JPH04185162A - Image sensor and information processor mounted with this sensor - Google Patents

Image sensor and information processor mounted with this sensor

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JPH04185162A
JPH04185162A JP31624490A JP31624490A JPH04185162A JP H04185162 A JPH04185162 A JP H04185162A JP 31624490 A JP31624490 A JP 31624490A JP 31624490 A JP31624490 A JP 31624490A JP H04185162 A JPH04185162 A JP H04185162A
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JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
picture elements
pixels
chips
information processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP31624490A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takao Koide
小出 能男
Akihiko Kumatoriya
昭彦 熊取谷
Kazuyuki Shigeta
和之 繁田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPH04185162A publication Critical patent/JPH04185162A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain excellent photoelectric conversion outputs by setting the substantial size of the picture elements existing at the ends of plural optical sensor chips which are adjacent to each other at the size large than the substantial size of other picture elements. CONSTITUTION:These sensor chips 1, 2 are formed with the plural picture elements on a single crystal Si. The reading width in the main scanning direction of the picture elements 1-1, 2-1 at the ends of the chips are set wider than the picture elements 1-2, 1-3, 2-2, 2-3 exclusive of the end parts. The width in the sub-scanning direction is the same for all the picture elements and the area of the picture elements 1-1, 2-1 is set larger. Then, the insufficiency of the crosstalk quantity when the outputs of e picture elements at the ends of the chips and the outputs of the picture elements exclusive of the end are compared is made up and the output signal levels of the entire picture elements are eventually uniformized. The output signal levels of the joint part of the chips are uniformized in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基板上にイメージセンサチップを複数個配列し
たマルチチップ型のイメージセンサ及び該イメージセン
サを搭載した情報処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a multi-chip image sensor in which a plurality of image sensor chips are arranged on a substrate, and an information processing device equipped with the image sensor.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

リニアイメージセンサはファクシミリ、スキャナ等に多
用されている。従来より読取装置として用いられてきた
リニアイメージセンサは、単結晶シリコンウェハーを用
いて作成されるためセンサ長はウェハサイズにより制限
を受は原稿と同一長さのリニアイメージセンサチップを
作ることは困難である。このため原稿からの反射光を光
学系を用いて縮少し、リニアイメージセンサ上に縮少投
影して画像を読取っていた。しかしこのような縮少光学
系を使用する読取装置では光学系のスペースを広く取ら
ねばならず、また解像度も十分でない。これを解決する
ためリニアイメージセンサチップを複数個直線上に並べ
たマルチチップ密着型イメージセンサが用いられている
Linear image sensors are widely used in facsimiles, scanners, etc. Linear image sensors, which have traditionally been used as reading devices, are created using single-crystal silicon wafers, so the sensor length is limited by the wafer size, making it difficult to create a linear image sensor chip with the same length as the original. It is. For this reason, the reflected light from the document is reduced using an optical system, and the image is read by projecting the reduced light onto a linear image sensor. However, a reading device using such a reduction optical system requires a large space for the optical system and does not have sufficient resolution. To solve this problem, a multi-chip close-contact image sensor in which a plurality of linear image sensor chips are arranged in a straight line is used.

第2図は上述した従来の密着型イメージセンサを示す模
式的平面図である。ここでは、センサ画素を並べたりニ
アイメージセンサチップを複数個直線上に配列して読取
幅を広(したものである。
FIG. 2 is a schematic plan view showing the conventional contact type image sensor mentioned above. Here, the reading width is widened by arranging sensor pixels or arranging a plurality of near image sensor chips in a straight line.

第2図において、1,2はイメージセンサチップ、3は
実装基板であり1−1、l−2,1−(n−1) 、1
−n、2−1,2−2.2−(n−1)、2−nは各画
素を示している。
In Fig. 2, 1 and 2 are image sensor chips, 3 is a mounting board, and 1-1, l-2, 1-(n-1), 1
-n, 2-1, 2-2.2-(n-1), and 2-n indicate each pixel.

ここでは隣接する2つのイメージセンサチップのみを図
示している。
Here, only two adjacent image sensor chips are illustrated.

〔発明が解決しようとしている課題〕[Problem that the invention is trying to solve]

しかしながら、上記従来例では、各イメージセンサチッ
プにおける端部の画素1−n、2−1の出力を端部以外
の画素1−2、・・1−(n−1)、2−2、・・・2
−(n−1)の出力と比較するとそれぞれ出力信号が異
なってくることがあった。
However, in the above conventional example, the outputs of the pixels 1-n, 2-1 at the edges of each image sensor chip are converted to the outputs of the pixels 1-2, . . . 1-(n-1), 2-2, .・・2
-(n-1), the output signals sometimes differed from each other.

