JPH04131950A - Non-volatile memory control circuit - Google Patents

Non-volatile memory control circuit

Info

Publication number
JPH04131950A
JPH04131950A JP2255573A JP25557390A JPH04131950A JP H04131950 A JPH04131950 A JP H04131950A JP 2255573 A JP2255573 A JP 2255573A JP 25557390 A JP25557390 A JP 25557390A JP H04131950 A JPH04131950 A JP H04131950A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
data
microcomputer
volatile memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2255573A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Sasabe
徹 笹部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2255573A priority Critical patent/JPH04131950A/en
Publication of JPH04131950A publication Critical patent/JPH04131950A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Microcomputers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To evade the loss of function of a last memory even though a specific address of a nonvolatile memory is destroyed by judging that a relevant memory address is destroyed in terms of hardware as long as the data has an error and performing an access to the memory by means of a stand-by memory address. CONSTITUTION:A channel selection microcomputer 1 decides an address to be used based on the data on an address OFCH address. When an OFDH address is used, the data on this address is read out. Then a fact whether the read-out data has a parity error or not. If so, a flag showing a fact that the sound volume data is stored in an OFEH address is set to a RAM of the microcomputer 1. At the same time, this information is also written into the OFCH address of a nonvolatile memory. As a result, the OFEH address can substitute for the OFDH address even if this address is destroyed in terms of hardware.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、不揮発性メモリー制御回路に関する。[Detailed description of the invention] Industrial applications The present invention relates to a nonvolatile memory control circuit.

従来の技術 不揮発性メモリーは、多くの機器で使用されているが、
それはたいていマイクロコンピュータでコントロールさ
れている。さて、従来のマイクロコンピュータによる不
揮発性メモリーのコントロール回路においては、リード
、ライト時のエラーを少なくするためにデータワードの
中にパリティビットを設けてデータリード時にそのパリ
ティビットをチェックし、もしパリティエラーがあれば
デフオールド値をマイクロコンピュータデータとして使
用することにより対応していた。また、ある回路では、
同じデータを2つのアドレスに書き込み、読み出すとき
に各アドレスの2つのデータの一致を見ることによりデ
ータエラーに対応している。
Conventional technologyNon-volatile memory is used in many devices, but
It is usually controlled by a microcomputer. Now, in conventional non-volatile memory control circuits using microcomputers, in order to reduce errors during read and write operations, a parity bit is provided in the data word and the parity bit is checked when reading data. If there was, this was handled by using the default value as microcomputer data. Also, in some circuits,
Data errors are handled by writing the same data to two addresses and checking the match between the two data at each address when reading.

発明が解決しようとする課題 前記従来回路では、アクセスしようとしているメモリー
アドレスがハード的に破壊されていたような場合に、マ
イクロコンピュータが運用するデータは常にデフオール
ド値となり、ユーザーはそのアドレスのデータをラスト
メモリーして使えなくなるという欠点を持つ。
Problems to be Solved by the Invention In the conventional circuit described above, if the memory address to be accessed has been destroyed by hardware, the data operated by the microcomputer will always be at the default value, and the user will be unable to access the data at that address. It has the disadvantage that it becomes the last memory and becomes unusable.

本発明は上記問題を解決するもので、不揮発性メモリー
の特定のアドレスが壊れてもラストメモリーの機能を失
わないようにした不揮発性メモリー制御回路を提供する
ことを目的とするものである。
The present invention solves the above problem, and aims to provide a nonvolatile memory control circuit that does not lose the last memory function even if a specific address of the nonvolatile memory is destroyed.

課題を解決するための手段 上記問題を解決するために本発明は、特定の情報をスト
アするためのメモリーアドレスを複数個用意し、それら
のうち現在使用しているものはハミングビットやパリテ
ィビット(奇数パリティ・偶数パリティなど)を付加し
た形でデータをストアする。そしてマイクロコンピュー
タのパワーオンリセットスタート時に現在使用している
メモリーアドレスのデータを読み出して、そのデータの
パリティエラーのチェックを行い、データエラーがあっ
た場合にはそのアドレスが書き込み回数オーバーなどで
ハード的に壊れたと判断し、代わりのアドレスを使うこ
とを指示するフラグを設けて他のメモリーアドレスを使
用しメモリー動作を保証するものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention prepares a plurality of memory addresses for storing specific information, and the ones currently used are Hamming bits and parity bits ( Stores data with added parity (odd parity, even parity, etc.). Then, when the microcomputer starts power-on reset, the data of the memory address currently being used is read out, and the data is checked for parity errors. If there is a data error, the address is written too many times, etc. This system determines that the memory is corrupted and sets a flag to instruct the use of an alternative address, thereby ensuring memory operation using another memory address.

