JPH04152701A - Magnetostatic surface wave filter - Google Patents

Magnetostatic surface wave filter

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JPH04152701A
JPH04152701A JP27641290A JP27641290A JPH04152701A JP H04152701 A JPH04152701 A JP H04152701A JP 27641290 A JP27641290 A JP 27641290A JP 27641290 A JP27641290 A JP 27641290A JP H04152701 A JPH04152701 A JP H04152701A
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JP
Japan
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spacer
parallel strip
thickness
magnetostatic surface
surface wave
Prior art date
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Pending
Application number
JP27641290A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Uzawa
鵜沢 幸一
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To suppress spurious response by placing a spacer whose thickness is a multiple of 0.75 or over and 5 or below of an electrode pitch of each of parallel strip transducer between the parallel strip transducer and a ferromagnetic substance single crystal thin film. CONSTITUTION:A coupling quantity between a magnetostatic surface wave and a high frequency signal of a magnetostatic surface filter depends on the thickness of a spacer placed between a parallel strip transducer and a ferromagnetic substance single crystal thin film. A glass plate is adopted for the material of the spacer 3. The electrode pitch of each of the said transducers 6, 7 is selected normally to be 100-1000mum, and in this embodiment, the pitch is selected to be 600mum. That is, when the spacer whose thickness is 0.45mm (a multiple of 0.75), no spurious response is observed. Thus, it is required to select the thickness of the spacer 3 to be a multiple of 0.75 of the electrode pitch of each of the said transducers 6, 7. On the other hand, the insertion loss with a desired response is increased by selecting the thickness of the spacer to be a multiple of 5 of the pitch or over especially.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、マイクロ波無線装置に用いる静磁表面波フィ
ルタに関し、特にスプリアス特性の改良された静磁表面
波フィルタに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a magnetostatic surface wave filter used in a microwave radio device, and more particularly to a magnetostatic surface wave filter with improved spurious characteristics.

(従来の技術) 通常の静磁表面波フィルタの構成例を第1図に示す。1
は誘電体基板、2は強磁性体単結晶薄膜を片面に形成し
た単結晶基板(以下試料と略称)、3はスペーサ、4は
誘電体基板1に形成された金属薄膜パターン、5は接地
導体、6は入力側パラレルストリップ・トランスジュー
サ、7は出力側パラレルストリップ・トランスジューサ
である。
(Prior Art) An example of the configuration of a normal magnetostatic surface wave filter is shown in FIG. 1
2 is a dielectric substrate, 2 is a single crystal substrate with a ferromagnetic single crystal thin film formed on one side (hereinafter referred to as sample), 3 is a spacer, 4 is a metal thin film pattern formed on the dielectric substrate 1, and 5 is a ground conductor. , 6 is an input side parallel strip transducer, and 7 is an output side parallel strip transducer.

試料2として例えばガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト(C,C,C,)基板上にインドリウム・鉄・ガーネ
ット(Y、r、  G、)I膜を形成したものであり、
Y、I、 (:、、¥iI膜側を誘電体基板1に対向す
るようにスペーサ3を介して配置される。
As sample 2, for example, an indium-iron-garnet (Y, r, G,) I film was formed on a gadolinium-gallium-garnet (C, C, C,) substrate.
Y, I, (:,,\iI are arranged with the spacer 3 in between so that the film side faces the dielectric substrate 1.

誘電体基板1は例えばマルミナセラミッ、りである。The dielectric substrate 1 is made of, for example, Marumina ceramic.

金属薄膜パターン4、入力側パラレルストリップ・トラ
ンスジューサ6及び出力側パラレルストリップ・トラン
スジューサ7は例えば誘電体基板1上にフォトエツチン
グ法を用いて形成されたものであり、金属薄膜パターン
4、誘電体基板l及び接地導体5によりマイクロストリ
ップ線路を構成している。スペーサ3は低透磁率かつ低
誘電率の材料を用いる。
The metal thin film pattern 4, the input side parallel strip transducer 6, and the output side parallel strip transducer 7 are formed, for example, on the dielectric substrate 1 using a photoetching method, and the metal thin film pattern 4, the dielectric substrate l and the ground conductor 5 constitute a microstrip line. The spacer 3 is made of a material with low magnetic permeability and low dielectric constant.

