JPH04160150A - Method and device for controlling heating by electron beam - Google Patents

Method and device for controlling heating by electron beam

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JPH04160150A
JPH04160150A JP28343490A JP28343490A JPH04160150A JP H04160150 A JPH04160150 A JP H04160150A JP 28343490 A JP28343490 A JP 28343490A JP 28343490 A JP28343490 A JP 28343490A JP H04160150 A JPH04160150 A JP H04160150A
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electron beam
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heating
horizontal deflection
pattern
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Toshio Sato
俊雄 佐藤
Toshio Ishii
俊夫 石井
Shunichi Sugiyama
峻一 杉山
Hiroshi Kibe
洋 木部
Koji Matsui
孝二 松井
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Abstract

PURPOSE:To accurately inject an electron beam on the specified position of a vapor-deposition material by adding a functional correction consisting of the information on the horizontal deflection angle to the vertical deflection angle of an electron beam, based on the incident position of the electron beam. CONSTITUTION:The vertical and horizontal deflection angles of an electron beam from the injection port 11 of an electron beam gun are controlled by a deflection coil 12 so that the beam describes a path 13. The beam is injected into the vapor-deposition material 15 in a water-cooled copper crucible 14 based on the preset incident pattern to scan the material, along the line of magnetic force of an electromagnet 16. In this method for controlling heating by the electron beam, the incident position of the beam in the preset vertical deflection angle and bisymmetrically oscillated horizontal deflection angle is previously obtained. A functional correction consisting of the information on the horizontal deflection angle is added to the vertical deflection angle based on the incident position, and correction is performed. The control is conducted based on the corrected deflection angle, and the desired incident pattern of the beam is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野〕 本発明は、電子ビーム溶解装置や電子ビーム式蒸着装置
などを使用する際に、設定位置に電子ビームが照射する
ように電子ビームを制御して、電子ビームが設定位置か
らずれることのない電子ビームの加熱制御方法およびそ
の装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is directed to controlling the electron beam so that it irradiates a set position when using an electron beam melting device, an electron beam evaporation device, etc. The present invention relates to an electron beam heating control method and an apparatus therefor, in which the electron beam does not deviate from a set position.

[従来技術] 従来、真空蒸着装置の加熱方法として電子ビーム式、高
周波誘導式、直接通電式などがあるが、特に電子ビーム
式加熱方式は、加熱の制御性に優れ、水冷るつぼを利用
した高融点金属の融解に適しており、多く採用されてい
る。
[Prior art] Conventionally, heating methods for vacuum evaporation equipment include electron beam heating, high-frequency induction heating, and direct energization. However, electron beam heating has excellent heating controllability and is highly effective for high-temperature heating using water-cooled crucibles. It is suitable for melting melting point metals and is widely used.

第1図は、電子ビーム式加熱方式の蒸着装置の代表的な
構成を示す。電子ビームガンの射出口11からの電子ビ
ームは、電子ビームのyおよび2方向の偏向コイル12
によって偏向され、符号13に示すような電子ビームの
軌跡で水冷銅性坩堝14内の蒸着物質15に入射する。
FIG. 1 shows a typical configuration of an electron beam heating type vapor deposition apparatus. The electron beam from the exit port 11 of the electron beam gun is deflected by a deflection coil 12 in the y and two directions of the electron beam.
The electron beam is deflected by the electron beam and enters the vapor deposition material 15 in the water-cooled copper crucible 14 with a locus of the electron beam as shown by reference numeral 13.

坩堝14の両側には電子ビームを坩堝面に偏向する磁場
を発生させる電磁石16が配置されている。
Electromagnets 16 are arranged on both sides of the crucible 14 to generate a magnetic field that deflects the electron beam toward the crucible surface.

この電子ビームで蒸着物質を加熱するには、電子ビーム
を正しく制御して所定の加熱パターンを実現する必要が
ある。従来の実験室規模の小型の蒸着装置では加熱範囲
も少なく、制御の問題は生じなかったが、蒸着装置の大
型化、広幅化に伴い、電子ビームが十分に制御されない
ため蒸着金属の膜厚が不均一になったりする問題が発生
してきた。
In order to heat the deposited material with this electron beam, it is necessary to correctly control the electron beam to realize a predetermined heating pattern. Conventional small laboratory-scale evaporation equipment has a small heating range and has not caused control problems, but as evaporation equipment becomes larger and wider, the thickness of the deposited metal film increases due to insufficient control of the electron beam. Problems such as unevenness have arisen.

