JPH0414792A - Infrared ray heater - Google Patents

Infrared ray heater

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Publication number
JPH0414792A
JPH0414792A JP11735190A JP11735190A JPH0414792A JP H0414792 A JPH0414792 A JP H0414792A JP 11735190 A JP11735190 A JP 11735190A JP 11735190 A JP11735190 A JP 11735190A JP H0414792 A JPH0414792 A JP H0414792A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
heating element
cylindrical
vapor phase
phase growth
Prior art date
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Pending
Application number
JP11735190A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Ishigami
敏彦 石神
Atsushi Saida
斉田 淳
Masahiko Yotsuyanagi
四ツ柳 真彦
Toshio Hiruta
寿男 蛭田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP11735190A priority Critical patent/JPH0414792A/en
Publication of JPH0414792A publication Critical patent/JPH0414792A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent peeling-off while preventing generation of discharge between conductive films by forming a conductive film on the surface of a base body by a vapor growth method while being formed on the surface of an insulating base body with a spiral wiring pattern. CONSTITUTION:A heating element 12 consisting of a conductive film formed on the surface of the base plate 11 consists of a carbon group material such as graphite while being formed on the surface of this base body by a vapor growth method. The heating element 12 consisting of this conductive film is formed on the outer surface of the cylindrical base body 11 while forming a spiral wiring pattern and the conductive film 12 thereof is zonally formed. Accordingly, even when a thermal shock such as a mechanical shock and a rapid temperature change is applied, peeling-off of the conductive film is prevented, local heat generation due to peeling-off is prevented, temperature unevenness and deterioration in a heat generation characteristic is reduce while also preventing breaking of a wire.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、絶縁性基体の表面に導電膜からなる発熱体を
設けて構成した赤外線ヒータに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an infrared heater configured by providing a heating element made of a conductive film on the surface of an insulating substrate.

(従来の技術) 例えば、食品の乾燥や工業用各種部品の乾燥に赤外線ヒ
ータが使用されている。
(Prior Art) For example, infrared heaters are used to dry food and various industrial parts.

このような分野で使用される従来の赤外線ヒータとして
は、第3図および第4図に・示すような構造のヒータが
知られている。このものは、アルミナなどのような絶縁
性セラミックスからなる円筒形の基体1と、この基体1
の表面に形成された例えばグラファイトなどのようなカ
ーボン系の導電性被膜からなる発熱体2と、上記円筒形
基体1の端部に取り付けられた電力供給端子3.3とで
構成されている。
As conventional infrared heaters used in such fields, heaters having structures as shown in FIGS. 3 and 4 are known. This device consists of a cylindrical base 1 made of insulating ceramic such as alumina, and a base 1 made of insulating ceramic such as alumina.
The heating element 2 is made of a carbon-based conductive film such as graphite formed on the surface of the cylindrical base 1, and a power supply terminal 3.3 is attached to the end of the cylindrical base 1.

上記円筒形基体1は、加圧成形により円筒形状に成形さ
れて焼成されたものであり、かつ導電膜からなる発熱体
2はこの円筒形基体1の外表面に、スパッターリングま
たは塗布方法により付着されている。
The cylindrical base 1 is formed into a cylindrical shape by pressure molding and fired, and the heating element 2 made of a conductive film is attached to the outer surface of the cylindrical base 1 by sputtering or coating. has been done.

上記導電膜からなる発熱体2は帯状に形成され、この円
筒形基体1の外表面に蛇行形の配線パターンをなして形
成され、この蛇行形帯状をなす発熱体2の両端部は上記
円筒形基体1の端部に取り付けられた電力供給端子3.
3に接続されている。
The heating element 2 made of the conductive film is formed in a band shape, and is formed in a meandering wiring pattern on the outer surface of the cylindrical base 1. Both ends of the heating element 2 in the meandering band shape A power supply terminal 3 attached to the end of the base 1.
Connected to 3.

