JPH04114445A - Semiconductor testing system - Google Patents

Semiconductor testing system

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JPH04114445A
JPH04114445A JP2234686A JP23468690A JPH04114445A JP H04114445 A JPH04114445 A JP H04114445A JP 2234686 A JP2234686 A JP 2234686A JP 23468690 A JP23468690 A JP 23468690A JP H04114445 A JPH04114445 A JP H04114445A
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signal
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semiconductor
test
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Keiichi Sawada
沢田 圭一
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To discover an open place on each transfer line in a short time, easily and accurately by a method wherein a semiconductor testing system is provided with an open place detector, which specifies the open place in each transfer line on the basis of the state of the waveform of each reflected signal that a signal inputted in each transfer line is reflected at the open place in each transfer line and is returned. CONSTITUTION:An open place detector 12 is provided with a waveform generating register 14, a variable voltage generating circuit 16 for waveform generation use, a waveform detecting register 18 and a waveform voltage comparison circuit 20 for waveform detection use. The circuit 20 compares the waveforms of reflected signals returned in an inspection of verification of an actual connection with the waveform of reference data being stored in the register 18. In case the waveforms of the reflected signals coincide with the normal waveform signal, the normal waveform signal is sent out to a control device 2 and in case the normal waveform signal coincides with either of open waveform signals, an open place indicating signal is sent out to the device 2 and when the indicating signal is different from any one of the above signals, data on the waveforms of the reflected signals is sent out to the device 2 along with an abnormal signal.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、多数の伝送線路をもちかつ個々の伝送線路
において複数の接点箇所を有する接続装置の前記各伝送
線路を介して、半導体試験装置における多数の試験ピン
の各々と半導体装置における多数のピン端子の各々とを
個別的に接続して半導体装置の機能試験と電気的特性試
験とを行う半導体試験システムに係り、特には、機能試
験と電気的特性試験の実施に先立って、各伝送線路にお
いて接触不良または断線によるオープン箇所を見つけ出
す技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention provides a connection device that has a large number of transmission lines and has a plurality of contact points on each transmission line. It relates to a semiconductor test system that performs a functional test and an electrical characteristic test of a semiconductor device by individually connecting each of a large number of test pins in a semiconductor device to each of a large number of pin terminals in a semiconductor device, and particularly relates to a semiconductor test system that performs a functional test and an electrical characteristic test of a semiconductor device. The present invention relates to a technique for finding open points due to poor contact or disconnection in each transmission line prior to conducting an electrical characteristic test.

〈従来の技術〉 第5図は、物理的かつ電気的な接続装置を介して半導体
試験装置と試験対象である半導体装置とを接続してなる
従来の半導体試験システムを概略的に示したものである
<Prior Art> FIG. 5 schematically shows a conventional semiconductor testing system in which a semiconductor testing device and a semiconductor device to be tested are connected via a physical and electrical connection device. be.

半導体試験装置A0は、制御装置2と、波形発生器4と
、波形検出器6と、直流測定器8と、信号発生回路10
とを備えている。波形発生器4、波形検出器6および直
流測定器8はそれぞれ複数個装備されており、信号発生
回路10は数百側装備されている。
The semiconductor test apparatus A0 includes a control device 2, a waveform generator 4, a waveform detector 6, a DC measuring device 8, and a signal generation circuit 10.
It is equipped with A plurality of waveform generators 4, a plurality of waveform detectors 6, and a plurality of DC measuring instruments 8 are each provided, and several hundred signal generation circuits 10 are provided.

波形発生器4、波形検出器6および信号発生回路10は
、半導体装置Cの機能試験を行うためのものであり、波
形発生器4から各種の電圧・電流波形を試験データとし
て発生して信号発生回路10および物理的かつ電気的な
接続装置B(これについては後述する)を介して半導体
装置Cにおける対応するピン端子38aに出力し、上記
電圧・電流波形に対応して半導体装置Cのピン端子38
aから構成される装置Bおよび信号発生回路10を介し
て入力されてくる出力データを波形検出器6によって検
出するようになっている。
The waveform generator 4, the waveform detector 6, and the signal generation circuit 10 are for performing a functional test of the semiconductor device C, and generate various voltage and current waveforms as test data from the waveform generator 4 to generate signals. It is output to the corresponding pin terminal 38a of the semiconductor device C via the circuit 10 and the physical and electrical connection device B (which will be described later), and is output to the corresponding pin terminal 38a of the semiconductor device C in accordance with the voltage/current waveform. 38
A waveform detector 6 detects output data inputted through a device B consisting of a device B and a signal generating circuit 10.

この場合、制御装置2は、内蔵しているマイクロコンピ
ュータの試験プログラムに従って各波形発生器4に対し
てそれぞれが発生すべき試験データを指定するとともに
、各波形検出器6から入力した半導体装置Cの出力デー
タを解析することにより半導体装置Cの機能試験を行う
In this case, the control device 2 specifies the test data to be generated by each waveform generator 4 according to the test program of the built-in microcomputer, and also specifies the test data to be generated by the semiconductor device C input from each waveform detector 6. A functional test of the semiconductor device C is performed by analyzing the output data.

