JPH04121770U - Waveguide type semiconductor laser module - Google Patents
Waveguide type semiconductor laser moduleInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】構造が簡単で、小型集積化が図れ、安定したア
イソレーションが得られ、光の伝搬効率も良い導波路型
半導体レーザモジュールを提供すること。
【構成】出力側から入力側に向かって、Y字状に複数回
分岐せしめた光導波路31を具備し、複数ある入力側の
光導波路端面の内の4か所に半導体レーザ11,12,
13,14を取り付けた。戻り光は、Y分岐部を通過す
る毎に1/2ずつ減衰される。従って半導体レーザ1
1,12,13,14に戻る戻り光は大きく減衰され、
その特性にほとんど影響を与えない。
(57) [Summary] [Purpose] To provide a waveguide semiconductor laser module that has a simple structure, can be integrated in a small size, provides stable isolation, and has good light propagation efficiency. [Structure] Equipped with an optical waveguide 31 branched multiple times in a Y-shape from the output side toward the input side, semiconductor lasers 11, 12,
13 and 14 were installed. The returned light is attenuated by 1/2 each time it passes through the Y branch. Therefore, the semiconductor laser 1
The return light returning to 1, 12, 13, and 14 is greatly attenuated,
It has little effect on its properties.
Description
【0001】0001
本考案は、光アイソレータ機能を備えた導波路型半導体レーザモジュールに関 するものである。 This invention relates to a waveguide semiconductor laser module with optical isolator function. It is something to do.
【0002】0002
従来、光通信の光源として半導体レーザが用いられているが、該半導体レーザ に戻り光が入射すると該半導体レーザ内部で干渉共振を起こし、ノイズが発生し 、信号のS/N比が劣化する。このため光源の直前に光アイソレータを取り付け 、該光源に戻って来る戻り光を除去している。 Conventionally, semiconductor lasers have been used as light sources for optical communications; When the returning light enters the semiconductor laser, it causes interference resonance inside the semiconductor laser and generates noise. , the S/N ratio of the signal deteriorates. For this reason, an optical isolator is installed just before the light source. , the return light returning to the light source is removed.
【0003】 この種の光アイソレータとしては、通常バルク状のファラデー回転子の両側に 互いに45°回転した状態のバルク状の偏光子を設置したものが用いられる。し かしながらこの種の光アイソレータはその小型集積化が困難である。0003 This type of optical isolator usually has two parts on both sides of a bulk Faraday rotator. Bulk polarizers are used which are rotated by 45 degrees with respect to each other. death However, it is difficult to miniaturize and integrate this type of optical isolator.
【0004】 図4は上記欠点を除去し、小型・集積化を図るために、導波路型光アイソレー タと半導体レーザを一体化せしめた構造の半導体レーザモジュール80を示す斜 視図である。0004 Figure 4 shows a waveguide type optical isolator that eliminates the above drawbacks and achieves miniaturization and integration. An oblique view showing a semiconductor laser module 80 having a structure in which a laser diode and a semiconductor laser are integrated. This is a perspective view.
【0005】 同図に示すようにこの半導体レーザモジュール80は、G.G.G.基板83 上にYIGからなる薄膜導波路84を蒸着し、該薄膜導波路84上に薄膜状のA l蒸着膜85aと薄板状磁石86a,87aとAl蒸着膜88aを設け、さらに 該薄膜導波路84の側面に半導体レーザ81を取り付けることによって構成され ている。なお2つの薄板状磁石86a,87aは磁界印加方向が異なっており、 薄板状磁石86aの磁界印加方向は水平方向、薄板状磁石87aの磁界印加方向 は垂直方向である。以上のように構成すれば、Al蒸着膜85aを設けた薄膜導 波路84の部分は偏光子85となり、薄板状磁石86aと薄板状磁石87aを設 けた薄膜導波路84の部分はそれぞれファラデー回転部86,コットンムートン 回転部87となり、Al蒸着膜88aを設けた薄膜導波路84の部分は検光子8 8となる。[0005] As shown in the figure, this semiconductor laser module 80 is a G.I. G. G. Board 83 A thin film waveguide 84 made of YIG is deposited on the thin film waveguide 84, and a thin film of A is deposited on the thin film waveguide 84. An Al vapor deposited film 85a, thin plate magnets 86a and 87a, and an Al vapor deposited film 88a are provided. It is constructed by attaching a semiconductor laser 81 to the side surface of the thin film waveguide 84. ing. Note that the two thin plate magnets 86a and 87a have different magnetic field application directions, The magnetic field application direction of the thin plate magnet 86a is horizontal, and the magnetic field application direction of the thin plate magnet 87a is vertical. With the above configuration, the thin film conductor provided with the Al vapor deposited film 85a can be formed. The part of the wave path 84 becomes a polarizer 85, and a thin plate magnet 86a and a thin plate magnet 87a are installed. The thin film waveguide 84 has a Faraday rotating part 86 and a cotton mouton part, respectively. The part of the thin film waveguide 84 that becomes the rotating part 87 and is provided with the Al vapor deposited film 88a is the analyzer 8. It becomes 8.
