a stepper for using a transparent phase soft photomask, mask data storage means, and resolution limit data 2. The data are stored in a storage device (not shown) corresponding to image limit data storage means.
つぎに、縞模様データ作成手段３により、解像限界以下
の幅のラインとスペースからなる縞模様データをマスク
全面について作成する。この遮光部を形成するための縞
模様データ作成手段３の詳細は第２図に示すとおりであ
る。まず、解像限界データ２を読み出し、これに０．８
〜０．３、望ましくは０．４（以後、０゜４であるもの
として実施例の説明を行う）を乗算する。ステッパの４
率か例えば５（以後、ステッパの倍率は５であるものと
して実施例の説明を行う）であれば、さらにステッパ倍
率５を乗算しく１０１）、この値のライン輻とスペース
幅の縞模様データを位相シフトフォトマスク全面を覆う
ように作成しく１０２）、上記縞模様データを記憶装置
に保存しく１０３）、終了する（１０４）。Next, the striped pattern data creation means 3 creates striped pattern data consisting of lines and spaces whose width is less than the resolution limit for the entire mask surface. The details of the striped pattern data creation means 3 for forming this light shielding part are as shown in FIG. First, read out the resolution limit data 2 and add 0.8 to this.
It is multiplied by ~0.3, preferably 0.4 (hereinafter, the embodiment will be described assuming that it is 0°4). stepper 4
For example, if the stepper magnification is 5 (hereinafter, the example will be explained assuming that the stepper magnification is 5), then the stepper magnification is further multiplied by 5 (101), and the striped pattern data of the line radius and space width of this value is obtained. A phase shift photomask is created so as to cover the entire surface (102), the striped pattern data is stored in a storage device (103), and the process ends (104).
つぎに、第ｎ層マスクデータ抽出手段４（ｎは自然数）
により、一つの層に属するマスクデータｌを読み出す。Next, the nth layer mask data extraction means 4 (n is a natural number)
As a result, mask data l belonging to one layer is read out.
さらに、配線層のマスクデータか否かを判定する配線層
判定手段５により、いま抽出されたマスクデータｌか配
線層のマスクデータかどうかを判定する。この判定に必
要な情報は通常マスク層毎に与えられている。Further, the wiring layer determining means 5, which determines whether the mask data is the mask data of the wiring layer, determines whether the mask data l extracted just now is the mask data of the wiring layer. Information necessary for this determination is usually provided for each mask layer.
第ｎ層のマスクデータ１が配線データであれば、配線デ
ータを位相シフトフォトマスク配線データに変換する配
線データ変換手段６によりデータ変換を行う。その詳細
は第３図に示すとおりである。If the mask data 1 of the n-th layer is wiring data, data conversion is performed by wiring data conversion means 6 that converts the wiring data into phase shift photomask wiring data. The details are as shown in FIG.
まず、未処理の配線データを１本抽出しく２０＋）、配
線の長手方向に直角な方向に、近接平行配線を探索する
（２０２）。近接平行配線と離れた平行配線の判定は、
配線間の距離が解像限界データ２の０．４倍であるか、
それ以上であるかにより区別する。First, one piece of unprocessed wiring data is extracted (20+), and adjacent parallel wiring is searched for in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the wiring (202). Judging between close parallel wiring and distant parallel wiring,
Is the distance between the wires 0.4 times the resolution limit data 2?
It is distinguished by whether it is more than that.
つぎに、この近接平行配線の数ｍが偶数であるか奇数か
を判定しく２０３）、偶数であれば、近接平行配線に対
応して透明型位相シフトフォトマスク配線データを’Ａ
ｍ個作成する（２０４）。このときの透明型位相シフト
フォトマスクの輻は解像限界データ２の５倍とし、その
長さは配線長さの５倍とすればよい。Next, it is determined whether the number m of adjacent parallel wirings is an even number or an odd number (203), and if it is an even number, the transparent phase shift photomask wiring data is set to 'A' corresponding to the adjacent parallel wirings.
Create m pieces (204). The convergence of the transparent phase shift photomask at this time may be five times the resolution limit data 2, and its length may be five times the wiring length.
一方、近接平行配線の数ｍが奇数であれば、近接平行配
線に対応して透明型位相シフトフォトマスクデータを！
４（ｍ−１）個作成しく２０５）、１本の配線データを
付加する（２０６）。On the other hand, if the number m of adjacent parallel wirings is an odd number, use transparent phase shift photomask data corresponding to the adjacent parallel wirings!