これらを解決するために、 特開平1−129963号のように、るつほの両側にら
せん磁石を配し電子ビームをスキャンする方法や、特開
平1−272762号のように坩堝回りに−様な磁界を
発生させるコイルを配置し、電子ビームの走査を容易化
する方法等が開示されている。しかし、これらの手段の
みで電子ビームの制御を確実におこなうのは本質的に不
十分である。
In order to solve these problems, there are methods such as placing helical magnets on both sides of the crucible and scanning the electron beam as in JP-A-1-129963, and methods around the crucible as in JP-A-1-272762. A method of arranging a coil that generates a strong magnetic field to facilitate electron beam scanning has been disclosed. However, it is essentially insufficient to reliably control the electron beam using only these means.

すなちわ電子ビームは、−船釣に電子ビーム射出口11
に設置された2軸偏向コイル12によって制御される。
In other words, the electron beam is
It is controlled by a two-axis deflection coil 12 installed at.

ある加熱パターンを想定したときこの2軸偏向コイルに
適切な電流値を設定し、正確に電子ビームを制御するこ
とが要求される。
When a certain heating pattern is assumed, it is required to set an appropriate current value for this biaxial deflection coil and accurately control the electron beam.

[発明が解決しようとする技術的課題]本発明は上記事
情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
電子ビームを予め想定した位置に正しく入射することを
可能とする制御方法、および蒸着時とイオン化時とでそ
れぞれ異なる電子ビーム制御電流を流すように切り替え
ることができる制御装置を提供するものである。
[Technical problem to be solved by the invention] The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to:
The present invention provides a control method that allows an electron beam to correctly enter a predetermined position, and a control device that can switch to flow different electron beam control currents during vapor deposition and ionization.

[課題を解決する手段、作用] すなわち本発明の加熱制御方法は、蒸着材料加熱用電子
ビームガンからの電子ビームの上下方向偏向角と水平方
向偏向角とを制御しながら、予め設定した電子ビームの
入射パターンに基づいて電子ビームを蒸着材料に入射す
る電子ビームの加熱制御方法であって、予め一定の上下
方向偏向角と左右対称に振らせた水平方向偏向角とにお
ける電子ビームの入射位置を得ておき、この入射位置に
基づいて上下方向偏向角に水平方向偏向角の情報からな
る関数系を付加した補正をおこない、この補正された上
下方向偏向角と水平方向偏向角とで、電子ビームが所望
の入射パターンとなるように制御する電子ビームの加熱
制御方法である。
[Means and effects for solving the problem] That is, the heating control method of the present invention is to control the vertical deflection angle and the horizontal deflection angle of the electron beam from the electron beam gun for heating the evaporation material. A heating control method for an electron beam in which the electron beam is incident on a vapor deposition material based on an incident pattern, and the incident position of the electron beam is obtained in advance at a fixed vertical deflection angle and a horizontal deflection angle that is symmetrically swung. Then, based on this incident position, a correction is performed by adding a function system consisting of information on the horizontal deflection angle to the vertical deflection angle, and the electron beam is This is a method of controlling heating of an electron beam so that it has a desired incident pattern.

また本発明の第一の加熱制御装置は、蒸着材料加熱用電
子ビームガンからの電子ビームの上下方向偏向角と水平
方向偏向角とを制御しながら、予め設定した電子ビーム
の入射パターンに基づいて電子ビームを蒸着材料に入射
する電子ビーム加熱制御装置であって、電子ビームによ
る加熱段階を検出する検出器と、各加熱段階に対応し補
正した上下方向偏向角と左右方向偏向角のパターンが入
力されている複数の電圧発生器と、上記パターンの作成
と電圧発生器への人力および検出器からの信号に基づき
複数の電圧発生器の中から対応するパターンを持つ電圧
発生器を選択し、電圧発生器の起動、停止をおこなうコ
ンピューターと、電圧発生器からの出力電圧に基づいて
電子ビームの上下方向偏向角と水平方向偏向角とを制御
する制御手段とを具備する電子ビームの加熱制御装置で
ある。
Further, the first heating control device of the present invention controls the vertical deflection angle and horizontal deflection angle of the electron beam from the electron beam gun for heating the evaporation material, and controls the electron beam based on the preset incident pattern of the electron beam. This is an electron beam heating control device that injects the beam into the evaporation material, and includes a detector that detects heating stages by the electron beam, and a pattern of vertical deflection angle and horizontal deflection angle corrected corresponding to each heating stage is input. Select a voltage generator with a corresponding pattern from among multiple voltage generators based on the creation of the above pattern, human input to the voltage generator, and signal from the detector, and generate voltage. This is an electron beam heating control device comprising a computer that starts and stops the device, and a control means that controls the vertical deflection angle and horizontal deflection angle of the electron beam based on the output voltage from the voltage generator. .