したがって、電力供給端子3.3を電源に接続すれば発
熱体2に電流が流れ、この発熱体2が発熱して赤外線を
放出する。
Therefore, when the power supply terminal 3.3 is connected to a power source, a current flows through the heating element 2, which generates heat and emits infrared rays.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記従来の構造の場合、グラファイトな
どのような導電膜からなる発熱体2はアルミナなどのよ
うな絶縁性セラミックスからなる円筒形の基体1の表面
に、単にスパッターリングまたは塗布方法により付着さ
れているだけであるから被膜2の付着強度が低く、つま
り導電膜2の基体1に対する結着力が弱い不具合がある
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the case of the above conventional structure, the heating element 2 made of a conductive film such as graphite is attached to the surface of the cylindrical base 1 made of an insulating ceramic such as alumina. Since the conductive film 2 is simply attached by sputtering or coating, the adhesion strength of the film 2 is low, that is, the adhesive strength of the conductive film 2 to the substrate 1 is weak.

このため、機械的な衝撃や急激な温度変化等のような熱
的衝撃が加えられると導電膜2が剥離し易い。特に10
00℃を越える高温になると、導電膜2がきわめて容易
に剥離し易くなる。
Therefore, when a mechanical shock or a thermal shock such as a sudden temperature change is applied, the conductive film 2 is likely to peel off. Especially 10
When the temperature exceeds 00° C., the conductive film 2 becomes extremely easy to peel off.

このような剥離部分は局部的に高温度になって温度むら
を生じたり、この剥離部分が高温のために蒸発して時間
経過に伴って抵抗が大きくなったり、入力に対する発熱
特性が低下したり、さらには断線する等の不具合もある
Such peeled parts may become locally high in temperature, causing temperature unevenness, or the peeled parts may evaporate due to the high temperature, resulting in increased resistance over time, or a decrease in heat generation characteristics in response to input. There are also problems such as wire breakage.

また、導電膜2は、円筒形基体1の全面に亘り均等な発
熱分布を得るため、帯状をなし、しかも蛇行形の配線パ
ターンで形成されている。
Further, the conductive film 2 is formed in a band shape and has a meandering wiring pattern in order to obtain uniform heat generation distribution over the entire surface of the cylindrical substrate 1.

このような配線パターンの場合、蛇行の端部は円筒形基
体1の端部まで伸びるので隣接する導電膜2間で大きな
電位差を生じ、隣接する導電膜2との間や角部相互で放
電が発生する場合がある。
In the case of such a wiring pattern, the ends of the meandering extend to the ends of the cylindrical substrate 1, resulting in a large potential difference between adjacent conductive films 2, and discharge between adjacent conductive films 2 or at each corner. This may occur.

1度放電が発生すると、この箇所では度々放電が発生し
、この放電部が変形して局部的に大電流が流れるように
なり、これがさらに放電を誘い、ついには導電膜2が破
壊される不具合がある。
Once a discharge occurs, discharge occurs many times at this location, and this discharge portion deforms and a large current flows locally, which invites further discharge and eventually destroys the conductive film 2. There is.

本発明はこのような事情にもとづきなされたもので、そ
の目的とするところは、導電膜の基体に対する結着力を
強くして剥離を防止するとともに、導電膜間で放電が発
生するのを防止することができ、しかも導電膜の配線パ
ターンが均等に形成し易く、発熱むらが生じない赤外線
ヒータを提供しようとするものである。
The present invention was developed based on the above circumstances, and its purpose is to strengthen the binding force of the conductive film to the substrate to prevent peeling, and to prevent discharge from occurring between the conductive films. It is an object of the present invention to provide an infrared heater which can easily form a uniform wiring pattern of a conductive film and which does not cause uneven heat generation.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、円筒形または円柱形をなす絶縁性基体の表面
に導電膜からなる発熱体を付設した赤外線ヒータにおい
て、上記導電膜は上記基体の表面に気相成長法により形
成し、かつ絶縁性基体の表面に螺旋形の配線パターンを
なして形成したことを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides an infrared heater in which a heating element made of a conductive film is attached to the surface of an insulating base having a cylindrical or cylindrical shape, wherein the conductive film is attached to the surface of the base. It is characterized in that it is formed on the surface of the insulating substrate by a vapor phase growth method, and a spiral wiring pattern is formed on the surface of the insulating substrate.

(作用) 本発明によれば、導電膜を基体の表面に気相成長法によ
り形成したので、導電性被膜の基体に対する結着力が強
くなり、剥離を防止することができる。また、導電膜の
配線パターンを螺旋形にしたので、製造が容易であり、
隣接する導電膜間で電位差が小さくなり、放電が防止さ
れるとともに、導電膜の分布が均等になり易く、発熱分
布のばらつきが少なくなる。
(Function) According to the present invention, since the conductive film is formed on the surface of the substrate by a vapor phase growth method, the binding force of the conductive film to the substrate becomes strong, and peeling can be prevented. In addition, the wiring pattern of the conductive film is spiral, making it easy to manufacture.
The potential difference between adjacent conductive films is reduced, preventing discharge, and the distribution of the conductive films tends to be uniform, reducing variations in heat generation distribution.

