JPH04167613A - Delay adjusting circuit device - Google Patents

Delay adjusting circuit device

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JPH04167613A
JPH04167613A JP2289444A JP28944490A JPH04167613A JP H04167613 A JPH04167613 A JP H04167613A JP 2289444 A JP2289444 A JP 2289444A JP 28944490 A JP28944490 A JP 28944490A JP H04167613 A JPH04167613 A JP H04167613A
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JP
Japan
Prior art keywords
delay
internal signal
signal node
capacitor
circuit device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2289444A
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Japanese (ja)
Inventor
Minoru Fukuda
実 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
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Publication of JPH04167613A publication Critical patent/JPH04167613A/en
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Abstract

PURPOSE:To set delay quantity while confirming delay characteristic by using a switching transistor which allows an electrical turn on/off to perform connection/disconnection between an internal signal node and a capacitor. CONSTITUTION:In a delay control circuit device which generates delay by delivering a prescribed signal when the internal signal node 1 to which the capacitor 2 is connected arrives at prescribed potential, the switching transistor 7 is provided between the internal signal node 1 and the capacitor 2. The switching transistor 7 performs an on/off operation by a signal level supplied to the gate of the transistor, and the connection/disconnection between the capacitor 2 connected to the internal signal node 1 and the internal signal node 1 via the switching transistor 7 can be easily performed. In such a way, it is possible to set the delay quantity as confirming the delay characteristic of the delay adjusting circuit device.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、産業用の大規模集積回路(LSI)に使用さ
れる遅延調整回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a delay adjustment circuit device used in an industrial large-scale integrated circuit (LSI).

[従来の技術] LSIを構成する回路装置において遅延を設定する方法
としては、大きく分けて抵抗及びコンデンサを用いてC
R時定数の値を変化させる方法と、インバータの接続段
数を変える方法との二つがある。又、上記遅延時間を調
整可能な回路の一例として、第2図に示すような遅延調
整回路が提案されている。
[Prior art] Methods for setting delays in circuit devices constituting LSIs can be roughly divided into
There are two methods: changing the value of the R time constant and changing the number of connected inverters. Further, as an example of a circuit capable of adjusting the delay time, a delay adjustment circuit as shown in FIG. 2 has been proposed.

この遅延調整回路において、内部信号ノード1には、そ
れぞれ一端が接地される複数のコンデンサ2の他端がそ
れぞれレーザにて溶断可能なフユーズ3を介して接続さ
れ、又、Pチャンネルの人力信号トランジスタ4、及び
Nチャンネルの第2トランジスタ5のドレインが接続さ
れる。このような内部信号ノードlには、この内部信号
ノードlが所定の第2の電位となったことを検知し信号
を送出する電圧検出器6が接続される。
In this delay adjustment circuit, an internal signal node 1 is connected to the other ends of a plurality of capacitors 2, each of which has one end grounded, through a fuse 3 that can be blown with a laser, and a P-channel human-powered signal transistor 4, and the drains of the N-channel second transistor 5 are connected. A voltage detector 6 is connected to such an internal signal node 1, which detects that the internal signal node 1 has reached a predetermined second potential and sends out a signal.

尚、上記人力信号トランジスタ4のソースは電源に接続
され、ゲートには入力信号が供給される。
Note that the source of the human input signal transistor 4 is connected to a power source, and the gate is supplied with an input signal.

又、第2トランジスタ5のソースは接地される。Further, the source of the second transistor 5 is grounded.

このように構成される遅延調整回路の動作を以下に説明
する。
The operation of the delay adjustment circuit configured in this manner will be described below.

入力信号トランジスタ4のゲートにロー(L)レベルの
信号が供給された場合、入力信号トランジスタ4はオン
状態となり電源電圧である第1の電位が内部信号ノード
lに印加される。よって、内部信号ノードlに接続され
るそれぞれのコンデンサ2はフユーズ3を介して充電さ
れる。
When a low (L) level signal is supplied to the gate of the input signal transistor 4, the input signal transistor 4 is turned on and a first potential, which is the power supply voltage, is applied to the internal signal node l. Therefore, each capacitor 2 connected to the internal signal node l is charged via the fuse 3.