4(m-1) pieces are created (205), and one piece of wiring data is added (206).
一般に、近接平行配線の探索は、半導体チップの一辺に
対して平行または直角方向、４５°方向および１３５°
方向に行う必要がある。Generally, the search for adjacent parallel wiring is performed in a direction parallel or perpendicular to one side of the semiconductor chip, in a 45° direction, and in a 135° direction.
need to be done in the direction.
さらに、各配線の終端部には、通常コンタクトを確実に
するため、やや太い矩形領域が設けられている場合があ
る。このような領域に対応してこれと同じ大きさの遮光
部（太線部）を、解像限界以下の寸法の縞模様データに
変換する（２０７＞。Furthermore, a slightly thicker rectangular area is sometimes provided at the end of each wiring to ensure normal contact. Corresponding to such an area, a light shielding part (bold line part) having the same size as this area is converted into striped pattern data having a size below the resolution limit (207>).
このようにして近接平行配線群のデータ変換か終われば
、これを記憶装置に保存しく２０８）、この変換済み配
線データに処理済み情報を付加する（２０９）。When the data conversion of the adjacent parallel wiring group is completed in this way, it is stored in the storage device (208), and processed information is added to this converted wiring data (209).
つぎに、処理中の第１層データにまた未処理配線か残っ
ているかとうかを調へる（２１０）。未処理配線かなく
なるまで、上記の手続を繰り返し、終了する（２１１）
。Next, it is checked whether any unprocessed wiring remains in the first layer data being processed (210). Repeat the above procedure until there are no more unprocessed wires, and end (211)
.
上記第ｎ層マスクデータ抽出手段４により抽出されたデ
ータか、配線層判定手段５により配線層てはないと判定
された場合、上記データは第１図の窓データ変換手段７
によりデータ変換か行われる。If the data is extracted by the n-th layer mask data extraction means 4, or if it is determined by the wiring layer determination means 5 that it is not a wiring layer, the data is extracted by the window data conversion means 7 in FIG.
Data conversion is performed by
第４図は窓データを位相シフトフォトマスク窓データに
変換する窓データ変換手段７の詳細を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing details of the window data converting means 7 for converting window data into phase shift photomask window data.
以下、窓データ変換手段７の動作を第４図に基づいて説
明する。第ｎ層のデータから未処理の窓データを抽出し
く３０１）、以前に用意されていた縞模様データと窓デ
ータとのＯＲ処理図形論理演算を行う（３０２）。この
結果得られた透明型位相ンフ）・マスク窓データ（論理
演算結果）を記憶装置に保存する（３０３）。Hereinafter, the operation of the window data conversion means 7 will be explained based on FIG. 4. Unprocessed window data is extracted from the n-th layer data (301), and an OR processing graphical logical operation is performed on the previously prepared striped pattern data and the window data (302). The transparent phase mask window data (logic operation results) obtained as a result are stored in a storage device (303).
つぎに、処理済みの窓データに処理済み情報を付加する
（３０４）。未処理データかまだ残っているかどうかを
調へ（３０５）、未処理データか残っておれば、未処理
データかなくなるまて３０１から３０４まての処理を繰
り返し、終了する（３０６）。Next, processed information is added to the processed window data (304). Check whether there is any unprocessed data left (305). If there is any unprocessed data left, the process from 301 to 304 is repeated until there is no more unprocessed data, and the process ends (306).
第ｎ層のマスクデータの処理か終われば、第１図に示す
ように、透明型位相シフトマスク配線データおよび透明
型位相シフトマスク窓データを位相ソフトフォトマスク
データ８として透明型位相ソフトマスクデータ格納手段
である記憶装置に格納する。When the processing of the mask data of the nth layer is completed, the transparent phase shift mask wiring data and the transparent phase shift mask window data are stored as the phase soft photomask data 8 as shown in FIG. 1. storage device as means.
つぎに、第１図に示すように、第ｎ＋１層の存在判定手
段９により、第ｎ＋１層か存在するかとうかを調へ、存
在する限り上記と同様のデータ変１ 換を繰り返し、す
へての層のマスクデータを位相シフトフォトマスクデー
タ８に変換して終了する。Next, as shown in FIG. 1, the n+1-th layer existence determination means 9 determines whether the n+1-th layer exists, and repeats the same data conversion as described above as long as the n+1-th layer exists. The process ends by converting the mask data of the layer into phase shift photomask data 8.
