JPH04134695A - Semiconductor memory - Google Patents
Semiconductor memoryInfo
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- JPH04134695A JPH04134695A JP2254447A JP25444790A JPH04134695A JP H04134695 A JPH04134695 A JP H04134695A JP 2254447 A JP2254447 A JP 2254447A JP 25444790 A JP25444790 A JP 25444790A JP H04134695 A JPH04134695 A JP H04134695A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体メモリに関し、特に書込み時の性能測定
回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor memory, and particularly to a circuit for measuring performance during writing.
近年、メモリの高速化に伴ない、メモリ素子の中にレジ
スタを組み込み、クロック同期方式によって実効的な性
能向上を狙ったものがある。その−例として、第4図に
示すように、書込みデータ116が書込みデータレジス
タ11にセットされ、線121からRAM12に送出さ
れる。アドレス117はアドレスレジスタ13にセット
され、線122からRAM12に送出される。書込み要
求118は、書込み要求レジスタ14にセットされ線1
23から書込みパルス発生回路15に送出される。クロ
ック119は、書込みデータレジスタ11.アドレスレ
ジスタ13.書込要求レジネタ14をセットする。また
、書込みパルス発生回路15にも送出されており、書込
パルス発生回路15はクロック119のエツジと書込み
要求(線123)により、定められたタイミングで書込
みパルスを発生し、線124からRAM2に送出する。In recent years, as memory speeds have increased, some devices have incorporated registers into memory elements and have attempted to effectively improve performance using a clock synchronization method. For example, as shown in FIG. 4, write data 116 is set in write data register 11 and sent to RAM 12 via line 121. Address 117 is set in address register 13 and sent to RAM 12 on line 122. A write request 118 is set in the write request register 14 and connected to line 1.
23 to the write pulse generation circuit 15. Clock 119 clocks write data register 11. Address register 13. The write request register 14 is set. It is also sent to the write pulse generation circuit 15, and the write pulse generation circuit 15 generates a write pulse at a predetermined timing according to the edge of the clock 119 and the write request (line 123), and outputs it from the line 124 to the RAM 2. Send.
RAM2は線122が示すアドレスに対して、線121
が示すデータを書込む。また、読出されたデータは、線
120から送出する。RAM2 uses line 121 for the address indicated by line 122.
Write the data indicated by . Further, the read data is sent out from line 120.
このような従来の半導体メモリでは、クロック119に
よって、アドレス、データがセットされ、書込みパルス
を内部で生成する。In such a conventional semiconductor memory, addresses and data are set by a clock 119, and a write pulse is generated internally.
このような従来の半導体メモリにおいては、書込みパル
ス発生回路15を内蔵しており、クロック119により
固定されたタイミングで書込みパルスが生成されるため
、書込み時における性能測定が困難であった。Such a conventional semiconductor memory has a built-in write pulse generation circuit 15, and a write pulse is generated at a fixed timing by a clock 119, making it difficult to measure performance during writing.
本発明の目的は、前記問題点を解決し、書込み時におけ
る性能測定が容易にできるようにした半導体メモリを提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor memory that solves the above problems and allows easy performance measurement during writing.
本発明の半導体メモリの構成は、第1および第2のクロ
ック入力を備え、前記第1のクロックによりアドレスを
セットするアドレスレジスタと、前記第1のクロックに
より書込み要求をセットする書込み要求レジスタと、前
記書込み要求レジスタの圧力および前記第1または第2
のクロックの前縁から書込みパルスを生成する書込みパ
ルス発生回路とを備え、通常使用時には前記第1のクロ
ックのみを使用し、かつ機能試験時においては前記第1
および第2のクロックを使用するよう制御する手段を設
けたことを特徴とする。The structure of the semiconductor memory of the present invention includes: an address register that includes first and second clock inputs and sets an address using the first clock; a write request register that sets a write request using the first clock; the pressure of the write request register and the first or second
a write pulse generation circuit that generates a write pulse from the leading edge of the clock of
and means for controlling the use of the second clock.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の半導体メモリを示すブロッ
ク図である。FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor memory according to an embodiment of the present invention.
