JPH0366661B2 - - Google Patents

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JPH0366661B2
JPH0366661B2 JP598085A JP598085A JPH0366661B2 JP H0366661 B2 JPH0366661 B2 JP H0366661B2 JP 598085 A JP598085 A JP 598085A JP 598085 A JP598085 A JP 598085A JP H0366661 B2 JPH0366661 B2 JP H0366661B2
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JP
Japan
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integer
aromatic
group
formula
thin film
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Application number
JP598085A
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Japanese (ja)
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JPS60242454A (en
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Uinsento Kuriuero Jeimuzu
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
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Publication of JPH0366661B2 publication Critical patent/JPH0366661B2/ja
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【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は特殊な硬化性組成物の溶液から注型し
て作られた薄膜をフオトレジストとして使用した
回路板の製造方法に係わる。 かかる特殊な硬化性組成物は重量基準で、 (A) 0.5%乃至98%のエポキシ樹脂、 (B) 0.5%乃至98%のポリビニルアセタール乃び (C) 0.1%乃至10%の芳香族オニウム塩を含んで
成り、 ここに上記(A)、(B)及び(C)の合計は100%であり、
(C)は、式 (1)〔(R)a(R1)bD〕c +〔MQd〕-d-e で表わされる芳香族ハロニウム塩、式 (2)〔(R)f(R2)g(R3)hE〕c +〔MQd〕- d-e で表わされる第a属元素の芳香族オニウム塩、
乃び式 (3)〔(R)j(R4)k(R5)mG〕c +〔MQd〕-d-e で表わされる第a属元素の芳香族オニウム塩
(但し、Rは1価の芳香族有機基、R1は2価の芳
香族有機基、R2及びR4はアルキル、シクロアル
キル及び置換アルキルから選ばれた1価の脂肪族
有機基、R3及びR5はE又はGと複素環又は縮合
環構造を形成する多価有機基、Dはハロゲン基例
えばI、EはN、P、As、Sb及びBiから選ばれ
たa属元素、GはS、Se及びTeから選ばれた
第a属元素、Mは金属又は半金属、Qはハロゲ
ン基、aは1又は2の整数、bは0又は1の整
数、a+bの和は2又はDの原子価、fは0〜4
の整数、gは0〜2の整数、hは0〜2の整数、
f+g+hの和は4又はEの原子価、jは0〜3
の整数、kは0〜2の整数、mは0又は1の整
数、j+k+mの和は3又はGの原子価、c=d
−e、eはMの原子価で2〜7の整数、dはeよ
り大きく8までの整数)から選択される。 Rによつて包含される基は同じでも異つてもよ
く炭素原子6〜20個の芳香族炭素環式基か複素環
式基であり、C1-8アルコキシ、C1-8アルキル、ニ
トロ、クロロ等から選ばれた1価の基1〜4個で
置換されてよい。Rはより特定的にはフエニル、
クロロフエニル、ニトロフエニル、メトキシフエ
ニル、ピリジル等である。R1に包含される基は
2価の基で例えば
The present invention relates to a method of manufacturing circuit boards using a thin film cast from a solution of a special curable composition as a photoresist. Such specialized curable compositions include, by weight, (A) 0.5% to 98% epoxy resin, (B) 0.5% to 98% polyvinyl acetal, and (C) 0.1% to 10% aromatic onium salt. The sum of (A), (B) and (C) above is 100%,
(C) is an aromatic halonium salt represented by formula (1) [(R)a(R 1 )bD] c + [MQd] -de , and formula (2) [(R)f(R 2 )g( R 3 ) hE〕 c + [MQd] - aromatic onium salt of group a element represented by de ;
or formula (3) [(R)j(R 4 )k(R 5 )mG] c + [MQd] - aromatic onium salt of a group a element represented by -de (where R is a monovalent aromatic group organic group, R 1 is a divalent aromatic organic group, R 2 and R 4 are monovalent aliphatic organic groups selected from alkyl, cycloalkyl and substituted alkyl, R 3 and R 5 are E or G and A polyvalent organic group forming a heterocyclic or condensed ring structure, D is a halogen group, e.g. I, E is a group a element selected from N, P, As, Sb and Bi, and G is selected from S, Se and Te. M is a metal or metalloid, Q is a halogen group, a is an integer of 1 or 2, b is an integer of 0 or 1, the sum of a + b is 2 or the valence of D, f is 0 to 4
g is an integer of 0 to 2, h is an integer of 0 to 2,
The sum of f + g + h is 4 or the valence of E, j is 0 to 3
k is an integer of 0 to 2, m is an integer of 0 or 1, the sum of j+k+m is 3 or the valence of G, c=d
-e, e is the valence of M and is an integer from 2 to 7, and d is an integer greater than e and up to 8). The groups encompassed by R may be the same or different and are aromatic carbocyclic or heterocyclic groups of 6 to 20 carbon atoms, such as C 1-8 alkoxy, C 1-8 alkyl, nitro, It may be substituted with 1 to 4 monovalent groups selected from chloro and the like. R is more specifically phenyl,
These include chlorophenyl, nitrophenyl, methoxyphenyl, pyridyl, and the like. The groups included in R 1 are divalent groups, such as

