JPH0371054A - Electrostatic sensor device - Google Patents

Electrostatic sensor device

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JPH0371054A
JPH0371054A JP20721689A JP20721689A JPH0371054A JP H0371054 A JPH0371054 A JP H0371054A JP 20721689 A JP20721689 A JP 20721689A JP 20721689 A JP20721689 A JP 20721689A JP H0371054 A JPH0371054 A JP H0371054A
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impedance
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Noboru Masuda
昇 増田
Tetsuo Osawa
大澤 哲夫
Takashi Sugimura
貴史 杉村
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent the Q of a resonator from decreasing even when the fine electrostatic capacity with a body to be detected which is low in impedance and Q by providing a C-L converting circuit between a detection part with fine electrostatic capacity and the resonator of a resonance circuit. CONSTITUTION:When a detector 3 detects variation in the fine electrostatic capacity with the body to be detected, the variation in this fine electrostatic capacity is converted into impedance by the C-L converting circuit 7. The conversion of the impedance is performed as the conversion of inductance, and the variation in the inductance is applied to the resonator 12 of the resonance circuit 2. Thus, the detected variation in the fine electrostatic capacity is converted by the circuit 7 into the variation in the inductance, so even when the body to be detected is low in impedance and Q, that does not operate as a factor which decreases the Q of the resonator 12 and a high-output detection signal corresponding to the variation in the electrostatic capacity is led out of the resonance circuit 2.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 来光りjは、被検出体との微小静電容量の変化を検出す
る静電センサ装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] Raikori J relates to an electrostatic sensor device that detects minute changes in capacitance with an object to be detected.

(従来の技術〕 従来からごく一般的に用いられている静電センサ装置は
、発振回路のタンク回路に用いられている静電容量を外
部静電容量の変化として発振周波数を変化させるもので
あるが、感度が低く、このため、近年においてはより感
度の高いRCA方式(発振回路の発振周波数かられずか
にずれた共振周波数をもった共振回路のコンデンサ容量
を変化させAM変調波を得る方式)の装置が使用される
ようになってきている。このRCA方弐の静電センサ装
置は、第6図に示すように、発振回路部lと、共振回路
2と、被検出体との静電容量変化を検出する検出部3と
、検波部4と、増幅回路5とからなる。前記発振回路部
1と共振回路2ばそれぞれ共振器を含み、例えば、第7
図に示すように、発振回路部lの固定発振周波数flに
対して共振回路2の共振周波数foをわずかにずれた位
置に設定しておき、検出部3によって検出される微小静
電容量の変化ΔCに対応させて共振周波数をfoからΔ
fだけ偏倚させ、前記静電容量の変化ΔCを出力電圧Δ
Vの変化として共振回路2から出力させ、これを検波部
4と増幅回路5で検波増幅して取り出すものである。
(Prior art) An electrostatic sensor device that has been very commonly used changes the oscillation frequency by changing the external capacitance of the capacitance used in the tank circuit of the oscillation circuit. However, the sensitivity is low, and for this reason, in recent years, the more sensitive RCA method (a method for obtaining AM modulated waves by changing the capacitance of a resonant circuit with a resonant frequency that slightly deviates from the oscillation frequency of the oscillation circuit) As shown in Fig. 6, this RCA type electrostatic sensor device is designed to reduce the electrostatic charge between the oscillation circuit section 1, the resonant circuit 2, and the object to be detected. It consists of a detection section 3 that detects a capacitance change, a detection section 4, and an amplifier circuit 5.The oscillation circuit section 1 and the resonance circuit 2 each include a resonator, for example, a seventh
As shown in the figure, the resonant frequency fo of the resonant circuit 2 is set at a position slightly shifted from the fixed oscillation frequency fl of the oscillation circuit section l, and the minute capacitance changes detected by the detecting section 3. The resonant frequency is changed from fo to Δ in response to ΔC.
The change in capacitance ΔC is expressed as the output voltage Δ
The change in V is outputted from the resonant circuit 2, detected and amplified by the detection section 4 and the amplifier circuit 5, and extracted.

〔発明が解決しようとする課題] 本発明者等は、共振回路2の共振器の周りの回路を高イ
ンピーダンス化回路とすることにより、微小静電容量の
検出感度を高めることができることに着目し、高感度の
静電センサ装置の開発に成功した。
[Problems to be Solved by the Invention] The present inventors have focused on the fact that the detection sensitivity of minute capacitance can be increased by making the circuit around the resonator of the resonant circuit 2 a high impedance circuit. succeeded in developing a highly sensitive electrostatic sensor device.

しかしながら、この高感度の開発装置にあっても、被検
出体のインピーダンスやQが低い場合、例えば、人体や
水中のイオン成分を検出しようとすると、これらの被検
出体のインピーダンスが低いために検出部3における被
検出体検出用電極と共振器が直接結合されていると共振
回路2の共振器のQを著しく低下させてしまい、このQ
の大きさに出力電圧が依存するRCA方式の静電センサ
装置においては、この検出出力の大幅な低下のため、検
出能が低下して使用に耐えなくなるという問題があった
However, even with this highly sensitive developed device, if the impedance or Q of the object to be detected is low, for example, when attempting to detect the human body or ionic components in water, detection may be difficult due to the low impedance of these objects. If the detection object detection electrode in section 3 and the resonator are directly coupled, the Q of the resonator of resonant circuit 2 will be significantly lowered, and this Q
In the RCA type electrostatic sensor device, in which the output voltage depends on the magnitude of the detection output, there is a problem in that the detecting ability decreases and becomes unusable due to this significant decrease in the detection output.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、その目的は、インピーダンスやQが低い被検出体との
微小静電容量の検出に際しても、共振回路の共振器のQ
の低下を招くことがない高感度の静電センサ装置を提供
することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to reduce the Q of the resonator of the resonant circuit even when detecting minute capacitance with a detected object having low impedance or Q.
It is an object of the present invention to provide a highly sensitive electrostatic sensor device that does not cause a decrease in performance.

