JPH04157632A - Semiconductor laser driver circuit - Google Patents

Semiconductor laser driver circuit

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Publication number
JPH04157632A
JPH04157632A JP2282314A JP28231490A JPH04157632A JP H04157632 A JPH04157632 A JP H04157632A JP 2282314 A JP2282314 A JP 2282314A JP 28231490 A JP28231490 A JP 28231490A JP H04157632 A JPH04157632 A JP H04157632A
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JP
Japan
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current
power
semiconductor laser
recording
current source
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Application number
JP2282314A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuaki Sakurai
桜井 樹明
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To stably record, reproduce and erase by reducing noise by a high frequency current superposing method at the time of reproducing, outputting bottom power and record power at the time of recording, and outputting erasure power at the time of erasing. CONSTITUTION:When a current I1 corresponding to bottom power is set to a first current source 5 and the current I1 corresponding to the bottom power is high frequency-modulated and applied to a second current source 10 by an oscillator 6, a current I2 to become reproduced power is set. Further, when the current I1 corresponding to the bottom power is applied to a third current source 11, a current I3 to become recording power (or erasure power) is set, and the current I1 corresponding to the bottom power is high frequency- modulated by the oscillator 6 at the time of reproducing. Accordingly, a light source having low noise level is obtained at the time of reproducing, and light emitting power of a predetermined level is rapidly output at the time of recording, reproducing, erasing. Thus, recording, reproducing, erasing operations can be switched at a high speed, and stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】 皇東上立五■欠互 この発明は、光デイスク装置や光磁気ディスク装置等の
光学的情報記録装置で使用するのに好適な半導体レーザ
駆動回路に係り、特に、再生時においては、従来と同様
の高周波電流重畳法によってノイズを低減させ、また、
記録時においてはボトムパワーと記録パワーを出力し、
消去時においては消去パワーを出力することにより、安
定した記録、再生、消去動作を可能にした半導体レーザ
駆動回路しこ関する。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to a semiconductor laser drive circuit suitable for use in an optical information recording device such as an optical disk device or a magneto-optical disk device. In some cases, noise is reduced using the conventional high-frequency current superimposition method, and
During recording, it outputs bottom power and recording power,
The present invention relates to a semiconductor laser drive circuit that enables stable recording, reproducing, and erasing operations by outputting erasing power during erasing.

丈米ム肢生 光デイスクドライブ装置等においては、情報記録媒体で
あるディスク等へ光源から発光されたレーザビーム等の
光を出射し、その反射光によって、情報の記録、再生あ
るいは消去を行なっている。
In optical disk drives and the like, light such as a laser beam emitted from a light source is emitted onto a disk, which is an information recording medium, and the reflected light is used to record, reproduce, or erase information. There is.

この場合に、光源として半導体レーザを使用すると、情
報記録媒体からの反射光の一部が光源である半導体レー
ザに戻ることによって、ノイズが増大する(光帰還ノイ
ズ)、という問題がある。
In this case, if a semiconductor laser is used as a light source, there is a problem in that part of the reflected light from the information recording medium returns to the semiconductor laser, which is the light source, increasing noise (optical feedback noise).

このような半導体レーザのノイズを低減する従来の一つ
の半導体レーザ駆動方法として、半導体レーザを高周波
変調する方法、いわゆる高周波電流重畳法が知られてい
る。
As one conventional semiconductor laser driving method for reducing noise in such a semiconductor laser, a method of high-frequency modulation of a semiconductor laser, a so-called high-frequency current superimposition method, is known.

この高周波電流重畳法は、ビデオディスク等の再生専用
の光デイスク装置においては、極めて有効である。
This high-frequency current superimposition method is extremely effective in optical disc devices used exclusively for reproduction of video discs and the like.

しかしながら、この高周波電流重畳法では、再生パワー
しか発生させることができない。
However, this high-frequency current superimposition method can only generate reproduction power.

そのため、例えば光磁気ディスク装置のように、それぞ
れ異なるレベルの再生、記録、消去パワーを必要とし、
さらに、場合によっては、記録時に、書き込みデータ間
のパワー(いわゆるボトムパワー)を所定値に設定する
必要のある装置には、簡単に採用することができない。
Therefore, for example, magneto-optical disk devices require different levels of playback, recording, and erasing power.
Furthermore, in some cases, the present invention cannot be easily adopted in an apparatus that requires setting the power between written data (so-called bottom power) to a predetermined value during recording.

