JPH04182630A - Optical functional element and driving method therefor - Google Patents

Optical functional element and driving method therefor

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JPH04182630A
JPH04182630A JP2313057A JP31305790A JPH04182630A JP H04182630 A JPH04182630 A JP H04182630A JP 2313057 A JP2313057 A JP 2313057A JP 31305790 A JP31305790 A JP 31305790A JP H04182630 A JPH04182630 A JP H04182630A
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麦 漢明
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    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type

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Abstract

PURPOSE:To realize monolithic integration with the other active element by disposing an electrode having the inversion DELTAB structure of an N stage at an integration part, forming a first and a second electrode by conducting one upstream side and the other downstream side of an optical waveguide and one downstream side and the other upstream side and changing the driving condition of both of them. CONSTITUTION:When light in which a TE mode and a TM mode coexist is mad incident on the incident end 11a of this optical functional element and the currents of 15mA from the first electrodes 13a, 13b and 13c are injected in the optical waveguide, all of the light is emitted from an emitting end 11b. When such an state is maintained and the reversed bias voltage of -16V is impressed on the second electrodes 14a, 14b and 14c, the light of the TE mode is emitted from an emitting end 12b and the light of the TM mode is emitted from the emitting end 11b. Then, both modes are separated and they function as a light mode splitter. Next, by changing the driving condition to a state that a current value is 33mA and a reversed voltage value is -18V from a state that the current value is 15mA and the reversed voltage value is -16V, the optical functional element acts as a polarized wave switch.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は新規な構造の光機能素子とその駆動方法に関し
、更に詳しくは、光偏波分離器や光偏波スイッチとして
有用な光機能素子とその駆動方法に関する。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to an optical functional element with a novel structure and a method for driving the same, and more specifically to an optical functional element useful as an optical polarization separator or an optical polarization switch. and its driving method.

(従来の技術) 最近、各種多様な導波路型の光機能デバイスか提案され
ている。しかし、これらデバイスの多くは、特定の方向
に偏光している光に対してのみ動作するものである。そ
のため、現在、実施段階に入りつつある光フアイバ通信
においては、上記デバイスは、予め光を偏波制御しない
限り実用に供することかできないという問題かある。
(Prior Art) Recently, various waveguide type optical functional devices have been proposed. However, many of these devices only operate with light polarized in a particular direction. Therefore, in optical fiber communication, which is currently in the implementation stage, there is a problem that the above-mentioned device cannot be put to practical use unless the polarization of light is controlled in advance.

このようなことから、偏波分離器や偏波無依存の光スィ
ッチに関する研究か盛んに行なわれている。それらにつ
いて、以下に図面に則して例示する。
For this reason, research on polarization separators and polarization-independent optical switches is being actively conducted. Examples of these will be illustrated below with reference to the drawings.

ます、第11図は、Tadasu 5unadaらか電
子情報通信学会論文誌C−I  (vol J 73−
C−I。
Figure 11 is from Tadasu 5unada IEICE Transactions C-I (vol J 73-
C-I.

No9.pp559〜566.1990年9月)に発表
したものの概略斜視図である。
No9. It is a schematic perspective view of what was published in pp. 559-566 (September 1990).

このデバイスは、L iN b 03基板1の上にTi
ドープの5iChで非対称なX分岐光導波路2を形成し
、図の位置に3個の電極3を配設して各電極間に図示の
ような電圧印加ができるようにしたもので、偏波無依存
性光スィッチおよびTEモード/TMモード分離器とし
て機能することができる。
This device consists of a TiN on a LiN b 03 substrate 1.
An asymmetrical X-branch optical waveguide 2 is formed with doped 5iCh, and three electrodes 3 are arranged at the positions shown in the figure so that a voltage can be applied between each electrode as shown in the figure. It can function as a dependent optical switch and a TE mode/TM mode separator.

第12図は、J、 5aulnierらがE COC9
O−229(1990)で提案したものを示す概略平面
図で、同しくLiNb0a基板の上にT1 トープのS
iO2で光導波路を形成し、図のように電極(斜線の領
域)を配設して、各電極に図のような電圧印加をできる
ようにしたものである。
Figure 12 shows the E COC9
This is a schematic plan view showing what was proposed in O-229 (1990).
An optical waveguide is formed using iO2, and electrodes (shaded areas) are arranged as shown in the figure, so that a voltage can be applied to each electrode as shown in the figure.

第13図および第13図のXIV−XIVに沿う断面図
である第14図に示したデバイスは、M、 0kuda
らかPhotonic Switching pp38
〜40 、 1990で提案したものて、Si基板4の
上に8102から成るコア5をクラッド6に埋込んで方
向性結合器型の光導波路7を形成し、一方の光導波路の
図の位置にCr薄膜を添着して電流注入用電極8とし、
他方の光導波路の図の位置にa−3i薄膜9を装荷した
ものである。
The device shown in FIG. 13 and FIG. 14, which is a cross-sectional view along line XIV-XIV in FIG.
Raka Photonic Switching pp38
40, 1990, a core 5 made of 8102 is embedded in a cladding 6 on a Si substrate 4 to form a directional coupler type optical waveguide 7, and one optical waveguide is placed at the position shown in the figure. A Cr thin film is attached as a current injection electrode 8,
An a-3i thin film 9 is loaded at the position shown in the figure on the other optical waveguide.

ところで、以上のデバイスはいずれも全ての部分が半導
体材料で構成されていないので、例えばLD、LED、
PDなどそのほとんどが半導体材料から成る能動素子を
モノリンツクに集積化して製造される偏波ダイパーシテ
ィ−光受信方式用の光集積回路のデバイスに使用するこ
とは不可能である。
By the way, all parts of the above devices are not made of semiconductor materials, so for example, LD, LED,
It is impossible to use it in an optical integrated circuit device for a polarization diversity optical reception system, which is manufactured by integrating active elements such as PDs, which are mostly made of semiconductor materials, into a monolink.

