JPH04150503A - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
- Publication number
- JPH04150503A JPH04150503A JP2275016A JP27501690A JPH04150503A JP H04150503 A JPH04150503 A JP H04150503A JP 2275016 A JP2275016 A JP 2275016A JP 27501690 A JP27501690 A JP 27501690A JP H04150503 A JPH04150503 A JP H04150503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground plane
- dielectric substrate
- circularly polarized
- microstrip antenna
- hole
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
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- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は各種の通信システムで使用されるマイクロスト
リップアンテナに関する。
リップアンテナに関する。
(従来の技術)
各種の通信システムで使用される2点給電型のマイクロ
ストリップアンテナの1つとして、従来、第7図および
第8図に示すものが知られている。
ストリップアンテナの1つとして、従来、第7図および
第8図に示すものが知られている。
これらの図に示すマイクロストリップアンテナは絶縁体
によって構成される誘電体基板101と、この誘電体基
板101の裏面に形成された導電体によって構成される
グランド面102と、前記誘電体基板101の表面に形
成された導電体によって構成されるエレメント103と
、前記グランド面102の下面に各々取り付けられ、そ
の各シース107側が前記グランド面102に接続され
るとともに、その各中心導体108が前記誘電体基板1
01およびグランド面102に形成された各貫通孔10
5を通って前記エレメント103の各給電点109に接
続される2つの接栓106とを備えている。
によって構成される誘電体基板101と、この誘電体基
板101の裏面に形成された導電体によって構成される
グランド面102と、前記誘電体基板101の表面に形
成された導電体によって構成されるエレメント103と
、前記グランド面102の下面に各々取り付けられ、そ
の各シース107側が前記グランド面102に接続され
るとともに、その各中心導体108が前記誘電体基板1
01およびグランド面102に形成された各貫通孔10
5を通って前記エレメント103の各給電点109に接
続される2つの接栓106とを備えている。
そして、90度位相差を持たせた2分配器(図示は省略
する)から各接栓106に高周波信号が供給されて第9
図に示す如くエレメント103とグランド面102との
間に高周波信号が印加されたとき、円偏波が生成されて
これが外部に射出される。
する)から各接栓106に高周波信号が供給されて第9
図に示す如くエレメント103とグランド面102との
間に高周波信号が印加されたとき、円偏波が生成されて
これが外部に射出される。
また、円偏波が供給されたとき、前記円偏波が90度の
位相差をもった高周波信号に変換され、これが各接栓1
06から前記2分配器に入り位相合成されて出力される
。
位相差をもった高周波信号に変換され、これが各接栓1
06から前記2分配器に入り位相合成されて出力される
。
しかしながら、このようなマイクロストリップアンテナ
においては、1つの周波数でしか円偏波の送受信を行な
うことができないという不都合があった。
においては、1つの周波数でしか円偏波の送受信を行な
うことができないという不都合があった。
(発明の目的)
本発明は二つの周波数で円偏波の送受信を行うことので
きるものであって、下側アンテナ部で送受信される円1
波の軸比や無指向性特性を損なうことなく上側アンテナ
部に給電することができるマイクロストリップアンテナ
を提供することを目的としている。
きるものであって、下側アンテナ部で送受信される円1
波の軸比や無指向性特性を損なうことなく上側アンテナ
部に給電することができるマイクロストリップアンテナ
を提供することを目的としている。
(発明の概要)
本発明によるマイクロストリップアンテナにおいては、
板状に形成される誘電体基板と、この誘電体基板の裏面
側に形成された導電板によって構成されるグランド面と
、前記誘電体基板の表面に形成された導電板によって構
成されるエレメントと、前記誘電体基板の中央部分に形
成され前記グランド面と前記エレメントとを導通させる
スルーホールと、このスルーホール部分にそのシース部
分が接続されるとともに、その中心導体が前記スルーホ
ールを通って前記グランド面側から前記誘電体基板と前