次に、入力信号トランジスタ4のゲートにハイ(H)レ
ベルの信号が供給された場合、入力信号トランジスタ4
はオフ状態となり、一方、第2トランジスタ5はオン状
態であるので、内部信号ノードlは第2トランジスタ5
を介して接地され、コンデンサ2の電荷が放電されるこ
とで内部信号ノードlの電位は低下する。そして内部信
号ノードlの電位が第2の電位となったときに電圧検出
器6は信号を送出する。
Next, when a high (H) level signal is supplied to the gate of the input signal transistor 4, the input signal transistor 4
is in an off state, and on the other hand, the second transistor 5 is in an on state, so that the internal signal node l is connected to the second transistor 5.
The potential of the internal signal node l decreases as the charge in the capacitor 2 is discharged. Then, when the potential of the internal signal node l reaches the second potential, the voltage detector 6 sends out a signal.

したがって、内部信号ノードlの電位が第2の電位に到
達する時間は、内部信号ノードlにどれだけの数のコン
デンサ2が接続されているかによって決定される。
Therefore, the time for the potential of internal signal node l to reach the second potential is determined by how many capacitors 2 are connected to internal signal node l.

このように従来の遅延調整回路は、適宜な個数のフユー
ズ3を溶断することで所望の遅延を発生させていた。
In this manner, the conventional delay adjustment circuit generates a desired delay by blowing out an appropriate number of fuses 3.

[発明が解決しようとする課題] ところが、上述したようにフユーズ3はレーザ装置によ
り溶断されるもので、溶断工程が必要であるという問題
点があり、又、レーザ切断機という新規装置へ回路基板
を運搬しなければならずこの運搬過程において回路基板
に損傷を与える可能性があるという問題点もある。又、
フユーズ3の溶断後、遅延特性の確認を行い、不完全な
場合には再度上述した工程が必要となる。
[Problems to be Solved by the Invention] However, as mentioned above, the fuse 3 is blown by a laser device, and there is a problem that a fusing process is necessary. Another problem is that the circuit board must be transported, and the circuit board may be damaged during this transportation process. or,
After blowing out the fuse 3, check the delay characteristics, and if the delay characteristics are incomplete, the above-mentioned process will be required again.

本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、遅延特性を確認しながら容易に遅延量を設定でき
る遅延調整回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to provide a delay adjustment circuit that can easily set the amount of delay while checking the delay characteristics.

[課題を解決するための手段] 本発明は、容量が接続された内部信号ノードが所定の電
位になったときに所定の信号を送出するようにして遅延
を発生させる遅延調整回路装置において、 内部信号ノードと容量との間にスイッチングトランジス
タを備えたことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a delay adjustment circuit device that generates a delay by transmitting a predetermined signal when an internal signal node connected to a capacitor reaches a predetermined potential. The device is characterized in that a switching transistor is provided between the signal node and the capacitor.

[作用] スイッチングトランジスタは、ゲートに供給される信号
レベルによってオン、オフ動作を行い、このスイッチン
グトランジスタを介して内部信号ノードに接続されてい
る容量と内部信号ノードとの接続、遮断を容易に行うこ
とができ、遅延調整回路装置の遅延特性を確認しながら
遅延量を設定可能なように作用する。
[Function] The switching transistor turns on and off depending on the signal level supplied to the gate, and easily connects and disconnects the capacitor connected to the internal signal node and the internal signal node via this switching transistor. This function allows the delay amount to be set while checking the delay characteristics of the delay adjustment circuit device.

[実施例] 本発明の遅延調整回路の一実施例を示す第1図−におい
て、第2図に示す構成部分と同じ構成部分については同
じ符号を付しその説明を省略する。
[Embodiment] In FIG. 1 showing an embodiment of the delay adjustment circuit of the present invention, the same components as those shown in FIG. 2 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

それぞれのコンデンサ2の他端は、電気的にプログラム
可能な例えばF AMOS (フローティングゲートア
バランシュインジェクションMO9)7を介して内部信
号ノードlに接続される。
The other end of each capacitor 2 is connected to an internal signal node l via an electrically programmable, for example, F AMOS (floating gate avalanche injection MO9) 7.

尚、図面ではFAMOS7は3個しか示されていないが
勿論これ以上設けることは可能である。
Although only three FAMOSs 7 are shown in the drawing, it is of course possible to provide more than three FAMOSs.

このように構成される遅延調整回路の動作を以下に説明
する。
The operation of the delay adjustment circuit configured in this manner will be described below.