第1図において、本実施例では、第1のクロック104
(クロックAとする)は、分配回路6を通って、書込み
データレジスタ1.アドレスレジスタ3.書込み要求レ
ジスタ4.および書込みパルス発生回路5に対し、それ
ぞれ線107.線108、線109.および線113を
通って接続されている。書込みデータ101は、線10
7より供給されるクロックAにより、書込みデータレジ
スタ1にセットされる。セットされた書込みデータは、
線110からランダム・アクセス・メモリ(RAM)2
に送出される。アドレス103は、線108より供給さ
れるクロックAにより、アドレスレジスタ3にセットさ
れる。セットされたアドレスは、線111によりRAM
2に送出される。書込み要求103は、線109より供
給されるクロックAにより、書込み要求レジスタ4にセ
ットされる。セットされた書込み要求は、線112によ
り書込みパルス発生回路5にセットされる。第2のクロ
ック105(クロックBとする)は、遅延回路7を通っ
て、線114から書込みパルス発生回路5に供給される
。書込みパルス発生回路5は、線112より供給される
書込み要求。In FIG. 1, in this embodiment, the first clock 104
(referred to as clock A) passes through the distribution circuit 6 to the write data registers 1. Address register 3. Write request register 4. and write pulse generating circuit 5, respectively, on line 107. Line 108, line 109. and connected through line 113. Write data 101 is written on line 10
It is set in the write data register 1 by the clock A supplied from 7. The set write data is
Random access memory (RAM) 2 from line 110
will be sent to. Address 103 is set in address register 3 by clock A supplied from line 108. The set address is transferred to the RAM by line 111.
2 is sent out. Write request 103 is set in write request register 4 by clock A supplied from line 109. The set write request is set in the write pulse generation circuit 5 via line 112. A second clock 105 (referred to as clock B) passes through the delay circuit 7 and is supplied to the write pulse generation circuit 5 from a line 114. The write pulse generation circuit 5 receives a write request from a line 112.
線113より供給されるクロックA、および線114よ
り供給されるクロックBから書込みパルスを生成して、
線115からRAM2に対して送出する。RAM2は、
線115からの書込みパルスがあれば、線111から供
給されたアドレスに対して線110から供給された書込
みデータを書込む。線115からの書込みパルスがなけ
れば、指定されたアドレスのデータを線106から出力
する。generating a write pulse from clock A provided on line 113 and clock B provided on line 114;
It is sent to RAM2 from line 115. RAM2 is
A write pulse from line 115 writes the write data provided from line 110 to the address provided from line 111. If there is no write pulse from line 115, data at the specified address is output from line 106.
第2図は第1図における書込パルス発生回路5を詳細に
示したブロック図である。第2図において、線113(
クロックA)および線114(クロックB)はゲート回
路8に接続されている。ゲート回路8は、線113と線
114の論理和をとって、出力の1つは線117から遅
延回路10に送出される。遅延回路10は、線117の
入力を一定時間遅らせて線118から送出する。ゲート
回路8の他の出力線116は、ゲート回路9に接続され
ている。ゲート回路9は、線118.遅延回路10の出
力線工18.および書込み要求信号線112の論理和を
とって、線115からRAM2に対して書込みパルスを
出力する。FIG. 2 is a block diagram showing the write pulse generation circuit 5 in FIG. 1 in detail. In FIG. 2, line 113 (
Clock A) and line 114 (clock B) are connected to gate circuit 8. Gate circuit 8 logically ORs line 113 and line 114, and one of the outputs is sent to delay circuit 10 from line 117. The delay circuit 10 delays the input on the line 117 by a certain period of time and sends it out on the line 118. Another output line 116 of gate circuit 8 is connected to gate circuit 9. Gate circuit 9 is connected to line 118 . Output linework 18 of delay circuit 10. and write request signal line 112, and outputs a write pulse from line 115 to RAM2.
以上の様な構成で、本発明の一実施例の動作を説明する
。ここで、各レジスタ1.3.4は、立下りのエツジで
データをセットするものとする。The operation of one embodiment of the present invention will be described with the above configuration. Here, data is set in each register 1, 3, 4 at the falling edge.
まず、通常の動作時においては、線106(クロックB
)を値“0”に固定して使用する。このときの動作を第
3図(A)に示す。書込み要求(線103)が値“1”
であれば、書込み要求レジスタ4に値“1”がセットさ
れ、書込みパルス(線115)が生成される。このタイ
ミングは固定であり、書込み時の性能を測定することは
できない。また、書込み要求が値“O′であれば、線1
12は値“0″となるので、線115も値“O”となり
、書込みは抑止される。First, during normal operation, line 106 (clock B
) is used by fixing it to the value “0”. The operation at this time is shown in FIG. 3(A). Write request (line 103) has value “1”
If so, the value "1" is set in the write request register 4 and a write pulse (line 115) is generated. This timing is fixed, and performance during writing cannot be measured. Also, if the write request has the value “O”, line 1
Since the line 12 has a value of "0", the line 115 also has a value of "O", and writing is inhibited.