この発明のフォトマスク製造装置によれば、マスクデー
タか配線データか窓データかを判定し、配線データであ
るときには、近接平行配線数か偶数であるときに２本の
配線を生成する透明型位相シフトマスク配線データを近
接平行配線の個数の１／２だけ作成し、近接平行配線数
か奇数であるときに透明型位相シフトマスク配線データ
を近接平行配線の個数より１少ない個数の％だけ作成す
るとともに１本の配線データを付加し、窓データである
ときには、窓データと縞模様データとのＯＲ図形論理演
算を行って透明型位相シフトマスク窓データを生成し、
生成した透明型位相シフトマスク配線データおよび透明
型位相ソフトマスク窓データを透明型位相シ、フトマス
クデータ格納手段に格納するので、透明型位相シフトフ
ォトマスクを製作するのに必要なデータを信頼性よく生
成することかできる。According to the photomask manufacturing apparatus of the present invention, it is determined whether the data is mask data, wiring data, or window data, and when it is wiring data, the transparent type phase that generates two wirings when the number of adjacent parallel wirings is an even number. Create shift mask wiring data for 1/2 of the number of adjacent parallel wirings, and when the number of adjacent parallel wirings is an odd number, create transparent phase shift mask wiring data for 1% less than the number of adjacent parallel wirings. When the data is window data, an OR graphical logical operation is performed on the window data and the striped pattern data to generate transparent phase shift mask window data.
Since the generated transparent phase shift mask wiring data and transparent phase soft mask window data are stored in the transparent phase shift mask data storage means, the data necessary for manufacturing the transparent phase shift photomask can be stored reliably. It can be produced well.
第１図はこの発明の一実施例のフォトマスク製造装置の
構成を示す図、第２図は縞模様データ作成手段の具体構
成を示す図、第３図は配線データ変換手段の具体構成を
示す図、第４図は窓データ変換手段の具体構成を示す図
、第５図は従来のフォトマスク製造装置の構成を示す図
である。
ｌ・・・マスクデータ、２・・・解像限界データ、３・
・縞模様データ作成手段、４・・・第ｎ層データ抽出手
段、５・配線層判定手段、６・・配線データ変換手段、
７・・窓データ変換手段、８・・・位相ソフトフォトマ
スクデータ
＝」・′ニー−１
−−ニー：＝
第１図
第２図
第４図
第５図FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a photomask manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the specific configuration of the striped pattern data creation means, and FIG. 3 is a diagram showing the specific configuration of the wiring data conversion means. 4 are diagrams showing a specific configuration of the window data converting means, and FIG. 5 is a diagram showing the configuration of a conventional photomask manufacturing apparatus. l...Mask data, 2...Resolution limit data, 3.
・Striped pattern data creation means, 4. Nth layer data extraction means, 5. Wiring layer determination means, 6. Wiring data conversion means,
7...Window data conversion means, 8...Phase soft photomask data=''・'Knee-1 --Knee:= Figure 1 Figure 2 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
ータとからなるマスクデータを格納するマスクデータ格
納手段と、 露光装置の解像限界データを格納する解像限界データ格
納手段と、 前記解像限界データ格納手段から読み出した解像限界デ
ータから遮光部を形成するための解像限界以下の幅のラ
インおよびスペースデータからなりマスク全面を覆う縞
模様データを作成する縞模様データ作成手段と、 前記マスクデータ格納手段から読み出した１層のマスク
データか配線データか窓データかを判定する配線層判定
手段と、 前記配線層判定手段により判定したマスクデータが配線
データであるときに、その配線データに近接した平行配
線の配線データを抽出して判定したマスクデータを含む
近接平行配線の個数の奇偶を判定し、近接平行配線数が
偶数であるときに２本の配線を生成する透明型位相シフ
トマスク配線データを近接平行配線の個数の１／２だけ
作成し、近接平行配線数が奇数であるときに透明型位相
シフトマスク配線データを近接平行配線の個数より１少
ない個数の１／２だけ作成するとともに１本の配線デー
タを付加する配線データ変換手段と、 前記配線層判定手段により判定したマスクデータが窓デ
ータであるときに、この窓データと前記縞模様データと
のＯＲ図形論理演算を行って透明型位相シフトマスク窓
データを生成する窓データ変換手段と、 前記配線データ変換手段および前記窓データ変換手段に
より生成した透明型位相シフトマスク配線データおよび
透明型位相シフトマスク窓データを格納する透明型位相
シフトマスクデータ格納手段とを備えたフォトマスク製
造装置。[Scope of Claims] Mask data storage means for storing mask data consisting of wiring data and window data for at least one mask layer; and resolution limit data storage means for storing resolution limit data of an exposure apparatus. , creating striped pattern data for creating striped pattern data covering the entire surface of the mask, which is made up of line and space data having a width less than the resolution limit for forming a light-shielding portion from the resolution limit data read out from the resolution limit data storage means; means; wiring layer determining means for determining whether one layer of mask data, wiring data, or window data read from the mask data storage means; and when the mask data determined by the wiring layer determining means is wiring data, Transparent that extracts the wiring data of parallel wiring adjacent to the wiring data, determines whether the number of adjacent parallel wiring including the determined mask data is odd or even, and generates two wiring when the number of adjacent parallel wiring is even. Create phase shift mask wiring data for 1/2 of the number of adjacent parallel wirings, and