また本発明の第二の加熱制御装置は、蒸着材料加熱用電
子ビームガンからの電子ビームの上下方向偏向角と水平
方向偏向角とを制御しなから、予め設定した電子ビーム
の入射パターンに基づいて電子ビームを蒸着材料に入射
する電子ビーム加熱制御装置であって、電子ビームによ
る加熱段階を検出する検出器と、検出器からの出力信号
に基づいて電子ビームの偏向電流のパターンを検出し、
検出したパターンに基づいて上下方向偏向角を補正して
、上下方向偏向角と水平方向偏向角に関する電圧を出力
するコンピュータと、コンピュータからの出力電圧信号
を増幅する増幅器と、増幅器からの出力電圧に基づいて
電子ビームの上下方向偏向角と水平方向偏向角とを制御
する制御手段とを具備してなる電子ビームの加熱制御装
置である。
Further, the second heating control device of the present invention does not control the vertical deflection angle and the horizontal deflection angle of the electron beam from the electron beam gun for heating the evaporation material, but also controls the vertical deflection angle and the horizontal deflection angle based on the preset incident pattern of the electron beam. An electron beam heating control device for injecting an electron beam into a vapor deposition material, the device comprising: a detector for detecting a heating step by the electron beam; and a pattern of deflection current of the electron beam based on an output signal from the detector;
a computer that corrects the vertical deflection angle based on the detected pattern and outputs voltages related to the vertical deflection angle and horizontal deflection angle; an amplifier that amplifies the output voltage signal from the computer; This is an electron beam heating control device comprising a control means for controlling a vertical deflection angle and a horizontal deflection angle of an electron beam based on the above.

電子ビームガンからの電子ビームの軌跡は、電磁石16
から発生する磁場により大きく変動する。
The trajectory of the electron beam from the electron beam gun is determined by the electromagnet 16.
It fluctuates greatly depending on the magnetic field generated by the magnetic field.

これらの磁場分布を正確に把握するために、本発明者は
磁場解析と磁場分布の計測をおこなった。
In order to accurately understand these magnetic field distributions, the present inventor conducted magnetic field analysis and measurement of magnetic field distributions.

第2図は解析によって求めた磁束線分布を示す。Figure 2 shows the magnetic flux line distribution determined by analysis.

図中21は電子ビーム射出口、22は電磁石ヨーク、2
3は電磁コイル、24は蒸着物面、25は磁束線、26
は磁束密度ベクトルである。これらの解析結果は計測値
とよく一致した。電子ビームは磁束密度ベクトル26に
対し、その垂直方向の速度成分が偏向される。すなわち
磁場中の電子ビームの軌跡は式(1)の方程式で表され
る。
In the figure, 21 is an electron beam exit port, 22 is an electromagnet yoke, and 2
3 is an electromagnetic coil, 24 is a deposition surface, 25 is a magnetic flux line, 26
is the magnetic flux density vector. These analysis results agreed well with the measured values. The velocity component of the electron beam in a direction perpendicular to the magnetic flux density vector 26 is deflected. That is, the trajectory of an electron beam in a magnetic field is expressed by the equation (1).

m−dV/d t−eVXB  式(1)ここでmは電
子の質量、tは時間、■は速度ベクトル、eは電子の電
荷、Bは磁束密度ベクトル、Xは外積である。第3図は
ビームの上下角θyを一定とし、水平角θ2を変化させ
た場合の坩堝面上のエレクトロンビームの着地点を式(
1)に従って計算した結果と実験の結果を示す。ここで
、31はθy−−12,5°、−15,0°、−17,
5°。
m-dV/d t-eVXB Equation (1) where m is the mass of the electron, t is time, ■ is the velocity vector, e is the charge of the electron, B is the magnetic flux density vector, and X is the outer product. Figure 3 shows the landing point of the electron beam on the crucible surface when the vertical angle θy of the beam is constant and the horizontal angle θ2 is changed by the formula (
The results calculated according to 1) and the experimental results are shown below. Here, 31 is θy--12,5°, -15,0°, -17,
5°.

