JPH04157168A - 無電解ニッケルめっき方法 - Google Patents
無電解ニッケルめっき方法Info
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- JPH04157168A JPH04157168A JP27801190A JP27801190A JPH04157168A JP H04157168 A JPH04157168 A JP H04157168A JP 27801190 A JP27801190 A JP 27801190A JP 27801190 A JP27801190 A JP 27801190A JP H04157168 A JPH04157168 A JP H04157168A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は無電解ニッケルめっき方法に関する。
無電解ニッケルめっきは、第１金属が触媒となってめっ
き反応が行われるため、ニッケル、鉄等の素地上には、
めっき前処理をする必要がなく、自己触媒反応により無
電解ニッケルめっきが可能である。しかしながら、ニッ
ケルの触媒作用の無い第１に金属の銅、銀、金等は、そ
のままではめっき反応が起こらないため、めっき前処理
が必要である。めっき前処理は通常鋼などの金属または
金属パターンの表面の一部を第８属金属のパラジウムと
Ｗ換させて、ニッケルの触媒作用を持たせるような置換
パラジウム処理を行う、この置換パラジウム処理液は第
８属金属以外の金属にもニッケルの触媒作用を与える反
面、無電解ニッケルめっき液に混入した場合は、液安定
性を著しく低下させる。そのため置換パラジウム処理と
無電解ニッケルめっき処理の間の水洗は十分に行う必要
がある。置換パラジウム処理した金属板または金属パタ
ーンを形成した絶縁板は水洗後、無電解ニッケルめっき
処理され、金属部分に１５〜２０μＩＩＩ／ｈのニッケ
ル皮膜が得られる。
き反応が行われるため、ニッケル、鉄等の素地上には、
めっき前処理をする必要がなく、自己触媒反応により無
電解ニッケルめっきが可能である。しかしながら、ニッ
ケルの触媒作用の無い第１に金属の銅、銀、金等は、そ
のままではめっき反応が起こらないため、めっき前処理
が必要である。めっき前処理は通常鋼などの金属または
金属パターンの表面の一部を第８属金属のパラジウムと
Ｗ換させて、ニッケルの触媒作用を持たせるような置換
パラジウム処理を行う、この置換パラジウム処理液は第
８属金属以外の金属にもニッケルの触媒作用を与える反
面、無電解ニッケルめっき液に混入した場合は、液安定
性を著しく低下させる。そのため置換パラジウム処理と
無電解ニッケルめっき処理の間の水洗は十分に行う必要
がある。置換パラジウム処理した金属板または金属パタ
ーンを形成した絶縁板は水洗後、無電解ニッケルめっき
処理され、金属部分に１５〜２０μＩＩＩ／ｈのニッケ
ル皮膜が得られる。
無電解ニッケルめっき方法は、例えば称公昭５６−２２
９４５号公報記載の方法で行われる。
９４５号公報記載の方法で行われる。
従来の無電解ニッケルめっき方法は、置換パラジウム処
理液の＄電解ニッケルめっき液への混入を防いだり、過
剰なパラジウム吸着やパラジウム残査によるニッケルふ
りゃ絶縁材上への二、ケルはみ出しを防ぐため、置換パ
ラジウム処理後の水洗を十分に行うことにより、金属板
表面または金属パターン表面が酸化し、無電解ニッケル
めっきが反応しなかったり、反応するまでの時間（以下
ティクタイムと記す）が長くなることがまれにあった。
理液の＄電解ニッケルめっき液への混入を防いだり、過
剰なパラジウム吸着やパラジウム残査によるニッケルふ
りゃ絶縁材上への二、ケルはみ出しを防ぐため、置換パ
ラジウム処理後の水洗を十分に行うことにより、金属板
表面または金属パターン表面が酸化し、無電解ニッケル
めっきが反応しなかったり、反応するまでの時間（以下
