JPH0377506B2 - - Google Patents

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JPH0377506B2
JPH0377506B2 JP55017399A JP1739980A JPH0377506B2 JP H0377506 B2 JPH0377506 B2 JP H0377506B2 JP 55017399 A JP55017399 A JP 55017399A JP 1739980 A JP1739980 A JP 1739980A JP H0377506 B2 JPH0377506 B2 JP H0377506B2
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JP
Japan
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light
light beam
laser
photoreceptor
image
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Kozo Arao
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Canon Inc
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Publication of JPS56114962A publication Critical patent/JPS56114962A/en
Publication of JPH0377506B2 publication Critical patent/JPH0377506B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/22Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
    • G03G15/32Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head
    • G03G15/326Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by application of light, e.g. using a LED array
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G15/04Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • G03G15/04036Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
    • G03G15/04045Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
    • G03G15/04072Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光ビーム露光装置に関し、詳しくは感
光体上に光ビームを走査して画像を形成する光ビ
ーム露光装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a light beam exposure apparatus, and more particularly to a light beam exposure apparatus that scans a light beam on a photoreceptor to form an image.

光ビーム走査型のプリント装置は、光ビーム走
査装置、光ビーム変調装置、光ビームによつて電
気的・磁気的その他の潜像を形成する感光体、及
びそれらを実現する為の個々の諸装置から成つて
おり、コンピユータの出力端末・フアクシミリ・
複写機等に応用されている。
A light beam scanning type printing device includes a light beam scanning device, a light beam modulation device, a photoreceptor that forms an electrical, magnetic, or other latent image using a light beam, and various devices for realizing these. It consists of a computer output terminal, facsimile,
Applied to copying machines, etc.

一例を第1図に示す。 An example is shown in FIG.

ユニツトAは光ビーム走査装置であり、回転多
面鏡2,f・θレンズ3から成つており、レーザ
ーからの光ビームを後述の感光ドラム4上長手方
向に等速で走査する。ユニツトBは、レーザー及
びレーザーの変調装置であり、コンピユータより
の情報出力・フアクシミリ回線よりの画像信号・
CCD等光電変換素子よりの出力などを所定の変
調信号に変換して、該変調信号でレーザー出力を
変調し、光ビームの強弱を発生せしむるものであ
る。ユニツトCは静電潜像を感光体ドラム4上に
形成する為の装置であつて、本例では感光体に透
明絶縁層つきのCdS/バインダーを用いて所謂
NP法で静電像を得る。すなわち5は感光体表面
電位を平準化するための前除電器、6は一次帯電
器、7は二次除電器であり同時にレーザービーム
露光に行う為のスリツトを有し、8は前面露光ラ
ンプである。以上述べた装置によつて感光ドラム
4上には、レーザービームの照射された部分がさ
れない部分よりも低電位で潜像形成されるから、
負極性のトナーを用いれば、現像器9によつて、
ビームの照射されない部分を黒く可視化できる。
Unit A is a light beam scanning device, which is composed of a rotating polygon mirror 2 and an f.theta. lens 3, and scans a light beam from a laser at a constant speed in the longitudinal direction of a photosensitive drum 4, which will be described later. Unit B is a laser and laser modulation device that outputs information from a computer, image signals from a facsimile line,
It converts the output from a photoelectric conversion element such as a CCD into a predetermined modulation signal, modulates the laser output with the modulation signal, and generates the intensity of the light beam. Unit C is a device for forming an electrostatic latent image on the photoreceptor drum 4, and in this example, a so-called CdS/binder with a transparent insulating layer is used for the photoreceptor.
Obtain an electrostatic image using the NP method. That is, 5 is a pre-static eliminator for leveling the surface potential of the photoreceptor, 6 is a primary charger, 7 is a secondary static eliminator which also has a slit for laser beam exposure, and 8 is a front exposure lamp. be. With the above-described device, a latent image is formed on the photosensitive drum 4 at a lower potential in the area irradiated with the laser beam than in the area not irradiated with the laser beam.
If negative polarity toner is used, the developing device 9 will
The areas not irradiated by the beam can be visualized in black.

