JPH0389670A - 走査回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、複数の回路素子に順次に電圧を供給するた
めの走査回路装置に関し、更に詳細には、−次元イメー
ジセンサに好適な走査回路装置に関する。

［従来の技術と発明が解決しようとする課題］イメージ
センサは、光情報を電気信号に交換するための複数の光
電変換素子と、複数の光電変換素子を電気的に走査して
電気信号を選択的に得るためのアナログスイッチとを有
している。アナログスイッチは、例えば、特開昭６３−
２３７７号公報に開示されているように電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）から成り、複数の光電変換素子の近傍
に配置されている。

ところで、集積回路＃１戚のイメージセンサにおいては
、１つの光電変換素子即ち１つの画素の幅（例えば１２
５ミクロンメートル）に収まるように１つの電界効果ト
ランジスタが配置されなければならない。しかし、この
ように極めて狭い幅に収まるように電界効果トランジス
タを形成することは容易でないａｔた、電界効果トラン
ジスタのドレインとソースとゲートのための３つの配線
導体層を基板上の予め決められた幅の中に設ける時には
、３つの配線導体層の幅が必然的に狭くなり、イメージ
センサの製造の歩留りが低くなった。

従って、本発明の目的は、トランジスタよりも電極の数
が少ないダイオードを使用した走査回路装置を提供する
ことにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明は、実施例を示す図面
の符号を参照して説明すると、のこぎり波を供給するた
めの電圧源１と、第１の電極と第２の電極とをそれぞれ
有する複数個のダイオードＤａ１〜Ｄａ３が直列に＃続
された回路であり、その一端か前記電圧源ｌに接続され
、且つそれぞれのダイオードＤａ１〜Ｄａ３の順方向電
流が前記のこぎり波に基づいて流れるような方向性をそ
れぞれのダイオードＤａ１〜Ｄａ３が有し、且つそれぞ
れのダイオードＤａ１〜Ｄａ３の前記第１の電極が前記
電圧源１の側に配置されている第１の直列回路と、それ
ぞれがコンデンサ又はコンデンサとして機能するダイオ
ード０１〜Ｃ３又はＤＣ１〜Ｄｃ３と第１の抵抗Ｒａ１
〜Ｒａ３とを直列に接続した回路から成り、それぞれの
ダイオードＤａ１〜Ｄａ３の前記第２の電極と前記電圧
源１の他端との間にそれぞれ接続されている複数の第２
の直列回路と、それぞれのダイオードＤａ１〜Ｄａ３の
前記第２の電極と前記電圧源１の他端との間にそれぞれ
接続された複数の第２の抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂ３と、それぞ
れの第１の抵抗Ｒａ１〜Ｒａ３に実質的に並列にそれぞ
れ接続されている複数の走査される回路素子Ｓ１〜ｓ３
とから戊る走査回路装置に係わるものである。

［作　用］ 上記本発明におけるダイオードＤａ１〜Ｄａ３は走査さ
れる回路素子８１〜Ｓ３を順次駆動するためのスイッチ
として鋤き、のこぎり波電圧即ち傾斜電圧によって順次
に導通する。この結果、第１の抵抗Ｒａｔ〜Ｒａ３の両
端にも順次に電圧が得られ、この電圧が走査される回路
素子８１〜ｓ３に印加される。この回路はトランジスタ
を含まないので、容易に製造することができる。

［実施例］ 次に、第１図〜第５図を参照して本発明の実施例の一次
元イメージセンサを説明する。

第１図に示されている一次元イメージセンナは、のこぎ
り波を発生する電圧源１と、３つの画素即ちビットに対
応した３つの単位回Ｆ＃ＩＫ１　、Ｋ２、Ｋ３と、負荷
回路Ｒ［と、結合コンデンサＣと、出力端子２とを有す
る。この−次元イメージセンサは３つよりも多い数の画
素を検出することができるよう、に構成されている。し
かし、この−次元イメージセンサの全部の構成を図面に
示すことは困難であるので、その一部のみが第１図に示
されている。