〔課題を解決するための手段] 本発明は上記目的を達成するために、次のように構成さ
れている。すなわち、本発明は、発振周波数信号を出力
する発振回路部と、被検出体との静電容量変化を検出す
る検出部と、この検出部で検出される静電容量の微小変
化で共振周波数が変化する共振回路とを有する静電セン
サ装置において、前記検出部と共振回路との間には検出
部で検出される静電容量の変化をインダクタンスの変化
に変換して共振回路に伝えるC−L変換回路が介設され
ていることを特徴として構成されており、また、発振回
路部の発振器と、共振回路の共振器とはともにセラミッ
ク共振器により構成されていることも本発明の特徴的な
構成としており、さらに、上記共振回路又はC−L変換
回路には発振回路部の発振周波数と共振回路の共振周波
数との同調点を安定化させる安定化制御回路が接続され
ている構成も、併せて本発明の特徴的な構成としている
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. That is, the present invention includes an oscillation circuit section that outputs an oscillation frequency signal, a detection section that detects a change in capacitance with the object to be detected, and a resonant frequency that is determined by a minute change in capacitance detected by this detection section. In an electrostatic sensor device having a changing resonant circuit, a C-L is provided between the detecting section and the resonant circuit to convert a change in capacitance detected by the detecting section into a change in inductance and transmitting it to the resonant circuit. A characteristic feature of the present invention is that the oscillator of the oscillation circuit section and the resonator of the resonant circuit are both composed of ceramic resonators. Further, a stabilization control circuit for stabilizing the tuning point between the oscillation frequency of the oscillation circuit section and the resonance frequency of the resonant circuit is connected to the resonance circuit or the CL conversion circuit. This is a characteristic configuration of the present invention.

〔作用] 本発明では、検出部によって被検出体との微小静電容量
の変化を検出すると、この微小静電容量ノ変化はC−L
変換回路によってインピーダンスへの変換が行われる。
[Function] In the present invention, when a change in minute capacitance with the object to be detected is detected by the detection unit, this change in minute capacitance is calculated as C-L.
Conversion to impedance is performed by a conversion circuit.

このインピーダンスの変換はインダクタンスの変換とし
て行われ、このインダクタンスの変化が共振回路の共振
器に加えられる。
This impedance transformation is performed as an inductance transformation, and this inductance change is applied to the resonator of the resonant circuit.

このように本発明では、検出される微小静電容量の変化
がC−Lのインピーダンス変換回路によりインダクタン
スの変化に変換されるので、被検出体のインピーダンス
やQが低い場合においても、これが共振回路の共振器の
Qを低下させる要因として作用することはなく、共振回
路から静電容量の変化に対応する高出力の検出信号が取
り出されるのである。
In this way, in the present invention, the detected minute capacitance change is converted into an inductance change by the C-L impedance conversion circuit, so even if the impedance or Q of the object to be detected is low, this can be converted into a resonant circuit. This does not act as a factor that lowers the Q of the resonator, and a high-output detection signal corresponding to the change in capacitance is extracted from the resonant circuit.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説j9Jする
。第1図には本発明に係る静電センサ装置の一実施例の
回路図が示されている。本実施例の装置は、発振回路部
lと、高インピーダンス変換回路6と、セラミック共振
器12からなる共振回路2と、C−L変換回路7と、検
波部4と、増幅回路5と、安定化制御回路としてのAF
C回路8とからなる。この第1図で11g1密に考えれ
ば、共振回路2はセラ〔ツク共振器12とC−L変換回
路7によって構成されるものとして考えることもできる
が、本明細書では共振回路2はC−L変換回路7を除い
たセラミック共振器12のみによって構成されるものと
して話を進めている。なお、これら第1図の回路中道三
角形の記号の頭部は接地点を示している。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be explained based on the drawings. FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of an electrostatic sensor device according to the present invention. The device of this embodiment includes an oscillation circuit section 1, a high impedance conversion circuit 6, a resonance circuit 2 consisting of a ceramic resonator 12, a CL conversion circuit 7, a detection section 4, an amplifier circuit 5, and a stable AF as a control circuit
It consists of a C circuit 8. If we consider 11g1 in detail in this FIG. The discussion is proceeding on the assumption that it is composed only of the ceramic resonator 12 excluding the L conversion circuit 7. Incidentally, the head of the circuit middle triangular symbol in FIG. 1 indicates the grounding point.

前記発振回路部1は周知の回路であり、本実施例では、
この回路の共振器には超高周波、本実施例ではIC)(
z〜10 G Hzの範囲内で固定された一定の発振周
波数を発振するセラミック共振器10が用いられている
。この発振回路部1は前記高周波の発振信号を発振し、
これを高インピーダンス変換回路6を介して共振回路2
に加える。この共振回路2のセラミック共振器12は第
4図に示すような周波数特性を有しており、このセラミ
ック共振器12の共振周波数foに対して発振回路部l
の発振周波数rlはわずかにずらした位置に設定される
。この発振周波数rlの設定方式としては、発振周波数
をセラミック共振器12の共振周波数foの右側の周波
数f2の位置に設定するいわゆるアップポーチ方式と共
振周波数f。よりも左側の周波数foの位置に設定する
ハックポーチ方式とがあり、仕様に応しそのいずれかの
方式が採用されるが、本実施例の説明では、説明の都合
上、ハックポーチ方式の場合で説明する。
The oscillation circuit section 1 is a well-known circuit, and in this embodiment,
The resonator of this circuit uses an ultra-high frequency (IC) (in this example)
A ceramic resonator 10 is used which oscillates at a fixed and constant oscillation frequency in the range from z to 10 GHz. This oscillation circuit section 1 oscillates the high frequency oscillation signal,
This is connected to the resonant circuit 2 via the high impedance conversion circuit 6.
Add to. The ceramic resonator 12 of this resonant circuit 2 has a frequency characteristic as shown in FIG.
The oscillation frequency rl of is set at a slightly shifted position. Methods for setting the oscillation frequency rl include a so-called up-porch method in which the oscillation frequency is set at a frequency f2 on the right side of the resonant frequency fo of the ceramic resonator 12, and a resonant frequency f. There is a hack pouch method in which the frequency fo is set to the left side of I will explain.