ティクタイムと記す）が長くなることがまれにあった。
本発明は、金属板及び金属パターンを形成した絶縁板を
無電解ニッケルめっき処理直前に硫酸と酢酸アンモニウ
ム４水和物を含む水溶液で処理することにより、金属表
面の酸化による無電解ニッケルめっきの未反応やティク
タイムの増加が起こらない無電解ニッケルめっき方法で
ある。
無電解ニッケルめっき処理直前に硫酸と酢酸アンモニウ
ム４水和物を含む水溶液で処理することにより、金属表
面の酸化による無電解ニッケルめっきの未反応やティク
タイムの増加が起こらない無電解ニッケルめっき方法で
ある。
本発明は、金属板または金属パターンを形成した絶縁板
を１換パラジウム触媒液処理し、水洗し、硫酸と酢酸ア
ンモニウム４水和物を含む水溶液で処理し、無電解ニッ
ケル−リンめつき液で処理し、金属板上または金属パタ
ーン上にニッケル得ることを特徴とする無電解ニッケル
めっき方法である。
を１換パラジウム触媒液処理し、水洗し、硫酸と酢酸ア
ンモニウム４水和物を含む水溶液で処理し、無電解ニッ
ケル−リンめつき液で処理し、金属板上または金属パタ
ーン上にニッケル得ることを特徴とする無電解ニッケル
めっき方法である。
硫酸と酢酸アンモニウム４水和物を含む水溶液の硫酸濃
度は０．０２〜ｌ， ８ ｓｏｌ／ １、好ましくは０
。
度は０．０２〜ｌ， ８ ｓｏｌ／ １、好ましくは０
。
３６〜０． ９ ０ ｇｏ＋／ １で使用される．ａ酸
濃度が０。
濃度が０。
０ １ ９ｍｏｌ／ｊ！以下では十分な金属酸化膜の除
去が行われず、１． ８ １ ｍｏｌ／ １以上では連
続処理により無電解ニッケルめっき液のｐＨを低下させ
、ニッケル析出速度を低下させる。
去が行われず、１． ８ １ ｍｏｌ／ １以上では連
続処理により無電解ニッケルめっき液のｐＨを低下させ
、ニッケル析出速度を低下させる。
酢酸アンモニウム４水和物濃度は０．０１〜０．４ｍｏ
ｌ／ｊ！、好ましくは０． ０ ４ 〜０． １ ２
＋ｓｏｌ／ ｌで使用される。酢酸アンモニウム４水和
物は無電解ニッケルめっき液への硫酸混入によるめっき
活性の低下を緩和する働きをし、Ｏ． Ｏ Ｏ ９ｓｏ
ｌ／１以下では効果なく 、０． ４ １１ｓｏｌ／ｆ
ｆｉ以上では不溶分を生じ、液が不安定になる。この液
は常温５〜３．８′℃で使用される。
ｌ／ｊ！、好ましくは０． ０ ４ 〜０． １ ２
＋ｓｏｌ／ ｌで使用される。酢酸アンモニウム４水和
物は無電解ニッケルめっき液への硫酸混入によるめっき
活性の低下を緩和する働きをし、Ｏ． Ｏ Ｏ ９ｓｏ
ｌ／１以下では効果なく 、０． ４ １１ｓｏｌ／ｆ
ｆｉ以上では不溶分を生じ、液が不安定になる。この液
は常温５〜３．８′℃で使用される。
実施例１
銅板５ ０ｓ−Ｘ ５ ０ｍｍｘ ’ １ ｍｓをスコ
ッチブライト（住友３ＭＴｌｌ製品名）で平研磨した後
、置換パラジウム触媒液、メルプレートアクチベータ３
５０ （メルテンクス■製品名）１０倍純水希釈液で３
０℃５分間処理し、５分間水洗し、ｆｆｌ酸０．０９−
〇ｌ／ｌと酢酸ニッケル４水和物０． ０ ６ ｍｏｌ
／ １を含む水溶液で２０℃３０秒間処理し、無電解ニ
ッケルめっき液ブルーシューマー（日本カニゼン■製品
名）５倍純水希釈液で９０℃ｌＯ分間処理した。
ッチブライト（住友３ＭＴｌｌ製品名）で平研磨した後
、置換パラジウム触媒液、メルプレートアクチベータ３
５０ （メルテンクス■製品名）１０倍純水希釈液で３
０℃５分間処理し、５分間水洗し、ｆｆｌ酸０．０９−
〇ｌ／ｌと酢酸ニッケル４水和物０． ０ ６ ｍｏｌ
／ １を含む水溶液で２０℃３０秒間処理し、無電解ニ
ッケルめっき液ブルーシューマー（日本カニゼン■製品
名）５倍純水希釈液で９０℃ｌＯ分間処理した。
ニッケルめっき厚は３．５μｍ、ティクタイムは３５秒
であった。
であった。
実施例２
銅パターンを形成したガラスエポキシ基板５０ｍａＸ５
０■−Ｘ’１．６ｍｍをクリーナーコンディジツナ−Ｃ