互いに同一の３つの単位回路に１　、Ｋ２　、Ｋ３は、
ダイオードＤａ１、Ｄａ２、Ｄａ３と、コンデンサＣ１
、Ｃ２、Ｃ３と、第１の抵抗Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３と
、第２の抵抗Ｒｂｌ、Ｒｂ２、Ｒｂ３と、光電変換素子
Ｓ１、第２、第３と、ブロッキングダイオードＤｂ１、
Ｄｂ２、Ｄｂ３とから成るアノード（第１のｔ極〉とカ
ソード（第２の電極）とを有する３つのダイオードＤａ
１．　Ｄａ２、Ｄａ３が互いに直列に接続された回路（
第１の直列回路）の−ｆ４Ａ（左＠）は電圧源１の一端
に接続されている。ダイオードＤａ？、Ｄａ２、Ｄａ３
は電圧源１の電圧によって順方向にバイアスされる方向
性を有している。即ち、ダイオードＤａ１〜Ｄａ３のア
ノード（第１の電極）が電圧源１の側に配置されている
。なお、電圧源１の上聞の端子がマイナスの時には、ダ
イオードＤａ１〜Ｄａ３のカソードが電圧源１の側に配
置される。

ダイオードＤａｌ、Ｄａ２、Ｄａ３のカソード（第２の
電ｆｉ）と電圧源１の他端（グランド）との間にはコン
デンサ０１〜Ｃ３と第１の抵抗Ｒａｌ〜Ｒａ３とを直列
にそれぞれ接続した回路（第２の直列回路）がそれぞれ
接続されている。

各単位回路に１、Ｒ２、Ｒ３におけるコンデンサ０１〜
Ｃ３と第１の抵抗Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３との相互接続
点Ｐ１　、Ｒ２、Ｒ３に光電変換素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３
のカソードがそれぞれ接続されている。

光電変換素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のアノードは光電変換索
子Ｓ１〜Ｓ３の相互干渉を防ぐためのブロッキングダイ
オードＤｂ１〜Ｄｂ３と共通の負荷抵抗ＲＬとを介して
電圧源１の他端（グランド）に接続されている。従って
、各光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３は各部１の抵抗Ｒａｌ〜Ｒ
ａ３に実質的に並列接続されている。光電変換素子Ｓ１
、Ｓ２、Ｓ３はホトダイオードから戒り、電圧源１の電
圧で逆バイアスされるように接続されている。従って、
光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に流れる電流は極めて小さい。

第１図のイメージセンサの各部の詳細は次の通りである
。

電圧源１はのこぎり波を発生する回路から成り、第２図
に示すのこぎり波即ち掃引信号を周期的に発生する。第
２図ののこぎり波の最大振幅値は第１図の全部のダイオ
ードＤａ１〜Ｄａ３をオン状態にすることができる値に
設定されている。また、傾斜電圧の傾きは、各単位回路
に１〜に３の動作が重複しないゆるい傾きに決定されて
いる。

光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３、ダイオードＤａ１〜Ｄａ３、
ブロッキングダイオードＤｂｌ〜Ｄｂ３は、それぞれｐ
ｉｎ接合ダイオードであって、水素化アモルファスシリ
コン半導体層と、この半導体層の下関に設けられた一方
の電極層と、半導体層の上側に設けられた他方の電極層
とから成り、共通の絶縁基板（図示せず）上に設けられ
ている。

光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３は逆バイアスされているので、
第３図に示すキャパシタンスＣＳと光強度に比例するＴ
４流源Ｉｓとの並列回路で等傷内に示される。なお、光
電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の等価キャパシタンスＣｓに流れ
る電流の値は極めて小さい。

ダイオードＤａ１〜Ｄａ３、Ｄｂ１〜Ｄｂ３がオン状態
になった時の両端電圧即ち順方向電圧ＶｆはほぼＩＶで
ある。第１の抵抗Ｒａ１〜Ｒａ３はそれぞれ３にΩであ
り、第２の抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂ３はそれぞれ１０にΩであ
り、これ等はＴ　ｉ　０２　、Ｔ　ａ　　Ｓ　ｉ　Ｏ２
又はＮｉＣｒ等の物質で形成されている。また、コンデ
ンサＣＯ〜Ｃ３の容量は１００ｐＦである。