【0006】 そして、半導体レーザ81から発射された光は薄膜導波路84内を通過して矢 印Dに示す方向に出射していく。一方、矢印E方向に入射してくる戻り光は、検 光子88,コットンムートン回転部87,ファラデー回転部86,偏光子85を 通過する際に除去されるため、半導体レーザ81には入射しない。この場合ファ ラデー効果(非相反)とコットンムートン効果(相反)の両効果を利用している 。[0006] Then, the light emitted from the semiconductor laser 81 passes through the thin film waveguide 84 and becomes an arrow. The light is emitted in the direction shown by mark D. On the other hand, the returning light incident in the direction of arrow E is Photon 88, cotton mouton rotating section 87, Faraday rotating section 86, polarizer 85 Since it is removed during passing, it does not enter the semiconductor laser 81. In this case Utilizes both the Laday effect (non-reciprocal) and the Cotton Mouton effect (reciprocal) .
【0007】[0007]
しかしながら上記構造の半導体レーザモジュール80においても、以下のよう な問題点があった。 However, even in the semiconductor laser module 80 having the above structure, the following There was a problem.
【0008】 ファラデー回転部86やコットンムートン回転部87等の各種の機能が必要 で構造が複雑なため、製造コストが高くなる。[0008] Various functions such as Faraday rotating part 86 and cotton mouton rotating part 87 are required. Since the structure is complex, manufacturing costs are high.
【0009】 ガーネット系のファラデー回転子を使用するため、その回転角に波長依存性 ,温度依存性があり、安定したアイソレーションが得られない。[0009] Since a garnet-based Faraday rotator is used, the rotation angle is wavelength dependent. , It is temperature dependent and stable isolation cannot be obtained.
【0010】 YIGからなる薄膜導波路84は光の透過効率が悪いので、光の伝搬効率が 悪くなってしまう。また、スラブ型導波路でファイバーと結合するには結合光学 系を更に付加する必要がある。0010 The thin film waveguide 84 made of YIG has poor light transmission efficiency, so the light propagation efficiency is low. It gets worse. In addition, coupling optics are required to couple fibers with slab waveguides. It is necessary to add more systems.
【0011】 本考案は上述の点に鑑みてなされたものであり、構造が簡単で、小型集積化が 図れ、また安定したアイソレーションが得られ、光の伝搬効率も良い導波路型半 導体レーザモジュールを提供することにある。[0011] The present invention was developed in view of the above points, and has a simple structure and is easy to integrate. A waveguide semi-conductor that provides stable isolation and good light propagation efficiency. An object of the present invention is to provide a conductor laser module.
【0012】0012
【課題を解決するための手段】 上記問題点を解決するため本考案は、出力側から入力側に向かって、Y字状に 複数回分岐せしめた光導波路31を具備し、複数ある入力側の光導波路端面の内 のいずれか複数個所に半導体レーザ11,12,13,14を取り付けて導波路 型半導体レーザモジュール1を構成した。[Means to solve the problem] In order to solve the above problems, the present invention has a Y-shaped structure from the output side to the input side. It is equipped with an optical waveguide 31 branched multiple times, and the inner part of the optical waveguide end face on the input side is Attach semiconductor lasers 11, 12, 13, 14 to any of multiple locations to form a waveguide. A type semiconductor laser module 1 was constructed.