しかも、これらのデバイスは、素子の寸法形状か大きく
なり、かつ温度変化に対して著しい特性劣化を引き起し
、応答速度も遅く、高消費電力であるため光損傷やDC
ドリフトを受けやすいという問題かある。
In addition, these devices have large dimensions, significant characteristic deterioration due to temperature changes, slow response speed, and high power consumption, resulting in optical damage and DC
The problem is that it is susceptible to drift.

前記した能動素子とのモノリンツクな集積化のためには
、デバイス全体を半導体材料で構成すればよい。
For monolink integration with the above-mentioned active elements, the entire device may be constructed of semiconductor material.

このようなデバイスとしては、例えば、M、 Erma
nらによって第15図で示したような光モードスプリン
タが提案されている(15th、EC0C,ThB20
−1.1989)。
Such devices include, for example, M. Erma
An optical mode splinter as shown in Fig. 15 has been proposed by N et al. (15th, EC0C, ThB20
-1.1989).

この光モードスプリッタは、互いに平行配置された2本
の導波路10a、10bで方向性結合器型の光導波路を
半導体材料で形成し、一方の導波路(図では導波路10
b)の上面に金属層11を単に被覆形成したものである
This optical mode splitter has two waveguides 10a and 10b arranged in parallel to each other, forming a directional coupler type optical waveguide using a semiconductor material.
b) The metal layer 11 is simply coated on the upper surface.

また、特開平1−170103号公報においては、第1
6図と第16図のX■−X■線に沿う断面図である第1
7図で示したような構造のデバイスが開示されている。
In addition, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-170103, the first
6 and 16, which is a sectional view taken along the line X■-X■
A device having a structure as shown in FIG. 7 is disclosed.

このデバイスは、直交する出射側光導波路12a。This device has orthogonal output side optical waveguides 12a.

12bの直交部13に回折格子14を導入し、−方の出
射側光導波路12aの上面の一部に金属層15を被覆形
成したものて、TEモードと1Mモードを分離する光分
波器として機能する。
A diffraction grating 14 is introduced into the orthogonal part 13 of the optical waveguide 12b, and a metal layer 15 is formed on a part of the upper surface of the - side output side optical waveguide 12a, thereby serving as an optical demultiplexer that separates the TE mode and the 1M mode. Function.

ところで、第15図で示した光モードスプリ・ンタの場
合、結合部の長さがTEモードに対する完全結合長と等
しくなければ機能しないので、その機能実現のためには
極めて高い寸法精度で結合部を形成することが必要にな
る。しかし、現在のフォトリソグラフィー技術やエツチ
ング技術では要求されるような高精度の結合部を形成す
ることが困難であるため、実際に製造されたものは、モ
ードの分離効率が悪くなり、また高い消光比が得られな
いという難点がある。
By the way, in the case of the optical mode splitter shown in Fig. 15, it will not function unless the length of the coupling part is equal to the complete coupling length for the TE mode, so in order to realize this function, the coupling part must be made with extremely high dimensional accuracy. It becomes necessary to form. However, because it is difficult to form the required high-precision bonding using current photolithography and etching techniques, the ones actually manufactured have poor mode separation efficiency and high quenching. The problem is that a ratio cannot be obtained.

また、第16図と第17図で示したデバイスの場合、そ
の消光比は判然としないが概ね十数dB程度と推察され
る。更には、モードの分離は直交部13に導入されてい
る回折格子14の溝の深さの均一性に規定されるが、製
造上、その均一性の実現を制御することは非常に困難で
あり、しかも両モードの出射側光導波路12a、12b
が直交配置されているので、他の素子の集積化において
互いの接続に不都合の生ずることがある。
Furthermore, in the case of the devices shown in FIGS. 16 and 17, the extinction ratio is not clear, but it is estimated to be about ten or more dB. Furthermore, mode separation is determined by the uniformity of the depth of the grooves of the diffraction grating 14 introduced into the orthogonal section 13, but it is extremely difficult to control the uniformity in manufacturing. , and output side optical waveguides 12a and 12b for both modes.
Since these elements are orthogonally arranged, problems may arise in connection with each other when integrating other elements.

そして、上記した2種類の半導体材料から成るデバイス
は、いずれの場合も、偏波光スイッチとして機能するこ
とができないという問題がある。
The problem is that devices made of the two types of semiconductor materials described above cannot function as a polarization optical switch in either case.

(発明が解決しようとする課題) 本発明は従来の光機能素子に関して既に述べてきた問題
の全てを一挙に解決することができる新規な構造の光機
能素子とその駆動方法の提供を目的とする。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention aims to provide an optical functional element with a novel structure and a method for driving the same, which can solve all of the problems already described regarding conventional optical functional elements at once. .