［動　作１ 今、電圧源１の電圧をＶｄ、ダイオード、Ｄａ１〜Ｄａ
３のカソードの電位をｖ１〜■３、コンデンサ０１〜Ｃ
３の両端電圧をＶｃ１〜ＶＣ３，９１〜９３点の電位即
ち第１の抵抗Ｒａ１〜Ｒａ３の両＠電圧をＶｐ１〜Ｖｐ
３とすれば、各部の状態が第４図に示すように変化する
。即ち、のこぎり波電圧Ｖｄの増大で初段のダイオード
Ｄａｌがオンになると、そのカソード電位がｖｌで示す
ように変化する。また、コンデンサＣ１の充電電流はダ
イオードＤａ１のカソード電位Ｖ１が低い期間には非直
線的に流れるので、第１の抵抗Ｒａ１の電圧Ｖｐｌはカ
ソード電位ｖ１の増大に追従して増大する。しかし、コ
ンデンサＣ１の電圧ｖＣ１がカソード電位■１と比例し
同じ速度で増大するようになると、第１の抵抗Ｒａ１の
電圧Ｖｐ１が飽和状態になる。即ち、コンデンサＣ１が
一定電流で充電されるようになると、抵抗Ｒａｌの電圧
Ｖｐ１が一定になる。

次に、単位回路に１のコンデンサＣ１と抵抗Ｒａ１との
直列回路を例にしてコンデンサＣ１の電圧Ｖｃｌと抵抗
Ｒａ１の電圧ＶＲＩとの変化を詳しく説明する。のこぎ
り波電圧Ｖｄのランプ（傾斜）係数をａ、抵抗Ｒｂｌの
両端電圧をＶ１＝ａｔ、コンデンサＣ１及び抵抗Ｒａ１
の値を０１、Ｒ１、時間をｔとすれば、Ｖｃｌ、ＶＲｌ
を次式で示すことができる。

ＶＣ１＝ａｔ−ａＣＩ　Ｒ１（１−ｅ−ｔ／Ｃ１Ｒｌ）
ＶＲ１＝ａＣＩ　Ｒ１（１−ｅ　　”Ｃ１Ｒｌ）Ｖｃｌ
とＶＲｌとは、ａ　ｔ−ＶＣ１＝ＶＲ１＜１７）関係に
あるので、まずＶｃｌの変化について説明すると、初め
はＣ１に電荷がたまっておらず、且つ電圧■１もＯ［Ｖ
ｌであるので、Ｖｃｌ、ＶｒｌはＯ［Ｖｌ”Ｉ：”ある
、■１が直線的に上昇していくと、Ｃ１とＲａ１の回路
に電流が流れ始める。この電流により、Ｒａ１には電圧
降下ＶＲ１が生じる。Ｃ１には電荷Ｑ１がたまり始め、
Ｖｃｌが生じる。ＶＲＩとＶｃｌは次第に大きくなって
いく。

しかし、ｖｌの上昇開始直後は、Ｖｌの絶対値が小さい
ので、電流が非常に小さく、Ｃ１には極めてゆっくりと
電荷Ｑ１がたまっていく、シたがってＶｃｌは、Ｖｌの
上昇速度よりも非常に遅い速度で一ヒ弄するので、Ｖｃ
ｌはほぼ零とみなせる値であり、はぼＶＲ１＝Ｖ１であ
って、ＶＲｌは、入力電圧Ｖ１と同程度の速度で上昇す
る。

時間の経過とともに、Ｖｌが上昇し、電流も増大してい
く、同時に０１には電荷Ｑ１が蓄えられていく、電流が
増大するので、電荷Ｑ１の増加する速度も大きくなって
いく、つまり、Ｖｃｌは指数関数的に増大する。

Ｖｃｌが増大すると、Ｒａ１にかかる電圧Ｖｒ１は、Ｖ
ｒ１＝ｖ１トハ言えなくなり、正確ニハ、ＶＲ１＝Ｖ１
−Ｖｃｌである。ＶＲｌとＶｃｌは時間とともに上昇す
る。ＶｃｌはＶｌの上昇とともにいつまでも上昇するが
、ＶＲＩは一定値以上にはならずに飽和する。

そのとき電流も一定値となり、Ｃ１には、電荷Ｑ１が一
定速度でたまり、Ｖｃｌは一定速度で上昇する。この上
昇速度が入力電圧ｖ１の上昇速度と等しくなる。

初段のダイオードＤａ１のカソード電位が第２段目のダ
イオードＤａ２をオンにするレベルに達成すると、第２
段目の単位回路に２において前段と同一の動作が繰返さ
れる。

