JPH0376244A - Instrumentation of etch pit - Google Patents

Instrumentation of etch pit

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JPH0376244A
JPH0376244A JP21281389A JP21281389A JPH0376244A JP H0376244 A JPH0376244 A JP H0376244A JP 21281389 A JP21281389 A JP 21281389A JP 21281389 A JP21281389 A JP 21281389A JP H0376244 A JPH0376244 A JP H0376244A
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宏 疇地
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羽渕 清裕
Koji Kobayashi
小林 功次
Katsuyasu Aikawa
相川 勝保
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Abstract

PURPOSE:To measure etch pits using optical interference even when the contrast between the etch bits and a background is low by a method wherein the amount of the features of the etch pits is measured from image data on a sample obtained by a shearing interference method. CONSTITUTION:Light which is passed through a sample is first divided into two by a shearing type interference microscope 2 with shift of a shearing amount S to form an interference image. This sample 1 is one formed by irradiating protons having various energies and various incident angle. A biimage which is the feature of a shearing interference is seen and the structure of interference fringes can be seen. The major axis, minor axis and central position of the outermost interference fringe, the central position of the innermost interference fringe, the number of the interference fringes and the like are measured. From the instrumentation of these, the calculation of etch pits is performed. Whether a measurement of the etch pits ends or not is checked and the measurement is repeated until a prescribed measurement ends. When the prescribed measurement ends, these data are processed and are outputted to a printer.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエッチピットの計測方法に係わり、特に、バッ
クグランドとのコントラストが低いエッチピットの計測
方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for measuring etch pits, and particularly to a method for measuring etch pits that have a low contrast with the background.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体ウェハーを化学薬品で腐食して顕微鏡で観察する
と多数の斑点がみられる・、この斑点はエッチピットと
呼ばれ結晶の転位部を表している。
When a semiconductor wafer is corroded with chemicals and observed under a microscope, many spots are seen.These spots are called etch pits and represent dislocations in the crystal.

半導体のベースのシリコン(結晶)ウェハーではこのエ
ッチビット数の多少は欠陥として評価され、一定密度以
下のエッチピット数のもののみ採用される。
For semiconductor-based silicon (crystalline) wafers, any number of etch bits is evaluated as a defect, and only etch pits with a certain density or less are adopted.

また、特殊なフィルムに放射線を当ててこのフィルムに
化学的エツチング処理を施すと放射線の飛跡(トラック
)が斑点となって表れ、これもエッチピットと称し放射
線量等の測定に利用されている。
Furthermore, when a special film is exposed to radiation and subjected to a chemical etching process, radiation tracks appear as spots, which are also called etch pits and are used to measure radiation dose.

上述のエッチピットを測定する際、ノイズ等が混存して
いる場合、このバックグランドノイズとエッチピットと
を識別する必要がある。従来、試料上のエッチピットを
光学顕微鏡により拡大しTVカメラで撮影し、得られた
濃淡画像に何らかの画像処理を行った後、あるしきい値
を決めて2値画像を作成しエッチピットとして抽出する
ことが行われていた。
When measuring the above-mentioned etch pits, if noise and the like are present, it is necessary to distinguish between this background noise and the etch pits. Conventionally, etch pits on a sample are magnified using an optical microscope, photographed using a TV camera, and after performing some kind of image processing on the resulting grayscale image, a certain threshold is determined to create a binary image and extracted as etch pits. things were being done.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、このような方法を用いて機械により自動計測
をする場合、エッチピットの判定が困難となる。
By the way, when automatic measurement is performed by a machine using such a method, it becomes difficult to determine etch pits.