(実施例) 以下本発明について、第1図および第2図に示す一実施
例にもとづき説明する。
(Example) The present invention will be described below based on an example shown in FIGS. 1 and 2.

図に示す赤外線ヒータは、基本的構造は従来と同様であ
り、11は絶縁性円筒形の基体、12はこの基体11の
表面に形成された導電膜からなる発熱体、13.13は
上記円筒形基体11の端部に取り付けられた電力供給端
子である。
The basic structure of the infrared heater shown in the figure is the same as that of the conventional one, and 11 is an insulating cylindrical base, 12 is a heating element made of a conductive film formed on the surface of this base 11, and 13 and 13 are the above-mentioned cylinders. This is a power supply terminal attached to the end of the shaped base 11.

そして、本実施例の場合、上記導電膜からなる発熱体1
2の外表面を絶縁層20で覆っである。
In the case of this embodiment, the heating element 1 made of the above-mentioned conductive film
The outer surface of 2 is covered with an insulating layer 20.

本実施例の円筒形基体11は、ボロンナイトライドなど
のような絶縁性セラミックスにより形成されており、こ
の基体11は気相成長法により製造されている。
The cylindrical base 11 of this embodiment is made of an insulating ceramic such as boron nitride, and is manufactured by a vapor phase growth method.

上記ボロンナイトライドの気相成長法により形成された
基体11は、例えば内径12mm、外径14 am、長
さ250mmの真円の円筒形になっている。
The base body 11 formed by the vapor phase growth method of boron nitride has, for example, a perfect circular cylindrical shape with an inner diameter of 12 mm, an outer diameter of 14 am, and a length of 250 mm.

この基体11の表面に形成された導電膜からなる発熱体
12は、グラファイトなどのようなカボン系材料からな
り、この基体11の表面に気相成長法により形成されて
いる。
A heating element 12 made of a conductive film formed on the surface of the base 11 is made of a carbon-based material such as graphite, and is formed on the surface of the base 11 by vapor phase growth.

本実施例の場合、上記導電膜からなる発熱体12は円筒
形基体11の外表面に螺旋形の配線パターンをなして形
成され、その導電膜12は帯状に形成されている。この
場合、膜厚は80 u m s帯の幅は2 、 011
1%隣接する帯間の間隔pは5.0Iimに形成されて
いる。
In the case of this embodiment, the heating element 12 made of the conductive film is formed in a spiral wiring pattern on the outer surface of the cylindrical base 11, and the conductive film 12 is formed in a band shape. In this case, the film thickness is 80 μm, and the width of the band is 2.011 μm.
The distance p between 1% adjacent bands is set to 5.0 Im.

このような螺旋形導電性被膜13の端部は、基体11の
端部に固定された電力供給端子13.13に接続されて
いる。なお、電力供給端子13.13は基体11に対し
て導電性耐熱接着剤などにより接合されている。
The ends of such a helical conductive coating 13 are connected to power supply terminals 13.13 fixed to the ends of the base body 11. Note that the power supply terminals 13.13 are bonded to the base 11 using a conductive heat-resistant adhesive or the like.

上記導電膜からなる発熱体12の外側は、ボロンナイト
ライドなどのような絶縁性セラミックスによりなる絶縁
層20で覆ってあり、この絶縁層20は気相成長法によ
りコーティングされている。
The outside of the heating element 12 made of the conductive film is covered with an insulating layer 20 made of an insulating ceramic such as boron nitride, and this insulating layer 20 is coated by a vapor phase growth method.

このボロンナイトライド気相成長法により形成された絶
縁層20は膜厚が約0.08mmとされ、円筒形基体1
1の軸方向に沿い長さ230vの範囲に亘り形成されて
いる。
The insulating layer 20 formed by this boron nitride vapor phase growth method has a film thickness of about 0.08 mm, and the cylindrical base 1
It is formed over a range of 230v in length along the axial direction of 1.

なお、このようなヒータの製造方法を説明する。Note that a method for manufacturing such a heater will be explained.