点Ｐ１〜Ｐ３の電位Ｖｐ１〜Ｖｐ３が第４図（Ａ）に示
すように順次に変化すると、各点Ｐ１〜Ｐ３とグランド
との間に負荷抵抗Ｒ［を介して接続された光電変換素子
Ｓ１〜Ｓ３が順次に駆動される。

即ち、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３が電気的に走査される。

第１図の回路において光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３は一次元
的に配置されている。この光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３で光
情報を読み取る時には、まず、ダイオードＤａ１〜Ｄａ
３の全部をオン状態にすることができ、かつＰ１〜Ｐ３
の全部の電位を飽和させることができる電圧を電圧源１
から発生させる。

なお、ダイオードＤａ１〜Ｄａ３の全部をオン状態にし
、かつ点Ｐ１〜Ｐ３の全部の電位を飽和状態にするため
の電圧は、第２図に示すのこぎり波で与えることができ
る。即ち、のこぎり波の最大値及びこの近傍の電圧値は
、ダイオードＤａ１〜Ｄａ３の全部をオンにし、かつ点
Ｐ１〜Ｐ３の全部の電位を飽和させることができる。

ダイオードＤａ１〜Ｄａ３の全部がオン状態で、かつ点
Ｐ１〜Ｐ３の全部の電位が飽和している期間には、点Ｐ
１〜Ｐ３の電位Ｖｐ１〜Ｖｐ３によって各光電変換素子
Ｓ１〜Ｓ３が逆バイアスされ、第３図に等傷内に示すキ
ャパシタンスＣＳが充電される。なお、等価キャパシタ
ンスＣＳは極めて小さいので、ブロッキングダイオード
Ｄｂ１〜Ｄｂ３の順方向電流が急峻に立上る点よりも前
の領域の電流によってこの等価キャパシタンスＣ５の充
電を達成することができる。

第１図のイメージセンサに対向配置されている例えばフ
ァクシミリの原稿のような被写体（図示せず）から得ら
れる光信号が光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に入力されると、
光信号の有無及び大小に対応して光電変換素子Ｓ１〜Ｓ
３の等価キャパシタンスＣｓの充電電荷量が変化する。

即ち、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の内で光信号が入力した
ものにおいて等価キャパシタンスＣＳの放電が生じ、光
信号が入力しなかったものでは等価キャパシタンスＣＳ
の放電が生じない６等価キャパシタンスＣ３の放電の量
は光量によって変化する。光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に対
して光信号を与える方法は２つある。その１つは光電変
換素子Ｓ１〜Ｓ３に常に光信号を与える方法であり、も
う１つは予め決められた期間（例えば電圧源１の電圧Ｖ
ｄが零ボルトの期間）にのみ光入力を与える方法である
電圧源１の電圧Ｖｄが第４図（Ａ）に示すように時間と
共に直線的に増大すると、点ＰＯ〜Ｐ３に第４図（Ａ）
に示すよう６４位Ｖｐｌ、ＶＯ２、ＶＯ２が得られ、こ
れによって光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３が順次に逆バイアス
される。換言すれば、第３図に示す等価キャパシタンス
Ｃｓを充電するための電圧が光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に
印加される。

この時、光電変換索子Ｓ１〜Ｓ３の等価キャパシタンス
ＣＳの内で光入力で放電したものに対しては充電電流が
流れるが、光入力がなくて放電しなかったものに対して
は充″ｒｊｈ電流が流れない、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３
の等価キャパシタンスＣＳの充電電流はブロッキングダ
イオードＤｂ１〜Ｄｂ３と負荷抵抗Ｒ１とを通って流れ
るので、負荷抵抗Ｒ［の電圧は充１１流の有無によって
変化し、同時に出力端子２の電圧Ｖｏｕｔも変化する。

又、走査開始時とそれ以降とではレベルが異なる。この
ため、負荷抵抗Ｒ［の電圧も傾斜電圧の増大につれて増
大する。しかし、結合コンデンサＣで負荷抵抗Ｒ１の電
圧の交流成分を抽出すれば、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の
光入力に対応した出力電圧ＶＯＵｔを得ることができる
。第４図（Ｂ）には２つの光電変換素子Ｓ１．３２に光
入力を与え、１つの光電変換素子Ｓ３に光入力を与えな
かった場合の出力を示す、この場合は、光電変換素子Ｓ
１、Ｓ２、Ｓ３が順次に走査されると、Ｓｌ、Ｓ２の走
査時には充電電流が流れるが、Ｓ３の走査時には充電電
流が流れない、これにより、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に
おける空間的な光情報が時間軸上の電圧変化に変換され
る。