例えば、放射線の測定の場合を例にとると、濃淡画像を
2値化するという従来の方法では画像のコントラスト(
トラック部分とバックグランド部分との光の強度比)が
高いことが必要である。重粒子やα粒子などはフィルム
中でのエネルギー損失が大きく、従ってトラック深さが
深く画像のコントラストが高いため、画像解析が比較的
容易である。これに対し、MeV以上のエネルギーをも
つプロトンはエネルギー損失が小さいため、エッチピッ
トが浅いので画像コントラストは低下する。
For example, in the case of radiation measurement, the conventional method of binarizing a grayscale image is based on the contrast of the image (
It is necessary that the light intensity ratio (light intensity ratio between the track portion and the background portion) be high. Heavy particles, α particles, etc. have a large energy loss in the film, and therefore the track depth is deep and the image contrast is high, so image analysis is relatively easy. On the other hand, since protons having an energy of MeV or more have a small energy loss, the etch pits are shallow and the image contrast is reduced.

例えば数MeVのプロトンのエッチピットは、直径が1
0μm程度に対し深さは数μmしかなく、バンクグラン
ドとの区別が極めて困難となる。このためエッチピット
の抽出には深さ方向の情報が必要となる。深さ情報を2
次元画面上で得る方法の一つとして、光の透過率がエッ
チピットとノイズトラックとで異なることを利用する方
法がある。
For example, a proton etch pit of several MeV has a diameter of 1
The depth is only several μm compared to about 0 μm, and it is extremely difficult to distinguish it from the bank ground. Therefore, information in the depth direction is required to extract etch pits. Depth information 2
One way to obtain this on a dimensional screen is to utilize the fact that the light transmittance is different between etch pits and noise tracks.

しかし光の透過率はエッチピット形状や表面状態に依存
するため深さと透過率の関係を決定することが困難であ
る。
However, since the light transmittance depends on the etch pit shape and surface condition, it is difficult to determine the relationship between the depth and the transmittance.

本発明の目的は、エッチピントとバックグランドのコン
トラストが低い場合でも光の干渉を用いてエッチピット
を測定するエッチピットの計測方法を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide an etch pit measurement method that uses optical interference to measure etch pits even when the contrast between the etch focus and the background is low.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するため、シアリング干渉法を用いてエ
ッチピットをバックグランドから識別するようにすれば
よく、本発明のエッチピットの計測方法は、シアリング
干渉法により得た試料の画像データよりエッチピットの
特徴量を計測することを特徴とするものである。また、
試料を通過または反射した光を所定シアリング量の変位
を与えて第I画像を構成し、一定のしきい値を定めて前
記第1画像より2値画像を作成し、この2値画像を穴埋
め処理して第2画像を作成し、前記第「画像をエッヂ強
調した第3画像を作成し、この第3画像と前記第2画像
の論理積により第4画像を作成し、この第4画像上で前
記所定シアリング量に応じた距離離れた相互の像の論理
積により第5画像を作成し、この第5画像よりエッチピ
ットの特徴量を測定するようにしてもよい。また前記2
値画像の干渉縞の形状に応じて前記第1画像を補修処理
をした後前記第2画像および前記第3画像を作成するよ
うにするとよい。
In order to achieve the above object, etch pits may be identified from the background using shearing interferometry, and the etch pit measurement method of the present invention is based on image data of a sample obtained by shearing interferometry. It is characterized by measuring the feature quantity of. Also,
A first image is constructed by displacing the light that has passed through or reflected from the sample by a predetermined shearing amount, a binary image is created from the first image by determining a certain threshold, and this binary image is subjected to hole filling processing. A second image is created, a third image is created by edge-emphasizing the third image, a fourth image is created by ANDing this third image and the second image, and on this fourth image, A fifth image may be created by a logical product of mutual images separated by a distance corresponding to the predetermined shearing amount, and the characteristic amount of the etch pit may be measured from this fifth image.
It is preferable that the second image and the third image are created after performing a repair process on the first image according to the shape of the interference fringes of the value image.

〔作 用〕[For production]

試料を通過または反射した光は所定のシアリング量だけ
ずらされて干渉縞を生じ、1つのエッチピットはシアリ
ング量だけ離れた2つの画像(双画像)となり、これら
の双画像からなる第1画像を形成する。この画像よりエ
ッチピットの特徴量を抽出する。またさらに、この第1
画像を一定のしきい値によって2値画像とする。この2
値画像の各エッチピットを穴埋め処理(エッチビット内
を塗りつぶす処理)したものを第2画像とする。
The light that has passed through or reflected from the sample is shifted by a predetermined amount of shearing, producing interference fringes, and one etch pit becomes two images (twin images) separated by the amount of shearing, and the first image consisting of these twin images is Form. The feature amount of the etch pit is extracted from this image. Furthermore, this first
The image is converted into a binary image using a certain threshold value. This 2
A second image is obtained by filling in each etch pit of the value image (processing to fill in the inside of the etch bit).