このような構成においで、A点から入力された高周波信
号はマイクロストリップ線路に沿って試料2の下部に設
置された入力側パラレルストリップ・トランスジューサ
6に伝送される。ここで試料2には直流磁界を強磁性体
単結晶薄膜の面に平行で、パラレルストリップ・トラン
スジューサの長手方向に印加して磁化させておく。入力
側パラレルストリップ・トランスジューサ6から生じる
高周波磁界により試料2の強磁性体薄膜上に静磁表面波
が励振され、出力側パラレルストリ・ノブ・トランスジ
ューサ7の方向へ静磁表面波は伝搬する。つぎに出力側
パラレルストリップ・トランスジューサ7で静磁表面波
のエネルギーは高周波磁界に変換され、マイクロストリ
ップ線路に沿ってB点に伝送される。したがって、A点
からB点への伝送特性は印加した直流磁界の大きさ、強
磁性体薄膜の飽和磁化の大きさ及び入出力パラレルスト
リップ・トランスジューサの形状により決まる周波数帯
域のみが通過する帯域通過特性を示す。
In such a configuration, the high frequency signal input from point A is transmitted along the microstrip line to the input side parallel strip transducer 6 installed below the sample 2. Here, sample 2 is magnetized by applying a DC magnetic field parallel to the plane of the ferromagnetic single crystal thin film in the longitudinal direction of the parallel strip transducer. A high frequency magnetic field generated from the input parallel strip transducer 6 excites magnetostatic surface waves on the ferromagnetic thin film of the sample 2, and the magnetostatic surface waves propagate toward the output parallel strip knob transducer 7. Next, the output side parallel strip transducer 7 converts the magnetostatic surface wave energy into a high frequency magnetic field, which is transmitted to point B along the microstrip line. Therefore, the transmission characteristic from point A to point B is a bandpass characteristic in which only the frequency band determined by the magnitude of the applied DC magnetic field, the magnitude of saturation magnetization of the ferromagnetic thin film, and the shape of the input/output parallel strip transducer passes. shows.

(発明が解決しようとする課題) 上記構成のフィルタにおいては、高周波信号と静磁表面
波との結合量をスペーサの厚さにより制御している。こ
れは、高周波信号と静磁表面波との結合量を適当に選ぶ
ことにより、希望の周波数帯域のみを励振し、不用なス
プリアス応答を抑圧するためである。しかし従来の[表
面波フィルタは、例えば−、l5hak、 E、Ree
se、 R,Beer及び門、FoimlerのIEE
E Transaction on Magnetic
s Vol。
(Problems to be Solved by the Invention) In the filter having the above configuration, the amount of coupling between the high frequency signal and the magnetostatic surface wave is controlled by the thickness of the spacer. This is because by appropriately selecting the amount of coupling between the high frequency signal and the magnetostatic surface wave, only the desired frequency band can be excited and unnecessary spurious responses can be suppressed. However, conventional surface wave filters, such as -, l5hak, E, Ree
se, R, Beer and Gate, Foimler's IEE
E Transaction on Magnetic
s Vol.

20 No、5 pp、1229〜1231に発表した
論文”Tunable magnetostatic 
wave oscillatorsusingpure
 and doped YIG films”に示され
ているように、スペーサの厚さは励振する静磁表面波の
波長すなわちパラレルストリップ・トランスジューサの
電極周期長の0.65倍にしている。このスペーサの厚
さでは通過帯域の高周波側にスプリアス応答が観測され
る。これはパラレルストリップ・トランスジューサでの
高周波磁界のエネルギーと静磁表面波のエネルギーとの
結合量が、実際のスペーサの厚さではな(、励振する静
磁波の波長に対するスペーサの厚さで決まるためである
20 No., 5 pp., 1229-1231 “Tunable magnetostatic”
wave oscillator sustaining pure
and doped YIG films, the spacer thickness is set to 0.65 times the wavelength of the magnetostatic surface wave to be excited, that is, the electrode period length of the parallel strip transducer.With this spacer thickness, A spurious response is observed on the high frequency side of the passband.This is because the amount of coupling between the energy of the high frequency magnetic field and the energy of the magnetostatic surface wave in the parallel strip transducer does not depend on the actual spacer thickness (i.e., This is because it is determined by the thickness of the spacer relative to the wavelength of the magnetostatic wave.

前述の論文ではパラレルストリップ・トランスジューサ
の電極周期長が600μmであるのに対し、スペーサの
厚さは390μmに設定している。
In the above-mentioned paper, the electrode period length of the parallel strip transducer is 600 μm, whereas the spacer thickness is set to 390 μm.

このように従来の静磁表面波フィルタではスプリアス応
答を充分に抑圧できないという欠点を有している。
As described above, conventional magnetostatic surface wave filters have the disadvantage that spurious responses cannot be suppressed sufficiently.

そこで、本発明の目的は、スプリアス応答を充分に抑圧
できる静磁表面波フィルタを提供するものである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a magnetostatic surface wave filter that can sufficiently suppress spurious responses.