ＬＣ−４０１ （日立化成工業■製品名）２０倍純水希
釈液で５５℃４分間処理し、水洗後退ＶＡ酸アンモニウ
ム２００ｇ／ｊ！水溶液で２０℃２分間処理し、水洗後
メルプレートアクチヘータ３５０ （メルテノクス■製
品名＞１０倍純水希釈液で３０℃５分間処理、５分間水
洗し、［酸０．３６ＩＩＩＯｌ／ｌと酢酸ニッケル４水
和物０． ０ ４ｓｏｌ／ Ｉｌを含む水溶液で２０℃
３０秒間処理し、無電解ニッケルめっき液ブルーシュー
マー（日本カニゼン■製品名）５倍純水希釈液で９０℃
ｌＯ分間処理した。
０■−Ｘ’１．６ｍｍをクリーナーコンディジツナ−Ｃ
ＬＣ−４０１ （日立化成工業■製品名）２０倍純水希
釈液で５５℃４分間処理し、水洗後退ＶＡ酸アンモニウ
ム２００ｇ／ｊ！水溶液で２０℃２分間処理し、水洗後
メルプレートアクチヘータ３５０ （メルテノクス■製
品名＞１０倍純水希釈液で３０℃５分間処理、５分間水
洗し、［酸０．３６ＩＩＩＯｌ／ｌと酢酸ニッケル４水
和物０． ０ ４ｓｏｌ／ Ｉｌを含む水溶液で２０℃
３０秒間処理し、無電解ニッケルめっき液ブルーシュー
マー（日本カニゼン■製品名）５倍純水希釈液で９０℃
ｌＯ分間処理した。
ニッケルめっき厚は３．２μ蒙でエポキシ面上へのニッ
ケルはみ出しは無かった．ティクタイムは３８秒であっ
た。
ケルはみ出しは無かった．ティクタイムは３８秒であっ
た。
比較例１
銅板５０１１Ｉ１１×５０１１１１ｘＬＩＩＩ１１をス
コッチブライト（住友３Ｍ＠製品名）で平研磨した後、
置換パラジウム触媒液、メルプレートアチベータ３５０
（メルテックス■製品名）１０倍純水希釈液で３０℃５
分間処理、５分間水洗し、無電解ニッケルめっキ液ブル
ーシューマー（日本カニゼン■製品名）５倍純水希釈液
で９０℃１０分間処理した。
コッチブライト（住友３Ｍ＠製品名）で平研磨した後、
置換パラジウム触媒液、メルプレートアチベータ３５０
（メルテックス■製品名）１０倍純水希釈液で３０℃５
分間処理、５分間水洗し、無電解ニッケルめっキ液ブル
ーシューマー（日本カニゼン■製品名）５倍純水希釈液
で９０℃１０分間処理した。
銅板上には酸化による変色が見られ、１０分たっても無
電解ニッケルめっきは未反応であった。
電解ニッケルめっきは未反応であった。
比較例２
銅パターンを形成したガラスエポキノ基板５〇−■×５
０■−ＸＪ、６■−をクリーナーコンデインヨナーＣＬ
Ｃ−４０１（日立化成工業■製品名）２０倍純水希釈液
で５５℃４分間処理し、水洗後退ｇ＃アンモニウム２０
０ ｇ／ｌ水溶液で２０℃２分間処理し、水洗後メルプ
レートアクチヘータ３５０ （メルテソクス■製品名）
１０倍純水希釈液で３０℃５分間処理し、１分間水洗し
、無電解ニッケルめっき液ブルーンユーマー（日本カニ
ゼン■製品名）５倍純水希釈液で９０℃１０分間処理し
た。ニッケルめっき厚は３．７μｍであったが、エポキ
シ面上に最大５０μｍのニッケルはみ出しがあった。テ
ィクタイムは３０秒であった。
０■−ＸＪ、６■−をクリーナーコンデインヨナーＣＬ
Ｃ−４０１（日立化成工業■製品名）２０倍純水希釈液
で５５℃４分間処理し、水洗後退ｇ＃アンモニウム２０
０ ｇ／ｌ水溶液で２０℃２分間処理し、水洗後メルプ
レートアクチヘータ３５０ （メルテソクス■製品名）
１０倍純水希釈液で３０℃５分間処理し、１分間水洗し
、無電解ニッケルめっき液ブルーンユーマー（日本カニ
ゼン■製品名）５倍純水希釈液で９０℃１０分間処理し
た。ニッケルめっき厚は３．７μｍであったが、エポキ
シ面上に最大５０μｍのニッケルはみ出しがあった。テ
ィクタイムは３０秒であった。
本発明により次の効果が得られた。
（１）置換パラジウム処理後の十分な水洗により金属表
面が酸化しても、無電解ニッケルめっきの未析出やティ
クタイムが増加する傾向が見られない。
面が酸化しても、無電解ニッケルめっきの未析出やティ
クタイムが増加する傾向が見られない。
（２）過剰なパラジウムを水洗により＋牙に除去できる