深さのあるエッチピットには干渉により多重リングを生
じることを利用して、原画像である第1画像をラプラス
変換や微分処理などを行って像のエツジを強調した第3
画像を作成し、穴埋め処理した第2画像との論理積をと
り、第2画像の領域内に第3画像で複数のリングがある
ものを第4画像とする。第4画像において、シアリング
相当量能れた2つの画像について論理積をとると2値画
像の各エッチピットは元の1つの画像に戻った第5画像
となる。この第5図面像よりエッチピットの特@量を抽
出できる。このようにシアリング干渉法を用いればエッ
チピットの深さの浅いものでも機械的に容易に識別でき
るようになり、自動計測が可能となる。
Taking advantage of the fact that deep etch pits produce multiple rings due to interference, a third image is created in which the edges of the image are emphasized by applying Laplace transform and differential processing to the first image, which is the original image.
An image is created, a logical AND is performed with the second image that has been subjected to hole-filling processing, and the third image having a plurality of rings within the area of the second image is determined as the fourth image. In the fourth image, when the two images with the shearing equivalent amount are logically ANDed, each etch pit in the binary image returns to the original single image in the fifth image. The specific amount of etch pits can be extracted from this fifth drawing image. In this way, by using the shearing interferometry, even shallow etch pits can be easily identified mechanically, and automatic measurement becomes possible.

また、前記の2値画像において像が不鮮明のために、一
部のリングが完成しない場合もある。このようなときは
補修処理を前記第1百像に対して行い、リングを補修し
て充放させた後、穴埋め処理して第2画像を作成すると
ともにエツジの強調をして第3画像を作成する。なお、
補修処理としては肉付け(D I LATE)と侵食(
ERO3I 0−N)又は線引伸ばしく5TRETCI
() 、細線化(THI NN I G>が知られてい
る。肉付けとは予め設定した画素数だけ像を膨らませる
ことで、リングの一部分が小量欠落している場合には両
側からの肉付けによって接続補修される。ここで穴埋め
をした後、肉付けのとき設定した画素数だけ侵食(画像
を細らせること)を行うと、穴埋めした部分はそのまま
残り、リングの外径は小さくなって、元の第2画像に戻
る。または線引伸し処理してもよい。線引き伸ばし処理
とは画像の幅と長さの比から線であることを認識し、こ
れを線方向に一定の小さい長さ引き伸ばして交叉させる
ことによって補修する方法である。
Furthermore, some rings may not be completed because the image is unclear in the binary image. In such a case, repair processing is performed on the first hundred images, the ring is repaired and filled, and then the holes are filled in to create a second image, the edges are emphasized, and the third image is created. create. In addition,
Repair treatments include fleshing (D I LATE) and erosion (
ERO3I 0-N) or 5TRETCI
(), thinning (THI NN I G>) is known. Thinning is to expand the image by a preset number of pixels, and if a small portion of the ring is missing, thinning is done from both sides. After filling in the holes, if you erode (make the image thinner) by the number of pixels set during fleshing, the filled part will remain as it is, and the outer diameter of the ring will become smaller. Return to the original second image.Alternatively, you can perform line stretching processing.Line stretching processing recognizes that the image is a line from the ratio of width and length, and stretches it by a certain small length in the line direction. This is a method of repair by crossing over.

あるいは、画像を細線化して骨格化する細線化処理をし
た後、その骨格化した像の末端を一定の小さい長さ引き
伸ばして交叉させることによっても得られる。
Alternatively, it can also be obtained by performing a thinning process to thin the image and making it into a skeleton, and then stretching the ends of the skeletonized image by a certain small length and making them intersect.