第3図は、光磁気ディスク装置の駆動に必要な各発光パ
ワーの相互の関係について、その−例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the relationship between the respective light emitting powers necessary for driving the magneto-optical disk device.

図面において、Bはボトムパワー、Rは再生パワー、W
は記録パワー、Eは消去パワーを示す。
In the drawing, B is the bottom power, R is the reproduction power, and W
indicates the recording power, and E indicates the erasing power.

この第3図に示すように、再生パワーRは、比較的低レ
ベルのパワーであり、高周波電流重畳法によって発生さ
せることが可能である。
As shown in FIG. 3, the reproduction power R is a relatively low level power, and can be generated by the high frequency current superimposition method.

しかし、高レベルの記録パワーWや、消去パワーEを、
高周波電流重畳法によって発生させることはできない上
に、ボトムパワーBも必要である。
However, the high level recording power W and erasing power E,
It cannot be generated by the high-frequency current superimposition method, and bottom power B is also required.

したがって、従来の高周波電流重畳法では、安定した記
録、再生、消去動作が可能な半導体レーザ1動回路は得
られない、という不都合があった。
Therefore, the conventional high-frequency current superimposition method has the disadvantage that it is not possible to obtain a single-operation semiconductor laser circuit capable of stable recording, reproducing, and erasing operations.

日が 決しようとする この発明では、従来の半導体レーザ鄭動回路における上
記の不都合を解決し、再生時においては、従来と同様の
高周波電流重畳法によりノイズを低減させ、また、記録
時においては、ボトムパワーと記録パワーを出力し、消
去時においては、消去パワーを出力するようにして、安
定した記録、再生、消去動作を可能にした半導体レーザ
1動回路を提供することを目的とする。
In this invention, which is about to be decided, the above-mentioned disadvantages of the conventional semiconductor laser driving circuit are solved. During reproduction, noise is reduced using the same high-frequency current superimposition method as in the conventional method, and during recording, noise is reduced. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser single-operation circuit which outputs bottom power and recording power, and outputs erasing power during erasing, thereby enabling stable recording, reproduction, and erasing operations.

を  するための手 この発明では、 半導体レーザからのビームを対物レンズにより情報記録
媒体上に集光して情報の記録・再生あるいは消去を行な
う光学的情報記録装置における半導体レーザの鄭動回路
であり、 直列に接続されたスイッチング回路と電流源を3組と、
高周波発振する発振回路とを備え、第1の電流源には、
ボトムパワー相当分の電流(I、)が設定され、 第2の電流源には、前記電流(I□)を前記発振回路と
第1の電流源に直列接続されたスイッチング回路によっ
て高調波変調し、その高調波変調電流に加えたとき再生
パワーとなる電流(I2)が設定され、 かつ、第3の電流源には、前記電流(I、)に加えたと
き記録あるいは消去パワーとなる電流(I、)が設定さ
れ、 再生時には、前記電流(I□)の高調波変調電流と、前
記電流(I、)によって再生パワーを出力し、 記録あるいは消去時には、前記電流(I、)と電流(I
、)によって記録あるいは消去パワーを出力するように
構成している。
This invention relates to a driving circuit for a semiconductor laser in an optical information recording device that records, reproduces, or erases information by condensing a beam from a semiconductor laser onto an information recording medium using an objective lens. , three sets of switching circuits and current sources connected in series,
The first current source includes an oscillation circuit that oscillates at a high frequency.
A current (I, ) corresponding to the bottom power is set, and the second current source harmonically modulates the current (I□) by a switching circuit connected in series with the oscillation circuit and the first current source. , a current (I2) is set that becomes the reproducing power when added to the harmonic modulation current, and a current (I2) that becomes the recording or erasing power when added to the current (I,) is set in the third current source. I, ) is set, and during playback, the harmonic modulation current of the current (I I
, ) to output recording or erasing power.

失−産−班 次に、この発明の半導体レーザ駆動回路について、図面
を参照しながら、その実施例を詳細に説明する。
Next, embodiments of the semiconductor laser drive circuit of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この発明の半導体レーザ駆動回路について、
その要部構成の一実施例を示す機能ブロック図である。
FIG. 1 shows the semiconductor laser drive circuit of the present invention.
FIG. 2 is a functional block diagram showing an example of the configuration of the main parts thereof.