(課題を解決するための手段) 上記した目的を達成するために、本発明においては、半
導体材料から成りpn接合構造を有する2本の光導波路
が完全結合長L0で互いにエバネッセント結合して平行
配置されている結合長しの結合部を有し、かつ、前記結
合部の長手方向には、連続して反転Δβ構造の電極がN
段(ただし、Nは3以上の整数を表す)配設されている
光機能素子であって、前記反転Δβ構造で配設されてい
る電極のM段目とM+1段目(ただし、Mはl≦M≦N
−1の関係を満足する整数を表す)の電極の間では、一
方の光導波路の上流側部分と他方の光導波路の下流側部
分とには、互いに導通して第1電極がそれぞれ形成され
、また、前記一方の光導波路の下流側部分と前記他方の
光導波路の上流側部分とには、互いに導通し、かつ、前
記第1電極と導通ずることなく第2電極がそれぞれ形成
されていることを特徴とする光機能素子が提供され、更
に、前記り、L、L0においてL / L oを適宜な
値に設定し、前記第1電極から所定値の電流を光導波路
に注入して光導波路間でクロス状態またはスルー状態を
形成し、ついで前記クロス状態またはスルー状態を維持
しつつ、前記第2電極に所定値の電圧を印加して光導波
路間でTEモードのみのクロス状態またはスルー状態を
形成することにより、光導波路に入射せしめた光のTE
モードと1Mモードを分離することを特徴とする光機能
素子の駆動方法、ならびに、前記L/LOの値を変更す
ることなく、前記した駆動方法に続けて、前記第1電極
から前記した所定値より大きい値の電流を更に光導波路
に注入して光導波路間でクロス状態またはスルー状態を
形成し、ついで前記クロス状態またはスルー状態を維持
しつつ、前記第2電極に所定値の電圧を印加して光導波
路間でTEモードのみのスルー状態またはクロス状態を
形成することにより、前記した駆動方法で分離されてい
るTEモードと1Mモードの出射径路を変換することを
特徴とする光機能素子の駆動方法か提供される。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, in the present invention, two optical waveguides made of a semiconductor material and having a pn junction structure are evanescently coupled to each other with a perfect coupling length L0 and arranged in parallel. The electrode has an inverted Δβ structure in a continuous direction in the longitudinal direction of the bond.
An optical functional element arranged in stages (where N represents an integer of 3 or more), the M-th stage and the M+1 stage (where M is l) of the electrodes arranged in the inverted Δβ structure. ≦M≦N
between the electrodes (representing an integer that satisfies the relationship -1), first electrodes are formed in the upstream portion of one optical waveguide and the downstream portion of the other optical waveguide so as to be electrically conductive with each other, Further, second electrodes are formed in the downstream portion of the one optical waveguide and the upstream portion of the other optical waveguide, respectively, so as to be electrically conductive to each other and not electrically conductive to the first electrode. There is provided an optical functional device characterized by the above-mentioned method, in which L/L o is set to an appropriate value at L and L0, and a predetermined value of current is injected into the optical waveguide from the first electrode to form the optical waveguide. A cross state or a through state is formed between the optical waveguides, and then, while maintaining the cross state or through state, a voltage of a predetermined value is applied to the second electrode to create a cross state or a through state of only TE mode between the optical waveguides. By forming the TE of the light incident on the optical waveguide,
A method for driving an optical functional element characterized by separating a mode and a 1M mode, and a method for driving an optical functional element to the predetermined value from the first electrode without changing the L/LO value. A current of a larger value is further injected into the optical waveguides to form a cross state or a through state between the optical waveguides, and then, while maintaining the cross state or through state, a voltage of a predetermined value is applied to the second electrode. Driving an optical functional element characterized by converting the output paths of the TE mode and the 1M mode, which are separated by the above-described driving method, by forming a through state or a cross state of only the TE mode between the optical waveguides. method provided.

以下に、本発明の光機能素子を第1図に示した1人力2
出力(IX2)の方向性結合器の場合に則して詳細に説
明する。
Hereinafter, the optical functional device of the present invention will be manufactured by one person as shown in Fig. 1.
A detailed explanation will be given based on the case of the output (IX2) directional coupler.

この光機能素子の場合、全体の長さがしてある結合部C
においては、半導体材料から成りかつpn接合構造を有
する光導波路11.12が完全結合長L0でエバネッセ
ント結合して互いに平行に配置されている。
In the case of this optical functional element, the joint portion C has a total length.
In this example, optical waveguides 11 and 12 made of a semiconductor material and having a pn junction structure are evanescently coupled with a perfect coupling length L0 and are arranged parallel to each other.

ここで、光導波路11の一端11aは入射端であり、こ
こからTEモードと1Mモードが共存する光が入射する
。そして、光導波路11の他端11b、および光導波路
12の他端12bはそれぞれ出射端になっている。
Here, one end 11a of the optical waveguide 11 is an input end, from which light in which the TE mode and 1M mode coexist is incident. The other end 11b of the optical waveguide 11 and the other end 12b of the optical waveguide 12 are respectively output ends.

結合部Cの長手方向には1段の長さがL/Nの長さで互
いに反転Δβ構造となるようにN段の電極が連続して配
設されている。ただし、Nは3以上の整数、すなわち電
極は3段以上形成されている。それゆえ、1段目の電極
を+Δβ型とすれば、Nが奇数の場合には、最終段の電
極は+Δβ型になり、Nが偶数のときは最終段の電極は
−Δβ型になる。
In the longitudinal direction of the coupling portion C, N stages of electrodes are successively arranged so that each stage has a length of L/N and has an inverted Δβ structure. However, N is an integer of 3 or more, that is, the electrodes are formed in three or more stages. Therefore, if the first stage electrode is +Δβ type, if N is an odd number, the final stage electrode will be +Δβ type, and if N is even number, the final stage electrode will be −Δβ type.

このN段の電極のうち、M段目とM+1段目(ただし、
Mは、■、2.3、・・・・・・N−1の整数である)
における電極配置の状態は第2図で示したようになって
いる。
Of these N stages of electrodes, the Mth stage and M+1 stage (however,
M is an integer of ■, 2.3,...N-1)
The state of the electrode arrangement in is as shown in FIG.

すなわち、一方の光導波路(図では光導波路11とする
)の上流側部分11cと他方の光導波路(図では光導波
路12とする)の下流側部分12dの上には、それぞれ
、電極13a、13bが互いに導通部13eで導通ずる
状態で形成されている。
That is, on the upstream part 11c of one optical waveguide (indicated as optical waveguide 11 in the figure) and the downstream part 12d of the other optical waveguide (indicated as optical waveguide 12 in the figure), electrodes 13a and 13b are provided, respectively. are formed in a state where they are electrically connected to each other at the conducting portion 13e.