このようにして得られた画像は、転写帯電器1
1によつて紙に転写された後、定着器12で定着
され、排紙スタツカー14に永久画像として排出
される。転写されないでドラム上に残つたトナー
は次のプロセスのため、クリーナー10でクリー
ニングされる。
The image obtained in this way is transferred to the transfer charger 1
1, the image is transferred to paper, fixed by a fixing device 12, and discharged to a paper discharge stacker 14 as a permanent image. Toner remaining on the drum without being transferred is cleaned by a cleaner 10 for the next process.

斯る装置は、非常に良好な画像が高速度で、し
かも普通紙上に得られるという長所を有してい
る。更にノン・インパクト型なので騒音の減少に
役立つものである。
Such a device has the advantage that very good images can be obtained at high speed and on plain paper. Furthermore, since it is a non-impact type, it is useful for reducing noise.

しかしながらレーザーは一般に形状が大きく、
装置に組み込むと装置本体の大型化が避けられな
い。半導体レーザーを用いれば装置を大幅に小型
化できるが、半導体レーザーの発振波長は主に赤
外であり、感光ドラムの感度が極めて低いところ
で使わざるを得ない。半導体レーザーのジヤンク
シヨン温度は半導体レーザー・ドライブ電流によ
り変化し、これが出力変動となつて現われるし、
半導体レーザーにある程度ドライブ電流を流して
いないと、純枠なシングルモード発振にはならな
いため、感光ドラム面でのビームのスポツト径が
広がり画室の悪化をもたらす。このように半導体
レーザーを使用した場合、潜像の形成が不安定に
なつてしまう。
However, lasers are generally large in shape;
When incorporated into a device, the device itself inevitably becomes larger. Using semiconductor lasers can significantly downsize the device, but the oscillation wavelength of semiconductor lasers is mainly infrared, so they must be used where the sensitivity of the photosensitive drum is extremely low. The junction temperature of a semiconductor laser changes depending on the semiconductor laser drive current, and this appears as output fluctuation.
Unless a certain amount of drive current is applied to the semiconductor laser, pure frame single-mode oscillation will not occur, and the spot diameter of the beam on the photosensitive drum surface will widen, resulting in deterioration of the picture area. When a semiconductor laser is used in this way, the formation of a latent image becomes unstable.

ところで、半導体レーザーからのレーザービー
ムを走査して記録を行う装置においては、走査手
段で偏向された後の光ビームをフオトセンサー等
の検出器で受光して光ビーム変調の同期信号を検
出しています。このような同期信号の検出を良好
に行うためには検出器に入射する光量を多くする
ことが望まれ、そのためには光源である半導体レ
ーザーのパワーを上げる必要があります。しか
し、光源である半導体レーザーのパワーを必要以
上に上げた場合には、感光体上に必要以上の光量
が到達し、感光体上に安定な画像の形成を行うこ
とができない。本願発明は斯かる事情に鑑みなさ
れたものであつて、感光体に悪影響を与えること
なく安定した画像を出力できると共に、同期信号
の検出精度が高まり信頼性が高い装置を提供する
ことを目的とする。
By the way, in a device that performs recording by scanning a laser beam from a semiconductor laser, a detector such as a photo sensor receives the light beam after being deflected by a scanning means to detect a synchronization signal for light beam modulation. Masu. In order to detect such synchronization signals well, it is desirable to increase the amount of light that enters the detector, and to do so, it is necessary to increase the power of the semiconductor laser that is the light source. However, if the power of the semiconductor laser serving as the light source is increased more than necessary, an excessive amount of light reaches the photoreceptor, making it impossible to form a stable image on the photoreceptor. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a device that can output a stable image without adversely affecting the photoreceptor, and has high detection precision of a synchronization signal and is highly reliable. do.

第2図aに本発明による構成例を示す。15は
2次帯電器4の露光スリツト背面に設けたハーフ
ミラーである。このハーフミラーによつてビーム
強度は数分の一に減衰する。ハーフミラーの透過
率はレーザー波長に対する感光ドラムの感度と、
レーザーの最も安定した出力値によつて決定され
る。
FIG. 2a shows an example of a configuration according to the present invention. 15 is a half mirror provided on the back side of the exposure slit of the secondary charger 4. The beam intensity is attenuated to a fraction by this half mirror. The transmittance of the half mirror depends on the sensitivity of the photosensitive drum to the laser wavelength,
Determined by the most stable output value of the laser.