作用 テレビジョン装置の音量セットのように、ユーザーが頻
繁にアクセスするにもかかわらずラストメモリーが必要
な機能では、そのデータをストアするメモリーアドレス
は、他のメモリーアドレスに比べてハード的に壊れる確
率が高い(IFき込み回数オーバーなどによる破壊)。
For functions that require last memory even though they are frequently accessed by the user, such as the volume setting of a television device, the memory address that stores the data has a higher probability of being damaged in terms of hardware than other memory addresses. is high (damage due to excessive number of IF readings, etc.).

そこで、たとえばテレビジョン装置の音量セットのよう
な機能をストアするにはメモリーアドレスを通常使うア
ドレスと予備のアドレスの2つ用意する。そしてデータ
は、ストアする際にパリティピットを付加して奇数パリ
ティとなるような形でストアする(音量データは64段
階で運用しており6ビツトで済むのでパリティピットは
1ワード8ビツトの不揮発性メモリーでも容易に付加で
きる)。また、どちらのアドレスを使うかを指示するフ
ラグビットも不揮発性メモリーの特定のアドレスに持つ
ようにする。
Therefore, in order to store a function such as setting the volume of a television set, two memory addresses are prepared, one for normal use and one for backup. When data is stored, a parity pit is added to the data so that it has odd parity. (can be easily added to memory). Also, a specific address in the nonvolatile memory has a flag bit that indicates which address to use.

マイクロコンピュータのパワーオンリセットスタート時
にどちらのアドレスを使うかを指示するフラグのあるア
ドレスデータを読み出し、どちらのアドレスを使うかを
決める。もし、通常使う方のアドレスが指示されていれ
ば、そのアドレスのデータを読み出し、パリティエラー
のチェックを行う。もし奇数パリティにエラーがあれば
、そのアドレスが壊れていると判断し、予備のメモリー
アドレスを使うことを指示するフラグを不揮発性メモリ
ーに書き込む。このとき音量データはラストメモリーの
値を使えないのでデフオールド値からスタートする。も
し、予備のアドレスを指示されていれば音量データのス
トアを予備のアドレスで行う。
At the start of a power-on reset of the microcomputer, address data with a flag indicating which address to use is read, and which address to use is determined. If the address normally used is specified, the data at that address is read and a parity error check is performed. If there is an error in odd parity, it determines that the address is corrupt and writes a flag to non-volatile memory instructing it to use a spare memory address. At this time, the volume data cannot use the last memory value, so it starts from the default value. If a spare address is specified, volume data is stored at the spare address.

このようにして、仮に通常使うメモリーアドレスが壊れ
ても予備のメモリーアドレスを使うことによりラストメ
モリーの機能を保証することが可能となる。
In this way, even if the normally used memory address is destroyed, it is possible to guarantee the functionality of the last memory by using the spare memory address.

実施例 本発明の一実施例に係る不揮発性メモリー制御回路のシ
ステムブロック図を第1図に示す。第1図はボルテージ
シンセサイザー(以下“■S”と言う)選局システムの
ブロック図をマイクロコンピュータを中心に示したもの
である。第1図において、1は選局マイクロコンピュー
タ、2はチューナ、3は不揮発性メモリー(EEPRO
M)、4はリモートコントロールプリアンプ、5は音量
コントロール回路、6はオンスクリーン表示回路を示す
。この実施例においてマイクロコンピュータは、松下電
子工業■製M N +870シリーズの製品を使用して
いるが、この製品はオンスクリーン回路6、D/Aコン
バータ、A/Dコンバータなどを内蔵している。また、
不揮発性メモリー3は8ビツト×256ワードのものを
使用している。
Embodiment FIG. 1 shows a system block diagram of a nonvolatile memory control circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a block diagram of a voltage synthesizer (hereinafter referred to as "■S") channel selection system, centering on a microcomputer. In Figure 1, 1 is a tuning microcomputer, 2 is a tuner, and 3 is a non-volatile memory (EEPRO).
M), 4 indicates a remote control preamplifier, 5 indicates a volume control circuit, and 6 indicates an on-screen display circuit. In this embodiment, the microcomputer used is a M N +870 series product manufactured by Matsushita Electronics Corporation, which incorporates an on-screen circuit 6, a D/A converter, an A/D converter, and the like. Also,
The non-volatile memory 3 is 8 bits x 256 words.

以上に述べたシステムで構成されるvS選局システムに
おいて本発明は、マイクロコンピュータのソフトウェア
によりパワーオンリセットスタート時に第2図のフロー
チャート図に示すような動作をすることにより音量のラ
ストメモリー機能の信頼性を高めるものである。なお、
第3図は不揮発性メモリー3のメモリーマツプを示す。
In the vS channel selection system composed of the system described above, the present invention provides reliability of the volume last memory function by performing the operation shown in the flowchart of FIG. 2 at the start of power-on reset using microcomputer software. It enhances sexuality. In addition,
FIG. 3 shows a memory map of the nonvolatile memory 3.