また、光導波路11の下流側部分lidと光導波路12
の上流側部分12cの上には、それぞれ、電極14a、
14bが互いに導通部14eで導通ずる状態で、しかし
、電極13a、13bとは導通ずることのない状態で形
成されている。
In addition, the downstream portion lid of the optical waveguide 11 and the optical waveguide 12
On the upstream portion 12c of the electrodes 14a,
The electrodes 14b are electrically connected to each other at the conductive portion 14e, but not electrically connected to the electrodes 13a and 13b.

これらの電極のうち、電極13a、13bか本発明でい
う第1電極を形成し、電極14a、 14bか第2電極
を形成している。これらの電極は、いずれも、電流注入
と電圧印加をそれぞれ独立して行なえるようになってい
て、例えば、第1電極13a。
Among these electrodes, the electrodes 13a and 13b form the first electrode in the present invention, and the electrodes 14a and 14b form the second electrode. All of these electrodes are capable of independently injecting current and applying voltage, for example, the first electrode 13a.

13bを電流注入用(または電圧印加用)として機能さ
せるときは、第2電極14a、14bは電圧印加用(ま
たは電流注入用)として機能させる。
When the electrode 13b is used for current injection (or voltage application), the second electrodes 14a and 14b are used for voltage application (or current injection).

電極をこのように配置することによって、M段目の電極
(電極13 a、  l 4 b)の位置する領域とM
+1段目の電極(電極14 a、  l 3 b)の位
置する領域との間では、光導波路のΔβは反転すること
になる。
By arranging the electrodes in this way, the region where the M-th electrode (electrodes 13a, 14b) is located and the region M
The Δβ of the optical waveguide is reversed between the region where the +1st stage electrodes (electrodes 14 a, l 3 b) are located.

第3図は、本発明の2人力2出力(2X 2)の方向性
結合器を示す概略平面図であり、この場合も、結合部C
は第1図および第2図と同じように形成されている。
FIG. 3 is a schematic plan view showing a two-manpower two-output (2×2) directional coupler of the present invention, and in this case also, the coupling portion C
is formed in the same way as in FIGS. 1 and 2.

(作用) つぎに、本発明の光機能素子の作用について説明する。(effect) Next, the operation of the optical functional element of the present invention will be explained.

まず、本発明の光機能素子は半導体材料から成る方向性
結合器型のものであって、その結合部における光導波路
はpn接合構造を有している。
First, the optical functional element of the present invention is of a directional coupler type made of a semiconductor material, and the optical waveguide at the coupling part has a pn junction structure.

ところで、pn接合構造の光導波路に所定値の電流を注
入すると、光導波路では、プラズマ効果やバンドフィリ
ング効果が生じてその屈折率が小さくなる。そして、上
記効果は、TEモード、1Mモードのいずれに対しても
発現して偏波無依存である。
By the way, when a predetermined amount of current is injected into an optical waveguide having a pn junction structure, a plasma effect or a band filling effect occurs in the optical waveguide, and its refractive index decreases. The above effect is produced in both the TE mode and the 1M mode and is independent of polarization.

一方、pn接合構造の光導波路に所定値の電圧を印加す
ると、その光導波路では、電気光学効果が生じてその屈
折率は大きくなる。そして、上記効果はTEモードに対
してのみ発現する偏波依存性の特性である。
On the other hand, when a predetermined voltage is applied to an optical waveguide having a pn junction structure, an electro-optic effect occurs in the optical waveguide, and the refractive index increases. The above effect is a polarization-dependent characteristic that occurs only in the TE mode.

本発明の光機能素子は上記した効果を利用することによ
り駆動させる。
The optical functional device of the present invention is driven by utilizing the above-described effects.

最初に、電極か3段配置されている場合について説明す
る。この場合の結合部C(完全結合長り。。
First, a case where electrodes are arranged in three stages will be explained. In this case, the joining part C (complete joining length).

結合部の長さし)における電極配置の状態を第4図に示
す。この配置において、電極13a、 13b。
FIG. 4 shows the state of the electrode arrangement at the length of the joint. In this arrangement, electrodes 13a, 13b.

13cを第1電極、電極14a、14b、14cを第2
電極とする。
13c is the first electrode, and electrodes 14a, 14b, 14c are the second electrodes.
Use as an electrode.

このN=3の場合におけるL/L、とΔβとの関係は、
第5図で示したような軌跡を描くスイッチング特性図と
なる。なお、Δβは、注入する電流値、印加する電圧値
に依存して変化する。
The relationship between L/L and Δβ in this case of N=3 is:
This is a switching characteristic diagram that depicts a trajectory as shown in FIG. Note that Δβ changes depending on the injected current value and the applied voltage value.

例えば今、L / L oの値を第5図のAに相当する
値の場合を考える。
For example, now consider the case where the value of L/Lo corresponds to A in FIG.

第1電極13a、13b、13cから適当な値11Aの
電流を注入すると、結合部Cの光導波路間ではスルー状
態が形成されるので、第4図の入射端11aからTEモ
ードと1Mモードが共存する光を入射するといずれも出
射端11bから出射する。
When a current of an appropriate value of 11A is injected from the first electrodes 13a, 13b, and 13c, a through state is formed between the optical waveguides of the coupling part C, so that the TE mode and the 1M mode coexist from the input end 11a in FIG. When the light is incident, it is emitted from the output end 11b.

この状態を維持しつつ、第2電極14a、 14b。While maintaining this state, the second electrodes 14a and 14b.

14cに所定値VIAの電圧を印加すると、TEモード
のみに対するクロス状態が形成されるので、入射端11
aから入射したTEモードとTMモードのうち、TEモ
ードは光導波路12と結合してその出射端12bから出
射していくか、TMモードはそのまま出射端11bから
出射していく。すなわち、TEモードとTMモードは分
離され、この素子は光モードスプリッタとして機能する
When a voltage of a predetermined value VIA is applied to 14c, a cross state for only the TE mode is formed, so that the input end 11
Of the TE mode and TM mode incident from a, the TE mode is coupled with the optical waveguide 12 and exits from the output end 12b, or the TM mode is exited from the output end 11b as is. That is, the TE mode and TM mode are separated, and this element functions as an optical mode splitter.