第2図bにはハーフミラー部分の拡大図を示
す。ハーフミラーはガラス上に銀を蒸着したもの
であつて耐久性を得るためガラスでサンドイツチ
されている。またビームに対して傾きが設けられ
ており、感光ドラムで反射された2次ビームを更
に感光体上に反射することのないようになつてい
る。この傾きによつて透過率を変化できる。製造
時に調整することも可能である。また図示されな
いサーボモータ等で傾きを変化させ、光量可変と
することも可能である。
FIG. 2b shows an enlarged view of the half mirror portion. Half mirrors are made by depositing silver on glass, and are sand-chilled with glass to ensure durability. Further, the beam is tilted to prevent the secondary beam reflected by the photosensitive drum from being further reflected onto the photosensitive member. The transmittance can be changed depending on this slope. It is also possible to adjust at the time of manufacture. It is also possible to vary the amount of light by changing the inclination using a servo motor or the like (not shown).

光強度減衰手段としては他にNDフイルタを用
いることができる。この場合くさび状のNDフイ
ルタを用いて光量変化を得ることは容易である。
An ND filter can also be used as the light intensity attenuation means. In this case, it is easy to obtain changes in light intensity using a wedge-shaped ND filter.

これらの場合、ガラスや蒸着層やNDフイルタ
を通つたことにより光路長の変化は、fθレンズ等
集光系の焦点深度がmmのオーダで存在するから問
題はない。もし極めて短焦点集光系が必要な場合
や特に機械精度を補正する必要がある時は、予め
光路長変化用のガラス板その他を用いて設計して
おき、光減衰手段と相補的に変化させて補償すれ
ばよい。
In these cases, there is no problem with changes in the optical path length due to passing through the glass, vapor deposited layer, or ND filter because the depth of focus of the focusing system such as the fθ lens exists on the order of mm. If an extremely short focal length focusing system is required, or if mechanical precision needs to be corrected, a glass plate or other device for changing the optical path length should be designed in advance to complement the optical attenuation means. You can compensate for it.

以下本発明の作用効果・利点について実施例を
参照して詳しく説明する。
The effects and advantages of the present invention will be explained in detail below with reference to Examples.

第3図に代表的感光体の対波長感度で横軸が波
長、縦軸は波長800nmの時の感光体の感度を
1とした相対感度を示す。はTeで増感された
Se、はInで増感されたOdS/樹脂バインダー系
の、感度カーブである。いずれの感光体も800n
mから900nmへかけて感度が急峻に減少してい
る。紙送りのプロセススピード100mm/secで測定
したところ必要なレーザー出力は、波長800nm
では、で1.05mW、で0.35mWであつた。
FIG. 3 shows the sensitivity versus wavelength of a typical photoreceptor, where the horizontal axis is the wavelength and the vertical axis is the relative sensitivity, where the sensitivity of the photoreceptor at a wavelength of 800 nm is set to 1. was sensitized with Te
Se is the sensitivity curve of the OdS/resin binder system sensitized with In. Both photoconductors are 800n
The sensitivity decreases sharply from m to 900 nm. When measured at a paper feeding process speed of 100 mm/sec, the required laser output is 800 nm in wavelength.
So, it was 1.05mW at , and 0.35mW at .

一方、半導体レーザーは一般に赤外波長で発振
し、第4図で示されるような特性をしている。
On the other hand, semiconductor lasers generally oscillate at infrared wavelengths and have characteristics as shown in FIG.