記エレメントとを貫通し、かつこれらエレメントおよび
誘電体基板の所要部分を再度、貫通して前記グランド面
の給電点に接続したことを特徴とし、ている。
板状に形成される誘電体基板と、この誘電体基板の裏面
側に形成された導電板によって構成されるグランド面と
、前記誘電体基板の表面に形成された導電板によって構
成されるエレメントと、前記誘電体基板の中央部分に形
成され前記グランド面と前記エレメントとを導通させる
スルーホールと、このスルーホール部分にそのシース部
分が接続されるとともに、その中心導体が前記スルーホ
ールを通って前記グランド面側から前記誘電体基板と前
記エレメントとを貫通し、かつこれらエレメントおよび
誘電体基板の所要部分を再度、貫通して前記グランド面
の給電点に接続したことを特徴とし、ている。
(実施例)
以下、本発明′を図示した実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明によるマイクロストリップアンテナの基
本構成を示す平面図、第2図は第1図に示すマイクロス
トリップアンテナのC−C線断面図である。
本構成を示す平面図、第2図は第1図に示すマイクロス
トリップアンテナのC−C線断面図である。
これらの図に示すマイクロストリップアンテナは絶縁体
によって構成される円板状の誘電体基板lと、この誘電
体基板1の裏面に形成された導電体によって構成される
グランド面2と、前記誘電体基板lの表面に形成された
円板状の導電体によって構成されるエレメント3と、前
記誘電体基板1を上下に貫通して前記エレメント3の中
心と前記グランド面2の中心とを導通させるスルーホー
ル4と、前記エレメント3上に設けられるストリップ基
板6とを備えている。
によって構成される円板状の誘電体基板lと、この誘電
体基板1の裏面に形成された導電体によって構成される
グランド面2と、前記誘電体基板lの表面に形成された
円板状の導電体によって構成されるエレメント3と、前
記誘電体基板1を上下に貫通して前記エレメント3の中
心と前記グランド面2の中心とを導通させるスルーホー
ル4と、前記エレメント3上に設けられるストリップ基
板6とを備えている。
さらに、前記マイクロストリップアンテナは前記グラン
ド面2の前記スルーホール4部分に取り付けられ、その
シース7側が前記グランド面2に接続されるとともに、
その中心導体8が前記スルーホール4を通って前記スト
リップ基板6上に形成された2分配器11の分配点lO
に接続される接栓9と、前記ストリップ基板6に形成さ
れた前記2分配器11の各出力点12部分に前記ストリ
ップ基板11およびエレメント3、誘電体基板1を上下
方向に貫通するように形成される2つの貫通孔13と、
これらの各貫通孔13内に配置され前記2分配器11の
各出力点12と前記グランド面2の各給電点15とを各
々接続する2本のワイヤ14とを備えている。
ド面2の前記スルーホール4部分に取り付けられ、その
シース7側が前記グランド面2に接続されるとともに、
その中心導体8が前記スルーホール4を通って前記スト
リップ基板6上に形成された2分配器11の分配点lO
に接続される接栓9と、前記ストリップ基板6に形成さ
れた前記2分配器11の各出力点12部分に前記ストリ
ップ基板11およびエレメント3、誘電体基板1を上下
方向に貫通するように形成される2つの貫通孔13と、
これらの各貫通孔13内に配置され前記2分配器11の
各出力点12と前記グランド面2の各給電点15とを各
々接続する2本のワイヤ14とを備えている。
そして、接栓9に高周波信号が供給されたとき、ストリ
ップ基板6上に形成された2分配器11によってこれが
90度の位相差を持つ2つの高周波信号に分割された後
、各ワイヤ14を介してグランド面2に形成された各給
電点15に供給される。
ップ基板6上に形成された2分配器11によってこれが
90度の位相差を持つ2つの高周波信号に分割された後
、各ワイヤ14を介してグランド面2に形成された各給
電点15に供給される。
これによって、第3図に示す如くエレメント3とグラン
ド面2との間に高周波信号が印加され、円偏波が生成さ
れてこれが外部に射出される。
ド面2との間に高周波信号が印加され、円偏波が生成さ
れてこれが外部に射出される。
また、円偏波が供給されたとき、前記円偏波が90度の
位相差をもった高周波信号に変換され、これがグランド
面2に形成された各給電点15からストリップ基板6上
に形成された2分配器11に供給されて位相合成された
後、接栓9から出力される。
位相差をもった高周波信号に変換され、これがグランド
面2に形成された各給電点15からストリップ基板6上
に形成された2分配器11に供給されて位相合成された
後、接栓9から出力される。
このように、このマイクロストリップアンテナにおいて
は、2分配器11が形成されたストリップ基板6をエレ
メント3上に配置するとともに、スルーホール4によっ
て接栓9のシース7側をエレメント3の中心部分に接続
し、かつ前記接栓9の中心導体8を前記2分配器11の
分配点loに接続するとともに、各ワイヤ14によって