つぎに、第1電極13a、13b、13cから注入する
電流値をI tA(12A> I IA)に増加すると
、結合部Cにおける光導波路間ではクロス状態が形成さ
れるので、入射端11aから入射するTEモードとTM
モードは光導波路12と結合してその出射端12bから
出射する。この状態を維持しつつ、第2電極に適当な値
V1・あの電圧を印加すると、TEモードのみのスルー
状態に転換するので、光導波路12に結合していたTE
モードとTMモードのうちTEモードのみが光導波路1
1の出射端11bからそのまま出射し、TMモードは光
導波路12に結合したままの状態にあるので出射端12
bから出射していく。
Next, when the current value injected from the first electrodes 13a, 13b, and 13c is increased to I tA (12A>IIA), a cross state is formed between the optical waveguides at the coupling part C, so that the input from the input end 11a TE mode and TM
The mode is coupled with the optical waveguide 12 and exits from its output end 12b. If a suitable value V1/that voltage is applied to the second electrode while maintaining this state, it will switch to the through state of only the TE mode, so that the TE coupled to the optical waveguide 12
Among the modes and TM modes, only the TE mode is in the optical waveguide 1.
1, and the TM mode remains coupled to the optical waveguide 12, so the output end 12
It emits from b.

このようにして、最初のIIAの注入とVIAの印加に
よって分離されたTEモードとTMモードはそれぞれの
出射端が変換する。すなわち、偏波のスイッチング動作
が実現する。
In this way, the TE mode and TM mode separated by the initial injection of IIA and application of VIA are converted at their respective emission ends. In other words, a polarization switching operation is realized.

L / L o値が第5図のBに相当する場合は、第1
電極13a、 13b、 13cから適宜な値11Bの
電流を注入すると、結合部Cの光導波路間ではクロス状
態が形成されるので、第4図の入射端11aからTEモ
ードとTMモードか共存する光を入射するとこれらのモ
ードは光導波路12と結合していずれも出射端12bか
ら出射する。
If the L/Lo value corresponds to B in Figure 5, the first
When a current of an appropriate value 11B is injected from the electrodes 13a, 13b, and 13c, a cross state is formed between the optical waveguides of the coupling part C, so that light coexisting in TE mode and TM mode is transmitted from the input end 11a in FIG. When the light is incident, these modes are coupled to the optical waveguide 12 and both are emitted from the output end 12b.

この状態を維持しつつ、第2電極14a、 14b。While maintaining this state, the second electrodes 14a and 14b.

14cに所定値VIBの電圧を印加すると、TEモード
のみに対するスルー状態が形成されるので、入射端11
aから入射したTEモードとTMモードのうち、TEモ
ードはそのまま出射端11bから出射していくが、TM
モードは出射端12bから出射していく。すなわち、T
EモードとTMモードは分離される。
When a voltage of a predetermined value VIB is applied to 14c, a through state for only the TE mode is formed, so that the input end 11
Of the TE mode and TM mode that entered from a, the TE mode exits from the output end 11b as it is, but the TM mode
The mode is emitted from the emitting end 12b. That is, T
E mode and TM mode are separated.

つぎに、第1電極13a、13b、13cから注入する
電流値をI 2B (I2B> I +s)に増加する
と、結合部Cにおける光導波路間ではスルー状態が形成
されるので、入射端11aから入射するTEモードとT
Mモードはいずれも光導波路11の出射端11bから出
射する。この状態を維持しつつ、第2電極に適当な値V
1・、の電圧を印加すると、TEモードのみのクロス状
態が形成されるので、光導波路11を伝搬していたTE
モードとTMモードのうちTEモードのみが光導波路1
2と結合してその出射端12bからそのまま出射し、T
Mモードはそのまま出射端11bから出射していく。
Next, when the current value injected from the first electrodes 13a, 13b, and 13c is increased to I 2B (I2B> I +s), a through state is formed between the optical waveguides at the coupling part C, so that the input from the input end 11a TE mode and T
Both M modes are emitted from the output end 11b of the optical waveguide 11. While maintaining this state, set the appropriate value V to the second electrode.
When a voltage of 1.1 is applied, a cross state of only the TE mode is formed, so that
Among the modes and TM modes, only the TE mode is in the optical waveguide 1.
T
The M mode continues to be emitted from the emitting end 11b.

この場合も、分離されたTEモードとTMモードはそれ
ぞれの出射端が変換する。すなわち、偏波のスイッチン
グ動作が実現する。
In this case as well, the separated TE mode and TM mode are converted at their respective emission ends. In other words, a polarization switching operation is realized.

つぎに、4段に電極が配置されている例を第6図に示す
。この場合のL / L O値とΔβとの関係図、すな
わちスイッチング特性図は第7図に示したようになる。
Next, FIG. 6 shows an example in which electrodes are arranged in four stages. The relationship diagram between the L/LO value and Δβ in this case, that is, the switching characteristic diagram is as shown in FIG.

この光機能素子も、第4図および第5図の素子の場合と
同じように駆動させることにより、光モードスプリッタ
や偏波光スイッチとして動作させることができる。
This optical functional element can also be operated as an optical mode splitter or a polarization optical switch by driving in the same manner as the elements shown in FIGS. 4 and 5.

(発明の実施例) 実施例1゜ 第8図は本発明の1×2方向方向性器型光機能素子を示
す概略平面図であり、第9図は第8図のIX−IX線に
沿う断面図である。
(Embodiments of the Invention) Example 1 FIG. 8 is a schematic plan view showing a 1×2 directional genital type optical functional device of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8. It is a diagram.

図において、結合部Cの長さは7.5M、電極配置は3
段であり、L/LO値は約2.8である。
In the figure, the length of the joint C is 7.5M, and the electrode arrangement is 3
The L/LO value is approximately 2.8.