まず、基体11の製造方法から説明すると、直径11.
5mm、長さ300+amのカーボンよりなる芯材を用
意する。この芯材を気相成長作業用容器に収容し、この
容器内を真空に排気する。上記容器内で芯材を例えば約
2000℃に加熱し、この温度を維持しつつ芯材に回転
を与える。この状態で容器内に、少量の3塩化硼素(B
Cjl13)と少量のアンモニア(NH3)のガスを注
入すると、上記カーボンからなる芯材の表面に化学反応
、つまり気相成長によってボロンナイトライドが形成さ
れる。これを所定時間継続することにより、例えば芯材
の表面に肉厚が1.25mm程度のボロンナイトライド
の円筒形が形成される。
First, the method for manufacturing the base body 11 will be explained.The diameter 11.
A core material made of carbon with a length of 5 mm and a length of 300+ am is prepared. This core material is placed in a container for vapor phase growth work, and the inside of this container is evacuated. The core material is heated to, for example, about 2000° C. in the container, and rotation is applied to the core material while maintaining this temperature. In this state, a small amount of boron trichloride (B
When Cjl13) and a small amount of ammonia (NH3) gas are injected, boron nitride is formed on the surface of the core material made of carbon by a chemical reaction, that is, by vapor phase growth. By continuing this for a predetermined period of time, a cylindrical shape of boron nitride having a wall thickness of about 1.25 mm is formed on the surface of the core material, for example.

このような方法により、表面に気相成長によってボロン
ナイトライドを形成した芯材を上記気相成長作業用容器
から取り出し、旋盤加工により上記カーボンよりなる芯
材を削り出す。この場合、芯材の外径が11.5mm、
ボロンナイトライド基体11の内径は12a+i、外径
が14sffiであるから、上記切削によりカーボン芯
材を削り取って除去し、かつボロンナイトライド層の内
面を若干側ることにより前記した内径が12■、外径が
14amの円筒形基体11を得ることができる。
By such a method, the core material on which boron nitride has been formed on the surface by vapor phase growth is taken out from the container for vapor phase growth work, and the core material made of carbon is cut out by lathe processing. In this case, the outer diameter of the core material is 11.5 mm,
Since the boron nitride base 11 has an inner diameter of 12a+i and an outer diameter of 14sffi, the carbon core material is scraped off and removed by the cutting process, and the inner surface of the boron nitride layer is slightly turned to the side, thereby reducing the inner diameter to 12mm. A cylindrical substrate 11 having an outer diameter of 14 am can be obtained.

これを、所定長さに切断すれば、ボロンナイトライドか
らなる円筒形基体11が完成する。
By cutting this into a predetermined length, a cylindrical base 11 made of boron nitride is completed.

次に、発熱体12としての導電膜を作る場合を説明する
Next, the case of forming a conductive film as the heating element 12 will be described.

上記気相成長法で得られたボロンナイトライドからなる
円筒形基体11の表面に、マスキングをする。このマス
キングは円筒形基体11の表面に、第2図で斜線で示す
領域を除いて、耐熱性金属箔、例えばモリブデン(M 
o )箔を密着して巻付ける。
The surface of the cylindrical substrate 11 made of boron nitride obtained by the above vapor phase growth method is masked. This masking is performed by applying heat-resistant metal foil, such as molybdenum (M
o) Wrap the foil tightly.

このようなマスキングをした円筒形基体11を気相成長
作業用容器に収容し、この容器内を真空に排気する。上
記容器内で円筒形基体11を例えば約1800℃に加熱
し、この温度を維持しつつ円筒形基体11に回転を与え
る。この状態で容器内に、少量のエタンまたはメタンガ
スを注入する。。
The masked cylindrical substrate 11 is placed in a container for vapor phase growth work, and the inside of this container is evacuated. The cylindrical substrate 11 is heated to, for example, about 1800° C. in the container, and rotation is applied to the cylindrical substrate 11 while maintaining this temperature. In this state, a small amount of ethane or methane gas is injected into the container. .

すると、上記ボロンナイトライドからなる円筒形基体1
1の表面に化学反応、つまり気相成長によってカーボン
が形成される。これを所定時間継続することにより、例
えば所定膜厚、例えば80μコ程度の導電性発熱被膜か
形成される。
Then, the cylindrical base 1 made of boron nitride
Carbon is formed on the surface of 1 by a chemical reaction, that is, by vapor phase growth. By continuing this for a predetermined period of time, a conductive heat generating film having a predetermined thickness, for example about 80 μm, is formed.