第2図に示すように、選局マイクロコンピュータ1はボ
ート、RAMの初期設定を行った後、音量データを不揮
発性メモリー3にストアする際にアドレス0FDH番地
と0FEH番地(第3図参照)のどちらを使うかを決め
るために、それを示したデータ(フラグ)をストアした
アドレス0FCH番地を読み出す。ここで0FDH番地
は本来音量データをストアするためのアドレスであり、
0FEH番地は0FDH番地が壊れたときに使う予備の
アドレスである。また、音量データは奇数パリティとな
るような形で不揮発性メモリー3にストアされるものと
する。
As shown in FIG. 2, after initializing the board and RAM, the tuning microcomputer 1 stores the volume data in the non-volatile memory 3 at addresses 0FDH and 0FEH (see FIG. 3). To decide which one to use, read the address 0FCH where data (flag) indicating it is stored. Here, address 0FDH is originally an address for storing volume data,
The 0FEH address is a spare address to be used when the 0FDH address is destroyed. Further, it is assumed that the volume data is stored in the nonvolatile memory 3 in a form with odd parity.

選局マイクロコンピュータ1は、アドレス0FCH番地
のデータからどちらのアドレスを使うかを判断し、0F
EH番地(予備アドレス)であればそれをマイコン内の
RAMにフラグをセットして次の処理に進む。もし0F
DH番地を使う場合には、0FDH番地のデータを読み
出す。そして読み出したデータにパリティエラーがない
かどうかをチェックする(奇数パリティのチェック)。
The channel selection microcomputer 1 determines which address to use from the data at address 0FCH, and selects 0FCH.
If it is an EH address (spare address), a flag is set in the RAM in the microcomputer and the process proceeds to the next step. If 0F
When using the DH address, read the data at the 0FDH address. Then, the read data is checked for parity errors (odd parity check).

パリティエラーかなければ選局マイクロコンピュータ1
内のRAMに0FDH番地を使うことを示すフラグをセ
ットして次の処理に進む。パリティエラーかあれば音量
データのストアを0FEH番地にすることを示すフラグ
を選局マイクロコンピュータ1のRAMにセットすると
ともにその情報を不揮発性メモリーの0FCH番地にも
書き込む。
If there is no parity error, channel selection microcomputer 1
A flag indicating that address 0FDH is to be used in the internal RAM is set and the process proceeds to the next step. If there is a parity error, a flag indicating that volume data is to be stored at address 0FEH is set in the RAM of the tuning microcomputer 1, and the information is also written to address 0FCH in the nonvolatile memory.

そして、この場合には音量データはデフオールド値を選
局マイクロコンピュータ1のRAMにセットして次の処
理に進む。
In this case, the default value of the volume data is set in the RAM of the channel selection microcomputer 1, and the process proceeds to the next step.

以上により、仮に0FDH番地がハード的に壊れたよう
な場合にもその代わりに0FEH番地を使用することが
できるようになる。
As a result of the above, even if the 0FDH address is damaged in terms of hardware, the 0FEH address can be used instead.

なお上記実施例においてはパリティピットを付加した場
合を述べたが、ハミングビットを付加した場合でも適用
できることはいうまでもない。
In the above embodiments, the case where parity pits are added is described, but it goes without saying that the invention can also be applied to cases where humming bits are added.

発明の効果 近年、テレビジョン装置などのAV機器に不揮発性メモ
リーが多く使われているが、不揮発性メモリーは書き込
み回数をオーバーするとメモリー動作が保証されなくな
る。しかし、本発明の不揮発性メモリー制御回路をユー
ザーが数多く使うことか予想される機能に適用すれば、
その機能のメモリー動作の信頼性は、飛躍的に向上し、
これにともないAV機器の信頼性も向上する。
Effects of the Invention In recent years, non-volatile memory has been widely used in AV equipment such as television sets, but memory operation is no longer guaranteed when the number of writes to non-volatile memory is exceeded. However, if the nonvolatile memory control circuit of the present invention is applied to functions that are expected to be used frequently by users,
The reliability of the memory operation of that function has been dramatically improved,
Along with this, the reliability of AV equipment also improves.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係るボルテージシンセサイ
ザー選局システムのブロック図、第2図は同ボルテージ
シンセサイザー選局システムの選局マイクロコンピュー
タの動作のフローチャート、第3図は同ボルテージシン
セサイザー選局システムの不揮発性メモリーのメモリー
マツプである。 1・・・選局マイクロコンピュータ、3・・・不揮発性
メモリー、5・・・音量コントロール回路。 代理人   森  本  義  弘 第1囚 5−−−昔号クントロール回路 第21 第3 因
FIG. 1 is a block diagram of a voltage synthesizer tuning system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart of the operation of the tuning microcomputer of the voltage synthesizer tuning system, and FIG. 3 is a block diagram of the voltage synthesizer tuning system. A memory map of the system's non-volatile memory. 1... Tuning microcomputer, 3... Non-volatile memory, 5... Volume control circuit. Agent Yoshihiro Morimoto 1st Prisoner 5 --- Old issue Kuntrol Circuit No. 21 3rd cause