ここで公知のシアリング法の一例を第7図第8図を用い
て説明する。
Here, an example of a known shearing method will be explained using FIGS. 7, 8, and 8.

第7図は透過および反射装置を備えたシアリング装置で
あり、第8図はこの装置で発生した干渉縞を示す図であ
る。第7図において31〜39は透過系を構成し、36
〜39および46〜49は反射系を、40〜45は干渉
系を構成する。
FIG. 7 shows a shearing device equipped with transmission and reflection devices, and FIG. 8 shows interference fringes generated in this device. In FIG. 7, 31 to 39 constitute a transmission system, and 36
-39 and 46-49 constitute a reflection system, and 40-45 constitute an interference system.

透過系は光源31を出た光は凸レンズ32を経てごラー
33で反射されスリット34.コンデンサレンズ35を
経て平行光束となってサンプル36を透過し、変形され
て物体波37とな、り対物レンズ38.ハーフミラ−3
9を経て干渉系に入る。反射系は光源46を出た光は凸
レンズ47を経てスリット48.コンデンサレンズ49
を経てハーフミラ−39で反射され、対物レンズ38に
入り、サンプル36で反射変形されて、物体波37にな
り再び対物レンズ38を経て干渉系に入る。
In the transmission system, light emitted from a light source 31 passes through a convex lens 32, is reflected by a mirror 33, and passes through a slit 34. It passes through the condenser lens 35, becomes a parallel beam of light, passes through the sample 36, is deformed, becomes an object wave 37, and passes through the objective lens 38. half mirror 3
9 and enters the interference system. In the reflection system, the light emitted from the light source 46 passes through a convex lens 47 and passes through a slit 48. condenser lens 49
The beam is reflected by a half mirror 39, enters an objective lens 38, is reflected and deformed by a sample 36, becomes an object wave 37, and enters an interference system via an objective lens 38 again.

干渉系ではA、 B、の2つのコースに別れて進む。In the interference system, there are two courses, A and B.

Aコースに入った光束はミラー41で反射され、さらに
ハーフミラ−42で反射された後接眼レンズ43を経て
観測者の目に入る。
The light flux entering the A course is reflected by a mirror 41, further reflected by a half mirror 42, and then passes through an eyepiece lens 43 and enters the observer's eye.

Bコースに入った光はよラー44で反射され、シアリン
グ45でシアー(S)を与えられた後ハーフミラ−42
を通過し接眼レンズ43を経て観測者の目に入る。第8
図により観測者の目に見える干渉像について説明する。
The light entering the B course is reflected by the mirror 44, given shear (S) by the shear ring 45, and then transferred to the half mirror 42.
The light passes through the eyepiece lens 43 and enters the observer's eye. 8th
The interference image visible to the observer will be explained using figures.

第8図(a)は透過系を通過したのち干渉系に入射した
もので、i測音の目に入るA、Bコースからの物体波3
7の状況を示したものである。BはAに対しシアーSだ
けずれている。
Figure 8(a) shows the object wave 3 from courses A and B that enters the i sound measurement eye after passing through the transmission system and entering the interference system.
This shows the situation in No.7. B deviates from A by shear S.

第8図(ロ)は第8図(a)の干渉縞を表し、動かない
で固定している(シアーを受けない)方のA像は一般の
干渉顕微鏡と同じ形式の干渉像となり、シアー(S)処
理された方のB像は干渉縞のずれが反対になっている。
Figure 8 (b) shows the interference fringes in Figure 8 (a). Image A, which is fixed without moving (does not receive shear), is an interference image in the same format as a general interference microscope; (S) The processed B image has the opposite displacement of interference fringes.

ここでSはシアー量でありDは干渉縞の間隔、dはサン
プル36による干渉縞のずれで光源31の光の波長をλ
とすると透過系の場合 (n−N)  ・Z#    λ−−−−(1)の関係
式がなりたつ。
Here, S is the shear amount, D is the interval between interference fringes, and d is the deviation of the interference fringes due to the sample 36, and λ is the wavelength of the light from the light source 31.
Then, in the case of a transmission system, the relational expression (n-N) ・Z# λ---(1) holds true.