信号発生回路10は、各波形発生器4からの試験データ
を半導体装置Cにおける多数のピン端子38aに分配し
て供給し、また、多数のピン端子38aからの出力デー
タを各波形検出器6に分配する。
The signal generation circuit 10 distributes and supplies test data from each waveform generator 4 to a large number of pin terminals 38a in a semiconductor device C, and also supplies output data from a large number of pin terminals 38a to each waveform detector 6. distribute.

直流測定器8は、半導体装置Cの電気的特性試験を行う
ためのものであり、制御装置2によって指定された直流
信号を試験データとして信号発生回路10におけるリレ
ーおよび接続装置Bを介して半導体装置Cにおける対応
するピン端子38aに出力し、かつ、上記直流信号に対
応して半導体装置Cのピン端子38aから構成される装
置Bおよび信号発生回路IOにおけるリレーを介して入
力されてくる出力データを入力し、制御II装置2に送
出するようになっている。制御装置2は、その出力デー
タを解析することにより半導体装置Cの電気的特性試験
を行う。
The DC measuring device 8 is used to test the electrical characteristics of the semiconductor device C, and uses the DC signal specified by the control device 2 as test data to test the semiconductor device via the relay in the signal generation circuit 10 and the connecting device B. The output data is outputted to the corresponding pin terminal 38a of the semiconductor device C and inputted via the relay in the device B and the signal generation circuit IO, which are made up of the pin terminal 38a of the semiconductor device C in response to the DC signal. The data is inputted and sent to the control II device 2. The control device 2 tests the electrical characteristics of the semiconductor device C by analyzing the output data.

機能試験および電気的特性試験が実行される場合、半導
体装置Cはブローμやハンドラなどの外部機器40上に
セントされる。半導体装置Cがウェハ上に形成されてい
る場合にはブローμが使用され、半導体装WCがパッケ
ージ化されている場合にはハンドラが使用される。
When a functional test and an electrical characteristic test are performed, the semiconductor device C is placed on an external device 40 such as a blower μ or a handler. A blow μ is used when the semiconductor device C is formed on a wafer, and a handler is used when the semiconductor device WC is packaged.

半導体試験装置A0と半導体装置Cとを物理的かつ電気
的に接続する接続装置Bは、次のように構成されている
(プローハ使用時)。
The connecting device B that physically and electrically connects the semiconductor testing device A0 and the semiconductor device C is configured as follows (when using a profer).

接続装置lBは、第1ないし第3の接続ボード30.3
2.34と、プローブカード36とを備えている。
The connection device IB is connected to the first to third connection boards 30.3
2.34 and a probe card 36.

第1の接続ボード30の上下両面には、パターン配線に
よって多数のランド30a、30bが形成されている。
A large number of lands 30a and 30b are formed on both upper and lower surfaces of the first connection board 30 by pattern wiring.

第2の接続ボード32の上下両面には、出退自在で突出
付勢された多数のポゴピン32a、32bが設けられて
いる。第3の接続ボード34の上面には多数のランド3
4aが、下面には多数のポゴピン34bがそれぞれ設け
られている。プローブカード36の上面には多数のラン
ド36aが、下面には多数のプローブ36bがそれぞれ
設けられている。
A large number of pogo pins 32a and 32b are provided on both upper and lower surfaces of the second connection board 32, and are movable in and out and biased to protrude. A large number of lands 3 are provided on the upper surface of the third connection board 34.
4a, and a number of pogo pins 34b are provided on the lower surface thereof. A large number of lands 36a are provided on the top surface of the probe card 36, and a large number of probes 36b are provided on the bottom surface.

半導体試験装置A。における多数の信号発注回路10の
それぞれにおける出力ラインに、各々多数のポゴピンか
らなる試験ピン10aが接続され、これらの試験ピンt
Oaが半導体試験装置A0の下面に設けられている。こ
の試験ピン10aと第1の接続ボード30のランド30
aとが第1の接点P1をなし、第1の接続ボード30の
ランド30bと第2の接続ボード32のポゴピン32a
とが第2の接点P2をなし、第2の接続ボード32のポ
ゴピン32bと第3の接続ボード34のランド34aと
が第3の接点P3をなし、第3の接続ボード34のポゴ
ピン34bとプローブカード36のランド36aとが第
4の接点P4をなし、プローブカード36のプローブ3
6bの針先と半導体装置Cのピン端子38aとが第5の
接点P5をなしている。
Semiconductor test equipment A. A test pin 10a consisting of a large number of pogo pins is connected to the output line of each of the large number of signal ordering circuits 10 in , and these test pins t
Oa is provided on the bottom surface of the semiconductor testing device A0. This test pin 10a and the land 30 of the first connection board 30
a forms the first contact P1, and the land 30b of the first connection board 30 and the pogo pin 32a of the second connection board 32
The pogo pin 32b of the second connection board 32 and the land 34a of the third connection board 34 form a third contact P3, and the pogo pin 34b of the third connection board 34 and the probe The land 36a of the card 36 forms a fourth contact P4, and the probe 3 of the probe card 36
The tip of the needle 6b and the pin terminal 38a of the semiconductor device C form a fifth contact P5.

このような第1ないし第5の接点P1〜P5を1つずつ
有する伝送線路が半導体装置Cにおける多数のピン端子
38aの数だけ存在している。
There are as many transmission lines as the number of pin terminals 38a in the semiconductor device C, each having one such first to fifth contacts P1 to P5.