本発明者は数多くの実験を繰り返し行い検討した結果、
その原因は次のような点にあることが判明した。即ちそ
の原因とは、画素1−2、・・・1−(n−1)、2−
2、・・・2−(n−1)では両側に画素が配置されて
いる為に出力に隣接画素からのクロストーク成分が加わ
るのに対し、端部画素1−1.1−n、2−1.2−n
では片側にしか隣接画素がない為にクロストーク成分が
ほぼ半分になっているということである。
As a result of repeated numerous experiments and studies, the inventor found that
The cause was found to be as follows. In other words, the cause is that pixels 1-2,...1-(n-1), 2-
In 2,...2-(n-1), since pixels are arranged on both sides, crosstalk components from adjacent pixels are added to the output, whereas in the case of end pixels 1-1.1-n, 2 -1.2-n
In this case, since there are adjacent pixels only on one side, the crosstalk component is approximately halved.

マルチチップ型イメージセンサにおいては、上記の問題
はチップつなぎ口部の出力信号の不連続性となってあら
れれる。
In a multi-chip image sensor, the above problem appears as discontinuity in the output signal at the chip joint.

〔目的〕〔the purpose〕

本発明は、上述した技術課題に鑑みなされたものであり
、従来よりも優れた光電変換出力の得られるイメージセ
ンサ及び情報処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned technical problems, and an object of the present invention is to provide an image sensor and an information processing device that can obtain a photoelectric conversion output superior to the conventional ones.

本発明の別の目的は、光センサチップ間のつなぎ目部分
を含めて均一な借出信号の得られるイメージセンサ及び
情報処理装置を簡易な構成にて提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an image sensor and an information processing device with a simple configuration that can obtain uniform borrowing signals including the joints between optical sensor chips.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の目的は、主走査方向に配列された複数の画素を
有する光センサチップが主走査方向に複数個配列された
イメージセンサにおいて、互いに隣接する前記複数の光
センサチップの端部に位置する画素の実質的な大きさを
他の画素の実質的な大きさよりも大とすることを特徴と
するイメージセンサを提供すること及び該センサを搭載
した情報処理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an image sensor in which a plurality of optical sensor chips each having a plurality of pixels arranged in the main scanning direction are arranged in the main scanning direction, in which a plurality of optical sensor chips located at ends of the plurality of adjacent optical sensor chips are arranged in the main scanning direction. It is an object of the present invention to provide an image sensor characterized in that the substantial size of a pixel is larger than the substantial size of other pixels, and to provide an information processing device equipped with the sensor.

〔作用〕[Effect]

本発明によれば、センサチップの端部画素の大きさを端
部以外の画素の大きさよりも太き(することにより、端
部画素と端部以外の画素との出力信号レベルをそろえる
ようにしたものである。
According to the present invention, the size of the edge pixel of the sensor chip is made thicker than the size of the pixels other than the edge (by doing so, the output signal levels of the edge pixel and the pixels other than the edge are made equal). This is what I did.

このようにすることで、極めて簡単な方法により出力信
号のレベルをそろえることができる。
By doing so, the levels of the output signals can be made uniform using an extremely simple method.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
するが、本発明は以下に述べる実施例に限定されること
はない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the embodiments described below.

第1図は、本発明による密着型イメージセンサの1つの
実施例を示す模式的平面図である。第1図において、1
,2は単結晶Si上に複数の画素が形成されたセンサー
チップであり、2つをとりあげて示している。1−1.
1−2.1−3.2−1.2−3は全画素のうちチップ
つなぎ口部の画素を示す。図に示されるようにチップ端
部の画素1−1.2−1については、主走査方向におけ
る読取り幅は、端部以外の画素1−2.1−3.2−2
.2−3よりも広くなっている。副走査方向の幅は全画
素同一となっており画素1−1.2−1の面積が大きく
なっている。本実施例によればチップ端部画素の出力と
端部以外の画素の出力とを比較した時のクロストーク量
の不足分がおぎなわれ、全画素の出力信号レベルがそろ
うことになる。
FIG. 1 is a schematic plan view showing one embodiment of a contact type image sensor according to the present invention. In Figure 1, 1
, 2 are sensor chips in which a plurality of pixels are formed on single-crystal Si, and two are shown here. 1-1.
1-2.1-3.2-1.2-3 indicates the pixel at the chip connection part among all the pixels. As shown in the figure, for the pixel 1-1.2-1 at the edge of the chip, the reading width in the main scanning direction is for the pixel 1-2.1-3.2-2 at the edge other than the edge.
.. It is wider than 2-3. The width in the sub-scanning direction is the same for all pixels, and the area of pixel 1-1.2-1 is larger. According to this embodiment, the shortfall in the amount of crosstalk when comparing the output of the pixel at the end of the chip with the output of the pixel other than the end is compensated for, and the output signal levels of all the pixels are made equal.