【0013】[0013]
半導体レーザ11,12,13,14から発射された光は、光導波路31の入 力側の端面に入射し、複数のY分岐部において殆ど減衰することなく導波し、光 導波路31の出射側の端面から出射する。一方該出射光の内、端面反射や散乱等 によって出射側の端面に戻ってきた戻り光は、Y分岐部を通過する毎に1/2ず つ減衰される。従って半導体レーザ11,12,13,14に戻る戻り光はかな り減衰され、その特性にほとんど影響を与えない。 The light emitted from the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 enters the optical waveguide 31. The light enters the end face on the power side and is guided with almost no attenuation at multiple Y-branches. The light is emitted from the end face of the waveguide 31 on the emission side. On the other hand, among the emitted light, end face reflection, scattering, etc. The return light that returns to the output side end face is reduced by 1/2 every time it passes through the Y branch. It is attenuated by one. Therefore, the return light that returns to the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 is is attenuated and has little effect on its characteristics.
【0014】[0014]
以下、本考案の1実施例を図面に基づいて詳細に説明する。 図1は本考案にかかる導波路型半導体レーザモジュールの1実施例を示す図で あり、同図(a)は平面図、同図(b)は正面図、同図(c)は左側面図、同図 (d)は同図(b)の半導体レーザ11部分近傍の拡大図である。同図に示すよ うにこの導波路型半導体レーザモジュール1は、光導波路31を設けた光導波路 基板33の左側面に、4つの半導体レーザ11,12,13,14を固定して構 成されている。以下各構成部品について説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings. FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a waveguide type semiconductor laser module according to the present invention. Yes, the same figure (a) is a plan view, the same figure (b) is a front view, the same figure (c) is a left side view, the same figure (d) is an enlarged view of the vicinity of the semiconductor laser 11 shown in (b) of the same figure. It is shown in the same figure. The waveguide type semiconductor laser module 1 includes an optical waveguide provided with an optical waveguide 31. Four semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 are fixed to the left side of the substrate 33. has been completed. Each component will be explained below.
【0015】 光導波路基板33はSiによって構成され、その上面全体にはSiO2あるい は屈折率制御用添加物を含んだバッファ層35が形成されている。該バッファ層 35の上面の所定部分には光導波路(コア)31が設けられ、さらに該光導波路 31を覆うようにバッファ層35の上面全体にクラッド層37が形成されている 。ここで光導波路31は、Ti,Ge,P,B,Al,Na等の高屈折率制御用 添加物を少なくとも1種類含んだSiO2系ガラス等の高屈折率材料で構成され 、またクラッド層37は屈折率制御用添加物を含んだSiO2等の低屈折率材料 により構成されている。The optical waveguide substrate 33 is made of Si, and a buffer layer 35 containing SiO 2 or a refractive index controlling additive is formed on its entire upper surface. An optical waveguide (core) 31 is provided on a predetermined portion of the upper surface of the buffer layer 35, and a cladding layer 37 is further formed over the entire upper surface of the buffer layer 35 so as to cover the optical waveguide 31. Here, the optical waveguide 31 is made of a high refractive index material such as SiO 2 glass containing at least one type of high refractive index control additive such as Ti, Ge, P, B, Al, Na, etc., and also has a cladding layer. 37 is made of a low refractive index material such as SiO 2 containing a refractive index controlling additive.
【0016】 ここで光導波路31は、1つの出力ポート39と4つの入力ポート41,42 ,43,44と2つの戻り光用ポート45,46を具備し、出力ポート39は入 力側に向かってY字状に4回分岐されることによって入力ポート41,42,4 3,44と戻り光用ポート45,46に接続されている。即ち、出力ポート39 は最初のY分岐部50−1によって分岐され、該分岐された各光導波路は再びY 分岐部50−2,3によって分岐され、該分岐された光導波路のそれぞれ一方は 再びY分岐部50−4,5によって分岐され、さらに該分岐された光導波路のそ れぞれ一方は再びY分岐部50−6,7によって分岐され、入力ポート41,4 2,43,44に至っている。また前記Y分岐部50−2,3,4,5で分岐さ れた他方の光導波路は2つの戻り光用ポート45,46に集合され、その先端面 は光導波路基板33の左側側面に露出している。なおこの光導波路31の断面形 状は矩形状に構成されている。[0016] Here, the optical waveguide 31 has one output port 39 and four input ports 41, 42. , 43, 44 and two return light ports 45, 46, and the output port 39 is an input port. Input ports 41, 42, 4 are branched four times in a Y-shape toward the power side. 3, 44 and return light ports 45, 46. That is, output port 39 is branched by the first Y branch part 50-1, and each branched optical waveguide is again branched by the Y branch part 50-1. The optical waveguides are branched by the branching parts 50-2 and 50-3, and one of the branched optical waveguides is The optical waveguide is branched again by the Y branch portions 50-4 and 50-5, and further the part of the branched optical waveguide is Each one is branched again by Y branch parts 50-6 and 7, and input ports 41 and 4 It has reached 2,43,44. In addition, the Y branch portions 50-2, 3, 4, and 5 branch out. The other optical waveguide is assembled into two return light ports 45 and 46, and its tip is exposed on the left side surface of the optical waveguide substrate 33. Note that the cross-sectional shape of this optical waveguide 31 The shape is rectangular.