前記2分配器11の各出力点12をグランド面2に形成
された各給電点15に各々接続するようにしたので、−
射的に使用されているマイクロストリップアンテナと同
様に良好な軸比および無指向性で円偏波を送受信するこ
とができる。
は、2分配器11が形成されたストリップ基板6をエレ
メント3上に配置するとともに、スルーホール4によっ
て接栓9のシース7側をエレメント3の中心部分に接続
し、かつ前記接栓9の中心導体8を前記2分配器11の
分配点loに接続するとともに、各ワイヤ14によって
前記2分配器11の各出力点12をグランド面2に形成
された各給電点15に各々接続するようにしたので、−
射的に使用されているマイクロストリップアンテナと同
様に良好な軸比および無指向性で円偏波を送受信するこ
とができる。
第4図は上述した逆給電構造を持つ本発明によるマイク
ロストリップアンテナの一実施例を示す平面図、第5図
は第4図に示すマイクロストリップアンテナのD−D#
l断面図である。
ロストリップアンテナの一実施例を示す平面図、第5図
は第4図に示すマイクロストリップアンテナのD−D#
l断面図である。
これらの図に示すマイクロストリップアンテナは上下に
重ねて配置される上側アンテナ部21と、下側アンテナ
部20とを備えており、これら下側アンテナ部20と、
上側アンテナ部21とによって各々異なる周波数の円偏
波を個々に送受信する。
重ねて配置される上側アンテナ部21と、下側アンテナ
部20とを備えており、これら下側アンテナ部20と、
上側アンテナ部21とによって各々異なる周波数の円偏
波を個々に送受信する。
下側アンテナ部20は絶縁体によって構成される円板状
の誘電体基板22と、この誘電体基板22の裏面に形成
された導電体によって構成されるグランド面23と、前
記誘電体基板22の表面に形成された円板状の導電体に
よって構成されるエレメント24と、前記誘電体基板2
2を上下に貫通して前記エレメント24の中心と前記グ
ランド面23の中心とを導通させるスルーホール25と
、前記グランド面23の下面に各々取り付けられ、その
各シース26側が前記グランド面23に接続されるとと
もに、その各中心導体28が前記誘電体基板22および
グランド面23に形成された各貫通孔27を通って前記
エレメント24の各給電点30に各々接続される2つの
接栓29とを備えている。
の誘電体基板22と、この誘電体基板22の裏面に形成
された導電体によって構成されるグランド面23と、前
記誘電体基板22の表面に形成された円板状の導電体に
よって構成されるエレメント24と、前記誘電体基板2
2を上下に貫通して前記エレメント24の中心と前記グ
ランド面23の中心とを導通させるスルーホール25と
、前記グランド面23の下面に各々取り付けられ、その
各シース26側が前記グランド面23に接続されるとと
もに、その各中心導体28が前記誘電体基板22および
グランド面23に形成された各貫通孔27を通って前記
エレメント24の各給電点30に各々接続される2つの
接栓29とを備えている。
また、上側アンテナ部21は絶縁体によって構成される
円板状の誘電体基板31と、この誘電体基板31の裏面
に形成された導電体によって構成されるグランド面32
と、前言己誘電体基板31の表面に形成された円板状の
導電体によって構成されるエレメント33と、前記誘電
体基板31を上下に貫通して前記エレメント33の中心
と前記グランド面32の中心とを導通させるスルーホー
ル34と、前記エレメント33上に設けられるストリッ
プ基板35とを備えている。
円板状の誘電体基板31と、この誘電体基板31の裏面
に形成された導電体によって構成されるグランド面32
と、前言己誘電体基板31の表面に形成された円板状の
導電体によって構成されるエレメント33と、前記誘電
体基板31を上下に貫通して前記エレメント33の中心
と前記グランド面32の中心とを導通させるスルーホー
ル34と、前記エレメント33上に設けられるストリッ
プ基板35とを備えている。
さらに、前記上側マイクロストリップアンテナ21は前
記グランド面23の前記スルーホール25部分に取り付
けられ、そのシース36側が前記グランド面23に接続
されるとともに、その中心導体37が前記各スルーホー
ル25.34を通って前記ストリップ基板35上に形成
された2分配器38の分配点39に接続される接栓40
と、前記ストリップ基板35に形成された2分配器38
の各出力点41部分に前記ストリップ基板35およびエ
レメント33、誘電体基板31を上下方向に貫通するよ
うに形成される2つの貫通孔42と、これらの各貫通孔
42内に配置され前記2分配器38の各出力点41と前
記グランド面32の各給電点44とを接続する2本のワ
イヤ43とを備えている。
記グランド面23の前記スルーホール25部分に取り付
けられ、そのシース36側が前記グランド面23に接続
されるとともに、その中心導体37が前記各スルーホー
ル25.34を通って前記ストリップ基板35上に形成
された2分配器38の分配点39に接続される接栓40
と、前記ストリップ基板35に形成された2分配器38