以上のように本実施例では光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の順
次駆動（走査〉をトランジスタを使用せずにダイオード
で行うことができる。ダイオードは電界効果トランジス
タに比べてゲート電極が不要な分だけ作製が容易である
０例えばビット間隔１２５μｍの場合において配線導体
の幅を２０μｍ以上にすることが可能になり、製造歩留
りが大幅に向上する。なお、スイッチ素子を電界効果ト
ランジスタで構成する場合には、配線導体の幅を約１０
μｍにすることが必要であった。

［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。

（１）　第１図に示したブロッキングダイオードＤｂｌ
〜Ｄｂ３を省くことができる。この場合は、光電変換素
子Ｓ１〜Ｓ３を光導電素子にする。

（２）　光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の充電電流の読み取り
は、第５図の回路でも行うことができる。

第５図の回路では、第１図の負荷抵抗Ｒ１の位置にコン
デンサＣ［が接続されている。従って、第１図の光電変
換素子Ｓ１〜Ｓ３の充電電流は、このコンデンサＣ［を
通って流れる。この結果、コンデンサＣ１は光電変換素
子Ｓ１〜Ｓ３の充電電流に対応した充電状態になる。コ
ンデンサＣ１に並列に接続されたスイッチ３は光電変換
素子Ｓ１〜Ｓ３の走査に同期して周期的にオン状態にな
る。

これによって、コンデンサＣｔが周期的に放電状態とな
り、複数の光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の充電電流に対応し
た電圧がコンデンサＣ１から順次に得られる。コンデン
サＣ１の電圧は演算増幅器４を介して出力端子２に送ら
れる。

（３）　第１図及び第５図の出力端子２にサンプルホー
ルド回路又はピークホールド回路を接続することができ
る。

（４）　第５図のスイッチ３及び／又は出力端子２に接
続されるサンプルホールド回路又はピークホールド回路
を周期的に制御するための信号をクロックに基づいて作
ることができる。また、この周期的制御信号を電圧源１
の電流変化時点に基づいて作ること、又は第１の抵抗Ｒ
ａ１〜Ｒａ３の下端を共通に接続し、この共通接続点と
電圧源１の下端（グランド）との間に接続した電流検出
器の出力電流の変化時点に基づいて作ること、又は第２
の抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂ３の下端を共通に接続し、この共通
接続点とグランドとの間に接続した電流検出器の出力電
流の変化時点に基づいて作ることができる。

（５）　を圧源１から発生するのこぎり波は第６図に示
すように時間と共に２次曲線的に変化するものであって
もよい。

（６）　実施例に従うイメージセンサの読取り画素を多
くすると、その分だけ駆動電圧Ｖｄを高くしなければな
らない、従って、読取り画素数の最大を数十個程度にす
ることが望ましい、これよりも画素数を多くする場合に
はイメージセンサを複数個のブロックに別けて駆動すれ
ばよい。

第７図では第１図の単位回路に１〜に３に相当するｎ個
の単位回路がｍ個の回路ブロック８１〜Ｂ２・・・・・
・Ｂｌに分割されている。各回路ブロック８１〜Ｂｎに
は、第１図の単位回路に１〜に３に相当するものを数個
へ一数十個含み、第１図のイメージセンサ回路から電圧
源１を省いた回路に相当するものである。各回路ブロッ
ク８１〜Ｂｌは電圧源１ａにマルチプレクサ１０を介し
て接続されている。各回路ブロックＢ１〜Ｂｎの出力端
子は増幅器Ａ１〜Ａｌｌを介して共通に接続されている
。

電圧源１ａは第８図（Ａ）に示すのこぎり波（三角波）
を繰返して発生する。マルチプレクサ１０は第８図（Ｂ
）（Ｃ）に示すように、第８図（Ａ）ののこぎり波を回
路ブロック８１〜ＢＩＮに分配する。各回路ブロックＢ
１〜Ｂｎの各光電変換素子に対する光入力は第８図（Ｄ
＞に示すように常に与える。