【0017】 ここでそれぞれのY分岐部50は、Y分岐型スターカップラーの特性である広 帯域特性を有している。またそれぞれのY分岐部50の分岐角度θは、該Y分岐 部50での散乱損失や吸収損失の少ない3°以内が望ましい。[0017] Here, each Y branch part 50 has a wide width, which is a characteristic of a Y branch type star coupler. It has band characteristics. Further, the branching angle θ of each Y branch 50 is It is preferable that the angle is within 3 degrees so that scattering loss and absorption loss in the portion 50 are small.
【0018】 一方4つの半導体レーザ11,12,13,14は、それぞれ4つの入力ポー ト41,42,43,44に対向する位置に配設され、ヒートシンクをかねた支 持台15上に固定されている。これら半導体レーザ11,12,13,14は、 同じ波長のものを用いても良く、異なる波長のものを用いても良い。なおそれぞ れ異なる波長のものを用いた場合は、それぞれのレーザ光に可干渉性がない為、 多重レーザモジュールとして構成できる。[0018] On the other hand, the four semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 each have four input ports. A support that also serves as a heat sink is provided at a position facing the It is fixed on a holder 15. These semiconductor lasers 11, 12, 13, 14 are Those with the same wavelength may be used, or those with different wavelengths may be used. Furthermore, each If laser beams with different wavelengths are used, each laser beam will not be coherent. Can be configured as multiple laser modules.
【0019】 次にこの導波路型半導体レーザモジュール1の動作について説明すると、例え ば半導体レーザ11から発射されて入力ポート41に入射した光は、4つのY分 岐部50−6,4,2において殆ど減衰することなく導波し、出力ポート39に 達して出射する。この出力ポート39の端面に例えば光ファイバを接続しておけ ば、該レーザ光は光ファイバ内を伝搬していく。[0019] Next, to explain the operation of this waveguide type semiconductor laser module 1, for example, For example, the light emitted from the semiconductor laser 11 and incident on the input port 41 is divided into four Y components. The wave is guided with almost no attenuation at the branch portions 50-6, 4, and 2, and the wave is transmitted to the output port 39. reach and emit. For example, connect an optical fiber to the end face of this output port 39. For example, the laser light propagates within an optical fiber.
【0020】 一方該出射光の内、端面反射や散乱等によって出力ポート39に戻ってきた戻 り光は、まず最初のY分岐部50−1において1/2に等分配され、それぞれ次 のY分岐部50−2,3に進んでまた1/2に等分配される。そして入力ポート 41,42,43,44には、それぞれさらにY分岐部50−4,5,6,7で それぞれ2回、1/2に等配分された光のみが入射する。従っていずれの半導体 レーザ11,12,13,14にも1/16に減衰された戻り光しか戻らず、半 導体レーザ11,12,13,14の特性にほとんど影響を与えない。なお戻り 光用ポート45,46に集められた戻り光は、外部に放出される。[0020] On the other hand, among the emitted light, the return that returns to the output port 39 due to end face reflection, scattering, etc. The emitted light is divided equally into 1/2 at the first Y branch section 50-1, and each The signal proceeds to Y branch portions 50-2 and 50-3, where it is equally divided into 1/2. and input port 41, 42, 43, and 44 are further provided with Y branch portions 50-4, 5, 6, and 7, respectively. Only the light equally distributed to 1/2 enters twice. Therefore, which semiconductor Only the return light attenuated to 1/16 returns to the lasers 11, 12, 13, and 14; The characteristics of the conductor lasers 11, 12, 13, and 14 are hardly affected. Further return The returned light collected in the optical ports 45 and 46 is emitted to the outside.