when the number of adjacent parallel wirings is an odd number, create transparent phase shift mask wiring data for 1/2 of the number of adjacent parallel wirings, which is one less than the number of adjacent parallel wirings. wiring data converting means for creating only one line of wiring data and adding one piece of wiring data; window data converting means for performing calculations to generate transparent phase shift mask window data; and transparent phase shift mask wiring data and transparent phase shift mask window data generated by the wiring data converting means and the window data converting means. A photomask manufacturing apparatus comprising a transparent phase shift mask data storage means for storing data.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324649A JPH04191739A (en) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | Photomask manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324649A JPH04191739A (en) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | Photomask manufacturing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04191739A true JPH04191739A (en) | 1992-07-10 |
Family
ID=18168183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324649A Pending JPH04191739A (en) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | Photomask manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04191739A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010051381A (en) * | 1999-11-02 | 2001-06-25 | 히로시 오우라 | Method of producing mask data for partial one-shot transfer exposure and exposure method |
| US7725872B2 (en) | 2002-07-26 | 2010-05-25 | Asml Masktools, B.V. | Orientation dependent shielding for use with dipole illumination techniques |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2324649A patent/JPH04191739A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010051381A (en) * | 1999-11-02 | 2001-06-25 | 히로시 오우라 | Method of producing mask data for partial one-shot transfer exposure and exposure method |
| US7725872B2 (en) | 2002-07-26 | 2010-05-25 | Asml Masktools, B.V. | Orientation dependent shielding for use with dipole illumination techniques |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8977989B2 (en) | Handling of flat data for phase processing including growing shapes within bins to identify clusters | |
| KR100399645B1 (en) | Polygon representation in an integrated circuit layout | |
| JP3393926B2 (en) | Photomask design method and apparatus | |
| JP3819711B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US7281226B2 (en) | Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features | |
| JP4009459B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of mask | |
| JPH10261568A (en) | Method for preparing charged beam lithography data | |
| JP4510118B2 (en) | Optical proximity effect correction method and apparatus, optical proximity effect verification method and apparatus, exposure mask manufacturing method, optical proximity effect correction program, and optical proximity effect verification program | |
| TW200933290A (en) | Steiner tree based approach for polygon fracturing | |
| US7415694B2 (en) | Graph based phase shift lithography mapping method and apparatus | |
| KR20010039544A (en) | Exposing method and apparatus for semiconductor integrated circuits | |
| JPH11329957A (en) | Method for preparing data for aligner | |
| JPH04191739A (en) | Photomask manufacturing device | |
| CN104007607B (en) | Production method and information processor | |
| JPH07503340A (en) | Electron beam exposure method | |
| JP2001281836A (en) | Method for correcting photomask pattern, method for manufacturing photomask and recording medium | |
| JP2001022049A (en) | Manufacture of mask and mask pattern data forming device as well as recording medium | |
| US6530063B1 (en) | Method and apparatus for detecting equivalent and anti-equivalent pins | |
| JPH11194480A (en) | Formation of mask pattern data for writing and its apparatus | |
| JP3068892B2 (en) | Automatic wiring method | |
| JP4074329B2 (en) | Optical proximity correction method | |
| JP4181205B2 (en) | Optical proximity correction method | |
| JP3401611B2 (en) | Verification method for drawing graphic data | |
| WO2003092067A2 (en) | Integrated circuit layout modification | |
| JPH10319572A (en) | Manufacture of halftone phase shift mask |