このセラミック共振器12にばC−L変換回路7を介し
て検出部3が接続されている。そして、この検出部3に
は被検出体との静電容量の変化を検出する板、針、イオ
ン電極、絶縁被覆電極、熱遮断電極等の所望の電極が接
続されている。
The detection section 3 is connected to the ceramic resonator 12 via the C-L conversion circuit 7. A desired electrode such as a plate, a needle, an ion electrode, an insulated electrode, a heat cutoff electrode, etc., for detecting a change in capacitance with the object to be detected is connected to the detection section 3.

前記C−L変換回路7はホール素子、導波管等の素子や
非相反回路を用いたインピーダンスジャイレータによっ
て構成できるものであり、その回路の一例が第2図に示
されている。この第2図の回路はトランジスタジャイレ
ータと呼ばれるもので、3個の1−ランジスタ1/1,
15.16と抵抗器との組み合わせによって構成されて
おり、その入力側はセラミック共振器12側に接続され
、出力側は検出部3側に接続されている。このインピー
ダンスジャイレータはインピーダンス反転作用を行い、
出力側から見た静電容量変化を入力側から見てインダク
タンスの変化に変換するものである。
The CL conversion circuit 7 can be constructed of an impedance gyrator using elements such as a Hall element, a waveguide, or a non-reciprocal circuit, and an example of the circuit is shown in FIG. The circuit shown in Figure 2 is called a transistor gyrator, and consists of three 1-transistors 1/1,
15 and 16 and a resistor, its input side is connected to the ceramic resonator 12 side, and its output side is connected to the detection unit 3 side. This impedance gyrator performs impedance inversion,
This converts a change in capacitance seen from the output side into a change in inductance seen from the input side.

一般に、セラミック誘電体はQが高く (大きく)、共
振回路の共振器をセラミック共振器10゜12によって
構成することにより、高い検出感度を期待できるのであ
るが、セラくツク共振器12と発循回路部1とを直接接
続すると、発振回路部1のインピーダンスがセラミック
共振器12の動作点でのインピーダンスよりも低いため
、セラミック共振器12のQが低下してしまい、共振点
(同調点)での出力電圧が低くなってセラミック共振器
12の本来の性能(Qが高いという性能)を十分に発揮
できなくなるという問題が生じる。このような問題を解
消するために、本実施例では、発振回路部1と共振回路
2との間に高インピーダンス変換回路6を介設している
。この高インピーダンス変換回路6はトランジスタ13
と、抵抗器、コンデンサ等の回路素子を結合して高イン
ピーダンス回路として構成されており、トランジスタ1
3はエミッタホロワ接続でセラミック共振器12に高イ
ンピーダンスを付加するとともに、セラミック共振器I
 Q (jlの発振回路部1とセラくツク共振器12側
の共振回路2との相互干渉を遮断している。
In general, ceramic dielectrics have a high (large) Q, and high detection sensitivity can be expected by configuring the resonator of the resonant circuit with ceramic resonators 10°12. If it is directly connected to the circuit section 1, the impedance of the oscillation circuit section 1 is lower than the impedance at the operating point of the ceramic resonator 12, so the Q of the ceramic resonator 12 decreases and the impedance at the resonance point (tuning point) decreases. A problem arises in that the output voltage of the ceramic resonator 12 becomes low and the original performance (performance of high Q) of the ceramic resonator 12 cannot be fully exhibited. In order to solve this problem, in this embodiment, a high impedance conversion circuit 6 is interposed between the oscillation circuit section 1 and the resonance circuit 2. This high impedance conversion circuit 6 has a transistor 13
It is configured as a high impedance circuit by combining circuit elements such as resistors and capacitors, and transistor 1
3 is an emitter follower connection that adds high impedance to the ceramic resonator 12, and also connects the ceramic resonator I.
Q (Mutual interference between the oscillation circuit section 1 of the jl and the resonant circuit 2 on the ceramic resonator 12 side is blocked.

検波部4は結合コンデンサ25を介してセラミンク共振
器12に接続されており、この検波部4はインダクタン
ス素子21と、ダイオード22と、コンデンサ23と、
抵抗器24とによって構成されており、前記セラミック
共振器12からの出力信号は結合コンデンサ25を介し
て検波部4に加えられるようになっている。前記ダイオ
ード22と、コンデンサ23と、抵抗器24は検波回路
を構成するが、本実施例ではこのダイオード22の動作
点はO電圧よりも負側に十分深くバイアス点が設定され
ている。前記検波回路はセラミック共振器12から出ノ
ノされる超高周波の出力信号(画像信号)を包絡線検波
し、被検出体の信号帯域の信号に変換するものである。
The detection section 4 is connected to the ceramic resonator 12 via a coupling capacitor 25, and the detection section 4 includes an inductance element 21, a diode 22, a capacitor 23,
The output signal from the ceramic resonator 12 is applied to the detection section 4 via a coupling capacitor 25. The diode 22, capacitor 23, and resistor 24 constitute a detection circuit, and in this embodiment, the bias point of the operating point of the diode 22 is set sufficiently deep on the negative side of the O voltage. The detection circuit performs envelope detection of the ultra-high frequency output signal (image signal) emitted from the ceramic resonator 12 and converts it into a signal in the signal band of the detected object.