この後、上記導電性発熱被膜を形成した円筒形基体11
を気相成長作業用容器から取り出し、上記マスキングし
たモリブデン箔を剥ぎとる。
After that, the cylindrical base 11 on which the conductive heating coating was formed
was removed from the vapor phase growth work container, and the masked molybdenum foil was peeled off.

これにより、第2図に斜線で示す領域に、螺旋形の導電
膜12が形成される。
As a result, a spiral conductive film 12 is formed in the shaded area in FIG.

さらに、一番外側の絶縁層20を作るには、上記の製造
方法で形成したヒータを、更に気相成長作業用容器に収
容し、この容器内を真空に排気する。上記容器内で上記
ヒータを例えば約2000℃に加熱し、この温度を維持
しつつヒータを回転させる。この状態で容器内に、少量
の3塩化硼素(BCN 3 )と少量のアンモニア(N
H3)のガスを注入すると、上記ヒータの表面に化学反
応、つまり気相成長によってボロンナイトライドが形成
される。これを所定時間継続することにより導電性発熱
被膜12の表面に0.08■のボロンナイトライドから
なる絶縁層20が形成される。
Furthermore, in order to produce the outermost insulating layer 20, the heater formed by the above manufacturing method is further placed in a container for vapor phase growth work, and the inside of this container is evacuated to a vacuum. The heater is heated to, for example, about 2000° C. in the container, and the heater is rotated while maintaining this temperature. In this state, a small amount of boron trichloride (BCN 3 ) and a small amount of ammonia (N
When the gas H3) is injected, boron nitride is formed on the surface of the heater by a chemical reaction, that is, by vapor phase growth. By continuing this for a predetermined period of time, an insulating layer 20 made of boron nitride with a thickness of 0.08 cm is formed on the surface of the conductive heating coating 12.

このような構成のヒータについて、作用を説明する。The operation of the heater having such a configuration will be explained.

電力供給端子13.13を電源に接続すると、発熱体1
2に電流が流れ、この発熱体12が発熱する。この場合
、発熱体12は円筒形基体11の外表面に螺旋形のパタ
ーンで帯状に形成され、螺旋のピッチは所定の一定間隔
をなして配置されているので、発熱体12の分布は軸方
向および周方向に亘りそれぞれ均等になり、発熱分布も
均等になる。
When the power supply terminal 13.13 is connected to the power supply, the heating element 1
A current flows through the heating element 12, and the heating element 12 generates heat. In this case, the heating elements 12 are formed in a strip shape in a spiral pattern on the outer surface of the cylindrical base 11, and the pitch of the spiral is arranged at a predetermined constant interval, so that the distribution of the heating elements 12 is in the axial direction. and are uniform in the circumferential direction, and the heat generation distribution is also uniform.

このような実施・例においては、円筒形基体11が気相
成長法によってボロンナイトライドにて形成されている
ので、従来の基体1に比べて軽量になる。つまり、従来
の円筒形の基体1はアルミナなどを加圧成形して焼成し
ていたので、加圧成形およびその後の焼成工程で破損し
ないように、肉厚がある程度大きく保たれていた。
In such an embodiment/example, the cylindrical substrate 11 is formed of boron nitride by vapor phase growth, so it is lighter than the conventional substrate 1. In other words, since the conventional cylindrical base 1 was made of alumina or the like by pressure molding and firing, the wall thickness was kept to a certain extent so as not to be damaged during the pressure molding and subsequent firing steps.

これに対して、実施例の円筒形基体11は気相成長によ
ってボロンナイトライドで形成されているので、薄肉に
形成することができ、よって軽量になる。
In contrast, the cylindrical substrate 11 of the embodiment is formed of boron nitride by vapor phase growth, so it can be formed thin and therefore lightweight.

円筒形基体11が薄肉、軽量になれば、取扱いが容易で
あり、ヒータとして軽量が実現する。
If the cylindrical base 11 is thin and lightweight, it will be easy to handle and a lightweight heater will be realized.

そして、本実施例の導電膜からなる発熱体12は、上記
ボロンナイトライドからなる円筒形基体11の表面に化
学反応、つまり気相成長によって形成したので、導電膜
12の基体11に対する結着力が極めて強くなる。
The heating element 12 made of the conductive film of this example was formed on the surface of the cylindrical base 11 made of boron nitride by chemical reaction, that is, vapor phase growth, so that the binding force of the conductive film 12 to the base 11 was increased. Becomes extremely strong.