ここでnはサンプル36の屈折率、Nは周囲の屈折率で
空気中であればN−1,Zはサンプルの厚さである。故
に(1)式よりサンプルの厚さZが求められる。
Here, n is the refractive index of the sample 36, N is the refractive index of the surroundings, and if it is in air, N-1, and Z is the thickness of the sample. Therefore, the thickness Z of the sample can be obtained from equation (1).

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を第1図〜第6図を用いて説明
する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 6.

第1図は本実施例を実施する装置のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of an apparatus implementing this embodiment.

第1図において、1は測定の対象となる試料であり、本
実施例では放射線照射後化学的エツチング処理されエッ
チピットの表れたフィルムである。2はシアリング型の
干渉顕微鏡、3は干渉顕微鏡で得られた画像を取り出す
TVカメラ、4は干e顕微鏡2の焦点を調整する焦点制
御部、5は干渉顕微鏡2にセントされた試料lのX−Y
平面上の位置を調整する位置制御部、6はTVカメラ3
から入力した画像を処理し、焦点制御部4、位置制御部
5を制御する画像解析装置、7はモニタCRT、8はプ
リンタ、9はディスク、10はデジタイザ、11はキー
ボードである。
In FIG. 1, reference numeral 1 indicates a sample to be measured, and in this example, it is a film that has been chemically etched after being irradiated with radiation and has etch pits. 2 is a shearing-type interference microscope, 3 is a TV camera that takes out images obtained by the interference microscope, 4 is a focus control unit that adjusts the focus of the microscope 2, and 5 is an X of the sample 1 placed on the interference microscope 2. -Y
A position control unit that adjusts the position on a plane; 6 is a TV camera 3;
7 is a monitor CRT, 8 is a printer, 9 is a disk, 10 is a digitizer, and 11 is a keyboard.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第2図は測定フローチャートである。試料1は種1.・
類、形状、寸法等が多岐にわたるのでまずマクロ的に輪
郭の測定を行い、ミクロの測定点を決めるという手順を
踏んでいる。
FIG. 2 is a measurement flowchart. Sample 1 is species 1.・
Since there are a wide variety of types, shapes, dimensions, etc., we first measure the contours macroscopically and then determine the microscopic measurement points.

ステップ20では、試料のタイプ、測定点間隔などの測
定条件を入力する。ステップ21で試料1を干渉顕微鏡
2にセットする。ステップ22で2値化処理を行うとき
のしきい値等の定数を決定する。
In step 20, measurement conditions such as sample type and measurement point spacing are input. In step 21, the sample 1 is set on the interference microscope 2. In step 22, constants such as threshold values are determined when performing binarization processing.

ステップ23で試料lの全体形状を測定するマクロ測定
を行い、ステップ24で試料1の輪郭点位置を決定し、
ステップ25で測定点を定める。この測定点に基づき位
置mm部5は試料1の測定位置を設定する。ステップ2
6で焦点制御部4によりξクロ測定位置の焦点を調整し
た後、ミクロ測定に入る。
In step 23, macro measurement is performed to measure the overall shape of sample 1, and in step 24, the contour point positions of sample 1 are determined,
In step 25, measurement points are determined. Based on this measurement point, the position mm section 5 sets the measurement position of the sample 1. Step 2
After adjusting the focus of the ξ-cro measurement position by the focus control unit 4 in step 6, micro measurement begins.

まずシアリング型干渉顕微鏡2により試料1通過後の光
をシアリング量Sだけずらして2つに分け、て干渉像を
作る。第3図は干渉像の一例を示す。
First, the light after passing through the sample 1 is shifted by a shearing amount S using a shearing type interference microscope 2 and divided into two parts to create an interference image. FIG. 3 shows an example of an interference image.

こ′の試料1は種々のエネルギー、種々の入射角をもっ
たプロトンが照射されてできたものである。
This sample 1 was made by being irradiated with protons having various energies and various incident angles.