図面において、1は半導体レーザ、2は受光素子、3は
I−V(電流−電圧)変換器、4は第1の制御回路、5
は第1の電流源、6は発振回路、7は第1のスイッチン
グ回路、8は第2のスイッチング回路、9は第3のスイ
ッチング回路、10は第2の電流源、11は第3の電流
源、12は第2の制御回路、13は第3の制御回路を示
し、また、Slは発振オン/オフ信号、S2は電流オン
/オフ信号、S3はデータ変調信号を示す。
In the drawing, 1 is a semiconductor laser, 2 is a light receiving element, 3 is an IV (current-voltage) converter, 4 is a first control circuit, and 5 is a semiconductor laser.
is a first current source, 6 is an oscillation circuit, 7 is a first switching circuit, 8 is a second switching circuit, 9 is a third switching circuit, 10 is a second current source, and 11 is a third current 12 is a second control circuit, 13 is a third control circuit, Sl is an oscillation on/off signal, S2 is a current on/off signal, and S3 is a data modulation signal.

最初に、この第1図に示した機能ブロックについて、そ
の構成と特徴を概略的に説明する。
First, the configuration and features of the functional blocks shown in FIG. 1 will be schematically explained.

まず、3組の直列に接続されたスイッチング回路と電流
源、すなわち、1組目として、第1の電流源5と第1の
スイッチング回路7.2組目として、第2のスイッチン
グ回路8と第2の電流源10.3組目として、第3のス
イッチング回路9と第3の電流源11、を備えている。
First, three sets of switching circuits and current sources are connected in series, that is, the first set includes the first current source 5 and the first switching circuit 7, and the second set includes the second switching circuit 8 and the first switching circuit 7. The second current source 10. includes a third switching circuit 9 and a third current source 11 as a third set.

そして、第1の電流源5には、ボトムパワー相当の電流
(I□)を設定する。
Then, the first current source 5 is set to a current (I□) corresponding to the bottom power.

また、第2の電流源10には、ボトムパワー相当の電流
(I、)を発振回路6によって高周波変調して加えたと
き、再生パワーになる電流(I2)を設定する。
Further, the second current source 10 is set with a current (I2) that becomes reproduction power when a current (I, ) corresponding to the bottom power is modulated at high frequency by the oscillation circuit 6 and applied.

さらに、第3の電流源11には、ボトムパワー相当の電
流(I1)を加えたとき、記録パワーあるいは消去パワ
ーになる電流(I、)を設定する。
Further, the third current source 11 is set to a current (I,) that becomes recording power or erasing power when a current (I1) corresponding to the bottom power is applied.

第2図は、この発明の半導体レーザ駆動回路におけるレ
ーザの電流−光畠力の特性図で、(1)は平均パワーで
ある第1の発光パワー、(2)は平均パワーよりも低い
パワーである第2の発光パワーを示す図である。図面に
おいて、横軸は電流量、縦軸は発光パワーレベルPであ
り、また、I1は第1の電流源5によって設定された電
流、I2は第2の電流源10によって設定された電流を
示す。
Figure 2 is a characteristic diagram of the laser current vs. optical power in the semiconductor laser drive circuit of the present invention, where (1) is the first emission power which is the average power, and (2) is the first emission power which is the average power. It is a figure which shows a certain 2nd light emission power. In the drawing, the horizontal axis is the amount of current, and the vertical axis is the light emission power level P, and I1 indicates the current set by the first current source 5, and I2 indicates the current set by the second current source 10. .

この第2図(1)は、半導体レーザ1を、第1の電流源
5によって設定された電流■1と第2の電流源10によ
って設定された電流量2で駆動し、かつ、電流量、に発
振回路6の高周波出力を重畳させた場合であり、第1の
発光パワー(平均パワー)が出力される。なお、この場
合には、第3の電流源11は停止状態にされている。
FIG. 2 (1) shows that the semiconductor laser 1 is driven with a current 1 set by the first current source 5 and a current 2 set by the second current source 10, and the current amount This is a case where the high frequency output of the oscillation circuit 6 is superimposed on the oscillation circuit 6, and the first light emission power (average power) is output. Note that in this case, the third current source 11 is in a stopped state.

