JPH04140915A - Switching circuit and signal attenuation circuit using the switch circuit - Google Patents
Switching circuit and signal attenuation circuit using the switch circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高周波信号の伝送経路を切り替えるスイッチ
回路及び高周波信号の減衰比を切り替える信号減衰回路
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a switch circuit that switches a transmission path of a high-frequency signal and a signal attenuation circuit that switches an attenuation ratio of a high-frequency signal.
（従来の技術）
従来、高周波回路においてはスイッチングダイオードを
用いて高周波信号の伝送経路を切り替えるスイッチ回路
が知られている。第２図はこのスイッチ回路の一例を示
す回路図である。図において、１及び２はそれぞれ複数
のスイッチングダイオード（以下、ダイオードと称する
）Ｄを直列に接続したスイッチ部で、スイッチ部１のア
ノード側はコンデンサＣ１を介して入出力端子３に接続
されると共に、抵抗器Ｒ１を介して接地されている。ス
イッチ部２のカソード側はコンデンサＣ２を介して入出
力端子４に接続されると共に、抵抗器Ｒ２を介して接地
されている。また、スイッチ部１のカソード側及びスイ
ッチ部２のアノード側は、抵抗器Ｒ３の一端側及びコン
デンサＣ３の一端側に接続され、コンデンサＣ３の他端
側は入出力端子５に接続されている。さらに、抵抗器Ｒ
３の他端側は、１回路２接点のスイッチ６の接片６ａに
接続され、スイッチ６の第１の接点６ｂには所定の正の
電圧子Ｖが、第２の接点６Ｃには所定の負の電圧−■が
それぞれ印加されている。(Prior Art) Conventionally, in high-frequency circuits, switch circuits that use switching diodes to switch transmission paths of high-frequency signals are known. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of this switch circuit. In the figure, 1 and 2 are switch parts each having a plurality of switching diodes (hereinafter referred to as diodes) D connected in series, and the anode side of the switch part 1 is connected to an input/output terminal 3 via a capacitor C1. , are grounded via resistor R1. The cathode side of the switch section 2 is connected to the input/output terminal 4 via a capacitor C2, and is also grounded via a resistor R2. Further, the cathode side of the switch section 1 and the anode side of the switch section 2 are connected to one end side of the resistor R3 and one end side of the capacitor C3, and the other end side of the capacitor C3 is connected to the input/output terminal 5. Furthermore, resistor R
The other end of 3 is connected to the contact piece 6a of a switch 6 with 1 circuit and 2 contacts, the first contact 6b of the switch 6 has a predetermined positive voltage element V, and the second contact 6C has a predetermined A negative voltage -■ is applied respectively.
前述のスイッチ回路によれば、例えば入出力端子３．４
のそれぞれに異なる第１及び第２の高周波信号を入力し
た状態で、スイッチ６の接片６ａを第１の接点６ｂに接
続すると、入出力端子５には第２の高周波信号が出力さ
れる。According to the above-mentioned switch circuit, for example, the input/output terminals 3.4
When the contact piece 6a of the switch 6 is connected to the first contact point 6b while different first and second high frequency signals are input to each of the input/output terminals 5, the second high frequency signal is outputted to the input/output terminal 5.
即ち、スイッチ部１のダイオードＤは逆バイアスされて
オフ状態となり、スイッチ部２のダイオードＤは順方向
にバイアスされてオン状態になる。That is, the diode D of the switch section 1 is reverse biased and turned off, and the diode D of the switch section 2 is forward biased and turned on.
従って、第１の高周波信号はスイッチ部１によつて遮断
され、第２の高周波信号がスイッチ部２を介して入出力
端子５に出力される。Therefore, the first high frequency signal is blocked by the switch section 1, and the second high frequency signal is outputted to the input/output terminal 5 via the switch section 2.
また、スイッチ６の接片６ａを接点６Ｃに接続すると、
スイッチ部２のダイオードＤは逆バイアスされてオフ状
態になると共に、スイッチ部１のダイオードＤは順方向
にバイアスされてオン状態になり、入出力端子５には第
１の高周波信号が出力される。Moreover, when the contact piece 6a of the switch 6 is connected to the contact point 6C,
The diode D of the switch section 2 is reverse biased and turned off, and the diode D of the switch section 1 is forward biased and turned on, and the first high-frequency signal is output to the input/output terminal 5. .
信号の伝送方向は、前述したものと逆方向でも可能であ
り、−信号の出力光を二通りに切り替えることもできる
。The signal transmission direction can be opposite to that described above, and the output light of the -signal can also be switched in two ways.
一方、前述したスイッチ回路を用いて高周波信号の減衰
比を切り替えることができるようにした信号減衰回路も
知られている。第３図はこの信号減衰回路の一例を示す
回路図である。図において、前述したスイッチ回路と同
一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略す
る。即ち、７゜８．９はそれぞれダイオードＤからなる
スイッチ部で、スイッチ部７のアノード側はスイッチ部
８のカソード側及び抵抗器Ｒ１の一端側に接続されると
共に、コンデンサＣ１を介して入出力端子３に接続され
ている。前記抵抗器Ｒ１の他端側は接地されている。ス
イッチ部７のカソード側はスイッチ部９のアノード側に
接続されると共に、コンデンサＣ３を介して入出力端子
５に接続されている。また、スイッチ部７のカソード側
及びスイッチ部９のアノード側には、前述と同様にスイ
ッチ６及び抵抗器Ｒ３を介して正又は負の電圧が印加で
きるようになっている。スイッチ部８のアノード側は減
衰器１０を介してスイッチ部９のカソード側に接続され
ている。On the other hand, there is also known a signal attenuation circuit that can switch the attenuation ratio of a high frequency signal using the above-described switch circuit. FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of this signal attenuation circuit. In the figure, the same components as those of the switch circuit described above are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. That is, 7° 8.9 is a switch section consisting of a diode D, and the anode side of the switch section 7 is connected to the cathode side of the switch section 8 and one end side of the resistor R1, and input/output is connected via the capacitor C1. Connected to terminal 3. The other end of the resistor R1 is grounded. The cathode side of the switch section 7 is connected to the anode side of the switch section 9, and is also connected to the input/output terminal 5 via a capacitor C3. Furthermore, a positive or negative voltage can be applied to the cathode side of the switch section 7 and the anode side of the switch section 9 via the switch 6 and the resistor R3, as described above. The anode side of the switch section 8 is connected to the cathode side of the switch section 9 via an attenuator 10.
減衰器１０は、一方の入出力端子１０ａと他方の入出力
端子１０ｂとの間に記述の順に直列に接続されたコンデ
ンサ１０１、抵抗器１０２、コンデンサ１０３と、抵抗
器１０２の両端をそれぞれ接地する抵抗器１０４，１０
５ 、及び入出力端子１０ａ、１０ｂ間に接続された直
流分バイパス用のコイル１０６によって構成されている
。The attenuator 10 has a capacitor 101, a resistor 102, and a capacitor 103 connected in series between one input/output terminal 10a and the other input/output terminal 10b, and both ends of the resistor 102 are grounded. Resistor 104, 10
5, and a DC bypass coil 106 connected between input/output terminals 10a and 10b.
前述の構成よりなる信号減衰回路によれば、例えば入出
力端子３に高周波信号を入力した状態で、スイッチ６の
接片６ａを第２の接点６Ｃに接続すると、入出力端子５
に前記高周波信号が減衰することなく出力される。また
、スイッチ６の接片６ａを第１の接点６ｂに接続すると
、入出力端子５には減衰器１０の減衰比によって減衰さ
れた高周波信号が出力される。According to the signal attenuation circuit configured as described above, for example, when the contact piece 6a of the switch 6 is connected to the second contact 6C while a high frequency signal is input to the input/output terminal 3, the input/output terminal 5
The high frequency signal is outputted without attenuation. Further, when the contact piece 6a of the switch 6 is connected to the first contact point 6b, a high frequency signal attenuated by the attenuation ratio of the attenuator 10 is outputted to the input/output terminal 5.