次に、機能試験時について説明する。このときは第3図
(B)に示す様に、クロックB(線105)を用いる。Next, the time of functional test will be explained. At this time, clock B (line 105) is used as shown in FIG. 3(B).
この場合は、書込み要求(線103)が値“1”であれ
ば、書込みパルス発生回路5は、線114から入力され
るクロックBのエツジによって、書込みパルスを発生す
る。他の動作は、通常の動作時と同じである。クロック
AとクロックBとは、独立に設定できるので、クロック
Aに対しクロックBのタイミングをたとえばΔtだけは
やく設定すれば、書込みパルスが通常よりΔtだけシフ
トする。In this case, if the write request (line 103) has a value of "1", the write pulse generating circuit 5 generates a write pulse based on the edge of the clock B input from the line 114. Other operations are the same as during normal operation. Since clock A and clock B can be set independently, if the timing of clock B is set earlier than clock A by, for example, Δt, the write pulse is shifted by Δt compared to normal.
以上説明したように、本発明は、アドレスレジスタ、書
込み要求レジスタ、書込みパルス発生回路を宵するメモ
リにおいて、書込パルス発生回路に通常には使用しない
、独立したクロックを与えルコトにより、書込みパルス
のタイミングを任意に設定できるので、書込み時の性能
を容易におこなうことができるという効果を有する。As explained above, the present invention provides an independent clock that is not normally used for the write pulse generation circuit in a memory that includes an address register, a write request register, and a write pulse generation circuit, thereby generating a write pulse. Since the timing can be set arbitrarily, the writing performance can be easily improved.
たとえば、第3図(A)においては、書込み系のタイミ
ングは固定であるが、第3図(B)に示す様に、クロッ
クBがΔtだけシフトすれは、書込みパルスもΔtだけ
シフトするので、タイミングの設定範囲が広がり、書込
み系の性能(第3図(B)においてはj SA)を測定
することができる。For example, in FIG. 3(A), the timing of the write system is fixed, but as shown in FIG. 3(B), if the clock B is shifted by Δt, the write pulse is also shifted by Δt. The timing setting range is expanded, and the performance of the write system (jSA in FIG. 3(B)) can be measured.
第1図は本発明の一実施例の半導体メモリのブロック図
、第2図は第1図に示した書込みパルス発生回路の内容
を示すブロック図、第3図(A)、第3図(B)はいず
れも本発明の一実施例の動作を示すタイミング図、第4
図は従来の半導体メモリを示すブロック図である。
1.11・・・データレジスタ、2.12・・・RAM
13.13・・・アドレスレジスタ、4.14・・・レ
ジスタ、5.15・・・書込みパルス発生回路、6・・
・分配回路、7,10・・・遅延回路、8,9・・・ゲ
ート。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor memory according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the contents of the write pulse generation circuit shown in FIG. 1, and FIGS. ) are timing diagrams showing the operation of one embodiment of the present invention.
The figure is a block diagram showing a conventional semiconductor memory. 1.11...Data register, 2.12...RAM
13.13...Address register, 4.14...Register, 5.15...Write pulse generation circuit, 6...
- Distribution circuit, 7, 10... delay circuit, 8, 9... gate.
Claims (1)
ックによりアドレスをセットするアドレスレジスタと、
前記第1のクロックにより書込み要求をセットする書込
み要求レジスタと、前記書込み要求レジスタの出力およ
び前記第1または第2のクロックの前縁から書込みパル
スを生成する書込みパルス発生回路とを備え、通常使用
時には前記第1のクロックのみを使用し、かつ機能試験
時においては前記第1および第2のクロックを使用する
よう制御する手段を設けたことを特徴とする半導体メモ
リ。an address register having first and second clock inputs and having an address set by the first clock;
A write request register that sets a write request based on the first clock, and a write pulse generation circuit that generates a write pulse from the output of the write request register and the leading edge of the first or second clock, and is normally used. 1. A semiconductor memory comprising means for controlling such that only the first clock is used at times, and the first and second clocks are used during a functional test.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2254447A JPH04134695A (en) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | Semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2254447A JPH04134695A (en) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | Semiconductor memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04134695A true JPH04134695A (en) | 1992-05-08 |
Family
ID=17265137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2254447A Pending JPH04134695A (en) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | Semiconductor memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04134695A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8000157B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-08-16 | Fujitsu Limited | RAM macro and timing generating circuit thereof |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2254447A patent/JPH04134695A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8000157B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-08-16 | Fujitsu Limited | RAM macro and timing generating circuit thereof |
JP4957719B2 (en) * | 2006-02-28 | 2012-06-20 | 富士通株式会社 | RAM macro and timing generation circuit thereof |
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