これら多数の伝送線路の接点群において1つでも接触不
良があったり、各接続ボード30.3234およびプロ
ーブカード36において1つでも断線箇所があったりす
ると、半導体試験装置A0による半導体装置Cの機能試
験および電気的特性試験に支障を来すことになる。
If there is a contact failure in even one of the contact groups of these many transmission lines, or if there is a disconnection in even one of the connection boards 30, 3234 and the probe card 36, the function test of the semiconductor device C by the semiconductor tester A0 and may interfere with electrical characteristic tests.

そ、二で、試験を行う前に、半導体試験装置A。Second, before testing, use semiconductor test equipment A.

の試験ピン10aから半導体装置Cのピン端子38aに
至るまでの伝送線路の接続確認検査を実施する。
A connection confirmation inspection of the transmission line from the test pin 10a of the semiconductor device C to the pin terminal 38a of the semiconductor device C is performed.

以下、この接続確認検査の方法を第6図によって説明す
る。
The method of this connection confirmation test will be explained below with reference to FIG.

第6図は、1つのピン端子38aに対する接続装置Bに
おける1ライン分の伝送線路りの等価回路を示している
FIG. 6 shows an equivalent circuit of one line of transmission line in connection device B for one pin terminal 38a.

第1ないし第3の接続ボード30,32.34およびプ
ローブカード36は、それぞれ等価な第1ないし第4の
線路部分301.32N、347!361として表され
ている。直流測定器8は、定電流源8aと電圧計8bと
して表されている。
The first to third connection boards 30, 32.34 and the probe card 36 are respectively represented as equivalent first to fourth line sections 301.32N, 347!361. The DC measuring device 8 is represented as a constant current source 8a and a voltmeter 8b.

この直流測定器8は、第1の接点P1に対して信号発生
回路10におけるリレーを介して接続されるが、ここで
は信号発生回路10を省略しである。
This DC measuring device 8 is connected to the first contact P1 via a relay in a signal generating circuit 10, but the signal generating circuit 10 is omitted here.

接続確認検査であるため、半導体装置Cの代わりにアル
ミベタウェハC0を用い、これにプローブ36bを接触
させている。電圧計8bおよびアルミへタウエバC0を
それぞれ接地することにより、閉ループを構成している
Since this is a connection confirmation test, an aluminum solid wafer C0 is used instead of the semiconductor device C, and the probe 36b is brought into contact with this. A closed loop is constructed by grounding the voltmeter 8b and the aluminum tower C0, respectively.

このような直流測定器8、伝送線路りおよびアルミベタ
ウェハC8からなる閉ループの検査系Eがピン端子38
aの数だけ構成される。
A closed-loop inspection system E consisting of the DC measuring device 8, the transmission line, and the aluminum flat wafer C8 is connected to the pin terminal 38.
It is configured by the number of a.

接続確認検査は、制御装置2における検査用のプログラ
ムに従って、順次、検査系Eの1つずつに対して実行さ
れる。
The connection confirmation test is sequentially executed for each test system E in accordance with the test program in the control device 2.

すなわち、まず、直流測定器8における定電流源8aよ
りある検査系已に電流を流し、電圧計8bで得られた検
出電圧を制御装置2に送出する。
That is, first, a current is caused to flow through a certain test system from the constant current source 8a in the DC measuring device 8, and a detected voltage obtained by the voltmeter 8b is sent to the control device 2.

制御装置2は、その検出電圧がゼロであれば、検査系E
にオープン状態(接触不良または断*)がないと判定し
、次の検査系Eの検査へと移る。
If the detected voltage is zero, the control device 2 detects the inspection system E.
It is determined that there is no open state (poor contact or disconnection*), and the next inspection of inspection system E is performed.

検出電圧が一定値以上または無限大であれば、その検査
系Eにおいてオープン状態が生じていると判定する。こ
の場合は、オープン状態となっている箇所を見つけて修
理し、修理が終わると、次の検査系Eに対する検査に移
る。
If the detected voltage is greater than a certain value or infinite, it is determined that an open state has occurred in the inspection system E. In this case, the open portion is found and repaired, and once the repair is completed, the next test system E is tested.

すべての検査系已について、オープン状態がないことが
確認された後、機能試験と電気的特性試験とを実行する
After confirming that there are no open states in all inspection systems, a functional test and an electrical characteristic test are performed.

〈発明が解決しようとする課題〉 従来の半導体試験システムにおいては、その伝送線路り
の接続確認検査を上記のように行うように構成されてい
たので、検査系Eのオープン状態(接触不良または断1
11)を検出したときに、その接触不良が第1ないし第
5の接点P1〜P5のいずれで生じているのか、また、
断線が第1ないし第4の線路部分301,321,34
1.3111のいずれにおいて生じているのかが直接に
は判らないため、いちいち接触不良または断線のオープ
ン箇所を見つけ出さなければならないわずられしさがあ
った。
<Problems to be Solved by the Invention> In the conventional semiconductor test system, the connection confirmation test of the transmission line was performed as described above. 1
11), which of the first to fifth contacts P1 to P5 is causing the poor contact, and
The disconnection occurs in the first to fourth line portions 301, 321, 34
1.3111, it is not directly known where the problem is occurring, so it is tedious to have to find each open point of poor contact or disconnection.