【0021】 ここで端面反射並びに導波路内における損失を無視した場合、戻り光の減衰量 Pt(dB)は次式で表される。 n Pt=10・Log(1/2 ) 但し、n:通過するY分岐部50の個数[0021] Here, if we ignore the end face reflection and the loss in the waveguide, the attenuation of the returned light is Pt (dB) is expressed by the following formula. n Pt=10・Log(1/2) However, n: the number of Y branch parts 50 to pass through
【0022】 ここで仮にY分岐部50を10段階設けた場合、戻り光は10回Y分岐部50 を通過するので、減衰量Ptは、約−30.1dBとなる。[0022] Here, if 10 stages of Y branch sections 50 are provided, the return light will reach the Y branch section 50 10 times. , the attenuation amount Pt is approximately -30.1 dB.
【0023】 図2は本考案の他の実施例にかかる導波路型半導体レーザモジュール1′を示 す平面図である。同図に示すように、Y分岐部50−2,3,4,5で分岐され て半導体レーザ11,12,13,14に戻らない光導波路31は途中でカット してもよい。また該カット面の前方には光吸収部材60を取り付けても良い。[0023] FIG. 2 shows a waveguide type semiconductor laser module 1' according to another embodiment of the present invention. FIG. As shown in the figure, it is branched at Y branch parts 50-2, 3, 4, and 5. The optical waveguide 31 that does not return to the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 is cut in the middle. You may. Further, a light absorbing member 60 may be attached in front of the cut surface.
【0024】 以上本考案にかかる導波路型半導体レーザモジュールの1実施例を詳細に説明 したが、本考案は以下のような種々の変形が可能である。[0024] One embodiment of the waveguide semiconductor laser module according to the present invention has been described in detail above. However, the present invention can be modified in various ways as described below.
【0025】 〔1〕上記実施例においては光導波路31の断面形状を矩形状としたが、該断 面形状はそれ以外の形状(例えば半円形)としてもよい。[0025] [1] In the above embodiment, the cross-sectional shape of the optical waveguide 31 is rectangular. The surface shape may be any other shape (for example, semicircular).
【0026】 〔2〕図3は他の構造の光導波路31を示す要部概略拡大図である。同図に示 すように、Y分岐部50は、1本の傾斜する光導波路31はそのままにしておい て、この傾斜した光導波路31から順次分岐させていくように構成してもよい。[0026] [2] FIG. 3 is a schematic enlarged view of a main part showing an optical waveguide 31 having another structure. Shown in the same figure As shown in FIG. The optical waveguide 31 may be sequentially branched from the inclined optical waveguide 31.
【0027】 〔3〕上記実施例においては、入力側に4つの半導体レーザを取り付けたが、 本考案はこれに限られず、その個数は必要に応じて変更できる。[0027] [3] In the above embodiment, four semiconductor lasers were attached to the input side, but The present invention is not limited to this, and the number can be changed as necessary.
【0028】 〔4〕図1においてポート45,46の出射光部に受光用フォトデテクターを 設置すれば双方向通信の受光部としても使用できる。この場合は、双方向通信用 モジュールとして使用できる。[0028] [4] In Fig. 1, a light receiving photodetector is installed at the light emitting part of ports 45 and 46. Once installed, it can also be used as a light receiving section for two-way communication. In this case, for two-way communication Can be used as a module.
【0029】 〔5〕図5は他の構造のY分岐部の形状を示す要部概略拡大図である。同図に 示すように、Y分岐部の形状は入射光が入射する光導波路の幅を狭くし、戻り光 が通過する光導波路の幅を広くするなど、Y分岐部の形状は非対称としてもよい 。このように構成すれば戻り光は幅の広い光導波路の方へ多く導かれ、入射光側 へは戻りにくくなる。[0029] [5] FIG. 5 is a schematic enlarged view of the main part showing the shape of the Y branch part of another structure. In the same figure As shown, the shape of the Y branch narrows the width of the optical waveguide through which the incident light enters, and reduces the width of the returning light. The shape of the Y-branch may be asymmetrical, such as by widening the width of the optical waveguide through which the . With this configuration, most of the returned light will be guided toward the wide optical waveguide, and the incident light will be directed toward the wide optical waveguide. It will be difficult to return to.
【0030】[0030]
以上詳細に説明したように、本考案にかかる導波路型半導体レーザモジュール によれば、以下のような優れた効果を有する。 As explained in detail above, the waveguide semiconductor laser module according to the present invention According to , it has the following excellent effects.