即ち、スイッチ６の接片６ａを第２の接点６Ｃに接続す
ると、スイッチ部８，９のダイオードＤは逆バイアスさ
れてオフ状態となり、スイッチ部７のダイオードＤは順
方向にバイアスされてオン状態になる。従って、入出力
端子３に入力された高周波信号はスイッチ部７を介して
入出力端子５に出力される。また、スイッチ６の接片６
ａを第１の接点６ｂに接続すると、スイッチ部７のダイ
オードＤは逆バイアスされてオフ状態となり、スイッチ
部８，９のダイオードＤは順方向にバイアスされてオン
状態になる。従って、入出力端子５に入力された高周波
信号はスイッチ部８，９及び減衰器１０を介して入出力
端子５に出力される。That is, when the contact piece 6a of the switch 6 is connected to the second contact 6C, the diodes D of the switch parts 8 and 9 are reverse biased and turned off, and the diode D of the switch part 7 is forward biased and turned on. become. Therefore, the high frequency signal input to the input/output terminal 3 is outputted to the input/output terminal 5 via the switch section 7. Also, the contact piece 6 of the switch 6
When a is connected to the first contact 6b, the diode D of the switch section 7 is reverse biased and turned off, and the diodes D of the switch sections 8 and 9 are forward biased and turned on. Therefore, the high frequency signal input to the input/output terminal 5 is output to the input/output terminal 5 via the switch sections 8 and 9 and the attenuator 10.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら前述した従来のスイッチ回路及び信号減衰
回路においては、二通りの状態を切り替えるために正及
び負の電圧の電源を備える必要があるという問題点があ
った。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional switch circuit and signal attenuation circuit described above, there is a problem in that it is necessary to provide a power source for positive and negative voltages in order to switch between two states.
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、単一電源にて動作
する高周波信号用のスイッチ回路及び該スイッチ回路を
用いた信号減衰回路を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide a switch circuit for high frequency signals that operates with a single power supply and a signal attenuation circuit using the switch circuit.
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記の目的を達成するために、請求項（１）
では、少なくとも一のダイオードからなる第１および第
２のスイッチ部と、前記第１のスイッチ部のアノードと
第１の入出力端子との間に接続された第１のコンデンサ
と、前記第２のスイッチ部のカソード側と第２の入出力
端子との間に接続された第２のコンデンサと、一端側が
前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第２のスイッ
チ部のアノード側に接続され、他端側か第３の入出力端
子に接続された第３のコンデンサと、第１の状態と第２
の状態とを選択する切り替え制御信号に基づき、該第１
の状態が選択されたときに前記第１のスイッチ部のアノ
ード側及び前記第２のスイッチ部のカソード側を高電位
とし、前記第１のスイッチ部のカソード側及び前記第２
のスイ・ノチ部のアノード側を前記高電位よりも低い所
定の低電位とすると共に、前記第２の状態が選択された
ときに前記第１のスイッチ部のアノード側及び前記第２
のスイッチ部のカソード側を前記低電位とし、前記第１
のスイッチ部のカソード側及び前記第２のスイッチ部の
アノード側を前記高電位とする電位切り替え回路とを備
えたスイッチ回路を提案する。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides the following features:
In this case, first and second switch parts each including at least one diode, a first capacitor connected between an anode of the first switch part and a first input/output terminal, and a first capacitor connected between the anode of the first switch part and a first input/output terminal, a second capacitor connected between the cathode side of the switch section and the second input/output terminal; one end side connected to the cathode side of the first switch section and the anode side of the second switch section; A third capacitor connected to the other end side or the third input/output terminal, and a first state and a second state.
Based on a switching control signal that selects the state of the first
When the state is selected, the anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section are set to a high potential, and
The anode side of the switch section is set to a predetermined low potential lower than the high potential, and when the second state is selected, the anode side of the first switch section and the second
The cathode side of the switch section is set to the low potential, and the first
The present invention proposes a switch circuit including a potential switching circuit that sets the cathode side of the switch section and the anode side of the second switch section to the high potential.
また、請求項（２）では、少なくとも一のダイオードか
らなる第１乃至第３のスイッチ部と、前記第１のスイッ
チ部のアノード側と前記第２のスイッチ部のカソード側
との間に接続され、コンデンサを介して接地された抵抗
器を有する抵抗減衰器と、一端側が前記第１のスイッチ
部のカソード側と前記第３のスイッチ部のアノード側に
接続され、他端側か第１の入出力端子に接続された第１
のコンデンサと、一端側が前記第２のスイッチ部のアノ
ード側と前記第３のスイッチ部のカソード側に接続され
、他端側か第２の入出力端子に接続された第２のコンデ
ンサと、第１の状態と第２の状態とを選択する切り替え
制御信号に基づき、該第１の状態が選択されたときに前
記第１のスイッチ部のカソード側及び前記第３のスイッ
チ部のアノード側を所定の高電位とし、前記第２のスイ
ッチ部のアノード側及び前記第３のスイッチ部のカソー
ドを前記高電位よりも低い所定の低電位とすると共に、
前記第２の状態が選択されたときに前記第１のスイッチ
部のカソード側及び前記第３のスイッチ部のアノード側
を前記低電位とし、前記第２のスイッチ部のアノード側
及び前記第３のスイッチ部のカソード側を前記高電位と
する電位切り替え回路とを備えた信号減衰回路を提案す
る。Further, in claim (2), first to third switch sections each including at least one diode are connected between an anode side of the first switch section and a cathode side of the second switch section. , a resistance attenuator having a resistor grounded via a capacitor; one end side connected to the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section, and the other end side connected to the first input side; the first connected to the output terminal
a second capacitor whose one end is connected to the anode side of the second switch section and the cathode side of the third switch section, and whose other end is connected to the second input/output terminal; Based on a switching control signal for selecting the first state and the second state, when the first state is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to a predetermined value. the anode side of the second switch section and the cathode of the third switch section are set at a predetermined low potential lower than the high potential;
When the second state is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to the low potential, and the anode side of the second switch section and the anode side of the third switch section are set to the low potential. A signal attenuation circuit including a potential switching circuit that sets the cathode side of the switch section to the high potential is proposed.
さらに、請求項（３）では、少な（とも一のダイオード
からなる第１乃至第４のスイッチ部と、前記第１のスイ
ッチ部のアノード側と前記第２のスイッチ部のカソード
側との間に接続され、コンデンサを介して接地された抵
抗器を有する第１の抵抗減衰器と、前記第３のスイッチ
部のカソード側と前記第４のスイッチ部のアノード側と
の間に接続され、コンデンサを介して接地された抵抗器
を有する第２の抵抗減衰器と、一端側が前記第１のスイ
ッチ部のカソード側と前記第３のスイッチ部のアノード
側に接続され、他端側か第１の入出力端子に接続された
第１のコンデンサと、一端側が前記第２のスイッチ部の
アノード側と前記第４のスイッチ部のカソード側に接続
され、他端側か第２の入出力端子に接続された第２のコ
ンデンサと、第１の状態と第２の状態とを選択する切り
替え制御信号に基づき、該第１の状態が選択されたとき
に前記第１のスイッチ部のカソード側及び前記第３のス
イッチ部のアノード側を所定の高電位とし、前記第２の
スイッチ部のアノード側及び前記第４のスイッチ部のカ
ソードを前記高電位よりも低い所定の低電位とすると共
に、前記第２の状態が選択されたときに前記第１のスイ
ッチ部のカソード側及び前記第３のスイッチ部のアノー
ド側を前記低電位とし、前記第２のスイッチ部のアノー
ド側及び前記第４のスイッチ部のカソード側を前記高電
位とする電位切り替え回路とを備えた信号減衰回路を提
案する。Furthermore, in claim (3), between the first to fourth switch sections each including a small number of diodes, and the anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section, a first resistive attenuator having a resistor connected to the ground via the capacitor; a first resistive attenuator connected between the cathode side of the third switch section and the anode side of the fourth switch section; a second resistance attenuator having a resistor grounded through the resistor; one end side connected to the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section; a first capacitor connected to the output terminal; one end connected to the anode side of the second switch section and the cathode side of the fourth switch section; and the other end connected to the second input/output terminal. and a switching control signal that selects between the first state and the second state, and when the first state is selected, the cathode side of the first switch section and the third The anode side of the switch section is set at a predetermined high potential, the anode side of the second switch section and the cathode of the fourth switch section are set at a predetermined low potential lower than the high potential, and the second switch section is set at a predetermined high potential. When the state is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to the low potential, and the anode side of the second switch section and the cathode side of the fourth switch section are set to the low potential. The present invention proposes a signal attenuation circuit including a potential switching circuit whose side is at the high potential.