このため、機械的な衝撃や急激な温度変化等のような熱
的衝撃が加えられても、導電性被膜12の剥離が防止さ
れる。
Therefore, even if a thermal shock such as a mechanical shock or a sudden temperature change is applied, the conductive film 12 is prevented from peeling off.

よって、剥離による局部的に発熱が防止され、温度むら
や発熱特性の劣化が軽減されるとともに断線も防止され
る。
Therefore, local heat generation due to peeling is prevented, temperature unevenness and deterioration of heat generation characteristics are reduced, and wire breakage is also prevented.

そして、導電膜12は螺旋形状に配置されているので、
導電膜12の間隔を一定にすることができ、隣接する導
電膜12間の電位差を小さくすることができ、角部の発
生は無く、したがって導電膜12間で放電を発生するこ
とがなくなる。
Since the conductive film 12 is arranged in a spiral shape,
The distance between the conductive films 12 can be made constant, the potential difference between adjacent conductive films 12 can be reduced, and no corners are generated, so that no discharge occurs between the conductive films 12.

また、導電膜12は螺旋形状に配置されているので、発
熱体12の分布は軸方向および周方向に亘り均等にする
ことができ、発熱分布を均等にし易い。
Further, since the conductive film 12 is arranged in a spiral shape, the distribution of the heat generating elements 12 can be made uniform in both the axial direction and the circumferential direction, making it easy to make the heat generation distribution even.

さらに、螺旋形状の導電膜12は前記したようにマスキ
ングにより容易に作ることができ、製造が容易である。
Furthermore, the spiral conductive film 12 can be easily formed by masking as described above, and is easy to manufacture.

さらに、導電膜12は絶縁層20によって覆われるので
、導電膜12が直接剥き出しにならず、導電膜12の表
面に塵や埃が付着堆積するのが防止される。
Furthermore, since the conductive film 12 is covered with the insulating layer 20, the conductive film 12 is not exposed directly, and dust and dirt are prevented from adhering and accumulating on the surface of the conductive film 12.

したかって、これら塵や埃による赤外線の放射を阻害す
るような不具合が防止され、また導電膜12が酸素と反
応して抵抗値が増大したり、温度が低下したり、導電膜 12が破損する等の不具合が解消される。
Therefore, problems such as obstruction of infrared radiation due to dust and dust are prevented, and the conductive film 12 reacts with oxygen, resulting in an increase in resistance value, a decrease in temperature, and damage to the conductive film 12. Problems such as this will be resolved.

また、導電膜12が絶縁層20で保護されるので、取り
扱い中に導電膜12が傷を受けたり、表面が汚れる等の
不具合も防止される。
Further, since the conductive film 12 is protected by the insulating layer 20, problems such as the conductive film 12 being damaged during handling or the surface becoming dirty are also prevented.

そして、この絶縁層20は気相成長によって形成されて
いるので、円筒形基体11および導電膜12に対する付
着強度が大きく、絶縁層20自身が剥れる心配もない。
Since the insulating layer 20 is formed by vapor phase growth, the adhesion strength to the cylindrical substrate 11 and the conductive film 12 is high, and there is no fear that the insulating layer 20 itself will peel off.

上記ヒータについて実験した結果を説明する。The results of experiments on the above heater will be explained.

上記実施例の構造のヒータを10本作り、2KW入力で
2時間点灯−30分消灯の点滅試験を1000時間続け
た。
Ten heaters having the structure of the above example were made, and a blinking test of 2 hours on and 30 minutes off with 2KW input was continued for 1000 hours.

第3図および第4図に示す従来の構造で、しかも蛇行形
パターンのヒータは、1000時間に達するまでに放電
の発生が認められ、この内8本は途中で破壊した。
In the conventional heaters shown in FIGS. 3 and 4, which had a meandering pattern, discharge was observed to occur by the time the heaters reached 1000 hours, and 8 of them were destroyed midway through.

これに対し、本発明のヒータは、10本全部が1000
時間の寿命に耐えることができた。
On the other hand, in the heater of the present invention, all 10 heaters have 1000
Could withstand the lifespan of time.