このように、検波回路はセラミック共振2i12からの
超高周波信号を検波するが、このとき、ダイオード22
の特性インピーダンスを考察すれば、このダイオード2
2の順方向のインピーダンスがセラミック共振器12に
大きな影響を与え、このダイオード22を直接共振器1
2に接続すると共振器12のQが低下するという不都合
が生しる。この不都合を防止するために、前記インダク
タンス素子21がダイオード22のアノード側に接続さ
れている。つまり、コンデンサ25とこのインダクタン
ス素子21は高イ0 ンビーダンス化回路として機能する。
In this way, the detection circuit detects the ultra-high frequency signal from the ceramic resonance 2i12, but at this time, the diode 22
Considering the characteristic impedance of this diode 2
The forward impedance of the diode 2 has a large influence on the ceramic resonator 12, and this diode 22 is directly connected to the resonator 1.
2, the problem arises that the Q of the resonator 12 is lowered. In order to prevent this inconvenience, the inductance element 21 is connected to the anode side of the diode 22. In other words, the capacitor 25 and the inductance element 21 function as a high impedance circuit.

増幅回路5はトランジスタ27と抵抗器等の素子を用い
て構成され、この増幅回路5は検波部4から加えられる
信号を増幅し図示されていない信号処理回路に供給する
一方、同時にAFC回路8に加える。
The amplifier circuit 5 is configured using elements such as a transistor 27 and a resistor, and this amplifier circuit 5 amplifies the signal applied from the detection section 4 and supplies it to a signal processing circuit (not shown), while simultaneously supplying the signal to the AFC circuit 8. Add.

このAFC回路8は、オペアンプ28と、コンデンサ2
6.29.30と、可変抵抗器31と、抵抗器32.3
5と、可変容量ダイオード33と、結合コンデンサ34
とを主要回路素子にもって構成されている。前記オペア
ンプ28の一側端子は増幅回路5の出力端に接続されて
おり、同オペアンプ28の+側端子は前記可変抵抗器3
1の摺動端子に接続されている。オペアンプ28の一掬
端子と出力端間にはコンデンサ29が接続されており、
また、オペアンプ28の出力端には抵抗器32を介して
コンデンサ30の一端側が接続され、同コンデンサ30
の他端側はアースに接続されている。さらに、オペアン
プ28の出力端は抵抗器32.35と結合コンデンサ3
4を介してセラミック共振器12の出力端側に接続され
ている。そして、結合コンデンサ34と抵抗器35との
接続部には可変容量ダイオード33のカソード側が接続
され、同可変容量ダイオード33のアノード側は接地さ
れている。
This AFC circuit 8 includes an operational amplifier 28 and a capacitor 2.
6.29.30, variable resistor 31, and resistor 32.3
5, variable capacitance diode 33, and coupling capacitor 34
The main circuit elements are: One side terminal of the operational amplifier 28 is connected to the output terminal of the amplifier circuit 5, and the + side terminal of the operational amplifier 28 is connected to the variable resistor 3.
1 sliding terminal. A capacitor 29 is connected between the first terminal of the operational amplifier 28 and the output terminal.
Further, one end side of a capacitor 30 is connected to the output end of the operational amplifier 28 via a resistor 32.
The other end is connected to ground. Furthermore, the output terminal of the operational amplifier 28 is connected to a resistor 32.35 and a coupling capacitor 3.
4 to the output end side of the ceramic resonator 12. The cathode side of the variable capacitance diode 33 is connected to the connecting portion between the coupling capacitor 34 and the resistor 35, and the anode side of the variable capacitance diode 33 is grounded.

このAFC回路8は増幅回路5から加えられる信号をオ
ペアンプ28により増幅するがこの信号を増幅するに際
し、コンデンサ29.30の平滑作用により、オペアン
プ28からの出力信号は周波数の低いほぼ直流の信号と
するのが一般的であるが、被検出体の動作速度に対応し
た時定数が設定される。
This AFC circuit 8 amplifies the signal applied from the amplifier circuit 5 using the operational amplifier 28. When amplifying this signal, the output signal from the operational amplifier 28 becomes a low frequency almost DC signal due to the smoothing effect of the capacitors 29 and 30. Generally, a time constant is set corresponding to the operating speed of the object to be detected.

またオペアンプ28からの出力信号はコンデンサ30と
抵抗器32、コンデンサ26と抵抗器35の2個の積分
回路を通ることによって、必要なレベルまで増幅される
とともに、非常に低い信号成分が可変容量ダイオード3
3に印加される。
Furthermore, the output signal from the operational amplifier 28 is amplified to the required level by passing through two integrating circuits: a capacitor 30 and a resistor 32, and a capacitor 26 and a resistor 35. 3
3 is applied.

可変容量ダイオード33は逆バイアス状態で用いられて
おり、本実施例では雷源雷圧を12Vとした場合、この
可変容量ダイオード33に6■以上の逆バイアス電圧を
与え、同ダイオード33の動作点を0電圧から負側の深
いバイアス点に設定している。
The variable capacitance diode 33 is used in a reverse bias state, and in this embodiment, when the lightning voltage of the lightning source is 12V, a reverse bias voltage of 6 or more is applied to the variable capacitance diode 33 to change the operating point of the diode 33. is set to a deep bias point on the negative side from 0 voltage.