レーザーに流す電流が少ない間はLEDモード
で発光しているが、ある閾値を越えるとレーザー
発振を行うようになる。レーザー発振を始める閾
値付近の電流に対しては、LEDモードとレーザ
ーモードが入り混つており発振波形は単一ではな
い。云い換えればレーザービームが必要以上に広
がつてしまうことになる。このことは感光体に形
成される潜像がボケてしまうことを意味し、細線
の表現性が著しく悪くなるから好ましくない。ま
た逆に過大電流を流すと、レーザーそのものが破
壊されるか、破壊されないにしても基準モード以
外の発振が奇生するようになつてやはりビームが
広がつてしまい好ましくない。第4図に半導体レ
ーザの駆動電流−ビーム出力強度特性図を示す。
第4図に例示したGaAlAsの半導体レーザーは約
800nmの波長のものであるが、5〜10数mWの
出力時にS/Nが最も良くなり、寿命が短かくな
ることもない。
While the current flowing through the laser is low, it emits light in LED mode, but when a certain threshold is exceeded, it begins to oscillate. For a current near the threshold that starts laser oscillation, the LED mode and laser mode are mixed, and the oscillation waveform is not single. In other words, the laser beam will be spread out more than necessary. This means that the latent image formed on the photoreceptor becomes blurred, which is undesirable because the expressibility of thin lines becomes extremely poor. On the other hand, if an excessive current is applied, the laser itself will be destroyed, or even if it is not destroyed, oscillations other than the reference mode will occur and the beam will spread, which is undesirable. FIG. 4 shows a drive current-beam output intensity characteristic diagram of the semiconductor laser.
The GaAlAs semiconductor laser shown in Figure 4 is approximately
Although it has a wavelength of 800 nm, the S/N is the best when the output is 5 to 10-odd mW, and the lifespan is not shortened.

既に述べた如く、感光体が必要とする光量は1
mW程度なので、本実施例を使用すれば、感光体
とレーザーの両者を最適条件で使えるため、細線
の表現性に優れた良好なる画像が得られる。
As already mentioned, the amount of light required by the photoreceptor is 1
Since it is approximately mW, if this embodiment is used, both the photoreceptor and the laser can be used under optimal conditions, and a good image with excellent fine line expressibility can be obtained.

また、もしレーザードライブ回路のドライブ電
流が変化した場合、レーザーのシングル・モード
性がすぐれビームが広がり、画質を悪化させるば
かりでなく、光量変化による明部・暗部の潜像電
位のずれが現れ、出力画像を不安定なものとして
しまうが、本実施例を使用すれば、前述の如くレ
ーザーの発振波形は殆んど変化することはないう
え、光量変化そのものがビーム光量減衰量に比例
して減少する為、出力画像は極めて安定化する。
In addition, if the drive current of the laser drive circuit changes, the single mode property of the laser is excellent and the beam spreads, which not only deteriorates the image quality but also causes a shift in the latent image potential between bright and dark areas due to changes in the amount of light. This will make the output image unstable, but if this embodiment is used, the laser oscillation waveform will hardly change as described above, and the change in light intensity itself will decrease in proportion to the amount of attenuation of the beam light intensity. Therefore, the output image becomes extremely stable.

更に、感光体や半導体レーザーは、製造時のば
らつきがかなり存在する。そのような場合でもビ
ーム光量減衰量を変化させることにより、帯電器
条件やレーザー・ドライブ電流を可変とせずとも
最適潜造を形成できるから、装置製造上の負担は
大幅に減少する。加えて電位センターを用いてビ
ーム光量減衰量にフイードバツクをかければ(ハ
ーフミラーをサーボモータ等で回転させる)、画
像安定性をなお一層高めることができる。
Furthermore, photoreceptors and semiconductor lasers are subject to considerable variation during manufacturing. Even in such a case, by changing the amount of attenuation of the beam light quantity, an optimal latent structure can be formed without changing the charger conditions or the laser drive current, so the burden on device manufacturing is greatly reduced. In addition, by applying feedback to the amount of attenuation of the beam light amount using the potential center (by rotating the half mirror with a servo motor or the like), image stability can be further improved.

また別に、画像の水平同期を良好に行うために
ビームデイテクターを用いることが一般に知られ
ている。ビームデイテクターにはフオトダイオー
ドやPiNダイオードが用いられるが、レーザービ
ームには広がりがある上、フオトセンサーに受光
面積があるため、デイテクシヨン信号が発生する
タイミングにずれが起こる。
Additionally, it is generally known to use a beam detector to achieve good horizontal synchronization of images. A photodiode or PiN diode is used for the beam detector, but since the laser beam has a spread and the photo sensor has a light-receiving area, there is a difference in the timing at which the detection signal is generated.