−20°≦θ2≦20′″とした時の解析によるビーム
の坩堝上着地線を示し、斜線で囲まれた領域32はθy
=   −12,5°として02を振らした着地点の実
験結果を示すが、両者はよく一致している。
-20°≦θ2≦20′″ shows the landing line of the beam on the crucible according to the analysis, and the area 32 surrounded by diagonal lines is θy
The experimental results are shown for the landing point with 02 = -12.5°, and the two agree well.

なお33は坩堝内のりである。この図から、上下角を一
定としてもビームの着地点は湾曲することが分る。これ
らの湾曲は坩堝面を長方形に加熱する場合に問題となる
。これを解決するためには水平方向の走査に、現在の上
下角の情報を与え補正を加えることが必要である。すな
わち、θy−a+f (t)+I (θ2)  式(2
)θz−b+g (t)       式(3)ここで
θyは電子ビームの上下角、θ2は電子ビームの水平角
、a、bはオフセット、f (t)、g (t)は時間
の関数、1 (θ2)はθyの補正関数である。I (
θ2)の関数形は例えばC(θ2)″の形であり、第3
図の坩堝上の電子ビームの軌跡から決定される。ここで
Cは一定値である。θyと02とエレクトロンビームの
偏向電流の関係は比例関係にあり、式(2)、(3)の
関係式はそのまま偏向電流値に換算できる。
Note that 33 is the glue inside the crucible. From this figure, it can be seen that even if the vertical angle is constant, the landing point of the beam is curved. These curvatures become a problem when heating a rectangular crucible surface. In order to solve this problem, it is necessary to provide current vertical angle information to the horizontal scan and add correction. That is, θy−a+f (t)+I (θ2) Formula (2
) θz−b+g (t) Equation (3) where θy is the vertical angle of the electron beam, θ2 is the horizontal angle of the electron beam, a, b are offsets, f (t), g (t) are functions of time, 1 (θ2) is a correction function of θy. I (
The functional form of θ2) is, for example, C(θ2)'', and the third
It is determined from the trajectory of the electron beam on the crucible shown in the figure. Here, C is a constant value. The relationship between θy, 02, and the deflection current of the electron beam is proportional, and the relational expressions (2) and (3) can be directly converted into a deflection current value.

そして(2)、(3)式に基づいて、上下偏向角、水平
偏向角を制御することにより、所望の入カバターンで電
子ビームの入力位置を制御することができる。
By controlling the vertical deflection angle and the horizontal deflection angle based on equations (2) and (3), it is possible to control the input position of the electron beam with a desired entrance pattern.

ただし真空蒸着の際、蒸着がらイオンブレーティングに
移行すると、イオン化電流にともなう磁場の発生により
電子ビームの軌跡が変化する。
However, during vacuum evaporation, when the evaporation shifts to ion blating, the trajectory of the electron beam changes due to the generation of a magnetic field accompanying the ionization current.

このため、偏向コイル12に流す電流パターンを変化さ
せる必要がある。この場合も同様に、イオンブレーティ
ング時における上下偏向角、水平偏向角を予め測定して
おいて、イオンブレーティング時における式(2,)、
  (3)を求めておけば、的確に対応することができ
る。
Therefore, it is necessary to change the current pattern flowing through the deflection coil 12. In this case as well, the vertical deflection angle and horizontal deflection angle during ion blating are measured in advance, and the equation (2,) during ion blating is
If (3) is determined in advance, it will be possible to respond appropriately.