（作 用）
本発明の請求項（１）によれば、電位切り替え回路に第
１の状態を選択する切り替え制御信号が入力されたとき
は、前記電位切り替え回路によって、第１のスイッチ部
のアノード側及び第２のスイッチ部のカソード側には、
例えば所定の正の電圧が印加されて高電位とされ、前記
第１のスイッチ部のカソード側及び前記第２のスイッチ
部のアノード側は前記高電位よりも低い所定の低電位、
例えば零電位とされる。これにより、前記第１のスイッ
チ部のダイオードは順方向にバイアスされてオンとなり
、前記第２のスイッチ部のダイオードは逆バイアスされ
てオフになる。従って、例えば第１及び第２の入出力端
子のそれぞれに異なる高周波信号を入力した場合、前記
第１の入出力端子に入力された高周波信号は第１のコン
デンサ、第１のスイッチ部及び第３のコンデンサを介し
て第３の入出力端子に出力される。このとき、前記第２
の入出力端子に入力された高周波信号は前記第２のスイ
ッチ部によって遮断される。(Function) According to claim (1) of the present invention, when a switching control signal for selecting the first state is input to the potential switching circuit, the potential switching circuit causes the anode of the first switch section to On the side and the cathode side of the second switch part,
For example, a predetermined positive voltage is applied to a high potential, and the cathode side of the first switch section and the anode side of the second switch section are at a predetermined low potential lower than the high potential;
For example, it is set to zero potential. As a result, the diode of the first switch section is forward biased and turned on, and the diode of the second switch section is reverse biased and turned off. Therefore, for example, when different high frequency signals are input to the first and second input/output terminals, the high frequency signals input to the first input/output terminal are transmitted to the first capacitor, the first switch section and the third input/output terminal. The signal is output to the third input/output terminal via the capacitor. At this time, the second
The high frequency signal inputted to the input/output terminal of is blocked by the second switch section.
また、電位切り替え回路に第２の状態を選択する切り替
え制御信号が入力されたときは、前記電位切り替え回路
によって、第１のスイッチ部のアノード側及び第２のス
イッチ部のカソード側は前記低電位とされ、前記第１の
スイッチ部のカソード側及び前記第２のスイッチ部のア
ノード側は前記高電位とされる。これにより、前記第１
のスイッチ部のダイオードは逆バイアスされてオフとな
り、前記第２のスイッチ部のダイオードは順方向にバイ
アスされてオンになる。従って、前記第１の入出力端子
に入力された高周波信号は前記第１のスイッチ部によっ
て遮断される。このとき、前記第２の入出力端子に入力
された高周波信号は第２のコンデンサ、第２のスイッチ
部及び第３のコンデンサを介して第３の入出力端子に出
力される。Further, when a switching control signal for selecting the second state is input to the potential switching circuit, the potential switching circuit causes the anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section to be set to the low potential. The cathode side of the first switch section and the anode side of the second switch section are set to the high potential. As a result, the first
The diode of the second switch section is reverse biased and turned off, and the diode of the second switch section is forward biased and turned on. Therefore, the high frequency signal input to the first input/output terminal is blocked by the first switch section. At this time, the high frequency signal input to the second input/output terminal is output to the third input/output terminal via the second capacitor, the second switch section, and the third capacitor.
また、請求項（２）によれば、例えば第１の入出力端子
に高周波信号を入力し、電位切り替え回路に第１の状態
を選択する切り替え制御信号が入力されたときは、前記
電位切り替え回路によって、第１のスイッチ部のカソー
ド側及び第３のスイッチ部のアノード側には、例えば所
定の正の電圧が印加されて高電位とされ、第２のスイッ
チ部のアノード側及び前記第３のスイッチ部のカソード
側は前記高電位よりも低い所定の低電位、例えば零電位
とされる。これにより、前記第３のスイッチ部のダイオ
ードは順方向にバイアスされてオンとなる。また、抵抗
減衰器において第１及び第２のスイッチ部と接地点との
間の直流分の伝達はコンデンサによって遮断されている
ので、前記第２及び第３のスイッチ部のダイオードは逆
バイアスされてオフになる。従って、前記第１の入出力
端子に入力された高周波信号は第１のコンデンサ、第３
のス・ｒツチ部及び第２のコンデンサを介して第２の入
出力端子に出力される。According to claim (2), for example, when a high frequency signal is input to the first input/output terminal and a switching control signal for selecting the first state is input to the potential switching circuit, the potential switching circuit For example, a predetermined positive voltage is applied to the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section to have a high potential, and the anode side of the second switch section and the anode side of the third switch section are The cathode side of the switch section is set at a predetermined low potential lower than the high potential, for example, zero potential. As a result, the diode of the third switch section is forward biased and turned on. Further, in the resistance attenuator, the transmission of DC components between the first and second switch sections and the ground point is blocked by the capacitor, so the diodes of the second and third switch sections are reverse biased. It turns off. Therefore, the high frequency signal input to the first input/output terminal is transferred to the first capacitor and the third capacitor.
The signal is output to the second input/output terminal via the switch section and the second capacitor.
また、前記電位切り替え回路に第２の状態を選択する切
り替え制御信号が入力されたときは、前記電位切り替え
回路によって、第１のスイッチ部のカソード側及び第３
のスイッチ部のアノード側は前記低電位とされ、第２の
スイッチ部のアノード側及び前記第３のスイッチ部のカ
ソード側は前記高電位とされる。これにより、前記第３
のスイッチ部のダイオードは逆バイアスされてオフとな
り、前記第２及び第３のスイッチ部のダイオードは順方
向にバイアスされてオンになる。従って、前記第１の入
出力端子に入力された高周波信号は第１のコンデンサ、
第１のスイッチ部、前記抵抗減衰器、第２のスイッチ部
及び第２のコンデンサを介して第２の入出力端子に出力
され、前記抵抗減衰器の減衰比によって減衰される。Further, when a switching control signal for selecting the second state is input to the potential switching circuit, the potential switching circuit controls the cathode side of the first switch section and the third state.
The anode side of the switch section is set to the low potential, and the anode side of the second switch section and the cathode side of the third switch section are set to the high potential. As a result, the third
The diode of the switch section is reverse biased and turned off, and the diodes of the second and third switch sections are forward biased and turned on. Therefore, the high frequency signal input to the first input/output terminal is transmitted to the first capacitor,
The signal is output to the second input/output terminal via the first switch section, the resistance attenuator, the second switch section, and the second capacitor, and is attenuated by the attenuation ratio of the resistance attenuator.