この光機能素子の結合部Cにおける断面構造は、まず、
例えば、AuGeNi/Auから成る下部電極21の上
に、n”GaAsから成る基板22、同じ<n”GaA
sから成る厚み0.5μmのバッファ層23が形成され
ている。そして、このバッファ層23の上にはn”A 
l o、 +Gao、 llAsから成る厚み3.0μ
mの下部クラッド層24.n−GaAsがら成る厚み1
.0μmのコア層25が順次形成され、更に、コア層2
5の上には上部クラッド層26がリッジ状に形成されて
いる。この上部クラッド層26は、n−A 1 o、 
+Gao、 sAsから成るクラット26aおよびI)
 −A Ii o、 +Gao、 sAsから成るクラ
ッド層26bと、このクラッド26bの上に形成される
p ”A j! o、 +Gao、 oAsのキャップ
層26cから構成され、クラッド層26aとクラッド層
26bの界面がpn接合構造になっている。
The cross-sectional structure of the coupling portion C of this optical functional element is as follows:
For example, on a lower electrode 21 made of AuGeNi/Au, a substrate 22 made of n"GaAs, the same<n"GaAs
A buffer layer 23 having a thickness of 0.5 μm is formed. Then, on this buffer layer 23, n”A
3.0μ thick made of l o, +Gao, llAs
m lower cladding layer 24. Thickness 1 consisting of n-GaAs
.. A core layer 25 with a thickness of 0 μm is sequentially formed, and further a core layer 25 is formed.
An upper cladding layer 26 is formed on top of the cladding layer 5 in a ridge shape. This upper cladding layer 26 has n-A 1 o,
Clat 26a and I) consisting of +Gao, sAs
It consists of a cladding layer 26b made of −A Iio, +Gao, sAs, and a cap layer 26c of p''A j!o, +Gao, oAs formed on this cladding 26b, The interface has a pn junction structure.

そして、上部クラッド層26の上面はSiO2のような
絶縁膜27で被覆され、その上部には窓27aが形成さ
れたのち、ここに例えばTi/Pt/Auを蒸着して電
極13a、13b、13c、14a。
Then, the upper surface of the upper cladding layer 26 is covered with an insulating film 27 such as SiO2, and after a window 27a is formed on the upper part of the window 27a, for example, Ti/Pt/Au is deposited thereto to form electrodes 13a, 13b, 13c. , 14a.

14b、14cが形成されている。14b and 14c are formed.

この光機能素子の入射端1.1aにTEモードと1Mモ
ードが共存する光を入射して、第1電極13a。
Light in which the TE mode and 1M mode coexist is incident on the incident end 1.1a of this optical functional element, and the first electrode 13a is connected to the first electrode 13a.

13b、13cから15mAの電流を光導波路に注入し
た。全ての光は出射端11bから出射した。
A current of 15 mA was injected into the optical waveguide from 13b and 13c. All the light was emitted from the output end 11b.

この状態を維持して、第2電極14a、14b。While maintaining this state, the second electrodes 14a and 14b.

14cに一16Vの逆バイアス電圧を印加したところ、
TEモードは出射端12bから出射し、1Mモードは出
射端11bから出射して両モードは分離され、光モード
スプリッタとして機能した。
When a reverse bias voltage of -16V was applied to 14c,
The TE mode was emitted from the emitting end 12b, and the 1M mode was emitted from the emitting end 11b, and both modes were separated and functioned as an optical mode splitter.

つぎに、第1電極からの注入電流を約33mAに増加し
たところ、全ての光は出射端12bから出射した。この
状態を維持して、第2電極に一18Vの逆バイアス電圧
を印加したところ、TEモードは出射端11bから出射
し、TMモードはそのまま出射端12bから出射した。
Next, when the current injected from the first electrode was increased to about 33 mA, all the light was emitted from the output end 12b. When this state was maintained and a reverse bias voltage of -18 V was applied to the second electrode, the TE mode was emitted from the emission end 11b, and the TM mode was emitted from the emission end 12b as it was.

すなわち、電流値15mA、逆電圧値−16Vの状態か
ら電流値33mA、逆電圧値−18Vに駆動条件を変更
することにより、この光機能素子は偏波スイッチとして
動作した。
That is, by changing the driving conditions from a current value of 15 mA and a reverse voltage value of -16 V to a current value of 33 mA and a reverse voltage value of -18 V, this optical functional element operated as a polarization switch.

なお、この光機能素子の消光比は約30dBであった。Note that the extinction ratio of this optical functional element was about 30 dB.

実施例2゜ 第2図は結合部Cにおいて反転Δβ電極が4段配設され
ている2×2方向方向性器型素子の概略平面図である。
Embodiment 2 FIG. 2 is a schematic plan view of a 2×2 directional genital type element in which four stages of inverted Δβ electrodes are arranged in a coupling portion C.

この素子の結合部の長さは約8.8睡、L/L、は約3
.3であり、その結合部Cにおける断面構造は第9図と
同しである。
The length of the joint of this element is approximately 8.8 cm, and L/L is approximately 3
.. 3, and the cross-sectional structure at the joint C is the same as that in FIG.

この光機能素子の入射端11aにTEモードと1Mモー
ドが共存する光を入射して、第1電極13a。
Light in which the TE mode and 1M mode coexist is incident on the incident end 11a of this optical functional element, and the first electrode 13a is formed.

13 b、  13 c、  13 dから約11mA
の電流を光導波路に注入した。全ての光は出射端12b
から出射した。
Approximately 11 mA from 13 b, 13 c, 13 d
current was injected into the optical waveguide. All light is at the output end 12b
It was emitted from

この状態を維持して、第2電極14a、14b。While maintaining this state, the second electrodes 14a and 14b.