今、本構成の装置に於て容易に実現できる12画
素/mmの場合について考えてみる。この値は出力
画像上で4〜6本/mmのラインを分離できるから
かなり鮮鋭な画質を得るのに十分である。プロセ
ス・スピード100mm/secだと1秒間に1200本の走
査が必要となる。12面の回転多面体を用いれば所
要の回転数は6000rpmであつて実用可能な値であ
る。この条件に於てドラム上での走査ビームのス
ピードを測定したところ420m/secであつた。
又、12画素/mmを実現するためには、ビームスポ
ツトサイズ83μmが必要であり、これも実現可能
な値である。したがつて1画素に要する時間は
83μm÷420m/秒=0.2μsecとなる。もしデイテ
クターの受光幅が2mmであるとすると、理想的な
デイテクト信号は第5図の実線に示されるように
なる。しかしながら本発明者等が実験したところ
例えば第5図点線で表わされるような出力信号し
か得られなかつた。これはフオトセンサーがその
受光部分にわたつて感度が一様でないこと、光ビ
ームのエネルギーそのものも小さいことが原因で
ある。点線の如きデイテクト信号しか得られない
場合、回転多面鏡の各面の傾きは皆無というわけ
ではないから、各面によつて反射されたビームが
フオトセンサーの同一部分に照射されることはな
く、したがつて水平同期信号のタイミングがずれ
ることになる。本発明者等が得たデータでは画像
上で0.5mm程の水平同期ずれが存在した。これは
画像を甚だ悪くさせる。一般のフオトセンサーは
受光量をかせぐ為に集光レンズを用いたものもあ
るが、これでは受光面が広がつて更に悪い結果と
なる。かかる事態を防ぐ為に第2の実施例を第6
図に示す。
Let us now consider the case of 12 pixels/mm, which can be easily achieved with a device having this configuration. This value can separate 4 to 6 lines/mm on the output image, which is sufficient to obtain a fairly sharp image quality. At a process speed of 100 mm/sec, 1200 scans are required per second. If a 12-sided rotating polyhedron is used, the required rotation speed is 6000 rpm, which is a practical value. When the speed of the scanning beam on the drum was measured under these conditions, it was 420 m/sec.
Furthermore, in order to realize 12 pixels/mm, a beam spot size of 83 μm is required, which is also an achievable value. Therefore, the time required for one pixel is
83μm÷420m/sec = 0.2μsec. If the light receiving width of the detector is 2 mm, the ideal detect signal will be as shown by the solid line in FIG. However, when the inventors conducted experiments, only the output signal shown by the dotted line in FIG. 5, for example, could be obtained. This is because the sensitivity of the photo sensor is not uniform over its light-receiving area, and the energy of the light beam itself is small. If only the detect signal shown by the dotted line is obtained, the tilt of each surface of the rotating polygon mirror is not zero, so the beams reflected by each surface will not be irradiated on the same part of the photo sensor. Therefore, the timing of the horizontal synchronization signal will be shifted. According to the data obtained by the present inventors, there was a horizontal synchronization shift of about 0.5 mm on the image. This makes the image look very bad. Some general photo sensors use a condensing lens to increase the amount of light received, but this widens the light receiving surface and produces worse results. In order to prevent such a situation, the second embodiment is changed to the sixth embodiment.
As shown in the figure.

第6図において、第2図と同様の機能を有する
ものには同じ番号を付した。図において、21は
ビーム検出の為のフオトセンサで受光面の前にス
リツト20を設け照射ビーム幅を狭くしている。
In FIG. 6, parts having the same functions as those in FIG. 2 are given the same numbers. In the figure, 21 is a photo sensor for beam detection, and a slit 20 is provided in front of the light receiving surface to narrow the irradiation beam width.

22は遅延回路で半導体レーザ1の変調制御を
行う制御回路23に変調開始を指示する信号を送
る。
22 is a delay circuit which sends a signal instructing a control circuit 23 that controls modulation of the semiconductor laser 1 to start modulation.