さらに、請求項（３）によれば、例えば第１の入出力端
子に高周波信号を入力し、電位切り替え回路に第１の状
態を選択する切り替え制御信号が入力されたときは、前
記電位切り替え回路によって、第１のスイッチ部のカソ
ード側及び第３のスイッチ部のアノード側には、例えば
所定の正の電圧が印加されて高電位とされ、第２のスイ
ッチ部のアノード側及び第４のスイッチ部のカソード側
は前記高電位よりも低い所定の低電位、例えば零電位と
される。また、第１の抵抗減衰器において第１及び第２
のスイッチ部と接地点との間の直流分の伝達はコンデン
サによって遮断され、第２の抵抗減衰器において第３及
び第４のスイッチ部と接地点との間の直流分の伝達もコ
ンデンサによって遮断されている。これにより、前記第
３及び第４のスイッチ部のダイオードは順方向にバイア
スされてオンとなり、前記第１及び第２のスイッチ部の
ダイオードは逆バイアスされてオフになる。従って、前
記第１の入出力端子に入力された高周波信号は第１のコ
ンデンサ、第３のスイッチ部、第２の抵抗減衰器、第４
のスイッチ部及び第２のコンデンサを介して第２の入出
力端子に出力され、前記第２の抵抗減衰器の減衰比によ
って減衰される。Furthermore, according to claim (3), when a high frequency signal is input to the first input/output terminal and a switching control signal for selecting the first state is input to the potential switching circuit, the potential switching circuit For example, a predetermined positive voltage is applied to the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section to have a high potential, and the anode side of the second switch section and the anode side of the fourth switch section are The cathode side of the section is set at a predetermined low potential lower than the high potential, for example, zero potential. Further, in the first resistance attenuator, the first and second
The transmission of the DC component between the switch section and the ground point is blocked by the capacitor, and the transmission of the DC component between the third and fourth switch sections and the ground point in the second resistance attenuator is also blocked by the capacitor. has been done. As a result, the diodes of the third and fourth switch sections are forward biased and turned on, and the diodes of the first and second switch sections are reverse biased and turned off. Therefore, the high frequency signal input to the first input/output terminal is transmitted to the first capacitor, the third switch section, the second resistive attenuator, and the fourth resistive attenuator.
The signal is output to the second input/output terminal via the switch section and the second capacitor, and is attenuated by the attenuation ratio of the second resistance attenuator.
また、前記電位切り替え回路に第２の状態を選択する切
り替え制御信号が入力されたときは、前記電位切り替え
回路によって、第１のスイッチ部のカソード側及び第３
のスイッチ部のアノード側は前記低電位とされ、第２の
スイッチ部のアノード側及び前記第４のスイッチ部のカ
ソード側は前記高電位とされる。これにより、前記第３
及び第４のスイッチ部のダイオードは逆バイアスされて
オフとなり、前記第１及び第２のスイッチ部のダイオー
ドは順方向にバイアスされてオンになる。Further, when a switching control signal for selecting the second state is input to the potential switching circuit, the potential switching circuit controls the cathode side of the first switch section and the third state.
The anode side of the switch section is set to the low potential, and the anode side of the second switch section and the cathode side of the fourth switch section are set to the high potential. As a result, the third
The diodes of the fourth switch section are reverse biased and turned off, and the diodes of the first and second switch sections are forward biased and turned on.
従って、前記第１の入出力端子に入力された高周波信号
は第１のコンデンサ、第１のスイッチ部、第１の抵抗減
衰器、第２のスイッチ部及び第２のコンデンサを介して
第２の入出力端子に出力され、前記第１の抵抗減衰器の
減衰比によって減衰される。Therefore, the high frequency signal input to the first input/output terminal is transmitted to the second capacitor via the first capacitor, the first switch section, the first resistance attenuator, the second switch section and the second capacitor. The signal is output to the input/output terminal and is attenuated by the attenuation ratio of the first resistance attenuator.
（実施例）
第１図は本発明の第１の実施例のスイッチ回路を示す回
路図である。図において、前述した従来例と同一構成部
分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。即ち
、１及び２はそれぞれ複数のスイッチングダイオード（
以下、ダイオードと称する）Ｄを直列に接続したスイッ
チ部で、スイッチ部１のアノード側はコンデンサＣ１を
介して入出力端子３に接続され、スイッチ部２のカソー
ド側はコンデンサＣ２を介して入出力端子４に接続され
ている。また、スイッチ部１のカソード側及びスイッチ
部２のアノード側は、コンデンサＣ３の一端側に接続さ
れ、コンデンサＣ３の他端側は入出力端子５に接続され
ている。(Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram showing a switch circuit according to a first embodiment of the present invention. In the figures, the same components as those in the conventional example described above are represented by the same reference numerals, and their explanations will be omitted. That is, 1 and 2 are each a plurality of switching diodes (
(hereinafter referred to as diodes) are connected in series.The anode side of the switch section 1 is connected to the input/output terminal 3 via the capacitor C1, and the cathode side of the switch section 2 is connected to the input/output terminal via the capacitor C2. Connected to terminal 4. Further, the cathode side of the switch section 1 and the anode side of the switch section 2 are connected to one end side of the capacitor C3, and the other end side of the capacitor C3 is connected to the input/output terminal 5.
２０は電位切り替え回路で、複数の抵抗器Ｒ２１〜Ｒ２
９及びＮＰＮ型のトランジスタＴｒｌ、Ｔｒ２によって
構成されている。20 is a potential switching circuit, which includes multiple resistors R21 to R2.
9 and NPN type transistors Trl and Tr2.
トランジスタＴｒｌのエミッタは接地され、ベースは抵
抗器Ｒ２Ｌを介して切り替え制御信号の入力端子２１に
接続されると共に、抵抗器Ｒ２２を介して接地されてい
る。さらに、トランジスタＴｒ１のコレクタは、抵抗器
Ｒ２３を介してスイッチ部１のアノード側に、また抵抗
器Ｒ２４を介してスイッチ部２のカソード側にそれぞれ
接続されている。The emitter of the transistor Trl is grounded, and the base is connected to the switching control signal input terminal 21 via a resistor R2L, and is also grounded via a resistor R22. Furthermore, the collector of the transistor Tr1 is connected to the anode side of the switch section 1 via a resistor R23, and to the cathode side of the switch section 2 via a resistor R24.
また、トランジスタＴｒ２のエミッタは接地され、ベー
スは抵抗器Ｒ２５を介してトランジスタＴｒ１のコレク
タに接続されると共に、抵抗器Ｒ２Ｂを介して接地され
ている。さらに、トランジスタＴｒｌのコレクタ及びト
ランジスタＴｒ２のコレクタのそれぞれには、抵抗器Ｒ
２８，Ｒ２９を介して所定の正の電圧子Ｖが印加されて
いる。Further, the emitter of the transistor Tr2 is grounded, and the base is connected to the collector of the transistor Tr1 via a resistor R25, and is also grounded via a resistor R2B. Furthermore, a resistor R is connected to each of the collector of the transistor Trl and the collector of the transistor Tr2.
A predetermined positive voltage element V is applied via R28 and R29.
次に、前述の構成よりなる第１の実施例の動作を、入出
力端子３に第１の高周波信号を、また入出力端子４に第
２の高周波信号をそれぞれ入力し、いずれか一方の高周
波信号を入出力端子５に出力する場合について説明する
。Next, the operation of the first embodiment having the above-mentioned configuration is performed by inputting the first high frequency signal to the input/output terminal 3 and the second high frequency signal to the input/output terminal 4, and The case where a signal is output to the input/output terminal 5 will be explained.
入力端子２１にハイレベルの切り替え制御信号を入力す
ると、トランジスタＴｒｉのベースにハイレベルの電圧
が印加され、トランジスタＴｒｉはオン状態になる。こ
れにより、スイッチ部１のアノード側、スイッチ部２の
カソード側及びトランジスタＴｒ２のベースはそれぞれ
低電位、ここではほぼ零電位となる。従って、トランジ
スタＴｒ２はオフ状態になり、スイッチ部ｌのカソード
側及びスイッチ部２のアノード側には正の電圧子Ｖが印
加されて高電位となる。これにより、スイッチ部１のダ
イオードＤは逆バイアスされてオフとなり、第１の高周
波信号の伝達を遮断する。また、スイッチ部２のダイオ
ードＤは順方向にバイアスされてオン状態になり、第２
の高周波信号を伝達し、入出力端子５から出力する。When a high-level switching control signal is input to the input terminal 21, a high-level voltage is applied to the base of the transistor Tri, and the transistor Tri is turned on. As a result, the anode side of the switch section 1, the cathode side of the switch section 2, and the base of the transistor Tr2 are each at a low potential, approximately zero potential here. Therefore, the transistor Tr2 is turned off, and a positive voltage element V is applied to the cathode side of the switch section l and the anode side of the switch section 2, and the potential becomes high. As a result, the diode D of the switch section 1 is reverse biased and turned off, cutting off transmission of the first high frequency signal. Further, the diode D of the switch section 2 is forward biased and turned on, and the second
A high frequency signal is transmitted and outputted from the input/output terminal 5.