14c、14dに一17Vの逆バイアス電圧を印加した
ところ、TEモードは出射端11bから出射し、1Mモ
ードは出射端12bから出射して両モードは分離され、
光モードスプリッタとして機能した。
When a reverse bias voltage of -17V was applied to 14c and 14d, the TE mode was emitted from the output end 11b, the 1M mode was emitted from the output end 12b, and both modes were separated.
It functioned as an optical mode splitter.

つぎに、第1電極からの注入電流を約29mAに増加し
たところ、全ての光は出射端11bから出射した。この
状態を維持して、第2電極に一15Vの逆バイアス電圧
を印加したところ、TEモードはそのまま出射端llb
から出射し、1Mモードは出射端12bから出射した。
Next, when the current injected from the first electrode was increased to about 29 mA, all the light was emitted from the output end 11b. When this state was maintained and a reverse bias voltage of -15V was applied to the second electrode, the TE mode remained unchanged at the output end llb.
The 1M mode was emitted from the emitting end 12b.

消光比約30dB0すなわち、電流値11mA、逆電圧
値−17Vの状態から電流値29mA、逆電圧値−15
Vに駆動条件を変更することにより、この光機能素子は
偏波スイッチとして動作した。
Extinction ratio is approximately 30 dB0, that is, from a state of current value 11 mA and reverse voltage value -17V, current value 29 mA and reverse voltage value -15
By changing the driving conditions to V, this optical functional element operated as a polarization switch.

(発明の効果) 以上の説明で明らかなように、本発明の光機能素子は、
全て半導体材料で構成されているので他の半導体材料か
ら成る能動素子とのモノリンツクな集積化が可能となる
。しかも、素子の寸法形状を小さくすることができ、更
に最終的には電圧印加によってモード選択が可能になる
ため高速動作する。
(Effects of the Invention) As is clear from the above explanation, the optical functional device of the present invention has the following features:
Since it is entirely made of semiconductor materials, monolink integration with active elements made of other semiconductor materials is possible. Moreover, the size and shape of the element can be reduced, and finally mode selection can be made by applying a voltage, resulting in high-speed operation.

また、電力消費は電極を電流注入用として駆動させるこ
ときにのみ起り、pn接合構造により低順方向バイアス
電圧駆動が可能となるため、低消費電力になる。更に、
半導体材料で構成されているので、光損傷およびDCド
リフトなどを受けることがなく、かつ温度変化に対して
も特性劣化を招くことがない。そして、その消光比は極
めて高い。
Further, power consumption occurs only when the electrode is driven for current injection, and the pn junction structure enables low forward bias voltage driving, resulting in low power consumption. Furthermore,
Since it is made of a semiconductor material, it will not suffer from optical damage or DC drift, and will not suffer from characteristic deterioration due to temperature changes. And its extinction ratio is extremely high.