図により明らかな様にフオトセンサにはビーム
光量が減衰されないで照射され、感光体4の潜像
形成部分にはハーフミラー15により減衰された
ビール光量が照射される。このように構成するこ
とによりビームデイテクト信号のS/Nが改善さ
れ良好な水平同期をかけることができると共に、
レーザー出力は変わらず、感光体4へ入射するビ
ームのみを減衰させているので、瞬間的に過大な
突入電流が流れることによつて半導体レーザーの
ジヤンクシヨン温度が変化しレーザー出力が変動
することもなく、感光体には最適な光量を与える
ことができる。
As is clear from the figure, the photo sensor is irradiated with the amount of beam light without being attenuated, and the portion of the photoreceptor 4 where the latent image is formed is irradiated with the amount of beer light attenuated by the half mirror 15. With this configuration, the S/N of the beam detect signal can be improved and good horizontal synchronization can be achieved.
Since the laser output does not change and only the beam incident on the photoreceptor 4 is attenuated, the laser output does not fluctuate due to changes in the junction temperature of the semiconductor laser due to momentary excessive inrush current. , it is possible to provide the photoreceptor with an optimal amount of light.

以上の如く、本発明によれば簡単な構成でレー
ザーを最も安定した状態で使用できるので、安定
した画像を得ることができると共に装置の信頼性
を高めることができる。更に光ビームを検出する
ビーム検出手段に照射される光ビームを少くとも
除くことにより、ビーム検出信号の精度が一層高
まり、水平同期がとれた画像を得ることができ
る。
As described above, according to the present invention, a laser can be used in the most stable state with a simple configuration, so that stable images can be obtained and the reliability of the apparatus can be improved. Furthermore, by removing at least the light beam that is irradiated to the beam detection means that detects the light beam, the precision of the beam detection signal is further increased, and an image with horizontal synchronization can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来の光ビームを用いたプリント装
置を示す略図、第2図aは本実施例の光ビームを
用いたプリント装置を示す略図、第2図bは、第
2図aのハーフミラー部分の拡大図、第3図は感
光体の対波長感度を示す特性図、第4図は半導体
レーザーの駆動電流−ビーム出力強度特性図、第
5図はフオトセンサの出力波形図、第6図は第2
の実施例の斜視図である。 図に於いて、1はレーザ及び変調器、2は回転
多面鏡、4は感光体、15はハーフミラー、20
はスリツト、21はフオトセンサを各々示す。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional printing device using a light beam, FIG. 2a is a schematic diagram showing a printing device using a light beam according to the present embodiment, and FIG. An enlarged view of the mirror part, Fig. 3 is a characteristic diagram showing the photoreceptor's sensitivity to wavelength, Fig. 4 is a semiconductor laser drive current vs. beam output intensity characteristic diagram, Fig. 5 is an output waveform diagram of the photo sensor, and Fig. 6 is the second
FIG. In the figure, 1 is a laser and a modulator, 2 is a rotating polygon mirror, 4 is a photoreceptor, 15 is a half mirror, 20
21 represents a slit, and 21 represents a photo sensor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 半導体レーザーと、該半導体レーザーからの
光ビームを偏向して感光体上を走査する為の偏向
手段と、該偏向手段により偏向された後の光ビー
ムを検出する検出手段と、該検出手段の出力によ
り光ビームの変調の開始を制御する制御手段を有
する光ビーム露光装置において、 前記偏向手段により偏向された後の光ビームの
光路上に光強度減衰手段を設け、前記偏向手段か
ら感光体に到る光ビームは前記光強度減衰手段を
通過させ、前記偏向手段から検出手段に到る光ビ
ームは前記光強度減衰手段を通過させないことを
特徴とする光ビーム露光装置。
[Claims] 1. A semiconductor laser, a deflection means for deflecting a light beam from the semiconductor laser to scan the photoreceptor, and a detection means for detecting the light beam after being deflected by the deflection means. and a light beam exposure apparatus having a control means for controlling the start of modulation of the light beam based on the output of the detection means, wherein a light intensity attenuation means is provided on the optical path of the light beam after being deflected by the deflection means, A light beam exposure apparatus characterized in that the light beam reaching the photoreceptor from the deflection means passes through the light intensity attenuation means, and the light beam reaching the detection means from the deflection means does not pass through the light intensity attenuation means.
JP1739980A 1980-02-15 1980-02-15 Light beam exposure device Granted JPS56114962A (en)

Priority Applications (1)

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JP1739980A JPS56114962A (en) 1980-02-15 1980-02-15 Light beam exposure device

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