の各出力点41部分に前記ストリップ基板35およびエ
レメント33、誘電体基板31を上下方向に貫通するよ
うに形成される2つの貫通孔42と、これらの各貫通孔
42内に配置され前記2分配器38の各出力点41と前
記グランド面32の各給電点44とを接続する2本のワ
イヤ43とを備えている。
そして、2分配器(図示は省略する)から各接栓29に
周波数“fl”の高周波信号が供給されて第6図に示す
如くエレメント24とグランド面23との間に高周波信
号が印加されたとき、円偏波が生成されてこれが外部に
出射される。
周波数“fl”の高周波信号が供給されて第6図に示す
如くエレメント24とグランド面23との間に高周波信
号が印加されたとき、円偏波が生成されてこれが外部に
出射される。
また、接栓40に周波数“f2”の高周波信号が供給さ
れたとき、ストリップ基板35上に形成された2分配器
38によってこれが90度の位相差を持つ2つの高周波
信号に分割された後、これらの各高周波信号が各ワイヤ
43を各々介してグランド面32に形成された各給電点
44に供給される。
れたとき、ストリップ基板35上に形成された2分配器
38によってこれが90度の位相差を持つ2つの高周波
信号に分割された後、これらの各高周波信号が各ワイヤ
43を各々介してグランド面32に形成された各給電点
44に供給される。
これによって、第6図に示す如(エレメント33とグラ
ンド面32との間に高周波信号が印加され、円偏波が生
成されてこれが外部に出射される。
ンド面32との間に高周波信号が印加され、円偏波が生
成されてこれが外部に出射される。
また、円偏波が供給されたとき、この円偏波の周波数が
“fl”であれば5前記円偏波が90度の位相差をもっ
た高周波信号に変換されて、これが各接栓29から前記
2分配器に入り位相合成され、また前記円偏波の周波数
が“f2”であれば、前記円偏波が90度の位相差をも
った高周波信号に変換され、これがグランド面32に形
成された各給電点44からストリップ基板35上に形成
された2分配器38によって位相合成された後、接栓4
0から出力される。
“fl”であれば5前記円偏波が90度の位相差をもっ
た高周波信号に変換されて、これが各接栓29から前記
2分配器に入り位相合成され、また前記円偏波の周波数
が“f2”であれば、前記円偏波が90度の位相差をも
った高周波信号に変換され、これがグランド面32に形
成された各給電点44からストリップ基板35上に形成
された2分配器38によって位相合成された後、接栓4
0から出力される。
そしてこの場合、各スルーホール25.34に挿通され
た接栓40の中心導体37と、ストリップ基板35上に
形成された2分配器38と、各貫通孔42に挿通された
各ワイヤ43とによって上側アンテナ部21に給電する
ようにしているので、下側アンテナ部20の軸比特性や
無指向性特性を劣化させないようにすることができる。
た接栓40の中心導体37と、ストリップ基板35上に
形成された2分配器38と、各貫通孔42に挿通された
各ワイヤ43とによって上側アンテナ部21に給電する
ようにしているので、下側アンテナ部20の軸比特性や
無指向性特性を劣化させないようにすることができる。
このようにこの実施例においては、各スルーホール25
.34に接栓40の中心導体37を挿通してグランドi
32の各給電点44に給電するようにしたので、下側ア
ンテナ部20で送受信される円偏波の軸比や無指向性特
性を損なうことなく上側アンテナ部21に給電すること
ができる。
.34に接栓40の中心導体37を挿通してグランドi
32の各給電点44に給電するようにしたので、下側ア
ンテナ部20で送受信される円偏波の軸比や無指向性特
性を損なうことなく上側アンテナ部21に給電すること
ができる。
また、上述した実施例においては、上側アンテナ部21
と、下側アンテナ部20とに各々2つの給電点30.4
4を設けて円偏波を送受信するようにしているが、上側
アンテナ部21と、下側アンテナ部20とに各々、形成
される給電点の数を1つにして直線偏波を送受信するよ
うにしても良い。
と、下側アンテナ部20とに各々2つの給電点30.4
4を設けて円偏波を送受信するようにしているが、上側
アンテナ部21と、下側アンテナ部20とに各々、形成
される給電点の数を1つにして直線偏波を送受信するよ
うにしても良い。
また、上述した実施例においては、2分配器11.38
として一般的な分配器を使用するようにしているが、出
力点として“0度”と、“90度“ダミーロード”とを
有するアイソレーションタイプの分配器や他の方式の分
配器を使用するようにしても良い。
として一般的な分配器を使用するようにしているが、出
力点として“0度”と、“90度“ダミーロード”とを
有するアイソレーションタイプの分配器や他の方式の分
配器を使用するようにしても良い。
(発明の効果)
以上説明したように本発明によれば、下側アンテナ部で
送受信される円偏波の軸比や無指向性特性を損なうこと
な(上側アンテナ部に給電することができる。
送受信される円偏波の軸比や無指向性特性を損なうこと
な(上側アンテナ部に給電することができる。