[実施例] 上述のように、電子ビームの上下方向角偏向に水平方向
角情報からなる関数形を付加する補正をおこなって、本
発明方法を実施した。その結果を第4図に示す。他方、
第5図は式(2)で1 (θZ)−0とし、θy、θ2
を独立とした比較の制御方法を示す。本発明のように式
(2)のθyに■ (θ2)の付加制御項を加えること
により電子ビームを直線に制御することが可能になった
。そして、これらの関係式を用いて制御することにより
任意の電子ビームの制御が可能となる。
[Example] As described above, the method of the present invention was carried out by correcting the vertical angular deflection of the electron beam by adding a functional form consisting of horizontal angular information. The results are shown in FIG. On the other hand,
Figure 5 shows 1 (θZ)-0 in equation (2), θy, θ2
We show how to control independent comparison. As in the present invention, by adding the additional control term (2) to θy in equation (2), it has become possible to linearly control the electron beam. By controlling using these relational expressions, it becomes possible to control an arbitrary electron beam.

この制御方法を適切におこない得る装置として、例えば
第6図に示す装置がある。この装置はイオン化電流を検
出して蒸着かイオンブレーティングかの加熱段階を検知
する検出器41を設け、また予め各種電流パターンが入
っているディスク42を設けておく。そして検出器41
がらの加熱段階検出信号をコンピュータ43に入力する
。各電圧発生器44にはあらかじめコンピュータ43に
よりそれぞれ加熱段階の電流パ□ターンに対応した電圧
パターンが設定されており、コンピュータ43では検出
した加熱パターンに対応する電圧発生器44を選択する
。電圧発生器44では、設定されている電圧パターン(
θy、θ2)を所定の周波数で発信する。この信号に基
づき制御手段45で電子ビームガンからの電子ビームの
軌跡を制御する。なお、制御用コンピュータ43は、電
圧パターンの作成、変更、管理、電圧発生機の切替えと
制御等の機能を有する。46はコンピユータ43カラノ
信号を目視するオシロスコープである。
An example of a device that can appropriately carry out this control method is the device shown in FIG. This device is equipped with a detector 41 that detects the ionization current to detect the heating stage of vapor deposition or ion blating, and is also provided with a disk 42 containing various current patterns in advance. and detector 41
The heating stage detection signal of the rice bran is inputted to the computer 43. A voltage pattern corresponding to the current pattern of the heating stage is set in advance in each voltage generator 44 by the computer 43, and the computer 43 selects the voltage generator 44 corresponding to the detected heating pattern. The voltage generator 44 generates a set voltage pattern (
θy, θ2) is transmitted at a predetermined frequency. Based on this signal, the control means 45 controls the trajectory of the electron beam from the electron beam gun. The control computer 43 has functions such as creating, changing, and managing voltage patterns, and switching and controlling voltage generators. Reference numeral 46 denotes an oscilloscope for visually observing the signal from the computer 43.

この装置によれば、イオン化電流値に応じた電圧値を設
定している複数の電圧発生器44を設けているので、電
流パターンを検出して検出値に応じて電圧発生器44を
切替えることにより蒸着時、イオンブレーティング時に
所望の加熱パターンで制御することができる。
According to this device, since a plurality of voltage generators 44 are provided that set voltage values according to ionization current values, by detecting a current pattern and switching the voltage generators 44 according to the detected value, It is possible to control the desired heating pattern during vapor deposition and ion blating.

第7図は、別の制御装置を示す。この装置はイオン化電
流を検出して蒸着がイオンブレーティングかの加熱段階
を検知する検出器51を設け、また予め各種電流パター
ンが入っているディスク53を設けておく。そして検出
器51がらの加熱段階検出信号をコンピュータ52に入
力する。コンピュータ52では、加熱段階検出信号Iこ
基づいてディスク53内にある所定の電子ビームの偏向
電流のパターンを検索し、検索した電流パターンに基づ
いて上下方向偏向角を補正する。さらに検知した加熱段
階に対応する電圧パターン(θy。
FIG. 7 shows another control device. This device is equipped with a detector 51 that detects ionization current to detect the heating stage of vapor deposition or ion blating, and is also provided with a disk 53 containing various current patterns in advance. Then, the heating stage detection signal from the detector 51 is input to the computer 52. The computer 52 searches for a deflection current pattern of a predetermined electron beam within the disk 53 based on the heating stage detection signal I, and corrects the vertical deflection angle based on the searched current pattern. Furthermore, the voltage pattern (θy) corresponding to the detected heating stage.