11 2 なお、この可変容量ダイオード33の動作点の位置調整
は可変抵抗器31の抵抗値を可変することにより直流レ
ベルで調整できるようになっている。換言すれば、AF
C回路の中心動作点を可変設定できることである。前記
可変容量ダイオード33は前記積分回路から印加される
電圧に応じて容量を変・化させ、この容量変化を結合コ
ンデンサ34を介してセラミック共振器12に伝え、同
共振器12の共振周波数を変える。すなわち、何らかの
原因でセラミック共振器12の共振周波数が、例えば、
第4図のバックポーチ方式で設定した「。よりも右側に
ずれた場合には共振器12からの出力が低下し、共振周
波数特性曲線上の直線領域に定めた例えば、v0〜V、
の設定領域から外れてしまうという不都合が生じる。こ
のような場合、AFC信号を共振器12に付加すること
によって発振周波数flを自動的に右側にずらし、共振
器12からの出力かり。〜V、の設定領域から外れない
ようにするものであり、この意味においてこのAFC回
路は1種のAGC回路としても機能するものである。
11 2 The position of the operating point of the variable capacitance diode 33 can be adjusted at the DC level by varying the resistance value of the variable resistor 31. In other words, AF
The central operating point of the C circuit can be variably set. The variable capacitance diode 33 changes its capacitance according to the voltage applied from the integrating circuit, transmits this capacitance change to the ceramic resonator 12 via the coupling capacitor 34, and changes the resonant frequency of the resonator 12. . That is, for some reason, the resonant frequency of the ceramic resonator 12 may change, for example.
If the output from the resonator 12 is shifted to the right side of "." set in the back porch method shown in FIG. 4, the output from the resonator 12 will decrease.
This causes the inconvenience of falling outside the set range. In such a case, by adding an AFC signal to the resonator 12, the oscillation frequency fl is automatically shifted to the right, and the output from the resonator 12 is changed. ~V, so as not to deviate from the setting range, and in this sense, this AFC circuit also functions as a type of AGC circuit.

本発明は以上説明したように構成されており、以下、そ
の動作について説明する。
The present invention is configured as described above, and its operation will be described below.

例えば、第7図に示すように、セラミック共振器12の
共振周波数(同調周波数)roに対して発振回路部lの
発振周波数11をわずかに外れた値設に設定されている
状態において、検出部3によって検出される被検出体と
の静電容量の変化がない場合にはセラミック共振器12
からvoの一定電圧が出力される。これに対し、検出部
の電極部に人が近づいたり、VHDディスクのような面
の凹凸が検出部の電極の近傍を通過することにより、検
出部によって検出される静電容量がΔCだけ変化すると
、このΔCの変化は、C−L変換回路7によって次のよ
うにインダクタンスの変化に変換される。
For example, as shown in FIG. 7, when the oscillation frequency 11 of the oscillation circuit section l is set to a value slightly different from the resonant frequency (tuning frequency) ro of the ceramic resonator 12, the detection section If there is no change in capacitance with the detected object detected by 3, the ceramic resonator 12
A constant voltage of vo is output from. On the other hand, if a person approaches the electrode section of the detection section or an uneven surface such as a VHD disk passes near the electrode of the detection section, the capacitance detected by the detection section changes by ΔC. , this change in ΔC is converted into a change in inductance by the CL conversion circuit 7 as follows.

第3図に示すように、電気回路の4端子回路定数を集中
定数で表すときのYパラメータ(Yマトリックス)を用
いてC−L変換回路7をブラックボックスとして表し、
ジャイレータのコンダクタンスをG、入力端(セラミッ
ク共振器12側)の電圧を部Vl、電流をi、とし、出
力側(検出部33 4 側)の重圧をv2、電流を工2どすると、il、2はジ
ャイレータの全体を示す次の式で表される。
As shown in FIG. 3, the C-L conversion circuit 7 is expressed as a black box using the Y parameter (Y matrix) when expressing the four-terminal circuit constant of the electric circuit as a lumped constant.
Let the conductance of the gyrator be G, the voltage at the input end (ceramic resonator 12 side) be Vl, the current be i, the pressure on the output side (detecting part 33 4 side) be v2, and the current be 2, then il, 2 is expressed by the following equation showing the entire gyrator.

このインピーダンスジャイレータは出力側にコンデンサ
を接続すると、入力側はインダクタンス成分として働く
ので、出力側の静電容量の変化ΔCに刻して入力側はイ
ンピーダンスの変化ΔZ、として表される。
When a capacitor is connected to the output side of this impedance gyrator, the input side acts as an inductance component, so the input side is expressed as an impedance change ΔZ divided by a change in capacitance ΔC on the output side.

ΔZ ; =V+/i+  = j ωΔC/ G”た
だし、ωは角周波数 上記のように出力側で検出される静電容量の微小変化Δ
Cは(、−L変換回路7によりインピーダンスの微小変
化△Z、に変換され、このΔZ、の変化がセラミック共
振器12へ加えられる。このCL変換に際し、ΔZoの
式から分かるように、被検出体の静止状態のインピーダ
ンスは直接共振回路の共振に影響をおよぼすことがない
。このインピーダンスの変化ΔZ、を受けて、セラミッ
ク共振器12の共振周波数は例えば第7図でf。からf
olに移行する。このとき、発振周波数flは一定値に
保たれているから、セラミック共振器12から取り出さ
れる出力重圧ばV。に△■だけ加算されたv0+Δ■の
電圧として取り出される。
ΔZ; =V+/i+ = j ωΔC/G”, where ω is the angular frequency and the minute change in capacitance Δ detected on the output side as described above.
C is converted into a minute change in impedance ΔZ by the −L conversion circuit 7, and this change in ΔZ is applied to the ceramic resonator 12. During this CL conversion, as can be seen from the equation of ΔZo, the detected The impedance of the body at rest does not directly affect the resonance of the resonant circuit.In response to this impedance change ΔZ, the resonant frequency of the ceramic resonator 12 changes, for example, from f to f in FIG.
Move to ol. At this time, since the oscillation frequency fl is kept at a constant value, the output pressure V taken out from the ceramic resonator 12. It is taken out as a voltage of v0 + Δ■, which is added by Δ■ to .