のでニッケルふりゃ絶縁材上へのニッケルはみ出し析出
が起こらない。
のでニッケルふりゃ絶縁材上へのニッケルはみ出し析出
が起こらない。
Claims (2)
- １．金属板または金属パターンを形成した絶縁板を置換
パラジウム触媒液処理し、水洗し、硫酸と酢酸アンモニ
ウム４水和物を含む水溶液で処理し、無電解ニッケル−
リンめっき液で処理し、金属板上または金属パターン上
にニッケル皮膜を形成することを特徴とする無電解ニッ
ケルめっき方法。 - ２．前記硫酸と酢酸アンモニウム４水和物を含む水溶液
の硫酸濃度が０．０２〜１．８ｍｏｌ／ｌ、酢酸アンモ
ニウム４水和物濃度が０．０１〜０．４ｍｏｌ／ｌであ
ることを特徴とする請求項１記載の無電解ニッケルめっ
き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27801190A JPH04157168A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 無電解ニッケルめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27801190A JPH04157168A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 無電解ニッケルめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157168A true JPH04157168A (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17591397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27801190A Pending JPH04157168A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 無電解ニッケルめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04157168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030049255A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 이병오 | 우산대의 도금방법 |
| US6733823B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-05-11 | The Johns Hopkins University | Method for electroless gold plating of conductive traces on printed circuit boards |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP27801190A patent/JPH04157168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733823B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-05-11 | The Johns Hopkins University | Method for electroless gold plating of conductive traces on printed circuit boards |
| KR20030049255A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 이병오 | 우산대의 도금방법 |
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