θZ)を作成する。制御用コンピュータ52がらの出力
電圧を増幅器54に入力し、ここで出力電圧を増幅し、
所定の周波数で上下角信号(θy)、水平角信号(θ2
)を発信する。この信号に基づき制御手段55で電子ビ
ームガンからの電子ビームの軌跡を制御する。なお、1
IlIIl用コンピユータ52は電圧パターンの作成、
変更、管理、電圧増幅機の切替えと制御等の機能を有す
る。56はオシロスコープである。
θZ). The output voltage from the control computer 52 is input to the amplifier 54, where the output voltage is amplified,
Vertical angle signal (θy) and horizontal angle signal (θ2
). Based on this signal, the control means 55 controls the trajectory of the electron beam from the electron beam gun. In addition, 1
The IlIIl computer 52 creates voltage patterns,
It has functions such as changing, managing, switching and controlling voltage amplifiers. 56 is an oscilloscope.

[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、電子ビームの上
下方向角偏向に水平方向角情報からなる関数形を付加す
ることにより電子ビームの正確な制御が可能になった。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, accurate control of the electron beam has become possible by adding a functional form consisting of horizontal angle information to the vertical angle deflection of the electron beam.

また、蒸着時とイオン化時とでそれぞれ異なる電子ビー
ム制御電流を流すように切り替えることができる。
Further, it is possible to switch to flow different electron beam control currents during vapor deposition and during ionization.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は代表的な電子ビーム蒸着装置を示す図、第2図
は解析によって求めた坩堝回りの磁場分布を示す図、第
3図は解析と実験により求めた電子ビームの坩堝上の軌
跡を示す図、第4図は本発明で正確に直線走査制御され
た電子ビームの軌跡の一例を示す図、第5図は従来方法
による電子ビームの軌跡を示す図、第6図および第7図
は本発明装置のそれぞれ別の例を示すブロック図である
。 11・・・電子ビームガンの射出口、12・・・電子ビ
ームのyおよび2方向の偏向コイル、13・・・電子ビ
ームの軌跡、14・・・水冷銅性坩堝、15・・・蒸着
物質、16・・・電磁石、21・・・電子ビーム射出口
、22・・・電磁石ヨーク、23・・・電磁コイル、2
4・・・蒸着物面、25・・・磁束線、26・・・磁束
密度ベクトル、31・・・ビームの坩堝上着地線(解析
値)、32・・θy −−12,5°として02を振ら
した着地点(実験値)、33・・・坩堝内のり、41・
・・検出器、42・・・ディスク、43・・・コンピュ
ータ、44・・・電圧発生器、45・・・制御手段、4
6・・・オシロスコープ、51・・・検出器、52・・
コンピュータ、53・・ディスク、54・・・増幅器、
55・・・制御手段、56・・・オンロスコープ 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 b lFll 区 第2区
Figure 1 shows a typical electron beam evaporation device, Figure 2 shows the magnetic field distribution around the crucible determined by analysis, and Figure 3 shows the trajectory of the electron beam on the crucible determined by analysis and experiment. FIG. 4 is a diagram showing an example of the trajectory of an electron beam accurately controlled in a straight line according to the present invention, FIG. 5 is a diagram showing the trajectory of an electron beam according to the conventional method, and FIGS. FIG. 6 is a block diagram showing different examples of the device of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Emission port of electron beam gun, 12... Deflection coil of electron beam in y and two directions, 13... Trajectory of electron beam, 14... Water-cooled copper crucible, 15... Vapor deposition material, 16... Electromagnet, 21... Electron beam exit port, 22... Electromagnetic yoke, 23... Electromagnetic coil, 2
4... Deposit surface, 25... Magnetic flux line, 26... Magnetic flux density vector, 31... Beam landing line on crucible (analytical value), 32... 02 as θy −-12,5° Landing point where the was swung (experimental value), 33...Glue in the crucible, 41.
...Detector, 42...Disk, 43...Computer, 44...Voltage generator, 45...Control means, 4
6... Oscilloscope, 51... Detector, 52...
Computer, 53...disk, 54...amplifier,
55... Control means, 56... Onroscope applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue b lFll 2nd Ward