一般に、第5図に示すように、あるレスポンスf (G
)を持った回路に信号f(×)を通ずと出力信号「(o
ut)として、 f (out) = f (G) f (x)の信号が
得られることが知られており、これを本実施例に当ては
めれば、「(に)を」ωL1の単一周波数、すなわち、
発振周波数で固定し、f(G)を画像信号や人の動きに
対応したP8の信号で与えるとすれば、 f(out)= jωL、±Pうどなり、振幅変調され
た出力が取り出される。本実施例において、発振周波数
を超高周波数、例えばIC!ilzとすれば、f(ou
t)はIGHzを中心とした±P8のシ1F域幅を持っ
た超高周波の信号になり、この超高周波の信号が検波回
路に加えられる。検波回路ではこの超高周波信号を包絡
線検波を行って被検出体の信号惜域(本実施例では3M
IIzの信号)に変換する。この帯域5 G 変換された信号は増幅回路5によって増幅され、その出
力信号の一部は図示されていない信号処理回路に送られ
、他の一部の信号はAFC回路8に分岐供給される。
Generally, as shown in FIG. 5, a certain response f (G
), the output signal “(o
It is known that a signal of f (out) = f (G) f (x) can be obtained as f (out) = f (G) f (x), and if this is applied to this example, "(to)" a single frequency of ωL1 , that is,
If the oscillation frequency is fixed and f(G) is given as an image signal or a P8 signal corresponding to the movement of a person, then f(out)=jωL, ±P, and an amplitude-modulated output is extracted. In this embodiment, the oscillation frequency is set to a very high frequency, for example, IC! If ilz, then f(ou
t) becomes an ultra-high frequency signal having a width of +/-P8 with a width of 1F centered on IGHz, and this ultra-high frequency signal is applied to the detection circuit. The detection circuit performs envelope detection of this ultra-high frequency signal to detect the signal area of the detected object (3M in this example).
IIz signal). This band 5 G converted signal is amplified by an amplifier circuit 5, a part of the output signal is sent to a signal processing circuit (not shown), and another part of the signal is branched and supplied to an AFC circuit 8.

AFC回路8ではこの入力されてくる信号をコンデンサ
29と30の平滑作用によりほぼ直流に近い400m1
[zに落とし、さらに積分回路で必要レヘルまで信号増
幅してこれを可変容量ダイオード33に加える。可変容
量ダイオード33はこの加えられる信号に従い容量を変
化させ、この客足変化でセラミック共振器12の共振周
波数1゜を最適に調整する。
The AFC circuit 8 converts this input signal into a 400 m
[Z], further amplify the signal to the required level using an integrating circuit, and add this to the variable capacitance diode 33. The variable capacitance diode 33 changes its capacitance according to this applied signal, and the resonant frequency 1° of the ceramic resonator 12 is optimally adjusted based on this change in customer volume.

本実施例によれば、発振回路部lの共振器と、共振回路
2の共振器とを共にセラミック共振器1012により構
成しているから、Qを大きな値にすることが可能となる
。しかも、セラミック共振器12の周囲部の回路、つま
り、インピーダンス変換回路6と、インダクタンス素子
21とコンデンサ25の共振回路と、AFC回路8とを
高インピーダンス化回路により構成しているから、セラ
ミノク共振器の動作時にQが低下することがなく、高感
度のもとで静電容量の微小変化を検出することが可能と
なる。
According to this embodiment, since both the resonator of the oscillation circuit section l and the resonator of the resonant circuit 2 are constituted by the ceramic resonator 1012, it is possible to make Q a large value. Moreover, since the circuits around the ceramic resonator 12, that is, the impedance conversion circuit 6, the resonant circuit of the inductance element 21 and the capacitor 25, and the AFC circuit 8 are configured with high impedance circuits, the ceramic resonator Q does not decrease during operation, making it possible to detect minute changes in capacitance with high sensitivity.

その上、本実施例では、検出部3で検出される静電容量
の微小変化を(、−L変換回路7によりインダクタンス
の微小変化に変換してセラミック共振器12へ加えてい
るから、Qあるいはインピーダンスが低い被検出体の静
電容量の変化を検出する場合においても、セラミック共
振器12のインピーダンスやQを低下させるということ
がなく、被検出体のQやインピーダンスの高低に関係な
く高感度のもとて静電容量の微小変化を検出することが
可能となる。
Furthermore, in this embodiment, the minute change in capacitance detected by the detection unit 3 is converted into a minute change in inductance by the -L conversion circuit 7 and applied to the ceramic resonator 12. Even when detecting changes in capacitance of an object to be detected with low impedance, the impedance and Q of the ceramic resonator 12 are not reduced, and high sensitivity is achieved regardless of the Q and impedance of the object to be detected. It becomes possible to detect minute changes in capacitance.

さらに、共振器をストリップラインを使用せずにセラミ
ック共振器1.0.12により構成したから、装置の超
小型が可能となる。すなわち、共振器をストリップライ
ンで構成すると、このストリップライン長として少くと
も発振周波数波長の%の長さを確保しなければならない
ため、ストリップラインの長さが長くなり、装置の小型
化を図ることが困難になるという問題がある。共振器を
講電体7 8 を用いて構成すれば、共振器の長さをストリップライン
を用いたもののε−172にすることができる。
Furthermore, since the resonator is constructed from a ceramic resonator 1.0.12 without using a strip line, it is possible to make the device extremely compact. In other words, if the resonator is constructed with a stripline, the length of the stripline must be at least % of the oscillation frequency wavelength, which increases the length of the stripline and makes it difficult to miniaturize the device. The problem is that it becomes difficult. If the resonator is configured using the electrical conductor 7 8 , the length of the resonator can be reduced to ε-172 compared to that using a strip line.