(課題を解決するための手段) 本発明は、この目的を達成するために、強磁性体単結晶
薄膜が面上に形成された単結晶基板を用い、パラレルス
トリップ・トランスジューサを用いて静磁表面波を励振
する静磁表面波フィルタであって、該パラレルストリッ
プ・トランスジューサと該強磁性体単結晶薄膜との間に
該パラレルストリップ・トランスジューサの電極周期長
の0.75倍以上5倍以下の厚さを有するスペーサが設
置されていることに特徴がある。
(Means for Solving the Problem) In order to achieve this object, the present invention uses a single crystal substrate on which a ferromagnetic single crystal thin film is formed, and uses a parallel strip transducer to generate a magnetostatic surface. A magnetostatic surface wave filter that excites waves, wherein a thickness between the parallel strip transducer and the ferromagnetic single crystal thin film is 0.75 times or more and 5 times or less the electrode period length of the parallel strip transducer. It is characterized by the fact that a spacer with a certain thickness is installed.

(作 用) 本発明による静磁表面波フィルタは、静磁表面波と高周
波信号との結合量がパラレルストリップ・トランスジュ
ーサと強磁性体単結晶薄膜との間に設置されたスペーサ
の厚さに依存することを利用している。一般に、この結
合量はスペーサの厚さが静磁表面波の波長に対してどの
程度であるかで決まる。またスプリアス応答に対応する
静磁波の波長は、パラレルストリップ・トランスジュー
サの電極周期の1/2および1/3の長さである。
(Function) In the magnetostatic surface wave filter according to the present invention, the amount of coupling between the magnetostatic surface wave and the high frequency signal depends on the thickness of the spacer installed between the parallel strip transducer and the ferromagnetic single crystal thin film. I'm taking advantage of what I do. Generally, the amount of coupling is determined by the thickness of the spacer relative to the wavelength of the magnetostatic surface wave. The wavelength of the magnetostatic wave corresponding to the spurious response is 1/2 and 1/3 the length of the electrode period of the parallel strip transducer.

したがって、パラレルストリップ・トランスジューサの
電極周期に一致した波長の静磁表面波すなわち所望のフ
ィルタ応答はスプリアス応答の原因となる静磁表面波の
波長より長いことになる。このことにより、所望の応答
に対してはスペーサはほとんど影響を与えない一方、ス
プリアス応答を大幅に抑圧することができる。
Therefore, the magnetostatic surface wave at a wavelength matching the electrode period of the parallel strip transducer, the desired filter response, will be longer than the wavelength of the magnetostatic surface wave that causes the spurious response. As a result, while the spacer has little effect on the desired response, spurious responses can be significantly suppressed.

(実施例) 次に、図面を参照して本発明を説明する。(Example) Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

本発明による静磁表面波フィルタは、第1図に示される
ように、主要の構成要素、すなわち、誘電体基板1、ス
ペーサ3、入力側パラレルストリップ・トランスジュー
サ6、出力側パラレルストリップ・トランスジューサ7
、単結晶基板上に強磁性体単結晶薄膜を形成した試料2
よりなっている。ここで試料2は、例えば、G、 G、
G、単結晶基板上に液相成長法によりY、  I、 G
、単結晶薄膜を形成したものである。また、入力側、出
力側パラレルストリップ・トランスジューサ6.7は、
例えば、真空蒸着によりアルミニウム薄膜を形成後、フ
ォトエツチング法によりパターン形成される。
The magnetostatic surface wave filter according to the present invention has main components, as shown in FIG.
, Sample 2 in which a ferromagnetic single crystal thin film was formed on a single crystal substrate
It's getting better. Here, sample 2 has, for example, G, G,
G, Y, I, G by liquid phase growth on a single crystal substrate
, a single crystal thin film is formed. In addition, the input side and output side parallel strip transducers 6.7 are
For example, after forming an aluminum thin film by vacuum evaporation, a pattern is formed by photoetching.

第2図(1)〜(4)にスペーサの厚さを変えた場合の
周波数特性の変化を示す。ここでスペーサの材料はガラ
スを用いている。またパラレルストリップ・トランスジ
ューサの電極周期は通常100μmから1000μmの
ものが用いられるが、ここでは600μmとしている。
FIGS. 2(1) to 2(4) show changes in frequency characteristics when the thickness of the spacer is changed. Here, glass is used as the material of the spacer. Further, the electrode period of the parallel strip transducer is usually 100 μm to 1000 μm, but here it is set to 600 μm.