また、第2図(2)は、半導体レーザ1を、第1の電流
源5によって設定された電流I工で駆動する場合で、発
振回路6を停止状態にすると共に、第2の電流源10と
第3の電流源11も停止状態にされる。
Further, FIG. 2 (2) shows a case where the semiconductor laser 1 is driven by the current I set by the first current source 5, and the oscillation circuit 6 is stopped and the second current source 10 Then, the third current source 11 is also stopped.

この場合には、第2の発光パワー(例えばボトムパワー
)が出力される。
In this case, the second light emission power (for example, bottom power) is output.

次に、以上のような電流(xz 、 I2 )を設定す
るための方法について説明する。
Next, a method for setting the above currents (xz, I2) will be explained.

先の第1図の回路において、半導体レーザ1から出射さ
れた光の一部を、受光素子2で受光して光電変換し、次
段のI−V変換器3を通して、半導体レーザ1の発光量
の検出を行なう。
In the circuit shown in FIG. 1, a part of the light emitted from the semiconductor laser 1 is received by the light receiving element 2, photoelectrically converted, and then passed through the IV converter 3 at the next stage to convert the amount of light emitted from the semiconductor laser 1. Detection is performed.

ここで、半導体レーザ1の点灯時には、I−V変換器3
の出力を、第1の制御回路4へ入力して第1の電流源5
をコントロールすることにより、半導体レーザ1に流れ
る電流をコントロールして、発光パワーを制御する。
Here, when the semiconductor laser 1 is turned on, the I-V converter 3
The output of
By controlling the current flowing through the semiconductor laser 1, the light emission power is controlled.

このとき、発振回路6を、発振オン/オフ信号Sユによ
ってオン状態にし、その発振出力を第1のスイッチング
回路7へ与えてスイッチングすることにより、平均的な
発光パワーとして、先の第2図(1)に示した第ルベル
の発光パワーが得られる。
At this time, the oscillation circuit 6 is turned on by the oscillation on/off signal S, and the oscillation output is applied to the first switching circuit 7 for switching, thereby obtaining the average light emission power as shown in FIG. The luminous power of the first rubel shown in (1) is obtained.

この場合には、第2の電流源10と第3の電流源11は
、それぞれ、第2の制御回路12と第3の制御回路13
によって、その電流が“O″にされている。
In this case, the second current source 10 and the third current source 11 are connected to the second control circuit 12 and the third control circuit 13, respectively.
The current is set to "O".

次に、所定のタイミングで、発振オン/オフ信号S1 
をコントロールして、発振回路6の動作を停止させ(こ
の場合の電流値は、第1の電流11it5で設定されて
いる電流が流れるように制御する)、同時に、電流オン
/オフ信号S2 をオフ状態にして、第2の電流源1o
の電流をオフにする。
Next, at a predetermined timing, the oscillation on/off signal S1
to stop the operation of the oscillation circuit 6 (in this case, the current value is controlled so that the current set by the first current 11it5 flows), and at the same time, the current on/off signal S2 is turned off. state, the second current source 1o
Turn off the current.

このとき、発光量を示すI−V変換器3の出力を、第2
の制御回路12へ与えて、所定量よりも発光量の方が多
い場合には、第2の電流源10から流れる電流量を所定
量増加させる。
At this time, the output of the IV converter 3 indicating the amount of light emission is
If the amount of light emitted is greater than a predetermined amount, the amount of current flowing from the second current source 10 is increased by a predetermined amount.

この状態で、再び、発振オン/オフ信号S1をコントロ
ールして、発振回路6を動作させ、また、電流オン/オ
フ信号S2をオン状態にして、第1の制御回路4で(第
1の電流源5をコントロールし)、第ルベルの発光パワ
ーによって半導体し−ザ1を制御する。
In this state, the oscillation on/off signal S1 is controlled again to operate the oscillation circuit 6, the current on/off signal S2 is turned on, and the first control circuit 4 (first current The semiconductor laser 1 is controlled by the light emitting power of the second level.

このような動作を順次繰り返えして、発振回路6がオフ
で、かつ、電流オン/オフ信号S2がオフのときに、第
2の発光パワー(例えばボトムパワ)となるように、第
2の電流源10の電流量を所定のタイミングで変化させ
る。
By repeating such operations in sequence, the second light emitting power (for example, bottom power) is generated when the oscillation circuit 6 is off and the current on/off signal S2 is off. The amount of current of the current source 10 is changed at a predetermined timing.