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、特定の情報をストアするためのメモリーアドレスを
不揮発性メモリー内に複数個用意し、マイクロコンピュ
ータのパワーオンリセットスタート時に、あらかじめハ
ミングビットやパリティビットを付加した形でストアし
ておいた不揮発性メモリーの前記特定のメモリーアドレ
スのデータワードを読み出してそのデータのチェックを
行い、もしデータにエラーがあれば、そのメモリーアド
レスがハード的に壊れていると判断し、予備に用意して
おいたメモリーアドレスを代用してアクセスする不揮発
性メモリー制御回路。
1. Non-volatile memory in which multiple memory addresses for storing specific information are prepared in non-volatile memory and stored in advance with humming bits and parity bits added at the start of a power-on reset of the microcomputer. The data word at the specific memory address in the memory is read and the data is checked. If there is an error in the data, it is determined that the memory address is corrupted in terms of hardware, and a spare memory is prepared. Non-volatile memory control circuit that accesses by substituting addresses.
JP2255573A 1990-09-25 1990-09-25 Non-volatile memory control circuit Pending JPH04131950A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2255573A JPH04131950A (en) 1990-09-25 1990-09-25 Non-volatile memory control circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2255573A JPH04131950A (en) 1990-09-25 1990-09-25 Non-volatile memory control circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04131950A true JPH04131950A (en) 1992-05-06

Family

ID=17280595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2255573A Pending JPH04131950A (en) 1990-09-25 1990-09-25 Non-volatile memory control circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04131950A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5014125B2 (en) * 2005-05-30 2012-08-29 スパンション エルエルシー Semiconductor device and program data redundancy method
JP2013190908A (en) * 2012-03-13 2013-09-26 Fujitsu Telecom Networks Ltd Automatic voice notification device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5671897A (en) * 1979-11-13 1981-06-15 Sanyo Electric Co Ltd Nonvolatile storage device
JPS6018898A (en) * 1983-07-11 1985-01-30 Nec Corp Semiconductor memory device
JPH01271856A (en) * 1988-04-22 1989-10-30 Mitsubishi Electric Corp Battery back-up memory

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5671897A (en) * 1979-11-13 1981-06-15 Sanyo Electric Co Ltd Nonvolatile storage device
JPS6018898A (en) * 1983-07-11 1985-01-30 Nec Corp Semiconductor memory device
JPH01271856A (en) * 1988-04-22 1989-10-30 Mitsubishi Electric Corp Battery back-up memory

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5014125B2 (en) * 2005-05-30 2012-08-29 スパンション エルエルシー Semiconductor device and program data redundancy method
JP2013190908A (en) * 2012-03-13 2013-09-26 Fujitsu Telecom Networks Ltd Automatic voice notification device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7212426B2 (en) Flash memory system capable of inputting/outputting sector data at random
US7434111B2 (en) Non-volatile memory system having a pseudo pass function
US7102943B2 (en) Non-volatile semiconductor memory device
US9030876B2 (en) Memory system, program method thereof, and computing system including the same
US5056009A (en) IC memory card incorporating software copy protection
US8125825B2 (en) Memory system protected from errors due to read disturbance and reading method thereof
US6601132B2 (en) Nonvolatile memory and method of writing data thereto
JP4261461B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and nonvolatile memory system using the same
US7903474B2 (en) Redundant purge for flash storage device
KR20100046265A (en) Error scanning in flash memory
US20080195893A1 (en) A repairable semiconductor memory device and method of repairing the same
US6131177A (en) System including a ferroelectric memory
US6532529B1 (en) Microcomputer including flash memory overwritable during operation and operating method thereof
US5450366A (en) IC memory card
KR20010106086A (en) Non-volatile semiconductor memory device
US6901549B2 (en) Method for altering a word stored in a write-once memory device
JPH04131950A (en) Non-volatile memory control circuit
JP2005050442A (en) Redundant memory circuit
US20070088905A1 (en) System and method for purging a flash storage device
JP2004030849A (en) Semiconductor nonvolatile memory having rewritable function for part of data
US4514847A (en) Key storage error processing system
JP3849942B2 (en) System including ferroelectric memory
JP3041007B2 (en) Non-volatile memory management method
JP4146581B2 (en) Flash memory
US20070101048A1 (en) Verified purge for flash storage device