また、入力端子２１にローレバルの切り替え制御信号を
入力すると、トランジスタＴｒｉのベースにローレベル
の電圧が印加され、トランジスタＴｒｌはオフ状態にな
る。これにより、スイッチ部のアノード側、スイッチ部
２のカソード側及びトランジスタＴｒ２のベースには、
それぞれ抵抗器Ｒ２８及び抵抗器Ｒ２３，２４，２５を
介して前記電圧子Ｖが印加されて高電位となる。従って
、トランジスタＴｒ２はオン状態になり、スイッチ部１
のカソード側及びスイッチ部２のアノード側は抵抗器Ｒ
２７及びトランジスタＴｒ２を介して接地され、はぼ零
電位、即ち低電位となる。これにより、スイッチ部ｌの
ダイオードＤは順方向にバイアスされてオンとなり、第
１の高周波信号を伝達し、入出力端子５から出力する。Furthermore, when a low-level switching control signal is input to the input terminal 21, a low-level voltage is applied to the base of the transistor Tri, and the transistor Trl is turned off. As a result, on the anode side of the switch section, the cathode side of the switch section 2, and the base of the transistor Tr2,
The voltage element V is applied through resistor R28 and resistors R23, 24, and 25, respectively, and a high potential is obtained. Therefore, the transistor Tr2 is turned on, and the switch section 1
The cathode side of the switch section 2 and the anode side of the switch section 2 are connected to the resistor R
27 and the transistor Tr2, and has almost zero potential, that is, a low potential. As a result, the diode D of the switch section l is biased in the forward direction and turned on, transmitting the first high frequency signal and outputting it from the input/output terminal 5.
また、スイッチ部２のダイオードＤは逆バイアスされて
オフとなり、第２の高周波信号の伝達を遮断する。Furthermore, the diode D of the switch section 2 is reverse biased and turned off, cutting off transmission of the second high frequency signal.
前述したように、第１の実施例によれば従来のように正
及び負の電圧を必要としないので、単一の電源によって
動作させることができる。As described above, the first embodiment does not require positive and negative voltages as in the prior art, so it can be operated with a single power source.
次に、本発明の第２の実施例を説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
第４図は第２の実施例の信号減衰回路を示す回路図であ
る。図において、前述した第１の実施例と同一構成部分
は同一符号をもって表し、その説明を省略する。また、
第１の実施例と第２の実施例との相違点は、第１の実施
例におけるスイッチ部２、コンデンサＣ２及び抵抗器Ｒ
２４を除去し、スイッチ部１のアノード側とカソード側
との間に、直列に接続されたスイッチ部１１、減衰器１
２、スイッチ部１３を並列に接続したことにある。FIG. 4 is a circuit diagram showing the signal attenuation circuit of the second embodiment. In the figures, the same components as those in the first embodiment described above are represented by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. Also,
The differences between the first embodiment and the second embodiment are the switch section 2, capacitor C2, and resistor R in the first embodiment.
24 is removed, and a switch section 11 and an attenuator 1 are connected in series between the anode side and the cathode side of the switch section 1.
2. The switch parts 13 are connected in parallel.
即ち、スイッチ部１１．１３はそれぞれダイオードＤか
らなり、スイッチ部１１のカソード側はスイッチ部１の
アノード側に接続され、スイッチ部１３のアノード側は
スイッチ部１のカソード側に接続されている。また、ス
イッチ部１１のカソード側とスイッチ部１３のアノード
側との間には減衰器１２が接続されている。That is, the switch sections 11 and 13 each include a diode D, the cathode side of the switch section 11 is connected to the anode side of the switch section 1, and the anode side of the switch section 13 is connected to the cathode side of the switch section 1. Further, an attenuator 12 is connected between the cathode side of the switch section 11 and the anode side of the switch section 13.
減衰器１２は、複数の抵抗器１２１，１２２．１２３と
コンデンサＣ４とからなり、スイッチ部１１のアノード
側とスイッチ部１３のカソード側との間に抵抗器１２１
，１２２が直列に接続され、抵抗器１２３の一端側は抵
抗器１２１と抵抗器１２２との接続点に接続されると共
に、抵抗器１２３の他端側はコンデンサＣ４を介して接
地されている。The attenuator 12 includes a plurality of resistors 121, 122, 123 and a capacitor C4, and the resistor 121 is connected between the anode side of the switch section 11 and the cathode side of the switch section 13.
, 122 are connected in series, one end of resistor 123 is connected to the connection point between resistor 121 and resistor 122, and the other end of resistor 123 is grounded via capacitor C4.
前述の構成よりなる第２の実施例の動作を、例えば入出
力端子３に高周波信号を入力し、入出力端子５から出力
される信号の減衰比を切り替える場合について説明する
。The operation of the second embodiment having the above-described configuration will be described, for example, when a high frequency signal is input to the input/output terminal 3 and the attenuation ratio of the signal output from the input/output terminal 5 is switched.
入力端子２１にハイレベルの切り替え制御信号を入力す
ると、トランジスタＴｒｉのベースにハイレベルの電圧
が印加され、トランジスタＴｒｉはオン状態になる。こ
れにより、スイッチ部１のアノード側、スイッチ部２の
カソード側及びトランジスタＴｒ２のベースはそれぞれ
低電位、ここではほぼ零電位となる。従って、トランジ
スタＴｒ２はオフ状態になり、スイッチ部１のカソード
側及びスイッチ部２のアノード側には正の電圧子■が印
加されて高電位となる。これにより、スイッチ部１のダ
イオードＤは逆バイアスされてオフとなり、高周波信号
の伝達を遮断する。また、スイッチ部１１．１３のダイ
オードＤは順方向にバイアスされてオン状態になり、高
周波信号は減衰器１２を介して伝達され、入出力端子５
から出力される。このとき、高周波信号は抵抗器ＲＬ２
１．１２２．１２３の抵抗値によって設定された減衰比
により減衰される。また、減衰器１２において、抵抗器
Ｒ１２３への直流電流の流通はコンデンサＣ４によって
遮断される。When a high-level switching control signal is input to the input terminal 21, a high-level voltage is applied to the base of the transistor Tri, and the transistor Tri is turned on. As a result, the anode side of the switch section 1, the cathode side of the switch section 2, and the base of the transistor Tr2 are each at a low potential, approximately zero potential here. Therefore, the transistor Tr2 is turned off, and a positive voltage element (2) is applied to the cathode side of the switch section 1 and the anode side of the switch section 2, and the potential becomes high. As a result, the diode D of the switch section 1 is reverse biased and turned off, cutting off transmission of high frequency signals. Further, the diode D of the switch section 11.13 is forward biased and turned on, and the high frequency signal is transmitted via the attenuator 12, and the input/output terminal 5
is output from. At this time, the high frequency signal is connected to the resistor RL2.
It is attenuated by the damping ratio set by the resistance value of 1.122.123. Furthermore, in the attenuator 12, the flow of direct current to the resistor R123 is blocked by the capacitor C4.
また、入力端子２１にローレベルの切り替え制御信号を
入力すると、トランジスタＴｒｉのベースにローレベル
の電圧が印加され、トランジスタＴｒｉはオフ状態にな
る。これにより、スイッチ部１のアノード側、スイッチ
部１１のカソード側及びトランジスタＴｒ２のベースに
は、それぞれ抵抗器Ｒ２８及び抵抗器Ｒ２３，２５を介
して前記電圧＋Ｖが印加されて高電位となる。従って、
トランジスタＴｒ２はオン状態になり、スイッチ部１の
カソード側及びスイッチ部１３のアノード側は抵抗器Ｒ
２７及びトランジスタＴｒ２を介して接地され、はぼ零
電位、即ち低電位となる。これにより、スイッチ部１の
ダイオードＤは順方向にバイアスされてオンとなり、高
周波信号を伝達し、入出力端子５から出力する。また、
スイッチ部１１．１３のダイオードＤは逆バイアスされ
てオフとなり、高周波信号の伝達を遮断する。これによ
り、高周波信号は減衰されることなく出力される。Further, when a low level switching control signal is input to the input terminal 21, a low level voltage is applied to the base of the transistor Tri, and the transistor Tri is turned off. As a result, the voltage +V is applied to the anode side of the switch section 1, the cathode side of the switch section 11, and the base of the transistor Tr2 via the resistor R28 and the resistors R23 and 25, respectively, and the voltage becomes high. Therefore,
The transistor Tr2 is turned on, and the cathode side of the switch section 1 and the anode side of the switch section 13 are connected to the resistor R.