このような制御を行なうことによって、先の第2図に示
したような電流配分となり、半導体レーザ1の発光パワ
ーが制御される。   ゛また。さらに別のタイミング
で、発振回路6をオフ、電流オン/オフ信号S2をオフ
にし、第3のスイッチング@111r9をオンにして、
第3の電流源11で設定された電流を、半導体レーザl
へ追加して流す。
By performing such control, the current distribution as shown in FIG. 2 is achieved, and the emission power of the semiconductor laser 1 is controlled.゛Again. At another timing, the oscillation circuit 6 is turned off, the current on/off signal S2 is turned off, and the third switching @111r9 is turned on.
The current set by the third current source 11 is applied to the semiconductor laser l.
Add to and stream.

そして、このときの半導体レーザ1の発光量によって、
第3の制御回路13が第3の電流源11に流す電流量(
I、)を決定する。
Then, depending on the amount of light emitted from the semiconductor laser 1 at this time,
The amount of current (
I,) is determined.

このように電流量を設定することにより、第1の電流源
5の電流(I1)と第3の電流源11の電流(I3)と
の和(I、+1.)によって、第3のレベルの発光パワ
ー(例えば記録あるいは消去パワー)の出力が可能とな
る。
By setting the current amount in this way, the third level is determined by the sum (I, +1.) of the current (I1) of the first current source 5 and the current (I3) of the third current source 11. It becomes possible to output light emission power (for example, recording or erasing power).

以上のように、この発明の半導体レーザ駆動回路では、
所定のタイミングで、3つの電流源(第1〜第3の電流
源5.No、11)に所定の電流を設定しておくことに
よって、実際の再生、記録。
As described above, in the semiconductor laser drive circuit of the present invention,
Actual reproduction and recording can be performed by setting a predetermined current to three current sources (first to third current sources 5, No. 11) at a predetermined timing.

消去時には、発振オン/オフ信号S□と、電流オン/オ
フ信号S2と、データ変調信号S3とをコントロールす
ることにより、所定レベルの発光パワーが迅速に得られ
る。
During erasing, a predetermined level of light emission power can be quickly obtained by controlling the oscillation on/off signal S□, the current on/off signal S2, and the data modulation signal S3.

また、再生時においては、ボトムパワー相当分の電流が
発振回路6(発振周波数は数100MHz)の出力によ
って高周波でオン/オフされるので、充分にノイズレベ
ルの低い光源が得られる。
Furthermore, during reproduction, a current corresponding to the bottom power is turned on and off at high frequency by the output of the oscillation circuit 6 (oscillation frequency is several 100 MHz), so a light source with sufficiently low noise level can be obtained.

すなわち、この再生時には、従来と同様の高周波電流重
畳法によって、ノイズが低減されたパワーが発生される
That is, during this reproduction, power with reduced noise is generated by the high frequency current superimposition method similar to the conventional method.

災艷叫麦米 この発明の半導体レーザ駆動回路では、第1の電流源に
は、ボトムパワー相当の電流(I1)を設定し、第2の
電流源には、ボトムパワー相当の電流(11)を発振回
路6によって高周波変調して加えたとき、再生パワーに
なる電流(I2)を設定し、さらに、第3の電流源には
、ボトムパワー相当の電流(I、)を加えたとき、記録
パワー(あるいは消去パワー)になる電流(I8)を設
定しておき、再生時には、ボトムパワー相当の電流(I
、)を発振回路6によって高周波変調している。
In the semiconductor laser drive circuit of the present invention, the first current source is set to a current (I1) equivalent to the bottom power, and the second current source is set to a current (I1) equivalent to the bottom power. When high-frequency modulated and applied by the oscillation circuit 6, a current (I2) that becomes the reproduction power is set, and when a current (I,) equivalent to the bottom power is applied to the third current source, the recording The current (I8) that becomes the power (or erase power) is set, and during playback, the current (I8) equivalent to the bottom power is set.
, ) are high-frequency modulated by the oscillation circuit 6.