近年では半導体装置Cのピン端子38aの数が増加する
傾向にあり、500ピン以上の半導体装置もある。この
ような半導体装置の試験前の接続確認検査においては、
500以上もの伝送線路りが存在しており、接触不良ま
たは断線を生じる伝送線路りの数も増えるため、オープ
ン箇所の発見に多大な労力と時間とを費やさなければな
らないという問題がある。
In recent years, the number of pin terminals 38a of semiconductor devices C has tended to increase, and some semiconductor devices have more than 500 pins. In connection confirmation inspections before testing such semiconductor devices,
There are more than 500 transmission lines, and as the number of transmission lines that experience poor contact or disconnection increases, there is a problem in that a great deal of effort and time must be spent to find open locations.

この発明は、上記のような問題点を解消するために創案
されたものであって、接Vt確認検査において、短時間
で容易かつ正確にオープン箇所を発見できる半導体試験
システムを得ることを目的とする。
This invention was devised to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a semiconductor testing system that can easily and accurately find open points in a short time during contact Vt confirmation inspection. do.

〈課題を解決するための手段〉 この発明に係る半導体試験システムは、多数の伝送線路
をもちかつ個々の伝送線路において複数の接点箇所を有
する接続装置の前記各伝送線路を介して、半導体試験装
置における多数の試験ピンの各々と半導体装置における
多数のピン端子の各々とを個別的に接続して半導体装置
の機能試験と電気的特性試験とを行う半導体試験システ
ムにおいて、各伝送線路に入力した信号がオープン箇所
で反射されて同じ伝送線路を戻ってくる各反射信号の波
形状態に基づいて各伝送線路のオープン箇所を特定する
オープン箇所検出装置を設けたことを特徴とするもので
ある。
<Means for Solving the Problems> A semiconductor testing system according to the present invention connects a semiconductor testing device to a semiconductor testing device via each transmission line of a connection device having a large number of transmission lines and each transmission line having a plurality of contact points. In a semiconductor test system that performs a functional test and an electrical characteristic test of a semiconductor device by individually connecting each of the many test pins in the semiconductor device to each of the many pin terminals in the semiconductor device, the signal input to each transmission line is The present invention is characterized in that an open point detection device is provided for identifying an open point in each transmission line based on the waveform state of each reflected signal that is reflected at an open point and returns through the same transmission line.

〈作用〉 この発明に係る半導体試験システムは、反射信号の波形
の歪みの程度が検査用入力信号の入射端からオープン箇
所までの距離に応じて変化することを利用したもので、
オープン箇所検出装置は、この反射信号の歪みの程度に
基づいてオープン箇所を自動的に特定する。
<Function> The semiconductor test system according to the present invention utilizes the fact that the degree of distortion of the waveform of the reflected signal changes depending on the distance from the input end of the test input signal to the open point,
The open point detection device automatically identifies the open point based on the degree of distortion of this reflected signal.

〈実施例〉 以下、この発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。
<Example> Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail based on the drawings.

第1図は、物理的かつ電気的な接続装置を介して半導体
試験装置と試験対象である半導体装置とを接続してなる
この発明の実施例に係る半導体試験システムを概略的に
示したものである。
FIG. 1 schematically shows a semiconductor test system according to an embodiment of the present invention, which connects a semiconductor test device and a semiconductor device to be tested through a physical and electrical connection device. be.

この実施例の半導体試験装置A1は、従来例の半導体試
験装置FAaと同様に、装置A1の全体を制御する制御
装置2と、半導体装置Cの機能試験を司るためのそれぞ
れ複数個の波形発生器4、波形検出器6および多数の信
号発生回路10と、半導体装置Cの電気的特性試験およ
び接続確認検査を司るだめの複数の直流測定器8とを備
えているとともに、新たな構成要素として、接Vt確認
検査において対象となる伝送線路りにオープン状態(接
触不良または断線)が生したときに、そのオープン箇所
を検出するオープン箇所検出装置12を備えている。
The semiconductor testing apparatus A1 of this embodiment, like the conventional semiconductor testing apparatus FAa, includes a control device 2 for controlling the entire apparatus A1, and a plurality of waveform generators for controlling the functional test of the semiconductor device C. 4. It is equipped with a waveform detector 6, a large number of signal generation circuits 10, and a plurality of DC measuring instruments 8 for conducting electrical characteristic tests and connection confirmation tests of the semiconductor device C, and as a new component, The present invention includes an open point detection device 12 that detects an open point when an open state (poor contact or disconnection) occurs in a transmission line to be inspected for contact Vt confirmation.

波形発生器4、波形検出器6および直流測定器8と制御
装置2および信号発生回路10との関係、ならびに、信
号発生回路10と接続装置Bとの関係については、従来
例と同様であるので説明を省略する。接続装置Bの具体
的構造も従来例と同様であるので、単にブロックのみで
示す。
The relationship between the waveform generator 4, waveform detector 6, and DC measuring device 8 and the control device 2 and signal generation circuit 10, as well as the relationship between the signal generation circuit 10 and the connection device B, are the same as in the conventional example. The explanation will be omitted. The specific structure of the connecting device B is also the same as that of the conventional example, so it is simply shown as a block.