【0031】 半導体レーザと光導波路だけで光アイソレータ機能を有する半導体レーザモ ジュールが構成できるので、その部品点数が少なくて済み、また小型・集積化が 図れる。[0031] A semiconductor laser model that has an optical isolator function using only a semiconductor laser and an optical waveguide. Since the module can be configured, the number of parts can be reduced, and it can also be made smaller and more integrated. I can figure it out.
【0032】 構造が簡単なため、大量生産ができ、低価格化が可能となる。[0032] Since the structure is simple, mass production is possible and costs can be reduced.
【0033】 波長依存性や温度依存性がなく、安定したアイソレーションが得られる。[0033] There is no wavelength dependence or temperature dependence, and stable isolation can be obtained.
【0034】 磁石が不要で小型化・低価格化が実現できる。[0034] No magnets are required, making it possible to achieve smaller size and lower cost.
【0035】 異なる波長のレーザ光を発振する半導体レーザを取り付けることにより、容 易に異波長の光源同士を結合できる。又、双方向通信用モジュールとしても使用 できる。[0035] By installing semiconductor lasers that emit laser beams of different wavelengths, Light sources of different wavelengths can be easily combined. Also used as a two-way communication module can.
【0036】 必要なアイソレーションはY分岐部の数で容易に設定できる。[0036] The required isolation can be easily set by the number of Y branches.
【0037】 半導体レーザから発振されたレーザ光は直接光導波路内を伝搬していくので 、光の伝搬効率がよい。[0037] Laser light emitted from a semiconductor laser propagates directly within the optical waveguide. , good light propagation efficiency.
【図1】本考案にかかる導波路型半導体レーザモジュー
ルの1実施例を示す図であり、同図(a)は平面図、同
図(b)は正面図、同図(c)は左側面図、同図(d)
は同図(b)の半導体レーザ11部分近傍の拡大図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a waveguide type semiconductor laser module according to the present invention, in which FIG. 1(a) is a plan view, FIG. 1(b) is a front view, and FIG. 1(c) is a left side view. Figure, same figure (d)
2 is an enlarged view of the vicinity of the semiconductor laser 11 shown in FIG. 3(b).
【図2】本考案の他の実施例にかかる導波路型半導体レ
ーザモジュール1′を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a waveguide type semiconductor laser module 1' according to another embodiment of the present invention.
【図3】他の構造の光導波路31を示す要部概略拡大図
である。FIG. 3 is a schematic enlarged view of a main part showing an optical waveguide 31 having another structure.
【図4】従来の半導体レーザモジュール80を示す斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser module 80.
【図5】他の構造のY分岐部の形状を示す要部概略拡大
図である。FIG. 5 is a schematic enlarged view of the main part showing the shape of the Y branch part of another structure.
1 導波路型半導体レーザモジュール 11,12,13,14 半導体レーザ 31 光導波路 1 Waveguide type semiconductor laser module 11, 12, 13, 14 Semiconductor laser 31 Optical waveguide
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 33/00 M 8934−4M Continuing from the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location // H01L 33/00 M 8934-4M
Claims (1)
数回分岐せしめた光導波路を具備し、複数ある入力側の
光導波路端面の内のいずれか複数個所に半導体レーザ又
は半導体レーザとフォトデテクターを取り付けたことを
特徴とする導波路型半導体レーザモジュール。Claim 1: An optical waveguide that is branched multiple times in a Y-shape from an output side toward an input side, and a semiconductor laser or a semiconductor laser is installed at any plurality of the plurality of end faces of the optical waveguide on the input side. A waveguide type semiconductor laser module characterized by having a photodetector attached thereto.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3433191U JPH04121770U (en) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Waveguide type semiconductor laser module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3433191U JPH04121770U (en) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Waveguide type semiconductor laser module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04121770U true JPH04121770U (en) | 1992-10-30 |
Family
ID=31916779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3433191U Pending JPH04121770U (en) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Waveguide type semiconductor laser module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04121770U (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020204642A (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | 古河電気工業株式会社 | Light source module |
JP2022130562A (en) * | 2019-06-14 | 2022-09-06 | 古河電気工業株式会社 | light source module |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP3433191U patent/JPH04121770U/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020204642A (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | 古河電気工業株式会社 | Light source module |
JP2022130562A (en) * | 2019-06-14 | 2022-09-06 | 古河電気工業株式会社 | light source module |
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