この誘電体を本実施例のようにセラミックにより構成す
れば、セラミックの誘電率εは40〜90であるので、
大幅な装色の小型化が図れることになる。
If this dielectric is made of ceramic as in this example, the dielectric constant ε of ceramic is 40 to 90, so
This means that the color scheme can be significantly reduced in size.

本実施例では縦20肋×横20[IIIQ×高さ2On
+mという非常に小型の装置とすることができた。
In this example, 20 vertical ribs x 20 horizontal ribs [IIIQ x 2 on height]
We were able to create an extremely small device of +m.

本実施例の装置によればI Xl0−3〜lXl0−’
PFの微小静電容量の検出を高感度のもとて検出するこ
とが可能となり、したがって、本実施例の装置を、従来
の一般的な用途であるビデオディスクとスタイラス間の
静電容量変化等の検出装置としてはもとより、さらに微
小容量の高感度検出により始めて可能となる用途、例え
ば、人体容量センサ(人の室内侵入センサ)、微小位置
検出センサ、高温位置センサ(例えば800 ”C雰囲
気中での極限位置検出センサ)、高分解能ロータリーエ
ンコーダ、微小部品検出素子(例えばキャリアテープ上
のチップコンデンサ等の検出素子)、ガスセンサ(ガス
の種類によって静電容量の違いが生じることを利用した
ガスの識別センサ)、脈拍センサ(血液中に含まれる鉄
分の通過量の変化を利用した脈拍の検出センサ)、液体
相と固体相の相転移点検出センサ(固体、液体、気体の
状態図における液体相と固体相との転移点での誘電率変
化の検出センサ)、イオン検出センサ、湿度検出センサ
等の全く新しい機能、かつ、用途を持った高感度で信頼
性のある超小型の静電センサ装置を安価に提供すること
が可能となる。
According to the apparatus of this embodiment, I Xl0-3 to lXl0-'
It is now possible to detect the minute capacitance of the PF with high sensitivity. Therefore, the device of this embodiment can be used to detect changes in capacitance between a video disk and a stylus, which are conventional general applications. Not only can it be used as a detection device, but it can also be used for applications that are only possible with highly sensitive detection of minute capacitance, such as human body capacitance sensors (human intrusion sensors), minute position detection sensors, and high temperature position sensors (e.g. in 800"C atmosphere). extreme position detection sensor), high-resolution rotary encoder, minute component detection element (e.g. detection element such as a chip capacitor on a carrier tape), gas sensor (gas identification using the difference in capacitance that occurs depending on the type of gas) sensor), pulse sensor (pulse detection sensor that uses changes in the amount of iron in the blood passing through), liquid phase and solid phase phase transition point detection sensor (liquid phase and solid phase transition point sensor in the solid, liquid, and gas phase diagram) We have developed a highly sensitive and reliable ultra-compact electrostatic sensor device with completely new functions such as a sensor for detecting changes in dielectric constant at the transition point with the solid phase), an ion detection sensor, and a humidity detection sensor. It becomes possible to provide the product at low cost.

また、本実施例では、ダイオード22の動作点を0電圧
から負側に光分離れた位置に設定しているから、ダイオ
ード22の信号の振幅成分が正側領域に入り込んで導通
するということがなく、この可変容量ダイオード33の
インピーダンスを常時高い値に維持させることが可能と
なり、セラミック共振器12のQダンプを防止すること
が可能となる。
Further, in this embodiment, since the operating point of the diode 22 is set at a position optically separated from 0 voltage to the negative side, it is possible that the amplitude component of the signal of the diode 22 enters the positive side region and becomes conductive. Therefore, the impedance of the variable capacitance diode 33 can be maintained at a high value at all times, and Q-dump of the ceramic resonator 12 can be prevented.

なお、本発明は上記実施例に限定されることはなく、様
々な実施の態様を採り得るものである。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be implemented in various ways.

例えば、上記実施例では、発振回路部1の共振器と、共
振回路2の共振器とを共にセラミック共振19 0 器to、 12により構成したが、これらの共振器の一
方あるいは両方をストリップラインにより構成してもよ
い。ただ、この場合は装置が大型となる。
For example, in the above embodiment, both the resonator of the oscillation circuit section 1 and the resonator of the resonant circuit 2 are composed of ceramic resonators 190 to 12, but one or both of these resonators may be formed by a strip line. may be configured. However, in this case, the device will be large.

また、上記実施例では、AFC回路8のAFC信号を結
合コンデンサ34を介してセラミック共振器12に加え
ているが、これとは異なり、このAFC信号を例えば第
1図の鎖線で示すようにC−L変換回路7へ加えて、同
様に共振回路2の共振周波数と発振回路部1の発振周波
数との同調点の安定化を図るようにしてもよい。
Further, in the above embodiment, the AFC signal of the AFC circuit 8 is applied to the ceramic resonator 12 via the coupling capacitor 34, but unlike this, the AFC signal is applied to the ceramic resonator 12 as shown by the chain line in FIG. In addition to the -L conversion circuit 7, the tuning point between the resonance frequency of the resonance circuit 2 and the oscillation frequency of the oscillation circuit section 1 may be similarly stabilized.

さらに、上記実施例では、C−L変換回路をトランジス
タジャイレータで形成したが、これを他の受動非相反素
子を用いて構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the CL conversion circuit is formed using a transistor gyrator, but it may be formed using other passive non-reciprocal elements.