本実施例において、各画素の大きさとは、A、 1等の
遮光層に設けられた開口部の面積として規定した。
In this example, the size of each pixel was defined as the area of the opening provided in the light shielding layer A, 1, etc.

第3図はその開口部を示す模式的平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing the opening.

本例では開口部は閉じた形状ではなく、第3図に示すよ
うに2つの遮光層を利用しているので各画素を規定する
開口部は互いに連通している。ここで、具体的にはXI
を75μm、、x2、X3を7゜11m、 yISY2
を125.czm、Zを200.czmとした。従って
、本例では画素2−1の大きさはX。
In this example, the openings do not have a closed shape, but two light shielding layers are used as shown in FIG. 3, so the openings defining each pixel communicate with each other. Here, specifically
75μm, x2, X3 7゜11m, yISY2
125. czm, Z to 200. czm. Therefore, in this example, the size of pixel 2-1 is X.

×Zμ扉画素2−2の大きさはX 2 X Zμがと規
定される。
×Zμ The size of the door pixel 2-2 is defined as X2XZμ.

端部画素2−1の面積52−1と、それ以外の画素2−
2の面積52−2との比は、適宜所望に応じて選択され
るものであるが、好ましくは52−1/52−2=1.
07より好ましくは52−1/ S2−2= 1.  
I Oである。
Area 52-1 of end pixel 2-1 and other pixels 2-
2 to the area 52-2 may be selected as desired, but preferably 52-1/52-2=1.
07 more preferably 52-1/S2-2=1.
It is IO.

第4図は本実施例の一画素に対応する等価回路図である
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram corresponding to one pixel of this embodiment.

PSは画素を形成するバイポーラトランジスタ、SWl
はエミッタを基準電圧源VR5に接続しリセットを行う
為のスイッチ手段としてのNMOSトランジスタ、SW
2はベースを基準電圧源V B Hに接続しリセットを
行う為のスイッチ手段としてのPMOSトランジスタ、
SW3は信号電荷転送用のスイッチ手段としてのNMO
Sトランジスタ、CTは信号電圧の生成される定量負荷
である。その動作を簡単に説明する。
PS is a bipolar transistor forming a pixel, SWl
is an NMOS transistor, SW, which connects the emitter to the reference voltage source VR5 and serves as a switch means for resetting.
2 is a PMOS transistor as a switching means for connecting the base to the reference voltage source VBH and performing reset;
SW3 is an NMO as a switch means for signal charge transfer.
The S transistor, CT, is a quantitative load on which a signal voltage is generated. Its operation will be briefly explained.

〈リセット動作〉 まずPMOSトランジスタSW2のゲートに負のパルス
電圧が印加されてベースが電圧V B Bにクランプさ
れる。
<Reset Operation> First, a negative pulse voltage is applied to the gate of the PMOS transistor SW2, and the base is clamped to the voltage V B B.

次にNMOSトランジスタSWrのゲートに正のパルス
電圧が印加されてエミッタが電圧源V。5に接続され、
ベース・エミッタ間に電流が流れて、ベースに残留する
光生成キャリアが消滅する。
Next, a positive pulse voltage is applied to the gate of the NMOS transistor SWr, and the emitter is connected to the voltage source V. connected to 5,
A current flows between the base and emitter to eliminate photogenerated carriers remaining in the base.

く蓄積動作〉 NMOSトランジスタSW1、SW3ともオフ状態とな
りエミッタ、ベースともに浮遊状態とされ蓄積動作が開
始される。
Accumulation Operation> Both NMOS transistors SW1 and SW3 are turned off, their emitters and bases are both in a floating state, and an accumulation operation is started.