27 and the transistor Tr2, and has almost zero potential, that is, a low potential. As a result, the diode D of the switch section 1 is biased in the forward direction and turned on, transmitting a high frequency signal and outputting it from the input/output terminal 5. Also,
Diode D of switch section 11.13 is reverse biased and turned off, cutting off transmission of high frequency signals. Thereby, the high frequency signal is output without being attenuated.
前述した第２の実施例においても第１の実施例と同様に
、正及び負の電圧を必要としないので、単一の電源によ
って動作させることができる。Similarly to the first embodiment, the second embodiment described above does not require positive and negative voltages, so it can be operated with a single power source.
次に、本発明の第３の実施例を説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described.
第５図は本発明の第３の実施例の信号減衰回路を示す回
路図である。図において、前述した第２の実施例と同一
構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する
。また、第２の実施例と第３の実施例との相違点はスイ
ッチ部１に代えて、直列接続されたスイッチ部１４、減
衰器１５、スイッチ部１６を設けたことにある。即ち、
スイッチ部１４．１６は前述と同様にダイオードＤから
なり、スイッチ部１４のアノード側はスイッチ部１１の
カソード側に、またスイッチ部１６のカソード側はスイ
ッチ部１３のアノード側にそれぞれ接続されている。さ
らにスイッチ部１４のカソード側とスイッチ部１６のア
ノード側との間には減衰器１５が接続されている。FIG. 5 is a circuit diagram showing a signal attenuation circuit according to a third embodiment of the present invention. In the figures, the same components as those in the second embodiment described above are represented by the same reference numerals, and their explanations will be omitted. Further, the difference between the second embodiment and the third embodiment is that, in place of the switch section 1, a switch section 14, an attenuator 15, and a switch section 16 connected in series are provided. That is,
The switch sections 14 and 16 are composed of diodes D as described above, and the anode side of the switch section 14 is connected to the cathode side of the switch section 11, and the cathode side of the switch section 16 is connected to the anode side of the switch section 13. . Further, an attenuator 15 is connected between the cathode side of the switch section 14 and the anode side of the switch section 16.
減衰器１５は、複数の抵抗器１５１，１５２，１５３と
コンデンサＣ５とからなり、スイッチ部１４のカソード
側とスイッチ部１６のアノード側との間に抵抗器１５１
．１５２が直列に接続され、抵抗器１５３の一端側は抵
抗器１５１と抵抗器１５２との接続点に接続されると共
に、抵抗器１５３の他端側はコンデンサＣ５を介して接
地されている。The attenuator 15 includes a plurality of resistors 151, 152, 153 and a capacitor C5, and the resistor 151 is connected between the cathode side of the switch section 14 and the anode side of the switch section 16.
．． 152 are connected in series, one end of the resistor 153 is connected to a connection point between the resistors 151 and 152, and the other end of the resistor 153 is grounded via a capacitor C5.
前述の構成よりなる第３の実施例によれば、入力端子２
１に、ハイレベルの切り替え制御信号を入力したときに
は、入出力端子３から入力された高周波信号は、スイッ
チ部１１．１３及び減衰器１２を介して入出力端子５に
出力され、入力端子２１にローレベルの切り替え制御信
号を入力したときには、入出力端子３から入力された高
周波信号は、スイッチ部１４．１６及び減衰器１５を介
して入出力端子５に出力される。従って、切り替え制御
信号によって入出力端子５から出力される信号の減衰比
を切り替えることができる。According to the third embodiment having the above-described configuration, the input terminal 2
1, when a high-level switching control signal is input, the high frequency signal input from the input/output terminal 3 is output to the input/output terminal 5 via the switch section 11.13 and the attenuator 12, and is output to the input terminal 21. When a low level switching control signal is input, the high frequency signal input from the input/output terminal 3 is outputted to the input/output terminal 5 via the switch section 14 , 16 and the attenuator 15 . Therefore, the attenuation ratio of the signal output from the input/output terminal 5 can be switched by the switching control signal.
前述した第３の実施例においても第１及び第２の実施例
と同様に、正及び負の電圧を必要としないので、単一の
電源によって動作させることができる。Similarly to the first and second embodiments, the third embodiment described above does not require positive and negative voltages, so it can be operated with a single power source.
次に、本発明の第４の実施例を説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
第６図は第４の実施例の信号減衰回路を示す回路図であ
る。図において、前述した第３の実施例と同一構成部分
は同一符号をもって表し、その説明を省略する。また、
第３の実施例と第４の実施例との相違点は、スイッチ部
１１．１３及び減衰器１２からなる信号伝送経路と、ス
イッチ部１４゜１６及び減衰器１５からなる信号伝送経
路のうち使用されない伝送経路を介して信号が伝送され
ることを完全に阻止するアイソレーション回路３０を設
けたことにある。FIG. 6 is a circuit diagram showing the signal attenuation circuit of the fourth embodiment. In the figures, the same components as in the third embodiment described above are represented by the same reference numerals, and their explanations will be omitted. Also,
The difference between the third embodiment and the fourth embodiment lies in the signal transmission path consisting of switch sections 11, 13 and attenuator 12, and the signal transmission path consisting of switch sections 14, 16 and attenuator 15. The reason is that an isolation circuit 30 is provided to completely prevent signals from being transmitted through an unused transmission path.
アイソレーション回路３０は、抵抗器３１〜３３、コン
デンサ３４〜３６及びダイオード３７゜３８によって構
成される。ダイオード３７のアノードはコンデンサ３４
を介してスイッチ部１１のカソード側に接続されると共
に、抵抗器３１を介してトランジスタＴｒｉのコレクタ
に接続されている。また、ダイオード３７のカソードは
抵抗器３２を介してトランジスタＴｒ２のコレクタに接
続されると共に、コンデンサ３５を介して接地されてい
る。さらに、ダイオード３８のアノードはダイオード３
７のカソードに接続され、カソードは抵抗器３３を介し
てトランジスタＴｒｉのコレクタに接続されると共に、
コンデンサ３６を介してスイッチ部１４のカソード側に
接続されている。The isolation circuit 30 is comprised of resistors 31-33, capacitors 34-36, and diodes 37 and 38. The anode of the diode 37 is the capacitor 34
It is connected to the cathode side of the switch section 11 via a resistor 31, and to the collector of the transistor Tri via a resistor 31. Further, the cathode of the diode 37 is connected to the collector of the transistor Tr2 via the resistor 32, and is grounded via the capacitor 35. Furthermore, the anode of the diode 38 is connected to the diode 3
The cathode is connected to the collector of the transistor Tri through the resistor 33, and the cathode is connected to the collector of the transistor Tri.
It is connected to the cathode side of the switch section 14 via a capacitor 36.
前述の構成よりなる第４の実施例によれば、第３の実施
例と同様に、入力端子２１にハイレベルの切り替え制御
信号を入力したときには、入出力端子３から入力された
高周波信号は、スイッチ部１１．１３及び減衰器１２を
介して入出力端子５に出力され、入力端子２１にローレ
ベルの切り替え制御信号を入力したときには、入出力端
子３から入力された高周波信号は、スイッチ部１４，１
６及び減衰器１５を介して入出力端子５に出力される。According to the fourth embodiment having the above-described configuration, similarly to the third embodiment, when a high-level switching control signal is input to the input terminal 21, the high frequency signal input from the input/output terminal 3 is The high frequency signal input from the input/output terminal 3 is output to the input/output terminal 5 via the switch section 11.13 and the attenuator 12, and when a low level switching control signal is input to the input terminal 21, the high frequency signal input from the input/output terminal 3 is ,1
6 and an attenuator 15 to the input/output terminal 5.