さらに、発振周波数は1〜10GHzの範囲に限定され
るものではない。使用態様によってMHz4WやGHz
帯の中から最適周波数が選択される。
Furthermore, the oscillation frequency is not limited to the range of 1 to 10 GHz. MHz4W or GHz depending on usage
The optimal frequency is selected from within the band.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、微小静電容量の検出部と共振回路の共振器と
の間にC−L変換回路を介設したものであるから、被検
出体のQやインピーダンスが低い場合にも、この低イン
ピーダンスの影響が共振回路の共振器に及ぶことがない
。したがって、常時、共振器のQおよびインピーダンス
を高くした状態で静電容量の検出を行うことができ、こ
れにより、高感度のもとて微小静電容量の変化を検出す
ることが可能となる。
In the present invention, a C-L conversion circuit is interposed between the microcapacitance detection section and the resonator of the resonant circuit, so even when the Q or impedance of the detected object is low, this low The influence of impedance does not affect the resonator of the resonant circuit. Therefore, capacitance can always be detected with the resonator's Q and impedance being high, and this makes it possible to detect minute changes in capacitance with high sensitivity.

また、発振回路部の共振器と共振回路の共振器とを共に
セラミック共振器により構成することにより、装置の大
幅な軽量化および小型化を図ることが可能となる。
Further, by configuring both the resonator of the oscillation circuit section and the resonator of the resonant circuit with ceramic resonators, it is possible to significantly reduce the weight and size of the device.

さらに、C−L変換回路に発振回路部の発振周波数と共
振回路の共振周波数との同調点を安定化させる安定化制
御回路を接続することにより、常時同調点を最適設定位
置のもとで動作させることが可能となり、静電容量の検
出の信頼性を大幅に高めることができる。
Furthermore, by connecting a stabilization control circuit to the CL conversion circuit to stabilize the tuning point between the oscillation frequency of the oscillation circuit section and the resonance frequency of the resonant circuit, the tuning point is always operated at the optimal setting position. This makes it possible to significantly improve the reliability of capacitance detection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る静電センサ装置の一実施例の回路
図、第2図は同実施例におけるC−L変換回路の回路図
、第3図は同C−L変換回路の動1 2 作説明図、第4図は発振周波数と共振周波数との同調点
の設定方式を示す説明図、第5図は信号のレスポンス変
換例を示す説明図、第6図はRCA方式の一般的な静電
センサ製置のブロフク図、第7図はRCA方式の静電セ
ンサ装置の微小静電容量の検出動作の説明図である。 1・・・発振回路部、2・・・ノ(振回路、3・−・検
出部、4・・・検波部、5・・・増幅回路、6・・・高
インピーダンス変換回路、7・・・C−1−変換回路、
8・・・AFC回路、10・・・セラミック共振器、I
2・・・セラミック共振器、13.14.15.16・
・・トランジスタ、21・・・インダクタンス素子、2
2・・・ダイオード、23・・・コンデンサ、24・・
・抵抗器、25・・・結合コンデンサ、2G・・・コン
デンサ、27・・・トランジスタ、28・・・オペアン
プ、29.30・・・コンデンサ、31・・・可変抵抗
器、32・・・抵抗器、33・・・可変容量ダイオード
、34・・・結合コンデンサ、35・−・抵抗器。
Fig. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the electrostatic sensor device according to the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of a C-L conversion circuit in the same embodiment, and Fig. 3 is a circuit diagram of the C-L conversion circuit in the same embodiment. 2. Figure 4 is an explanatory diagram showing the method of setting the tuning point between the oscillation frequency and the resonance frequency. Figure 5 is an explanatory diagram showing an example of signal response conversion. Figure 6 is a general diagram of the RCA method. FIG. 7 is a diagram of the electrostatic sensor manufacturing process, and is an explanatory diagram of the operation of detecting minute capacitance of the RCA type electrostatic sensor device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Oscillation circuit section, 2... No (oscillation circuit, 3... Detection section, 4... Detection section, 5... Amplification circuit, 6... High impedance conversion circuit, 7...・C-1-conversion circuit,
8... AFC circuit, 10... Ceramic resonator, I
2... Ceramic resonator, 13.14.15.16.
...Transistor, 21...Inductance element, 2
2...Diode, 23...Capacitor, 24...
・Resistor, 25... Coupling capacitor, 2G... Capacitor, 27... Transistor, 28... Operational amplifier, 29.30... Capacitor, 31... Variable resistor, 32... Resistor 33... Variable capacitance diode, 34... Coupling capacitor, 35... Resistor.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)発振周波数信号を出力する発振回路部と、被検出
体との静電容量変化を検出する検出部と、この検出部で
検出される静電容量の微小変化で共振周波数が変化する
共振回路とを有する静電センサ装置において、前記検出
部と共振回路との間には検出部で検出される静電容量の
変化をインダクタンスの変化に変換して共振回路に伝え
るC−L変換回路が介設されていることを特徴とする静
電センサ装置。
(1) An oscillation circuit section that outputs an oscillation frequency signal, a detection section that detects changes in capacitance with the detected object, and resonance in which the resonance frequency changes due to minute changes in capacitance detected by this detection section. In the electrostatic sensor device having a circuit, a C-L conversion circuit is provided between the detection section and the resonant circuit to convert a change in capacitance detected by the detection section into a change in inductance and transmit it to the resonant circuit. An electrostatic sensor device characterized in that an electrostatic sensor device is provided.
(2)発振回路部の発振器と、共振回路の共振器とはと
もにセラミック共振器により構成されている特許請求の
範囲第1項の静電センサ装置。(3)共振回路又はC−
L変換回路には発振回路部の発振周波数と共振回路の共
振周波数との同調点を安定化させる安定化制御回路が接
続されている特許請求の範囲第1項又は第2項の静電セ
ンサ装置。
(2) The electrostatic sensor device according to claim 1, wherein the oscillator of the oscillation circuit section and the resonator of the resonance circuit are both constituted by ceramic resonators. (3) Resonant circuit or C-
The electrostatic sensor device according to claim 1 or 2, wherein the L conversion circuit is connected to a stabilization control circuit that stabilizes the tuning point between the oscillation frequency of the oscillation circuit section and the resonance frequency of the resonance circuit. .
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