オープン箇所検出装置12は、制御装置2に対しては双
方向的に接続され、接続装置Bに対しては信号発生回路
10におけるリレーを介して双方向的に接続されている
The open point detection device 12 is bidirectionally connected to the control device 2 and bidirectionally connected to the connection device B via a relay in the signal generation circuit 10.

すべての伝送線路りに対する接続確認検査において、オ
ープン箇所検出装置12からの検出結果に基づいて制御
袋W2がある伝送線路りにオープン状態(接触不良また
は断線)が生していると判定したとき、制御装置2は、
オープン箇所検出装置12を信号発生回路10における
リレーを介してそのオープン状態の伝送線路りに接続す
るようになっている。
When it is determined that an open state (poor contact or disconnection) exists in the transmission line where the control bag W2 is located based on the detection results from the open point detection device 12 in the connection confirmation inspection for all transmission lines, The control device 2 is
The open point detection device 12 is connected to the transmission line in the open state via a relay in the signal generating circuit 10.

第2図は、オープン箇所検出装置12のブロック構成と
、このオープン箇所検出装置12と接続確認検査におけ
る伝送線路りとの接続状態とを示す。
FIG. 2 shows the block configuration of the open point detection device 12 and the connection state between the open point detection device 12 and the transmission line in a connection confirmation test.

伝送線路りは、第6図で説明したのと同様、接続装置B
における第1ないし第3の接続ボード30.32.34
およびプローブカード36に等価な第1ないし第4の線
路部分301.32L  347!  361からなっ
ている。
The transmission line is connected to connection device B as explained in Fig. 6.
The first to third connection boards 30.32.34 in
and first to fourth line portions 301.32L 347! equivalent to the probe card 36! It consists of 361.

P1〜P5について、第5図を参照しながら再説明する
と、Plは、半導体試験装置A、の試験ピン10aと第
1の接続ボード30のランド30aとがなす第1の接点
、P2は、第1および第2の接続ボード30.32のラ
ンド30bとポゴピン32aとがなす第2の接点(第1
および第2の線路部分301.321間)、P3ば、第
2および第3の接続ボード32.34のポゴピン32b
とランド34. aとがなす第3の接点(第2および第
3の線路部分32L  341間)、P4は、第3の接
続ボード34とプローブカード36のポゴピン34bと
ランド36aとがなす第4の接点(第3および第4の線
路部分341.36ji間)、P5は、プローブ36b
の針先とアルミへタウエバC0とがなす第5の接点をそ
れぞれ表している。
P1 to P5 will be explained again with reference to FIG. 5. Pl is the first contact between the test pin 10a of the semiconductor test device A and the land 30a of the first connection board 30, The second contact point (the first
and the second track section 301.321), P3, the pogo pin 32b of the second and third connection board 32.34
and Land 34. P4 is the third contact between the third connection board 34 and the pogo pin 34b of the probe card 36 and the land 36a (between the second and third line portions 32L 341). 3 and the fourth line portion 341.36ji), P5 is the probe 36b
The fifth contact point between the tip of the needle and the aluminum stylus bar C0 is shown.

オープン箇所検出装置12は、波形発生レジスタ14と
、波形発生用可変電圧発生回路(ドライブ回路)16と
、波形検出レジスタ18と、波形検出用波形電圧比較回
路(コンパレータ回路)20とを備えている。
The open point detection device 12 includes a waveform generation register 14, a variable voltage generation circuit for waveform generation (drive circuit) 16, a waveform detection register 18, and a waveform voltage comparison circuit for waveform detection (comparator circuit) 20. .

波形発生レジスタ14は、制御装置2から送出されてき
た第3図(a)に示すようなステップ状の入力波形信号
SINを生成するための入力波形データをストアするも
のである。波形発生用可変電圧発注回路1Gは、波形発
生レジスタ14からの入力波形データに基づいて対応す
る入力波形信号5i11を生成し伝送線路りに対して出
力するものである。
The waveform generation register 14 stores input waveform data sent from the control device 2 for generating a step-like input waveform signal SIN as shown in FIG. 3(a). The waveform generation variable voltage ordering circuit 1G generates a corresponding input waveform signal 5i11 based on input waveform data from the waveform generation register 14 and outputs it to the transmission line.

波形発生用可変電圧発生回路16から出力された人力波
形信号SINは、伝送線路りを伝搬し、アルミへタウエ
バC9もしくは接触不良または断線のオープン箇所で反
射して戻って(る。
The human-powered waveform signal SIN outputted from the variable voltage generation circuit 16 for waveform generation propagates along the transmission line, and is reflected back at the aluminum bow bar C9 or an open point due to poor contact or disconnection.

波形発生用可変電圧発生回路16のインピーダンスと伝
送線路りのインピーダンスとを等しく設定した場合、反
射信号の波形は、第3図(b)以下に示すように、波亮
値の1/2のレベルで平坦部分をもつ階段波形となる。
When the impedance of the variable voltage generation circuit 16 for waveform generation and the impedance of the transmission line are set equal, the waveform of the reflected signal has a level of 1/2 of the wave height value, as shown in FIG. 3(b) and below. It becomes a staircase waveform with a flat part.