一つあるいは複数のFAMOS7をプログラムするため
に、入力信号ノードlには、電圧が12゜5ボルトの電
源8がドレインに接続されているNチャンネルのトラン
ジスタ9のソースが接続され、又、プログラムを実行す
るF’AMO97のソースにはソースが接地されたNチ
ャンネルのトランジスタ10のドレインが接続される。
In order to program one or more FAMOS 7, the input signal node l is connected to the source of an N-channel transistor 9, the drain of which is connected to a power supply 8 with a voltage of 12.5 volts; The source of the F'AMO 97 to be executed is connected to the drain of an N-channel transistor 10 whose source is grounded.

これらのトランジスタ9及びlOをオン状態とすること
で、所望のRAM097をプログラムする。尚、このよ
うなプログラム方法は従来より行なわれている方法と同
様である。
By turning on these transistors 9 and 1O, a desired RAM 097 is programmed. Incidentally, such a programming method is the same as a conventional method.

このFAMOS7は、そのゲートにHレベルの信号が供
給された場合において上記手法によりプログラムされエ
レクトロンがフローティングゲートに貯えられていれば
オン状態となり、逆に貯えられていなければオフ状態と
なる。これにより、内部信号ノードlとコンデンサ2と
を容易に接続あるいは遮断することができる。よって遅
延時間の調整を容易に行うことができる。尚、本回路装
置がいかにして遅延調整動作を行うかは、従来例の場合
と同様である。
This FAMOS 7 is programmed by the above-described method when an H level signal is supplied to its gate, and if electrons are stored in the floating gate, it becomes an on state, and conversely, if no electrons are stored, it becomes an off state. Thereby, the internal signal node 1 and the capacitor 2 can be easily connected or disconnected. Therefore, the delay time can be easily adjusted. Note that how this circuit device performs the delay adjustment operation is the same as in the conventional example.

このように、必要なFAMOS7のゲートに供給する信
号レベルを変化させるだけで内部信号ノードlとコンデ
ンサ2との接続、遮断が行え、所望の遅延時間を容易に
得ることがてきる。
In this way, the internal signal node 1 and the capacitor 2 can be connected or disconnected by simply changing the signal level supplied to the gate of the necessary FAMOS 7, and the desired delay time can be easily obtained.

又、PAMOS7のプログラムも電気的に行えることよ
り従来のように装置間を回路基板が移動することもない
ので、回路基板の損傷の危険性がないとともに、一つの
テスティングシステム上で遅延特性を確認しつつ遅延L
SIを作成することができる。
In addition, since programming of PAMOS7 can be done electrically, there is no need to move the circuit board between devices as in the past, so there is no risk of damage to the circuit board, and delay characteristics can be determined on a single testing system. Delay L while checking
SI can be created.

[発明の効果コ 以上詳述したように本発明によれば、内部信号ノードと
容量との接続あるいは遮断を行なうために、電気的にオ
ン、オフ動作可能なスイッチングトランジスタを使用し
たことより、内部信号ノードと容量との接続、遮断に特
別な工程を要することもなく、又、遅延特性を確認しな
がら遅延量を設定することができる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, a switching transistor that can be turned on and off electrically is used to connect or disconnect an internal signal node and a capacitor. No special process is required to connect or disconnect the signal node and the capacitor, and the amount of delay can be set while checking the delay characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の遅延調整回路装置の構成の一例を示す
回路図、第2図は従来の遅延調整回路装置の構成を示す
回路図である。 l・・・内部信号ノート、2・・・コンデンサ、7・・
・RAM050 特許出願人 株式会社 リ コ 一 代 理 人 弁理士 青画像 外1名
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a delay adjustment circuit device of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional delay adjustment circuit device. l...Internal signal note, 2...Capacitor, 7...
・RAM050 Patent applicant: Ricoh Co., Ltd. Attorney: Blue Image, 1 other person

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)容量が接続された内部信号ノードが所定の電位に
なったときに所定の信号を送出するようにして遅延を発
生させる遅延調整回路装置において、内部信号ノードと
容量との間にスイッチングトランジスタを備えたことを
特徴とする遅延調整回路装置。
(1) In a delay adjustment circuit device that generates a delay by sending out a predetermined signal when an internal signal node connected to a capacitor reaches a predetermined potential, a switching transistor is connected between the internal signal node and the capacitor. A delay adjustment circuit device comprising:
(2)上記スイッチングトランジスタはFAMOSであ
る、請求項1記載の遅延調整回路装置。
(2) The delay adjustment circuit device according to claim 1, wherein the switching transistor is a FAMOS.
JP2289444A 1990-10-26 1990-10-26 Delay adjusting circuit device Pending JPH04167613A (en)

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JP (1) JPH04167613A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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