従って、切り替え制御信号によって入出力端子５から出
力される信号の減衰比を切り替えることができる。Therefore, the attenuation ratio of the signal output from the input/output terminal 5 can be switched by the switching control signal.
さらに、第４の実施例によれば、入力端子２１にハイレ
ベルの切り替え信号を入力したときには、トランジスタ
Ｔｒｉがオンになり、トランジスタＴｒ２がオフになる
ので、ダイオード３７のアノードは抵抗器３１とトラン
ジスタＴｒｉを介して、またダイオード３８は抵抗器３
３とトランジスタＴｒｌを介してそれぞれ接地されて低
電位となる。Further, according to the fourth embodiment, when a high level switching signal is input to the input terminal 21, the transistor Tri is turned on and the transistor Tr2 is turned off, so that the anode of the diode 37 is connected to the resistor 31 and the transistor. Through Tri, the diode 38 is also connected to the resistor 3.
3 and the transistor Trl, respectively, and have a low potential.
さらに、ダイオード３７のカソードとダイオード３８の
アノードには抵抗器Ｒ２９と抵抗器３２を介して電圧子
Ｖが印加され、それぞれ高電位となる。Further, a voltage element V is applied to the cathode of the diode 37 and the anode of the diode 38 via the resistor R29 and the resistor 32, and each becomes a high potential.
これにより、ダイオード３７は逆バイアスされてオフと
なり、ダイオード３８は順方向にバイアスされてオンに
なる。従って、オフ状態にあるスイッチ部１４．１６を
含む伝送経路はコンデンサ３５．３６及びダイオード３
８を介して接地される。This causes diode 37 to be reverse biased and turned off, and diode 38 to be forward biased and turned on. Therefore, the transmission path including the switch section 14.16 in the off state is connected to the capacitor 35.36 and the diode 3.
8 to ground.
これにより、スイッチ部１４．１６から高周波信号が漏
れて伝送されても、これが入出力端子５に出力されるこ
とはない。また、入力端子２１にローレベルの切り替え
制御信号を入力したときは、トランジスタＴｒｌがオフ
になり、トランジスタＴｒ２がオンになるので、ダイオ
ード３７のアノードには抵抗器３１と抵抗器Ｒ２８を介
して、またダイオード３８には抵抗器３３と抵抗器Ｒ２
８を介して電圧＋Ｖが印加され、それぞれ高電位となる
。As a result, even if a high frequency signal leaks from the switch section 14, 16 and is transmitted, it will not be output to the input/output terminal 5. Furthermore, when a low level switching control signal is input to the input terminal 21, the transistor Trl is turned off and the transistor Tr2 is turned on. In addition, the diode 38 has a resistor 33 and a resistor R2.
A voltage +V is applied through 8, and each becomes a high potential.
さらに、ダイオード３７のカソードとダイオード３８の
アノードは抵抗器３２とトランジスタＴｒ２を介して接
地されて低電位となる。これにより、ダイオード３７は
順方向にバイアスされてオンとなり、ダイオード３８は
逆バイアスされてオフになる。従って、オフ状態にある
スイッチ部１１゜１３を含む伝送経路はコンデンサ３４
．３６及びダイオード３７を介して接地される。これに
より、スイッチ部１１．１３から高周波信号が漏れて伝
送されても、これが入出力端子５に出力されることはな
い。Further, the cathode of the diode 37 and the anode of the diode 38 are grounded through the resistor 32 and the transistor Tr2, and have a low potential. As a result, diode 37 is forward biased and turned on, and diode 38 is reverse biased and turned off. Therefore, the transmission path including the switch sections 11 and 13 in the off state is connected to the capacitor 34.
．． 36 and a diode 37 to ground. As a result, even if a high frequency signal leaks from the switch section 11.13 and is transmitted, it will not be output to the input/output terminal 5.
前述したように、第１乃至第４の実施例によれば従来の
ように正及び負の電源を必要とせず単一電源によって動
作させることができるので、パターン設計の簡略化を図
ることができる。また、切り替え制御信号によって容易
に状態の切り替え、即ちスイッチ状態の切り替え或いは
減衰比の切り替えを行うことができるので、他の電気回
路に簡単に組み込むことができる。さらに、電源の数を
低減することができるので、本発明のスイッチ回路又は
信号減衰回路を用いることにより、装置の形状を小型に
することができる。As described above, according to the first to fourth embodiments, it is possible to operate with a single power supply without requiring positive and negative power supplies as in the conventional case, so that pattern design can be simplified. . Further, since the state can be easily changed by the switching control signal, that is, the switch state or the attenuation ratio can be easily incorporated into other electric circuits. Furthermore, since the number of power supplies can be reduced, the size of the device can be made smaller by using the switch circuit or signal attenuation circuit of the present invention.
尚、実施例における電位切り替え回路は一例であり、こ
れに限定されないことは言うまでもないことである。Note that the potential switching circuit in the embodiment is merely an example, and it goes without saying that the present invention is not limited thereto.
また、本実施例では正の電圧＋Ｖの電源（図示せず）を
用いたが、負の電圧の電源を用いても同様の効果を得る
ことができる。Furthermore, although a positive voltage +V power source (not shown) is used in this embodiment, the same effect can be obtained by using a negative voltage power source.
さらに、第１乃至第３の実施例に対して、第４の実施例
におけるアイソレーション回路３０を付加しても良い。Furthermore, the isolation circuit 30 in the fourth embodiment may be added to the first to third embodiments.
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の請求項（１）によれば、
単一電源によって動作させることができるのでパターン
設計の簡略化を図ることができる。(Effect of the invention) As explained above, according to claim (1) of the present invention,
Since it can be operated with a single power supply, pattern design can be simplified.
また、切り替え制御信号によって二通りの状態を容易に
切り替えることができるので、操作性を向上させること
ができると共に、他の電気回路に簡単に組み込むことが
できる。さらに、従来に比べて電源の数を低減すること
ができるので、本スイッチ回路を用いた装置の形状を小
型にすることができる。Further, since the two states can be easily switched by a switching control signal, the operability can be improved and it can be easily incorporated into other electric circuits. Furthermore, since the number of power supplies can be reduced compared to the conventional one, the shape of the device using this switch circuit can be made smaller.
また、請求項（２） 、 （３）によれば、単一電源に
よって動作させることができるのでパターン設計の簡略
化を図ることができる。また、切り替え制御信号によっ
て二通りの減衰比を容易に切り替えることができるので
、操作性を向上させることができると共に、他の電気回
路に簡単に組み込むことができる。さらに、従来に比べ
て電源の数を低減することができるので、本信号減衰回
路を用いた装置の形状を小型にすることができるという
優れた利点を有するものである。Furthermore, according to claims (2) and (3), since the device can be operated with a single power source, pattern design can be simplified. Further, since the two attenuation ratios can be easily switched by a switching control signal, operability can be improved and it can be easily incorporated into other electric circuits. Furthermore, since the number of power supplies can be reduced compared to the conventional one, the present signal attenuation circuit has the excellent advantage that the shape of the device can be made smaller.
第１図は本発明の第１の実施例のスイッチ回路を示す回
路図、第２図は従来のスイッチ回路の一例を示す回路図
、第３図は従来の信号減衰回路の一例を示す回路図、第
４図は本発明の第２の実施例の信号減衰回路を示す回路
図、第５図は第３の実施例の信号減衰回路を示す回路図
、第６図は第４の実施例の信号減衰回路を示す回路図で
ある。
１．２，１１．１３．１４，１Ｂ・・・スイッチ部、Ｄ
・・・ダイオード、３，４．５・・・入出力端子、０１
〜Ｃ５・・・コンデンサ、１２．１５・・・減衰器、１
２１〜１２３．１５１〜１５３・・・抵抗器、２０・・
・電位切り替え回路、Ｔｒｉ 、Ｔｒ２・・・トランジ
スタ、Ｒ２１〜Ｒ２９・・・抵抗器、３０・・・アイソ
レーション回路、３１〜３３・・・抵抗器、３４〜３６
・・・コンデンサ、３７．３８・・・ダイオード。
特許出願人 太陽誘電株式会社FIG. 1 is a circuit diagram showing a switch circuit according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional switch circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional signal attenuation circuit. , FIG. 4 is a circuit diagram showing a signal attenuation circuit according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a circuit diagram showing a signal attenuation circuit according to a third embodiment, and FIG. 6 is a circuit diagram showing a signal attenuation circuit according to a fourth embodiment. FIG. 3 is a circuit diagram showing a signal attenuation circuit. 1.2, 11.13.14, 1B...Switch section, D
...Diode, 3,4.5...Input/output terminal, 01
~C5... Capacitor, 12.15... Attenuator, 1
21-123.151-153...Resistor, 20...