〈読出動作〉 次いでNMO3)ランジスタSW3のゲートに正のパル
ス電圧が印加されてオンし、エミッタと容量CTとが接
続されて信号電圧が容量CTに読み出される。
<Reading operation> Next, a positive pulse voltage is applied to the gate of NMO3) transistor SW3 to turn it on, the emitter and capacitor CT are connected, and the signal voltage is read to capacitor CT.

このようなイメージセンサの基本的構成は、発明者大見
及び日中に付与された米国特許第4. 686゜554
号明細書等に、容量負荷を含む出力回路にバイポーラ・
トランジスタのエミッタが接続された電荷蓄積型の高感
度、低ノイズの光電変換装置として記載されている。
The basic structure of such an image sensor is disclosed in U.S. Patent No. 4. 686°554
In the specification, etc., the output circuit including the capacitive load is bipolar.
It is described as a charge storage type photoelectric conversion device with high sensitivity and low noise, in which the emitter of a transistor is connected.

〔他の実施例〕[Other Examples]

〔第2実施例〕 第5図は本発明の第2実施例によるイメージセンサを示
している。
[Second Embodiment] FIG. 5 shows an image sensor according to a second embodiment of the present invention.

本例の基本的構成は前述した第1実施例と同じであるが
、端部画素1−1.2−1に隣接する画素1−2.2−
2の形状をその他の画素1−3.1−4.2−3.2−
4の形状と異ならしめた点が相違している。
The basic configuration of this example is the same as the first example described above, but the pixel 1-2.2- adjacent to the end pixel 1-1.2-1
2 shape to other pixels 1-3.1-4.2-3.2-
The difference is that the shape is different from No. 4.

ここでは画素の幅の関係はX、−3、X、−4、Xl−
3、Xl−4は同じ70μm、Xl−2、Xl−2はそ
れより狭< 60 μm、 x r−+、Xl−1は面
積をかせぐ為に最も大きい75μmとした。
Here, the relationship between pixel widths is X, -3, X, -4, Xl-
3. Xl-4 was set to the same 70 μm, Xl-2 and Xl-2 were narrower <60 μm, and x r-+ and Xl-1 were set to the largest 75 μm in order to increase the area.

同様に画素間ピッチも第1実施例とは異なっており、具
体的にはPが1.0μm、P+が09μm、P2が1.
1μm5P3が1.4μmでありピッチすれが0.1.
0.2.0.3とゆるやかになる。もちろん画素の面積
は画素1−1.2−1のみが他の画素よりも大きくなっ
ている。従って画素1−2.2−2はピッチ調整の為に
画素幅が小さくなった公開走査方向の長さを大として面
積を画素1−3、■−4,2−3,2−4と等しくして
いる。
Similarly, the pitch between pixels is also different from the first embodiment, specifically, P is 1.0 μm, P+ is 09 μm, and P2 is 1.0 μm.
1μm5P3 is 1.4μm and pitch deviation is 0.1.
It becomes gentle at 0.2.0.3. Of course, regarding the area of the pixels, only the pixels 1-1, 2-1 are larger than the other pixels. Therefore, pixel 1-2.2-2 has an area equal to that of pixels 1-3, ■-4, 2-3, and 2-4 by increasing the length in the public scanning direction where the pixel width has become smaller due to pitch adjustment. are doing.

本実施例によれば、チップのつなぎ目の問題がより一層
改善される。
According to this embodiment, the problem of chip joints is further improved.

以上説明した第1、第2の実施例ではバイポーラトラン
ジスタを用いた電荷蓄積・増幅型のイメージセンサにつ
いて説明したが、本発明は光ダイオードを受光部としM
OSスイッチや電荷結合素子(CCD)等で信号電荷を
転送するタイプのセンサにも好ましく適用できる。
In the first and second embodiments described above, a charge accumulation/amplification type image sensor using a bipolar transistor has been described, but the present invention uses a photodiode as a light receiving section and an M
It can also be preferably applied to a type of sensor that transfers signal charges using an OS switch, a charge-coupled device (CCD), or the like.

そして第1図に示したようなイメージセンサはAI等で
形成された筐体に、LEDアレイ等の光源や短焦点結像
素子アレイ等の結像光学系と一体的に組み立てられて密
着型イメージセンサユニットを構成する。
The image sensor shown in Figure 1 is assembled integrally with a light source such as an LED array and an imaging optical system such as a short-focus imaging element array in a housing made of AI etc. to produce a close-contact image. Configure the sensor unit.