第1図は本発明によるマイクロストリップアンテナの基
本構成を示す平面図、第2図は第1図に示すマイクロス
トリップアンテナのC−C線断面図、第3図は第1図に
示すマイクロストリップアンテナの給電例を示す模式図
、第4図は本発明によるマイクロストリップアンテナの
一実施例を示す平面図、第5図は第4図に示すマイクロ
ストリップアンテナのD−D線断面口、第6図は第4図
に示すマイクロストリップアンテナの給電例を示す模式
図、第7図は従来から知られているマイクロストリップ
アンテナの一例を示す平蘭図、第8図は第7図に示すマ
イクロストリップアンテナのA−A線断面口、第9図は
第7図に示すマイクロストリップアンテナの給電例を示
す模式図である。 l・・・誘電体基板、2・・・グランド面、3−・・エ
レメント、4・・・スルーホール、7・・・シース、8
・・・中心導体、9・・・接栓、15・・・給電点。 第1図 n 第2図 第3図 第4図 第7図 第8図
本構成を示す平面図、第2図は第1図に示すマイクロス
トリップアンテナのC−C線断面図、第3図は第1図に
示すマイクロストリップアンテナの給電例を示す模式図
、第4図は本発明によるマイクロストリップアンテナの
一実施例を示す平面図、第5図は第4図に示すマイクロ
ストリップアンテナのD−D線断面口、第6図は第4図
に示すマイクロストリップアンテナの給電例を示す模式
図、第7図は従来から知られているマイクロストリップ
アンテナの一例を示す平蘭図、第8図は第7図に示すマ
イクロストリップアンテナのA−A線断面口、第9図は
第7図に示すマイクロストリップアンテナの給電例を示
す模式図である。 l・・・誘電体基板、2・・・グランド面、3−・・エ
レメント、4・・・スルーホール、7・・・シース、8
・・・中心導体、9・・・接栓、15・・・給電点。 第1図 n 第2図 第3図 第4図 第7図 第8図
Claims (1)
- (1)板状に形成される誘電体基板と、この誘電体基板
の裏面側に形成された導電体によって構成されるグラン
ド面と、前記誘電体基板の表面に形成された導電体によ
って構成されるエレメントと、前記誘電体基板の中央部
分に形成され前記グランド面と前記エレメントとを導通
させるスルーホールと、このスルーホール部分にそのシ
ース部分が接続されるとともに、その中心導体が前記ス
ルーホールを通って前記グランド面側から前記誘電体基
板と前記エレメントとを貫通し、かつこれらエレメント
および誘電体基板の所要部分を再度、貫通して前記グラ
ンド面の給電点に接続したことを特徴とするマイクロス
トリップアンテナ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2275016A JPH04150503A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2275016A JPH04150503A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04150503A true JPH04150503A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17549707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2275016A Pending JPH04150503A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04150503A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008311688A (ja) * | 2006-02-28 | 2008-12-25 | Tdk Corp | チップアンテナ |
US8803749B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-08-12 | Kwok Wa Leung | Elliptically or circularly polarized dielectric block antenna |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2275016A patent/JPH04150503A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008311688A (ja) * | 2006-02-28 | 2008-12-25 | Tdk Corp | チップアンテナ |
US8803749B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-08-12 | Kwok Wa Leung | Elliptically or circularly polarized dielectric block antenna |
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