そして、その平坦部分の時間幅は、信号の往復行程、つ
まり、波形発生用可変電圧発生回路16の出力端子から
反射点までの距離の2倍に比例する。
The time width of the flat portion is proportional to the round trip of the signal, that is, twice the distance from the output terminal of the variable voltage generation circuit 16 for waveform generation to the reflection point.

そこで、予めの実験により、オープン状態の生じていな
い正常状態のときの反射波形のデータと、第1ないし第
5の接点P1〜P5を個別的にオープン状態にしたとき
の各反射波形のデータを測定しておき、これらの波形デ
ータを前もって制御装置2を通して波形検出レジスタ1
8!ニスドアしておく。
Therefore, through preliminary experiments, we determined the data of the reflected waveform in a normal state with no open state and the data of each reflected waveform when the first to fifth contacts P1 to P5 are individually opened. These waveform data are previously measured and sent to the waveform detection register 1 through the control device 2.
8! Leave the door varnished.

なお、第3図(bTは正常波形信号S NoMを示し、
第3図(c)〜(g)はそれぞれ、第1ないし第5の接
点PI−P5がオープン状態のときのオープン波形信号
S AIINI −S AlN5を示している。
In addition, in FIG. 3 (bT indicates the normal waveform signal S NoM,
FIGS. 3(c) to 3(g) respectively show open waveform signals SAIINI-SAlN5 when the first to fifth contacts PI-P5 are in the open state.

これら正常波形信号S No)Iのデータと各オープン
波形信号5AIIN+〜S AllN5のデータとを参
照データとして波形検出レジスタ18に予めストアして
おくのである。
The data of these normal waveform signals S No) I and the data of each open waveform signal 5AIIN+ to SAllN5 are stored in advance in the waveform detection register 18 as reference data.

波形検出用波形電圧比較回路20は、実際の接続確認検
査において戻ってきた反射信号の波形と、波形検出レジ
スタ18にストアされている参照データの波形とを比較
し、正常波形信号5N(lイと−致している場合には正
常信号を制御装置2に送出し、オープン波形信号SAM
□〜S AllN5のいずれかと一致しでいる場合には
、そのいずれと一致しているかを示すオープン箇所指示
信号を制御装置2に送出し、以上のいずれとも異なると
きは異常信号とともにその反射信号の波形データを制御
装置2に送出するように構成されている。
The waveform voltage comparison circuit 20 for waveform detection compares the waveform of the reflected signal returned during the actual connection confirmation test with the waveform of the reference data stored in the waveform detection register 18, and determines the normal waveform signal 5N (I). If they match, a normal signal is sent to the control device 2, and an open waveform signal SAM is sent to the control device 2.
□~S If it matches any of AllN5, it sends an open point instruction signal indicating which one it matches to the control device 2, and if it differs from any of the above, it sends the reflected signal along with the abnormal signal. It is configured to send waveform data to the control device 2.

軌−作 次に、この実施例に係る半導体試験システムによる接続
確認検査の動作を第4図のフローチャートに従って説明
する。
Next, the operation of the connection confirmation test by the semiconductor test system according to this embodiment will be explained with reference to the flowchart of FIG.

ステップS2で、直流測定器8を制御して伝送線路りの
すべてに対してオープン状態かショート状態かの検査を
行う。ステップS4で、オープン状態となっている伝送
線路りが存在したかどうかを判断し、すべての伝送線路
りが正常状態であれば、接続確認検査の動作を終了し、
半導体装置Cの機能試験と電気的特性試験とに進む。
In step S2, the DC measuring device 8 is controlled to test whether all transmission lines are open or shorted. In step S4, it is determined whether there is an open transmission line, and if all the transmission lines are in a normal state, the connection confirmation inspection operation is finished,
The process proceeds to a functional test and an electrical characteristic test of the semiconductor device C.

ステップS4においてオープン状態となっている伝送線
路りが存在していると判断したときは、ステップS6に
進み、そのオープン状態の伝送線路りを抽出し、ステッ
プS8で、そのオープン状態の伝送線路りに対してオー
プン箇所検出装置12を信号発生回路10におけるリレ
ーを介して接続する。
When it is determined in step S4 that there is an open transmission line, the process proceeds to step S6, where the open transmission line is extracted, and in step S8, the open transmission line is extracted. An open point detection device 12 is connected to the open point detection device 12 via a relay in the signal generation circuit 10.

次いで、ステップSIOで、オープン箇所検出装置12
を駆動し、オープン箇所の検出を行う。
Next, in step SIO, the open location detection device 12
to detect open points.

すなわち、波形発生レジスタ14からの波形信号データ
に基づいて波形発生用可変電圧発生回路16で第3図(
a)に示す入力波形信号SINを生成し、これをオープ
ン状態の伝送線路りに対して出力し、そのオープン箇所
からの反射信号を波形検出用波形電圧比較回路20で検
出する。
That is, based on the waveform signal data from the waveform generation register 14, the variable voltage generation circuit 16 for waveform generation generates the signal as shown in FIG.
The input waveform signal SIN shown in a) is generated and outputted to the open transmission line, and the reflected signal from the open point is detected by the waveform voltage comparison circuit 20 for waveform detection.