第6図は、本例に係るセンサユニットを用いて構成した
画像情報処理装置として通信機能を有するファクシミリ
の一例を示す。ここで、102は原稿PPを読み取り位
置に向けて給送するための給送手段としての給送ローラ
、104は原稿PPを一枚ずつ確実に分離給送するため
の分離片である。106はセンサユニットに対して読み
取り位置に設けられて原稿PPの被読み取り面を規制す
るとともに原稿PP搬送する搬送手段としてのプラテン
ローラである。
FIG. 6 shows an example of a facsimile having a communication function as an image information processing apparatus configured using the sensor unit according to this example. Here, 102 is a feeding roller serving as a feeding means for feeding the original PP toward the reading position, and 104 is a separation piece for reliably separating and feeding the original PP one by one. A platen roller 106 is provided at a reading position with respect to the sensor unit, and serves as a conveying means for regulating the surface to be read of the document PP and conveying the document PP.

Pは図示の例ではロール紙形態をした記録媒体であり、
センサユニットにより読み取られた画像情報あるいはフ
ァクシミリ装置等の場合には外部から送信された画像情
報がここに再生される。110は当該画像形成をおこな
うための記録手段としての記録ヘッドで、サーマルヘッ
ド、インクジェット記録ヘッド等積々のものを用いるこ
とができる。
In the illustrated example, P is a recording medium in the form of a roll paper,
Image information read by the sensor unit or, in the case of a facsimile device, image information transmitted from the outside is reproduced here. Reference numeral 110 denotes a recording head as a recording means for forming the image, and various types such as a thermal head and an inkjet recording head can be used.

また、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、
ラインタイプのものでもよい。112は記録ヘッド11
0による記録位置に対して記録媒体Pを搬送するととも
にその被記録面を規制する搬送手段としてのプラテンロ
ーラである。
Also, this recording head is a serial type,
It may also be a line type. 112 is the recording head 11
The platen roller serves as a conveying means for conveying the recording medium P to the recording position according to zero and regulating the recording surface of the recording medium P.

120は、入力/出力手段としての操作入力を受容する
スイッチやメツセージその他、装置の状態を報知するた
めの表示部等を配したオペレーションパネルである。
Reference numeral 120 denotes an operation panel on which are arranged switches and messages for receiving operation input as input/output means, and a display section for notifying the status of the apparatus.

130は、制卸手段としてのシステムコントロール基板
であり、各部の制御を行う制御部(コントローラー)や
、光電変換素子の駆動回路(ドライバー)、画像情報の
処理部(プロセッサー)、送受信部等が設けられる。1
40は装置の電源である。
130 is a system control board as a control means, and is provided with a control unit (controller) for controlling each part, a drive circuit (driver) for the photoelectric conversion element, an image information processing unit (processor), a transmitting/receiving unit, etc. It will be done. 1
40 is a power source for the device.

本発明の情報処理装置に用いられる記録手段としては、
例えば米国特許第4723129号明細書、同第474
0796号明細書にその代表的な構成や原理が開示され
ているものが好ましい。この方式は液体(インク)が保
持されているシートや液路に対応して配置されている電
気熱変換体に、記録情報に対応していて核沸騰を越える
急速な温度上昇を与える少なくとも一つの駆動信号を印
加することによって、電気熱変換体に熱エネルギーを発
生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰させて、結果
的にその駆動信号に一対一対応し液体(インク)内の気
泡を形成出来るので有効である。
As the recording means used in the information processing device of the present invention,
For example, U.S. Pat. No. 4,723,129, U.S. Pat.
Preferably, the typical configuration and principle thereof are disclosed in the specification of No. 0796. In this method, at least one electrothermal transducer that corresponds to the recorded information and that causes a rapid temperature rise exceeding nucleate boiling is applied to an electrothermal transducer placed corresponding to the sheet holding the liquid (ink) or the liquid path. By applying a drive signal, the electrothermal transducer generates thermal energy and causes a film to boil on the heat-active surface of the recording head, resulting in a one-to-one response to the drive signal that causes bubbles in the liquid (ink) to be removed. It is effective because it can be formed.

この気泡の成長、収縮により吐出用開口を介して液体(
インク)を吐出させて、少なくとも一つの滴を形成する
Due to the growth and contraction of these bubbles, liquid (
ink) to form at least one droplet.