シアリング干渉の特徴である双画像が見られ、干渉縞の
構造をみることができる。矢印aで示したものは干渉縞
を有するのでエッチピットとし、同じ大きさでも干渉縞
が明確に認められない矢印すで示す画像はバックグラン
ドであるとして処理するとよい。
A twin image, which is a characteristic of shearing interference, can be seen, and the structure of the interference fringes can be seen. The image indicated by the arrow a has interference fringes and is therefore treated as an etch pit, and the image indicated by the arrow where no interference fringes are clearly recognized even though it is the same size is treated as a background.

第4図は上述のシアリング干渉像を2値化処理して得た
2値化像を示す、双画像となっているがバックグランド
は除去されエッチピットが明瞭に表れている。第5図は
〔作 用・〕の項で記載した処理により双画像を1つの
画像とした最終画像を示す、この最終画像から最外干渉
縞の長径、短径。
FIG. 4 shows a binarized image obtained by binarizing the above-mentioned shearing interference image. Although it is a twin image, the background has been removed and the etch pits are clearly visible. Figure 5 shows the final image in which the twin images have been combined into one image by the processing described in the [Function] section, and the major and minor axes of the outermost interference fringes are determined from this final image.

中心位置、最内干渉縞の中心位置(ピット位置に相当し
、これにより飛来方向を判定する)、干渉縞の数等を計
測する。これ等の計測よりステップ27のエッチピット
の計算が行われる。ステップ28で測定が終了したか否
かチエツクし所定の測定が終わるまでステップ26.2
7を操り返す、所定の測定が終わったらステップ29で
、これらのデータを処理し、ステップ30でプリンタに
出力する。
The center position, the center position of the innermost interference fringe (corresponds to the pit position, from which the flying direction is determined), the number of interference fringes, etc. are measured. Based on these measurements, the etch pits are calculated in step 27. In step 28, check whether the measurement is completed or not.
7. When the predetermined measurements are completed, these data are processed in step 29 and output to a printer in step 30.

なお、実際の干渉縞は第6図a、b、cに示すように途
中で切れたり、隣り合うものと接触するものがあり、こ
のような不完全な干渉縞でも肉付けおよび侵食または゛
線引伸し、細線化等の補修処理により正しい測定値が得
られる。
In addition, as shown in Figure 6 a, b, and c, actual interference fringes may be cut off in the middle or come into contact with adjacent ones, and even such incomplete interference fringes cannot be filled out, eroded, or stretched. , Correct measurement values can be obtained by repair processing such as line thinning.

以上は、透過光を用いた干渉縞を計測する方法について
例示したが、結晶のエッチピットなどの場合には反射光
を用いてエッチビットのシアリング干渉縞を生成させ、
透過光の場合と同様に計測することができる。
The above is an example of a method of measuring interference fringes using transmitted light, but in the case of etch pits in crystals, reflected light is used to generate shearing interference fringes of etch bits.
It can be measured in the same way as in the case of transmitted light.

ところで干渉顕微鏡には、いくつかの種類がある。マツ
ハツエンダ−法やトワイマン法のように2つの光路の片
側に試料を置き、そこを通過した物体光ともう一方の光
路を通過した参照光とを干渉させる方法が一般的に用い
られている。しかしこれらの方法は機械的振動の影響を
受けやすく、また試料の局所的な厚さの変化により干渉
縞が影響を受ける。これに対しシアリング法は試料通過
後の光を2光路に分け2つの像をずらして干渉させる。
By the way, there are several types of interference microscopes. A commonly used method, such as the Matsuhatsuender method or the Twyman method, is to place a sample on one side of two optical paths and cause the object beam passing therethrough to interfere with the reference beam passing through the other optical path. However, these methods are susceptible to mechanical vibrations, and the interference fringes are affected by local thickness changes in the sample. On the other hand, the shearing method divides the light after passing through the sample into two optical paths and shifts the two images to cause them to interfere.