次のステップ312〜320では、波形検出用波形電圧
比較回路20において波形検出レジスタ18にストアさ
れているオープン波形信号S□8〜S09.の波形デー
タと検出波形信号の波形データとを順次比較する。
In the next steps 312-320, the open waveform signals S□8-S09. which are stored in the waveform detection register 18 in the waveform voltage comparison circuit 20 for waveform detection. The waveform data of the detected waveform signal is sequentially compared with the waveform data of the detected waveform signal.

ステップS12では、検出波形データと第1の接点P1
でのオープン波形データ(SAllN+)とを比較し、
一致しておれば、ステップS22に進んでオープン箇所
が第1の接点P1である旨のメツセージ出力を行い、不
一致であれば、ステップS14に進む。
In step S12, the detected waveform data and the first contact point P1 are
Compare the open waveform data (SAllN+) with
If they match, the process proceeds to step S22, where a message is output to the effect that the open point is the first contact P1, and if they do not match, the process proceeds to step S14.

ステップS14では、検出波形データと第2の接点P2
でのオープン波形データ(S08□)とを比較し、一致
しておれば、ステップS24に進んでオープン箇所が第
2の接点P2である旨のメ。
In step S14, the detected waveform data and the second contact point P2 are
The open waveform data (S08□) at step S08 are compared, and if they match, the process advances to step S24, where it is determined that the open point is the second contact P2.

セージ出力を行い、不一致であれば、ステップ816に
進む。
If there is no match, the process advances to step 816.

ステップS16では、検出波形データと第3の接点P3
でのオープン波形データ(S AlN5)とを比較し、
一致しておれば、ステップS26に進んでオープン箇所
が第3の接点P3である旨のメソセージ出力を行い、不
一致であれば、ステップS18に進む。
In step S16, the detected waveform data and the third contact point P3 are
Compare with the open waveform data (S AlN5) at
If they match, the process proceeds to step S26, where a message is output to the effect that the open point is the third contact P3, and if they do not match, the process proceeds to step S18.

ステップS18では、検出波形データと第4の接点P4
でのオープン波形データ(SAllN4)とを比較し、
一致しておれば、ステップ328に進んでオープン箇所
が第4の接点P4である旨のメソセージ出力を行い、不
一致であれば、ステップS20に進む。
In step S18, the detected waveform data and the fourth contact point P4 are
Compare the open waveform data (SAllN4) with
If they match, the process proceeds to step 328, where a message is output to the effect that the open point is the fourth contact P4, and if they do not match, the process proceeds to step S20.

ステップS20では、検出波形データと第5の接点P5
でのオープン波形データ(SAIINS)とを比較し、
一致しておれば、ステップ530に進んでオープン箇所
が第5の接点P5である旨のメソセージ出力を行い、不
一致であれば、ステップS32に進む。
In step S20, the detected waveform data and the fifth contact point P5 are
Compare the open waveform data (SAIINS) with
If they match, the process proceeds to step 530, where a message is output to the effect that the open point is the fifth contact P5, and if they do not match, the process proceeds to step S32.

検出波形データがオープン波形データ(SAI111〜
S AllN5)のいずれとも一致しないときは、接点
P1〜P5でのオープン状態(接触不良)ではなく、線
路部分301.32E、341.361におけるオープ
ン状態(断線)ということになるが、この場合は、ステ
ップS32において、正常波形信号S NOHの波形デ
ータと検出波形データとの平坦部分の差分からオープン
箇所までの距離を算出し、ステップS34でオープン箇
所までの長さをメツセージ出力する。
The detected waveform data is open waveform data (SAI111~
S AllN5) does not match any of the contacts P1 to P5 (poor contact), it means that the line portions 301.32E and 341.361 are open (broken), but in this case, In step S32, the distance to the open point is calculated from the difference between the flat portions of the waveform data of the normal waveform signal SNOH and the detected waveform data, and in step S34, the length to the open point is output as a message.

そして、ステップ322〜330またはステップS34
の次にステップS36に進みアイドリング状態に入る。
Then, steps 322 to 330 or step S34
Next, the process advances to step S36 and enters an idling state.

この状態で、作業者はメツセージ出力に基づいてオープ
ン箇所を修理し、修理が終わると、再起動を行う。
In this state, the operator repairs the open area based on the message output, and after the repair is completed, restarts the system.

ステップ338で再起動が指令されたと判断すると、ス
テップS2にリターンして、オープン箇所が正しく修理
されたかどうかを判断し、修理が正しければ、次のオー
プン状態となっている伝送線路りについて、上記と同様
のオープン箇所の特定を行った後、修理を行い、その修
理が正しく行われたたとを確かめてさらに次のオープン
状態となっている伝送線路りについて同様の処理を繰り
返す。
If it is determined in step 338 that a restart has been commanded, the process returns to step S2 and it is determined whether the open point has been repaired correctly. If the repair is correct, the above-mentioned After identifying the open location in the same way as above, repair is performed, and after confirming that the repair has been performed correctly, the same process is repeated for the next open transmission line.

そして、すべての伝送線路りにおいてオープン状態がな
くなると、全動作を終了し、次工程の機能試験および電
気的特性試験へと移る。
Then, when all transmission lines are no longer open, all operations are completed and the process moves on to the next process of functional testing and electrical characteristic testing.