第９図及び第１０図はイメージセンサの別の駆動方法を
示す、第９図においても、第７図と全く同様に、第１図
の単位回路に１〜に３に相当するｎ個の単位回路がｍ個
の回路ブロック８１〜Ｂ１１に分けられている。各回路
ブロック８１〜ＢＩＮは電圧源１にそれぞれ接続されて
いる。第９図の電圧源１は第１図のそれと同様に第１０
図（Ａ）に示すのこぎり波を発生する。のこぎり波は第
１０図（Ｂ）（Ｃ）に示すように回路ブロック８１〜Ｂ
ｎに同時に供給される。この結果、各回路ブロック８１
〜Ｂ１１で走査が同時に開始し、同時に出力が発生する
。各回路ブロック８１〜ＢＩＮの出力はメモリを含む信
号処理回路１１に送られる。信号処理回路１１は回路ブ
ロック８１〜Ｂ１１の出力を回路ブロック８１〜Ｂｎの
配列順番に対応するように共通の時間軸上に配置する。

なお、第９図のイメージセンサでは、第１０図（Ｄ）に
示すように光電変換素子に対する光入力が駆動電圧Ｖｄ
が零の期間に与えられている。

（７）　ダイオードＤｂ１〜Ｄｂ３のカソード端子に電
圧を印加してよい、即ちグランドを零ボルトとせずに、
任意の電圧にすることができる。

〈８）　第１１図に示すように、第１図のコンデンサ０
１〜Ｃ３の代りに、等価容量として機能するダイオード
Ｄｃ１〜Ｄｃ３を逆方向接続してもよい、このダイオー
ドＤｃ１〜Ｄｃ３の静電容量は光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３
の静電容量よりも大きくする。

［発明の効果］ 上述のように本発明によれば、ダイオードを使用した単
純な構成の走査装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わるイメージセンサを示す
回路図、 第２図は第１図の電圧源から供給する電圧の波形図、 第３図は光電変換素子の等価回路図、 第４図は第１図の各部の電圧を示す波形図、第５図は光
電変換素子の出力回路の変形例を示す回路図、 第６図はのこぎり波の変形例を示す波形図、第７図は単
位回路の数が多い時の光電変換素子の駆動方式を原理的
に示すブロック図、第８図は第７図の各部の状態を示す
図、第９図は第７図と同様に単位回路の数が多い時の光
電変換素子の駆動方式を原理的に示すブロック図、 第１０図は第９図の各部の状態を示す図、第１１図は変
形例のイメージセンサを示す回路図である。 １・・・電圧源、２・・・出力端子、Ｄａ１〜Ｄａ３・
・・ダイオード、０１〜Ｃ３・・・コンデンサ、Ｒａ１
〜Ｒａ３・・・第１の抵抗、Ｒｂ１〜Ｒｂ３・・・第２
の抵抗、ｓ１〜Ｓ３・・・光電変換素子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 のこぎり波を供給するための電圧源（１）と、第１の電
   極と第２の電極とをそれぞれ有する複数個のダイオード
   （Ｄａ１〜Ｄａ３）が直列に接続された回路であり、そ
   の一端が前記電圧源（１）に接続され、且つそれぞれの
   ダイオード（Ｄａ１〜Ｄａ３）の順方向電流が前記のこ
   ぎり波に基づいて流れるような方向性をそれぞれのダイ
   オード（Ｄａ１〜Ｄａ３）が有し、且つそれぞれのダイ
   オード（Ｄａ１〜Ｄａ３）の前記第１の電極が前記電圧
   源（１）の側に配置されている第１の直列回路と、 それぞれがコンデンサ又はコンデンサとして機能するダ
   イオード（Ｃ１〜Ｃ３又はＤｃ１〜Ｄｃ３）と第１の抵
   抗（Ｒａ１〜Ｒａ３）とを直列に接続した回路から成り
   、それぞれのダイオード（Ｄａ１〜Ｄａ３）の前記第２
   の電極と前記電圧源（１）の他端との間にそれぞれ接続
   されている複数の第２の直列回路と、 それぞれのダイオード（Ｄａ１〜Ｄａ３）の前記第２の
   電極と前記電圧源（１）の他端との間にそれぞれ接続さ
   れた複数の第２の抵抗（Ｒｂ１〜Ｒｂ３）と、 それぞれの第１の抵抗（Ｒａ１〜Ｒａ３）に実質的に並
   列にそれぞれ接続されている複数の走査される回路素子
   （Ｓ１〜Ｓ３）と から成る走査回路装置。