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)蒸着材料加熱用電子ビームガンからの電子ビーム
の上下方向偏向角と水平方向偏向角とを制御しながら、
予め設定した電子ビームの入射パターンに基づいて電子
ビームを蒸着材料に入射する電子ビームの加熱制御方法
であって、予め一定の上下方向偏向角と左右対称に振ら
せた水平方向偏向角とにおける電子ビームの入射位置を
得ておき、この入射位置に基づいて上下方向偏向角に水
平方向偏向角の情報からなる関数系を付加した補正をお
こない、この補正された上下方向偏向角と水平方向偏向
角とで、電子ビームが所望の入射パターンとなるように
制御する電子ビームの加熱制御方法。
(1) While controlling the vertical deflection angle and horizontal deflection angle of the electron beam from the electron beam gun for heating the evaporation material,
An electron beam heating control method in which an electron beam is incident on a vapor deposition material based on a preset electron beam incident pattern, the electron beam being heated at a predetermined vertical deflection angle and a symmetrical horizontal deflection angle. The incident position of the beam is obtained, and based on this incident position, a correction is performed by adding a function system consisting of information on the horizontal deflection angle to the vertical deflection angle, and the corrected vertical deflection angle and horizontal deflection angle are An electron beam heating control method for controlling the electron beam to have a desired incident pattern.
(2)蒸着材料加熱用電子ビームガンからの電子ビーム
の上下方向偏向角と水平方向偏向角とを制御しながら、
予め設定した電子ビームの入射パターンに基づいて電子
ビームを蒸着材料に入射する電子ビーム加熱制御装置で
あって、電子ビームによる加熱段階を検出する検出器と
、各加熱段階に対応し補正した上下方向偏向角と左右方
向偏向角のパターンが入力されている複数の電圧発生器
と、上記パターンの作成と電圧発生器への入力および検
出器からの信号に基づき複数の電圧発生器の中から対応
するパターンを持つ電圧発生器を選択し、電圧発生器の
起動、停止をおこなうコンピューターと、電圧発生器か
らの出力電圧に基づいて電子ビームの上下方向偏向角と
水平方向偏向角とを制御する制御手段とを具備する電子
ビームの加熱制御装置。
(2) While controlling the vertical deflection angle and horizontal deflection angle of the electron beam from the electron beam gun for heating the evaporation material,
An electron beam heating control device that injects an electron beam into a deposition material based on a preset electron beam incident pattern, and includes a detector that detects the heating stage by the electron beam, and a vertical direction corrected corresponding to each heating stage. A plurality of voltage generators into which patterns of deflection angles and horizontal deflection angles are input, and a response is selected from among the plurality of voltage generators based on the creation of the above patterns, input to the voltage generators, and signals from the detector. A computer that selects a voltage generator with a pattern and starts and stops the voltage generator, and a control means that controls the vertical deflection angle and horizontal deflection angle of the electron beam based on the output voltage from the voltage generator. An electron beam heating control device comprising:
(3)蒸着材料加熱用電子ビームガンからの電子ビーム
の上下方向偏向角と水平方向偏向角とを制御しながら、
予め設定した電子ビームの入射パターンに基づいて電子
ビームを蒸着材料に入射する電子ビーム加熱制御装置で
あって、電子ビームによる加熱段階を検出する検出器と
、検出器からの出力信号に基づいて電子ビームの偏向電
流のパターンを検出し、検出したパターンに基づいて上
下方向偏向角を補正して、上下方向偏向角と水平方向偏
向角に関する電圧を出力するコンピュータと、コンピュ
ータからの出力電圧信号を増幅する増幅器と、増幅器か
らの出力電圧に基づいて電子ビームの上下方向偏向角と
水平方向偏向角とを制御する制御手段とを具備してなる
電子ビームの加熱制御装置。
(3) While controlling the vertical deflection angle and horizontal deflection angle of the electron beam from the electron beam gun for heating the evaporation material,
An electron beam heating control device that injects an electron beam into a deposition material based on a preset electron beam incident pattern, and includes a detector that detects the heating stage by the electron beam, and an electron beam heating control device that A computer that detects the beam deflection current pattern, corrects the vertical deflection angle based on the detected pattern, and outputs voltages related to the vertical deflection angle and horizontal deflection angle, and amplifies the output voltage signal from the computer. 1. An electron beam heating control device comprising: an amplifier; and a control means for controlling a vertical deflection angle and a horizontal deflection angle of an electron beam based on an output voltage from the amplifier.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011017050A (en) * 2009-07-08 2011-01-27 Ulvac Japan Ltd Method for controlling electron beam

Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609871A (en) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd Vapor deposition device

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