第2図において、中心付近の応答が電極周期に一致した
波長の静磁表面波による応答、これより高周波側にある
応答は電極周期の1/2および1/3の波長の静磁表面
波による応答である。第2図を見てもわかるように、(
1)〜(3)においては所望の応答の高周波側にスプリ
アス応答が観測されているが、(4)においては該パラ
レルストリップ・トランスジューサの電極周期の600
μmの0.75倍である0、45mのスペーサを用いた
場合に当るが、スプリアス応答は観測されていない。こ
のことより、スペーサの厚さはパラレルストリップ・ト
ランスジューサの電極周期の0.75倍以上とる必要が
あることがわかる。一方、スペーサを厚くしてい(と、
電極周期の5倍程度までは応答に特に変化がないが、3
倍以上特に5倍以上にすると所望の応答の挿入損失が増
大することが確認された。
In Figure 2, the response near the center is due to magnetostatic surface waves with a wavelength that matches the electrode period, and the response on the higher frequency side is due to magnetostatic surface waves with wavelengths that are 1/2 and 1/3 of the electrode period. It is a response. As you can see from Figure 2, (
In cases 1) to (3), spurious responses are observed on the high frequency side of the desired response, but in case (4), spurious responses are observed on the high frequency side of the desired response, but in case (4), spurious responses are observed on the high frequency side of the desired response;
This is the case when a spacer of 0.45 m, which is 0.75 times μm, is used, but no spurious response is observed. This shows that the thickness of the spacer needs to be at least 0.75 times the electrode period of the parallel strip transducer. On the other hand, the spacer is made thicker (and
There is no particular change in response up to about 5 times the electrode period, but 3
It has been confirmed that increasing the insertion loss by a factor of at least 5 times, particularly by a factor of 5, increases the insertion loss of the desired response.

(発明の効果) 以上述べた通り、本発明によれば、高周波信号と静磁表
面波との結合量を制御するためのスペーサの厚さを最適
にすることで、パラレルストリップ・トランスジューサ
の電極周期の1/2および1/3の波長の静磁表面波に
よる応答を抑圧し、電極周期に一致した波長の静磁表面
波のみを有効に励振、検出することができる。したがっ
て、スプリアス応答のない静磁表面波フィルタを構成す
ることができ、工業的に大変有効である。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, by optimizing the thickness of the spacer for controlling the amount of coupling between the high frequency signal and the magnetostatic surface wave, the electrode period of the parallel strip transducer can be improved. It is possible to suppress the response due to magnetostatic surface waves with wavelengths of 1/2 and 1/3 of , and effectively excite and detect only magnetostatic surface waves with wavelengths that match the electrode period. Therefore, it is possible to construct a magnetostatic surface wave filter without spurious response, which is very effective industrially.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)は静磁表面波フィルタの斜視図である。 第1図(b)は第1図(a)の平面図である。 第1図(c)は第1図(b)の線n−nに沿った断面図
である。 第2図(1)、 (2)、 (3)、 (4)はスペー
サ厚さとスプリアス応答の関係を示す図である。 1・・・アルミナ基板、2・・・C,C,C1基板上に
Y、1.G、tl膜を形成した試料、3・・・スペーサ
、4・・・金属薄膜パターン、5・・・接地導体、6・
・・入力側パラレルストリップ・トランスジューサ、7
・・・出力側パラレルストリップ・トランスジューサ。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第 図 (a) (b) (c) 縦軸10dB/div 。 横軸70MHz/div、 図 上端OdB 左端3父OMHz
FIG. 1(a) is a perspective view of a magnetostatic surface wave filter. FIG. 1(b) is a plan view of FIG. 1(a). FIG. 1(c) is a sectional view taken along line nn in FIG. 1(b). FIGS. 2(1), (2), (3), and (4) are diagrams showing the relationship between spacer thickness and spurious response. 1...Alumina substrate, 2...C, C, Y on C1 substrate, 1. G, sample with tl film formed, 3... spacer, 4... metal thin film pattern, 5... ground conductor, 6...
・Input side parallel strip transducer, 7
...Output side parallel strip transducer. Patent applicant Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Figures (a) (b) (c) Vertical axis 10 dB/div. Horizontal axis 70MHz/div, OdB at the top of the diagram, OMHz at the left end

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  強磁性体単結晶薄膜が面上に形成された単結晶基板を
用い、パラレルストリップ・トランスジューサを用いて
静磁表面波を励振する静磁表面波フィルタであって、該
パラレルストリップ・トランスジューサと該強磁性体単
結晶薄膜との間に該パラレルストリップ・トランスジュ
ーサの電極周期長の0.75倍以上5倍以下の厚さを有
するスペーサが設置されていることを特徴とする静磁表
面波フィルタ。
A magnetostatic surface wave filter that excites magnetostatic surface waves using a parallel strip transducer using a single crystal substrate on which a ferromagnetic single crystal thin film is formed, A magnetostatic surface wave filter characterized in that a spacer having a thickness of 0.75 to 5 times the electrode periodic length of the parallel strip transducer is installed between the magnetic single crystal thin film.
JP27641290A 1990-10-17 1990-10-17 Magnetostatic surface wave filter Pending JPH04152701A (en)

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