したがって、本発明の光機能素子は、従来の素子では解
決不能であった問題を全て解決し、その工業的価値は極
めて大である。
Therefore, the optical functional device of the present invention solves all the problems that could not be solved with conventional devices, and has extremely great industrial value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はlX2方向性結合器型の光機能素子を示す概略
平面図、第2図はM段目とM+1段目における電極配置
例を示す概略平面図、第3図は2×2方向方向性器型の
光機能素子の概略平面図、第4図は反転Δβ構造で電極
を3段配置した例を示す概略平面図、第5図は3段電極
配置の場合におけるL / L OとΔβとの関係を示
すスイッチング特性図、第6図は反転Δβ構造で電極を
4段配置した例を示す概略平面図、第7図は4段電極配
置の光機能素子のスイッチング特性図、第8図は実施例
の光機能素子の概略平面図、第9図は第8図のIX−I
X線に沿う断面図、第10図は他の実施例の概略平面図
、第11図は従来例の概略斜視図、第12図は他の従来
例の概略平面図、第13図は別の従来例の概略平面図、
第14図は第13図のXIV−XI¥線に沿う断面図、
第15図は更に別の従来例の概略斜視図、第16図は別
の従来例の概略平面図、第17図は第16図のX■−X
■線に沿う断面図である。 11・・・光導波路、lla・・・入射端、1.1 b
・・・出射端、tic・・・光導波路11の上流側部分
、lid・・・光導波路11の下流側部分、12・・・
光導波路、12a・・・入射端、12b・・・出射端、
12c・・・光導波路12の上流側部分、12d・・・
光導波路12の下流側部分、13a、13b、13c、
13d=・第1電極、1.3 e・・・第1電極間の導
通部、14a。 14b、14c、1.4d−・・第2電極、14 e 
−第2電極間の導通部、C・・・結合部、21・・・下
部電極、22・・・基板、23・・・パフフッ層、24
・・・下部クラッド層、25・・・コア層、26・・・
上部クランド層、26a・・・n型クラッド、26b・
・・p型クラッド、26c・・・キャップ層、27・・
・絶縁膜、27a・・・窓。
Fig. 1 is a schematic plan view showing an lX2 directional coupler type optical functional element, Fig. 2 is a schematic plan view showing an example of electrode arrangement in the M-th stage and M+1-th stage, and Fig. 3 is a schematic plan view showing an example of electrode arrangement in the M-th stage and M+1-th stage. A schematic plan view of a genital-shaped optical functional element. Fig. 4 is a schematic plan view showing an example in which electrodes are arranged in three stages with an inverted Δβ structure. Fig. 5 shows L / L O and Δβ in the case of a three-stage electrode arrangement. Fig. 6 is a schematic plan view showing an example of an inverted Δβ structure in which electrodes are arranged in four stages, Fig. 7 is a switching characteristic diagram of an optical functional element with a four-stage electrode arrangement, and Fig. 8 is a switching characteristic diagram showing the relationship between A schematic plan view of the optical functional device of the example, FIG. 9 is IX-I in FIG.
10 is a schematic plan view of another embodiment, FIG. 11 is a schematic perspective view of a conventional example, FIG. 12 is a schematic plan view of another conventional example, and FIG. 13 is a schematic plan view of another example. A schematic plan view of the conventional example,
Figure 14 is a sectional view taken along the line XIV-XI in Figure 13;
FIG. 15 is a schematic perspective view of yet another conventional example, FIG. 16 is a schematic plan view of another conventional example, and FIG. 17 is X-X in FIG. 16.
■It is a sectional view along the line. 11... Optical waveguide, lla... Input end, 1.1 b
...Outgoing end, tic...Upstream side portion of optical waveguide 11, lid...Downstream side portion of optical waveguide 11, 12...
Optical waveguide, 12a...input end, 12b...output end,
12c... Upstream portion of the optical waveguide 12, 12d...
downstream portions of the optical waveguide 12, 13a, 13b, 13c,
13d=-first electrode, 1.3e... conductive part between first electrodes, 14a. 14b, 14c, 1.4d--second electrode, 14e
- Conductive part between second electrodes, C... coupling part, 21... lower electrode, 22... substrate, 23... puff layer, 24
... lower cladding layer, 25 ... core layer, 26 ...
Upper cladding layer, 26a...n-type cladding, 26b...
...p-type cladding, 26c...cap layer, 27...
- Insulating film, 27a...window.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体材料から成りpn接合構造を有する2本の
光導波路が完全結合長L_0で互いにエバネッセント結
合して平行配置されている結合長Lの結合部を有し、か
つ、前記結合部の長手方向には、連続して反転Δβ構造
の電極がN段(ただし、Nは3以上の整数を表す)配設
されている光機能素子であって、前記反転Δβ構造で配
設されている電極のM段目とM+1段目(ただし、Mは
1≦M≦N−1の関係を満足する整数を表す)の電極の
間では、一方の光導波路の上流側部分と他方の光導波路
の下流側部分とには、互いに導通して第1電極がそれぞ
れ形成され、また、前記一方の光導波路の下流側部分と
前記他方の光導波路の上流側部分とには、互いに導通し
、かつ、前記第1電極と導通することなく第2電極がそ
れぞれ形成されていることを特徴とする光機能素子。
(1) Two optical waveguides made of a semiconductor material and having a pn junction structure have a coupling portion with a coupling length L in which they are evanescently coupled to each other with a perfect coupling length L_0 and are arranged in parallel, and the longitudinal direction of the coupling portion is An optical functional element in which N stages (N represents an integer of 3 or more) of electrodes having an inverted Δβ structure are continuously arranged in the direction, and the electrodes are arranged in the inverted Δβ structure. Between the electrodes of the M-th stage and the M+1-th stage (where M represents an integer satisfying the relationship 1≦M≦N-1), the upstream part of one optical waveguide and the downstream part of the other optical waveguide A first electrode is formed in each of the side portions so as to be electrically conductive with each other, and a downstream portion of the one optical waveguide and an upstream portion of the other optical waveguide are electrically conductive with each other, An optical functional element characterized in that each second electrode is formed without being electrically connected to the first electrode.
(2)請求項1のL、L_0においてL/L_0を適宜
な値に設定し、請求項1の第1電極から所定値の電流を
光導波路に注入して光導波路間でクロス状態またはスル
ー状態を形成し、ついで前記クロス状態またはスルー状
態を維持しつつ、請求項1の第2電極に所定値の電圧を
印加して光導波路間でTEモードのみのクロス状態また
はスルー状態を形成することにより、光導波路に入射せ
しめた光のTEモードとTMモードを分離することを特
徴とする請求項1の光機能素子の駆動方法。
(2) L/L_0 is set to an appropriate value in L and L_0 of claim 1, and a predetermined value of current is injected into the optical waveguide from the first electrode of claim 1 to create a cross state or a through state between the optical waveguides. and then, while maintaining the cross state or through state, apply a voltage of a predetermined value to the second electrode of claim 1 to form a cross state or through state of only the TE mode between the optical waveguides. 2. The method of driving an optical functional element according to claim 1, further comprising separating the TE mode and TM mode of the light incident on the optical waveguide.
(3)請求項1のL、L_0においてL/L_0を適宜
な値に設定し、請求項1の第1電極から所定値の電流を
光導波路に注入して光導波路間でクロス状態またはスル
ー状態を形成し、ついで前記クロス状態またはスルー状
態を維持しつつ、請求項1の第2電極に所定値の電圧を
印加して光導波路間でTEモードのみのクロス状態また
はスルー状態を形成することにより、光導波路に入射せ
しめた光のTEモードとTMモードを分離し、ついで、
前記第1電極から前記所定値より大きい値の電流を更に
光導波路に注入して光導波路間でクロス状態またはスル
ー状態を形成し、ついで前記クロス状態またはスルー状
態を維持しつつ、前記第2電極に所定値の電圧を印加し
て光導波路間でTEモードのみのスルー状態またはクロ
ス状態を形成することにより、分離されているTEモー
ドとTMモードの出射径路を変換することを特徴とする
請求項1の光機能素子の駆動方法。
(3) L/L_0 is set to an appropriate value in L and L_0 of claim 1, and a predetermined value of current is injected into the optical waveguide from the first electrode of claim 1 to create a cross state or a through state between the optical waveguides. and then, while maintaining the cross state or through state, apply a voltage of a predetermined value to the second electrode of claim 1 to form a cross state or through state of only the TE mode between the optical waveguides. , separates the TE mode and TM mode of the light incident on the optical waveguide, and then,
A current larger than the predetermined value is further injected from the first electrode into the optical waveguide to form a cross state or a through state between the optical waveguides, and then, while maintaining the cross state or through state, the second electrode A claim characterized in that the output paths of the separated TE mode and TM mode are converted by applying a voltage of a predetermined value to form a through state or a cross state of only the TE mode between the optical waveguides. 1. Driving method of optical functional element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB2368402A (en) * 2000-10-10 2002-05-01 Univ Southampton Stabilising polar and ferroelectric devices

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