・Potential switching circuit, Tri, Tr2...Transistor, R21-R29...Resistor, 30...Isolation circuit, 31-33...Resistor, 34-36
...Capacitor, 37.38...Diode. Patent applicant Taiyo Yuden Co., Ltd.
Claims (3)
２のスイッチ部と、 前記第１のスイッチ部のアノード側と第１の入出力端子
との間に接続された第１のコンデンサと、前記第２のス
イッチ部のカソード側と第２の入出力端子との間に接続
された第２のコンデンサと、一端側が前記第１のスイッ
チ部のカソード側と前記第２のスイッチ部のアノード側
に接続され、他端側が第３の入出力端子に接続された第
３のコンデンサと、 第１の状態と第２の状態とを選択する切り替え制御信号
に基づき、該第１の状態が選択されたときに前記第１の
スイッチ部のアノード側及び前記第２のスイッチ部のカ
ソード側を所定の高電位とし、前記第１のスイッチ部の
カソード側及び前記第２のスイッチ部のアノード側を前
記高電位よりも低い所定の低電位とすると共に、前記第
２の状態が選択されたときに前記第１のスイッチ部のア
ノード側及び前記第２のスイッチ部のカソード側を前記
低電位とし、前記第１のスイッチ部のカソード側及び前
記第２のスイッチ部のアノード側を前記高電位とする電
位切り替え回路とを備えた、ことを特徴とするスイッチ
回路。(1) first and second switch sections each including at least one diode; a first capacitor connected between the anode side of the first switch section and a first input/output terminal; a second capacitor connected between the cathode side of the second switch section and the second input/output terminal; and one end side connected to the cathode side of the first switch section and the anode side of the second switch section. when the first state is selected based on a third capacitor whose other end is connected to a third input/output terminal, and a switching control signal that selects between the first state and the second state. The anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section are set at a predetermined high potential, and the cathode side of the first switch section and the anode side of the second switch section are set at the high potential. , and when the second state is selected, the anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section are set to the low potential, which is lower than the first state. and a potential switching circuit that sets the cathode side of the switch section and the anode side of the second switch section to the high potential.
のスイッチ部と、 前記第１のスイッチ部のアノード側と前記第２のスイッ
チ部のカソード側との間に接続され、コンデンサを介し
て接地された抵抗器を有する抵抗減衰器と、 一端側が前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第３
のスイッチ部のアノード側に接続され、他端側が第１の
入出力端子に接続された第１のコンデンサと、 一端側が前記第２のスイッチ部のアノード側と前記第３
のスイッチ部のカソード側に接続され、他端側が第２の
入出力端子に接続された第２のコ注（７、３８行目、カ
ノードは原文どおり）ンデンサと、 第１の状態と第２の状態とを選択する切り替え制御信号
に基づき、該第１の状態が選択されたときに前記第１の
スイッチ部のカソード側及び前記第３のスイッチ部のア
ノード側を所定の高電位とし、前記第２のスイッチ部の
アノード側及び前記第３のスイッチ部のカノードを前記
高電位よりも低い所定の低電位とすると共に、前記第２
の状態が選択されたときに前記第１のスイッチ部のカソ
ード側及び前記第３のスイッチ部のアノード側を前記低
電位とし、前記第２のスイッチ部のアノード側及び前記
第３のスイッチ部のカソード側を前記高電位とする電位
切り替え回路とを備えた、ことを特徴とする信号減衰回
路。(2) First to third consisting of at least one diode
a resistance attenuator having a resistor connected between the anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section and grounded via a capacitor; The cathode side of the first switch section and the third switch section
a first capacitor connected to the anode side of the switch section, and whose other end side is connected to the first input/output terminal, and whose one end side is connected to the anode side of the second switch section and the third
The second capacitor is connected to the cathode side of the switch section, and the other end is connected to the second input/output terminal. When the first state is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to a predetermined high potential based on a switching control signal that selects the state. The anode side of the second switch section and the cathode of the third switch section are set to a predetermined low potential lower than the high potential, and the second
When the state is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to the low potential, and the anode side of the second switch section and the anode side of the third switch section are set to the low potential. A signal attenuation circuit comprising: a potential switching circuit that sets the cathode side to the high potential.
のスイッチ部と、 前記第１のスイッチ部のアノード側と前記第２のスイッ
チ部のカソード側との間に接続され、コンデンサを介し
て接地された抵抗器を有する第１の抵抗減衰器と、 前記第３のスイッチ部のカソード側と前記第４のスイッ
チ部のアノード側との間に接続され、コンデンサを介し
て接地された抵抗器を有する第２の抵抗減衰器と、 一端側が前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第３
のスイッチ部のアノード側に接続され、他端側が第１の
入出力端子に接続された第１のコンデンサと、 一端側が前記第２のスイッチ部のアノード側と前記第４
のスイッチ部のカソード側に接続され、他端側が第２の
入出力端子に接続された第２のコンデンサと、 第１の状態と第２の状態とを選択する切り替え制御信号
に基づき、該第１の状態が選択されたときに前記第１の
スイッチ部のカソード側及び前記第３のスイッチ部のア
ノード側を所定の高電位とし、前記第２のスイッチ部の
アノード側及び前記第４のスイッチ部のカノードを前記
高電位よりも低い所定の低電位とすると共に、前記第２
の状態が選択されたときに前記第１のスイッチ部のカソ
ード側及び前記第３のスイッチ部のアノード側を前記低
電位とし、前記第２のスイッチ部のアノード側及び前記
第４のスイッチ部のカソード側を前記高電位とする電位
切り替え回路とを備えた、ことを特徴とする信号減衰回
路。(3) First to fourth comprising at least one diode
a first resistance attenuator having a resistor connected between the anode side of the first switch section and the cathode side of the second switch section and grounded via a capacitor; a second resistance attenuator having a resistor connected between the cathode side of the third switch section and the anode side of the fourth switch section and grounded via a capacitor; The cathode side of the switch section and the third
a first capacitor connected to the anode side of the switch section and whose other end side is connected to the first input/output terminal; and one end side connected to the anode side of the second switch section and the fourth capacitor;
a second capacitor connected to the cathode side of the switch unit and the other end connected to the second input/output terminal; and a switching control signal for selecting the first state and the second state. When state 1 is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to a predetermined high potential, and the anode side of the second switch section and the anode side of the fourth switch section are set to a predetermined high potential. The second cathode is set at a predetermined low potential lower than the high potential, and the second cathode
When the state is selected, the cathode side of the first switch section and the anode side of the third switch section are set to the low potential, and the anode side of the second switch section and the anode side of the fourth switch section are set to the low potential. A signal attenuation circuit comprising: a potential switching circuit that sets the cathode side to the high potential.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263029A JP2647737B2 (en) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | Switch circuit and signal attenuating circuit using the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263029A JP2647737B2 (en) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | Switch circuit and signal attenuating circuit using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04140915A true JPH04140915A (en) | 1992-05-14 |
| JP2647737B2 JP2647737B2 (en) | 1997-08-27 |
Family
ID=17383897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2263029A Expired - Lifetime JP2647737B2 (en) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | Switch circuit and signal attenuating circuit using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647737B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017505A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Communication device |
| US6518822B1 (en) | 1994-12-05 | 2003-02-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
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- 1990-10-02 JP JP2263029A patent/JP2647737B2/en not_active Expired - Lifetime
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| CN105162444A (en) * | 2015-09-12 | 2015-12-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Radio frequency switch body bias circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2647737B2 (en) | 1997-08-27 |
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