このため振動の影響は2光束に等しく作用し干渉に対す
る影響は少ない、また、マツハツエあるが、シアリング
法では物体波相互の干渉を用いるのでシアリング量より
も大きい局所的な厚さの変化があっても厚さの変化の勾
配がゆるやかならば影響は少ない、欠点としてシアリン
グ干渉の性質上、双画像が表れるが、これは本発明で説
明した画像処理により消去できる。
Therefore, the effect of vibration acts equally on the two light beams, and has little effect on interference.Also, although the shearing method uses mutual interference between object waves, there is a local thickness change that is larger than the amount of shearing. However, if the gradient of the thickness change is gentle, the effect is small.As a disadvantage, due to the nature of shearing interference, twin images appear, but this can be eliminated by the image processing described in the present invention.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上記より明らかなように、本発明によればシアリング干
渉方法によりバックグランドとのコントラストの低いエ
ッチビットの解析を可能とし、かつシアリング干渉法に
よって生じる双画像を画像処理技術を用いて解決するこ
とによりエッチビットの特徴量を測定することが可能と
なる。
As is clear from the above, according to the present invention, by using the shearing interference method, it is possible to analyze etch bits with low contrast with the background, and by solving the twin images generated by the shearing interference method using image processing technology. It becomes possible to measure the feature amount of the etch bit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を実施する装置のブロック図
、第2図は本実施例のフローチャート、第3図〜第6図
は本実施例の解析結果を示す図、第7図は公知のシアリ
ング干渉装置の一例を示す図、第8図は第7図の装置で
得られた干渉縞の一例を示す図である。 1−−一試料 2−m−シアリング型干渉顕微鏡3=−
TVカメラ  4−m−焦点制御部5、− 位置制御部
  6−−−画像解析装置7−−−モニタCRT  8
−一一プリンタ9−−−ディスク   10−m−デジ
タイザ11−−−キーボード
FIG. 1 is a block diagram of a device implementing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart of this embodiment, FIGS. 3 to 6 are diagrams showing analysis results of this embodiment, and FIG. 7 is a diagram showing the analysis results of this embodiment. FIG. 8 is a diagram showing an example of a known shearing interference device, and FIG. 8 is a diagram showing an example of interference fringes obtained by the device of FIG. 1--One sample 2-m-Shearing interference microscope 3=-
TV camera 4-m-focus control unit 5, -position control unit 6----image analysis device 7---monitor CRT 8
-11 Printer 9---Disk 10-M-Digitizer 11---Keyboard

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)シアリング干渉法により得た試料の画像データよ
りエッチピットの特徴量を計測することを特徴とするエ
ッチピットの計測方法。
(1) A method for measuring etch pits, characterized by measuring the characteristic amount of etch pits from image data of a sample obtained by shearing interferometry.
(2)試料を通過または反射した光を所定シアリング量
の変位を与えて第1画像を構成し、一定のしきい値を定
めて前記第1画像より2値画像を作成し、この2値画像
を穴埋め処理して第2画像を作成し、前記第1画像をエ
ッヂ強調した第3画像を作成し、この第3画像と前記第
2画像の論理積により第4画像を作成し、この第4画像
上で前記所定シアリング量に応じた距離離れた相互の像
の論理積により第5画像を作成し、この第5画像よりエ
ッチピットの特徴量を測定することを特徴とする請求項
1記載のエッチピットの計測方法。
(2) Create a first image by displacing the light that has passed through or reflected from the sample by a predetermined amount of shearing, set a certain threshold value, create a binary image from the first image, and create a binary image from the first image. A second image is created by performing hole-filling processing, a third image is created by emphasizing the edges of the first image, a fourth image is created by ANDing this third image and the second image, and this fourth image is 2. A fifth image is created by logical producting of mutual images separated by a distance corresponding to the predetermined shearing amount on the image, and the characteristic amount of the etch pit is measured from this fifth image. How to measure etch pits.
(3)前記2値画像の干渉縞の形状に応じて前記第1画
像を補修処理をした後前記第2画像および前記第3画像
を作成することを特徴とする請求項2記載のエッチピッ
トの計測方法。
(3) The etch pit according to claim 2, wherein the second image and the third image are created after performing a repair process on the first image according to the shape of interference fringes of the binary image. Measurement method.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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