なお、上記実施例では、円筒形基体11を気相成長によ
りボロンナイトライドによって形成されたので薄形、軽
量化が可能になるが、本発明は、円筒形基体11を気相
成長法によってボロンナイトライドにより形成すること
には限らす、基体は従来のように、アルミナなどを加圧
成形して焼成したものであっても、導電性被膜発熱体1
2を基体の表面に化学反応、つまり気相成長によって形
成すれば導電膜12が基体から剥れ難くなる。
In the above embodiment, the cylindrical substrate 11 is formed of boron nitride by vapor phase growth, which makes it possible to reduce the thickness and weight. The conductive coating heating element 1 is not limited to being formed from nitride.
If the conductive film 12 is formed on the surface of the substrate by chemical reaction, that is, by vapor phase growth, the conductive film 12 will be difficult to peel off from the substrate.

また、導電H12は絶縁層20て覆うことには限らず、
真空や不活性ガスを充填した気密容器に収容してもよい
Furthermore, the conductive layer H12 is not limited to being covered with the insulating layer 20;
It may be housed in an airtight container filled with vacuum or inert gas.

そして、基体は円筒形に限らず、円柱形であってもよい
The base body is not limited to a cylindrical shape, but may be a columnar shape.

[発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、発熱体となる導電
膜を基体の表面に気相成長法により形成したので、導電
膜の基体に対する結着力が強くなり、剥離を防止するこ
とができる。このため、機械的な衝撃や急激な温度変化
等のような熱的衝撃が加えられても、導電膜の剥離が防
止され、剥離による局部的に発熱が防止され、温度むら
や発熱特性の劣化が軽減されるとともに断線も防止され
る。また、導電膜は螺旋の配線パターンとしたので、製
造が容易であるばかりでなく、隣接する導電膜間で電位
差が小さく、角部の発生もなく、隣接する導電膜間や、
角部で放電が発生するのが防止され、寿命が長くなると
ともに、円筒または円柱基体の周方向および軸方向に均
等な分布とすることができ、発熱分布も均等になり易い
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the conductive film that serves as a heating element is formed on the surface of the substrate by vapor phase growth, so the adhesion of the conductive film to the substrate becomes strong and peeling is prevented. can do. Therefore, even if a mechanical shock or a thermal shock such as a sudden temperature change is applied, the conductive film is prevented from peeling off, local heat generation due to peeling is prevented, and temperature unevenness and deterioration of heat generation characteristics are prevented. This also reduces wire breakage and prevents wire breakage. In addition, since the conductive film has a spiral wiring pattern, it is not only easy to manufacture, but also has a small potential difference between adjacent conductive films and no corners.
Electric discharge is prevented from occurring at the corners, the service life is extended, and the heat generation can be evenly distributed in the circumferential and axial directions of the cylindrical or cylindrical base, making it easier to make the heat generation evenly distributed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は本発明の一実施例を示し、第1図
はヒータの側面図、第2図は絶縁膜を被覆する前のヒー
タの側面図、第3図および第4図は従来の構造を示し、
第3図はヒータの側面図、第4図は第3図中IV−IV
線の断面図である。 11・・・円筒形基体、12・・・導電膜、13・・・
端子、20・・・絶縁層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
1 and 2 show one embodiment of the present invention, FIG. 1 is a side view of the heater, FIG. 2 is a side view of the heater before coating with an insulating film, and FIGS. 3 and 4 are Showing the conventional structure,
Figure 3 is a side view of the heater, Figure 4 is IV-IV in Figure 3.
FIG. 11... Cylindrical substrate, 12... Conductive film, 13...
Terminal, 20...insulating layer. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)円筒形または円柱形をなす絶縁性基体の表面に導
電膜からなる発熱体を設けた赤外線ヒータにおいて、 上記導電膜は上記基体の表面に気相成長法により形成し
、かつ絶縁性基体の表面に螺旋形の配線パターンをなし
て形成したことを特徴とする赤外線ヒータ。
(1) In an infrared heater in which a heating element made of a conductive film is provided on the surface of an insulating base having a cylindrical or cylindrical shape, the conductive film is formed on the surface of the base by a vapor phase growth method, and the insulating base is An infrared heater characterized in that a spiral wiring pattern is formed on the surface of the infrared heater.
(2)上記導電膜の表面を絶縁膜で被覆したことを特徴
とする第1の請求項に記載の赤外線ヒータ。
(2) The infrared heater according to claim 1, wherein the surface of the conductive film is coated with an insulating film.
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