したがって、再生時においては、ノイズレベルの低い光
源が得られ、また、記録、再生、消去時には、所定レベ
ルの発光パワーが迅速に出力されるので、記録、再生、
消去動作の高速な切り換えが可能になる、等の多くの優
れた効果が奏せられる。
Therefore, during playback, a light source with a low noise level is obtained, and during recording, playback, and erasing, a predetermined level of light emission power is quickly output.
Many excellent effects can be achieved, such as enabling high-speed switching of erase operations.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の半導体レーザ駆動回路について、
その要部構成の一実施例を示す機能ブロック図、 第2図は、この発明の半導体レーザ駆動回路におけるレ
ーザの電流−光出力の特性図、第3図は、光磁気ディス
ク装置の駆動に必要な各発光パワーの相互の関係につい
て、その−例を示す図。 図面において、1は半導体レーザ、2は受光素子、3は
I−V変換器、4は第1の制御回路、5は第1の電流源
、6は発振回路、7は第1のスイッチング回路、8は第
2のスイッチング回路、9は第3のスイッチング回路、
1oは第2の電流源、11は第3の電流源、12は第2
の制御回路、13は第3の制御回路。 同 代理人 弁理士 冨用 次京18.・ゲ飄二、/
FIG. 1 shows the semiconductor laser drive circuit of the present invention.
FIG. 2 is a characteristic diagram of laser current vs. optical output in the semiconductor laser drive circuit of the present invention, and FIG. 3 is a functional block diagram showing one embodiment of the main configuration. FIG. 3 is a diagram showing an example of the mutual relationship of each emission power. In the drawing, 1 is a semiconductor laser, 2 is a light receiving element, 3 is an IV converter, 4 is a first control circuit, 5 is a first current source, 6 is an oscillation circuit, 7 is a first switching circuit, 8 is a second switching circuit, 9 is a third switching circuit,
1o is the second current source, 11 is the third current source, 12 is the second current source
13 is a third control circuit. Agent: Patent Attorney Tomiyoshi Jikyo 18.・Getsuji, /

Claims (1)

【特許請求の範囲】 半導体レーザからのビームを対物レンズにより情報記録
媒体上に集光して情報の記録・再生あるいは消去を行な
う光学的情報記録装置における半導体レーザの駆動回路
であり、 直列に接続されたスイッチング回路と電流源を3組と、
高周波発振する発振回路とを備え、第1の電流源には、
ボトムパワー相当分の電流(I_1)が設定され、 第2の電流源には、前記電流(I_1)を前記発振回路
と第1の電流源に直列接続されたスイッチング回路によ
って高調波変調し、その高調波変調電流に加えたとき再
生パワーとなる電流(I_2)が設定され、 かつ、第3の電流源には、前記電流(I_1)に加えた
とき記録あるいは消去パワーとなる電流(I_3)が設
定され、 再生時には、前記電流(I_1)の高調波変調電流と、
前記電流(I_2)によつて再生パワーを出力し、 記録あるいは消去時には、前記電流(I_1)と電流(
I_3)によつて記録あるいは消去パワーを出力するこ
とを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
[Claims] A drive circuit for a semiconductor laser in an optical information recording device that records, reproduces, or erases information by condensing a beam from a semiconductor laser onto an information recording medium using an objective lens, and is connected in series. three sets of switching circuits and current sources,
The first current source includes an oscillation circuit that oscillates at a high frequency.
A current (I_1) corresponding to the bottom power is set, and the second current source harmonically modulates the current (I_1) by a switching circuit connected in series with the oscillation circuit and the first current source. A current (I_2) is set that becomes a reproduction power when added to the harmonic modulation current, and a current (I_3) that becomes a recording or erasing power when added to the current (I_1) is set in the third current source. is set, and at the time of playback, a harmonic modulation current of the current (I_1) and
Reproduction power is output using the current (I_2), and during recording or erasing, the current (I_1) and the current (
A semiconductor laser drive circuit characterized in that it outputs recording or erasing power using I_3).
JP2282314A 1990-10-20 1990-10-20 Semiconductor laser driver circuit Pending JPH04157632A (en)

Priority Applications (1)

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JP2282314A JPH04157632A (en) 1990-10-20 1990-10-20 Semiconductor laser driver circuit

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568464A (en) * 1993-11-18 1996-10-22 Olympus Optical Co., Ltd. Semiconductor laser driving apparatus utilizing three current sources to control read and write light power
US6556535B1 (en) * 1999-03-10 2003-04-29 Nec Corporation Optical recording/reproducing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568464A (en) * 1993-11-18 1996-10-22 Olympus Optical Co., Ltd. Semiconductor laser driving apparatus utilizing three current sources to control read and write light power
US6556535B1 (en) * 1999-03-10 2003-04-29 Nec Corporation Optical recording/reproducing apparatus

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