更に、記録装置が記録できる最大記録媒体の幅に対応し
た長さを有するフルラインタイプの記録ヘッドとしては
、上述した明細書に開示されているような複数記録ヘッ
ドの組み合わせによって、その長さを満たす構成や一体
的に形成された一個の記録ヘッドとしての構成のいずれ
でも良い。
Furthermore, as a full-line type recording head having a length corresponding to the width of the maximum recording medium that can be recorded by the recording apparatus, the length can be increased by combining multiple recording heads as disclosed in the above-mentioned specification. Either a configuration that satisfies the above requirements or a configuration as a single recording head formed integrally may be used.

加えて、装置本体に装着されることで、装置本体との電
気的な接続や装置本体からのインクの供給が可能になる
交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あるいは記録ヘ
ッド自体にインクタンクが一体的に設けられたカートリ
ッジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも本発明は有効
である。
In addition, there are also replaceable chip-type recording heads that can be installed on the device body to enable electrical connection to the device body and supply of ink from the device body, or an ink tank integrated into the recording head itself. The present invention is also effective when a cartridge type recording head is used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、各イメージセンサチップの端部画
素と端部以外の画素との間で画素の大きさを変えること
により、チップつなぎ口部の出力信号レベルをそろえる
事が可能になる。
As described above, by changing the size of the pixels between the end pixels and the pixels other than the end of each image sensor chip, it is possible to make the output signal levels of the chip joints the same.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1実施例による密着型イメージセン
サの模式的上面図、 第2図は従来の密着型イメージセンサの模式的上面図、 第3図は本発明による密着型イメージセンサの模式的部
分拡大図、 第4図は本発明によるイメージセンサの一画素分の回路
図、 第5図は本発明の第2実施例による密着型イメージセン
サの模式的上面図、 第6図は本発明による情報処理装置の模式的断面図であ
る。 1.2・・・イメージセンサチップ 3・・・実装基板 1−1.1−2.1−3.1−(n−1)、1−n、2
−1.2−2.2−3.2−(n−1)、2−n・・・
センサ画素 第3図 第4図
FIG. 1 is a schematic top view of a contact type image sensor according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic top view of a conventional contact type image sensor, and FIG. 3 is a schematic top view of a contact type image sensor according to the present invention. FIG. 4 is a circuit diagram of one pixel of an image sensor according to the present invention; FIG. 5 is a schematic top view of a contact type image sensor according to a second embodiment of the present invention; FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an information processing device according to the invention. 1.2... Image sensor chip 3... Mounting board 1-1.1-2.1-3.1-(n-1), 1-n, 2
-1.2-2.2-3.2-(n-1), 2-n...
Sensor pixel Figure 3 Figure 4

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)主走査方向に配列された複数の画素を有する光セ
ンサチップが主走査方向に複数個配列されたイメージセ
ンサにおいて、 互いに隣接する前記複数の光センサチップの端部に位置
する画素の実質的な大きさを他の画素の実質的な大きさ
よりも大とすることを特徴とするイメージセンサ。
(1) In an image sensor in which a plurality of optical sensor chips having a plurality of pixels arranged in the main scanning direction are arranged in the main scanning direction, the substance of the pixels located at the ends of the plurality of adjacent optical sensor chips An image sensor characterized in that the actual size of the pixels is larger than the actual size of other pixels.
(2)前記イメージセンサチップはバイポーラトランジ
スタからなる画素を有し、前記バイポーラトランジスタ
のエミッタに容量負荷を含む出力回路が設けられており
、光電変換された信号が前記容量負荷における電圧とし
て読み出されることを特徴とする請求項(1)に記載の
イメージセンサ。
(2) The image sensor chip has a pixel made of a bipolar transistor, and an output circuit including a capacitive load is provided at the emitter of the bipolar transistor, and the photoelectrically converted signal is read out as a voltage at the capacitive load. The image sensor according to claim 1, characterized in that:
(3)請求項(1)に記載のイメージセンサと、該イメ
ージセンサによる読取り位置に原稿を保持する為の原稿
保持手段と、 を有する情報処理装置。
(3) An information processing device comprising: the image sensor according to claim (1); and document holding means for holding a document at a reading position by the image sensor.
(4)前記情報処理装置は画像情報を記録する為の記録
手段を有することを特徴とする請求項(3)に記載の情
報処理装置。
(4) The information processing apparatus according to claim (3), wherein the information processing apparatus has a recording means for recording image information.
(5)前記記録手段は、熱エネルギーを利用してインク
を吐出し記録を行う記録ヘッドであることを特徴とする
請求項(4)に記載の情報処理装置
(5) The information processing apparatus according to claim (4), wherein the recording means is a recording head that discharges ink and performs recording using thermal energy.
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