以上のように、伝送線路りの数が非常に多く、かつ、個
々の伝送線路りにおいてオープン状態となる場所が複数
もしくは不特定数あるにもかかわらず、短時間で容易に
オープン箇所を正確に知らせることができるのである。
As described above, even though there are a large number of transmission lines and each transmission line has multiple or unspecified open locations, it is easy to accurately identify open locations in a short time. You can let them know.

〈発明の効果〉 以上のようにこの発明によれば、オープン箇所からの反
射信号の波形の歪みの程度が検査用入力信号の入射端か
らオープン箇所までの距離に応じて変化することを利用
し、その反射信号の歪みの程度に基づいてオープン箇所
を自動的に特定するオープン箇所検出装置を設けたので
、半導体試験装置における多数の試験ピンの各々と半導
体装置における多数のピン端子の各々とを個別的に接続
する伝送線路が非常に多(存在しても、それらの接続確
認検査において、短時間のうちに容易かつ正確にオープ
ン箇所を特定することができるという効果を奏する。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, the degree of distortion of the waveform of a reflected signal from an open point changes depending on the distance from the input end of the inspection input signal to the open point. Since we have provided an open point detection device that automatically identifies open points based on the degree of distortion of the reflected signal, we can easily identify each of the many test pins in the semiconductor test equipment and each of the many pin terminals in the semiconductor device. Even if there are a large number of transmission lines that are individually connected, the open points can be easily and accurately identified in a short period of time during a connection confirmation test.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第4図はこの発明の一実施例に係り、第1
図は接続装置を介して半導体試験装置と半導体装置とを
接続した状態の半導体試験システムの概略構成図、第2
図はオープン箇所検出装置と伝送線路とを示す回路図、
第3図は動作説明に供する波形図、第4図は動作説明に
供するフローチャートである。第5図は従来例に係る半
導体試験システムの概略構成図、第6図は従来例におけ
る接続確認検査の説明図である。 A1は半導体試験装置、Bは接続装置、Cは半導体装置
、Dは伝送線路、2は制御装置、4は波形発生器、6は
波形検出器、8は直流測定器、10は信号発生回路、l
oaは半導体試験装置における試験ピン、12はオープ
ン箇所検出装置、14は波形発生レジスタ、16は波形
発生用可変電圧発生回路、18は波形検出レジスタ、2
0は波形検出用波形電圧比較回路、301〜36nは線
路部分、P1〜P5は接点、36bはプローブ、38a
は半導体装置におけるピン端子である。 なお、図中、同一符号は同一部分または相当部分を示す
Figures 1 to 4 relate to one embodiment of the present invention;
The figure is a schematic configuration diagram of a semiconductor test system in which a semiconductor test device and a semiconductor device are connected via a connection device.
The figure is a circuit diagram showing an open point detection device and a transmission line,
FIG. 3 is a waveform diagram for explaining the operation, and FIG. 4 is a flow chart for explaining the operation. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a semiconductor testing system according to a conventional example, and FIG. 6 is an explanatory diagram of a connection confirmation test in the conventional example. A1 is a semiconductor test device, B is a connection device, C is a semiconductor device, D is a transmission line, 2 is a control device, 4 is a waveform generator, 6 is a waveform detector, 8 is a DC measuring device, 10 is a signal generation circuit, l
oa is a test pin in the semiconductor test equipment, 12 is an open point detection device, 14 is a waveform generation register, 16 is a variable voltage generation circuit for waveform generation, 18 is a waveform detection register, 2
0 is a waveform voltage comparison circuit for waveform detection, 301 to 36n are line parts, P1 to P5 are contacts, 36b is a probe, 38a
is a pin terminal in a semiconductor device. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)多数の伝送線路をもちかつ個々の伝送線路におい
て複数の接点箇所を有する接続装置の前記各伝送線路を
介して、半導体試験装置における多数の試験ピンの各々
と半導体装置における多数のピン端子の各々とを個別的
に接続して半導体装置の機能試験と電気的特性試験とを
行う半導体試験システムにおいて、 各伝送線路に入力した信号がオープン箇所で反射されて
同じ伝送線路を戻ってくる各反射信号の波形状態に基づ
いて各伝送線路のオープン箇所を特定するオープン箇所
検出装置を設けたことを特徴とする半導体試験システム
(1) Each of the many test pins in the semiconductor test equipment and the many pin terminals in the semiconductor device are connected to each of the many test pins in the semiconductor test equipment through each of the transmission lines of the connection device which has many transmission lines and has a plurality of contact points on each transmission line. In a semiconductor test system that performs functional tests and electrical characteristic tests of semiconductor devices by individually connecting each transmission line, a signal input to each transmission line is reflected at an open point, and each transmission line returns through the same transmission line. A semiconductor testing system characterized by being provided with an open point detection device that identifies open points in each transmission line based on the waveform state of a reflected signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012122748A (en) * 2010-12-06 2012-06-28 Nec Corp Information processing device and operation method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278797A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Nec Corp Open detection circuit, open detection method and semiconductor integrated circuit
JP4725159B2 (en) * 2005-03-30 2011-07-13 日本電気株式会社 Open detection circuit, open detection method, and semiconductor integrated circuit
JP2012122748A (en) * 2010-12-06 2012-06-28 Nec Corp Information processing device and operation method thereof

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