【式】【formula】

【式】である。R2及びR4 基にはC1-8アルキル例えばメチル、エチル等、置
換アルキル例えば−C2H4OCH3、−
CH2COOC2H5、−CH2COCH3等が含まれる。R3
及びR5基には
[Formula]. R 2 and R 4 groups include C 1-8 alkyl such as methyl, ethyl, etc., substituted alkyl such as -C 2 H 4 OCH 3 , -
CH2COOC2H5 , -CH2COCH3 , etc. are included . R3
and for R 5 groups

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】の如き構造が含ま れ、Q′はO、CH2、N、R及びSから選ばれ、Z
はO、S及び
Structures such as [Formula] are included, Q' is selected from O, CH 2 , N, R and S, and Z
are O, S and

【式】から選ばれ、そしR′は水素 及び炭素水素から選ばれた1価の基である。 式1のMによつて包含される金属又は半金属は
遷移金属例えばSb、Fe、Sn、Bi、Al、Ga、In、
Ti、Zr、Sc、V、Cr、Mn、Cs、希土類元素例
えばランタニド例えばCd、Pr、Nd等、アクチニ
ド例えばTh、Pa、U、Np等、及び半金属例え
ばB、P、As等である。MQd-(d-e)によつて包含
される錯アニオンは例えばBF4 -、PF6 -、AsF6 -
SbF6 -、FeCl4 -、SnCl6 -、SbCl6 -、BiCl5 -等であ
る。 式1によつて包含されるハロニウム塩は例えば
and R' is a monovalent group selected from hydrogen and carbon-hydrogen. The metals or metalloids encompassed by M in formula 1 are transition metals such as Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ga, In,
Ti, Zr, Sc, V, Cr, Mn, Cs, rare earth elements such as lanthanides such as Cd, Pr, Nd, etc., actinides such as Th, Pa, U, Np, etc., and metalloids such as B, P, As, etc. Complex anions encompassed by MQd -(de) are, for example, BF 4 - , PF 6 - , AsF 6 - ,
These include SbF 6 - , FeCl 4 - , SnCl 6 - , SbCl 6 - , BiCl 5 - , etc. Halonium salts encompassed by formula 1 are e.g.

【式】【formula】 【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】である。 式2によつて包含される第a属オニウム塩は
例えば である。 式3によつて包含される第a属オニウム塩に
は例えば、 等がある。 式1〜3のオニウム塩は種々の方法で製造でき
る。式1のオニウム塩は水性の条件下で硫酸水素
アリールハロニウム塩と、対応する六弗化酸又は
塩例えばY1MF6(但し、Y1は水素、アルカリ金属
イオン、アルカリ土類金属イオン又は遷移金属イ
オンである)との間に接触をもたらして製造でき
る。 対応するハロニウム塩を製造するための上記の
メタセシスに加えて、銀化合物例えば酸化銀又は
テトラフルオロ硼素酸銀塩を使つてこれを適当な
ジアリールハロニウム塩と反応させるエム・シ
ー・カセリオ(M.C.Caserio)等のジヤーナル・
オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイアテイ(J.
Am.Chem.Soc.)81336(1959)に於いて又はエ
ム・シー・ベリンガー(M.C.Beringer)等のジ
ヤーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイ
アテイ(J.Am.Chem.soc.)81342(1959)に於い
て示される方法によつても調製できる。第a属
化合物例えばスルホニウム、セレノニウム及びテ
ルロニウム化合物は、ジエー・ダブリユ・ナツプ
クズイク及びダブリユ・イー・マツクイーウエン
(J.W.Knapczyk and W.E.McEwen)のジヤー
ナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイアテ
イ(J.Am.Chem.Soc.),91 145,(1969)、エ
ー・エル・メイコツク及びジー・エー・バーチト
ールド(A.L.Maycock and G.A.Berchtold)の
ジヤーナル・オブ・オーガニツク・ケミストリイ
(J.Org.Chem),35 No.8,2532(1970)、エツ
チ・エム・ピツト(H.M.Pitt)の米国特許第
2807648号、イー・ゴーイザールス及びピー・
デ・ラドゼツツキー(E.Goethals and P.De
Radzetzky)のブルテイン・オブ・ソサイアテ
イ・オブ・ケミストリイ・オブ・ベルギー(Bul.
Soc.Chem.Belg),73 546(1964)、エツチ・エ
ム・ライチエスター及びエフ・ダブリユ・バーグ
ストロム(H.M.Leichester and F.W.
Bergstrom)のジヤーナル・オブ・アメリカン・
ケミカル・ソサイアテイ(J.Am.Chem.Soc.),
51 3587(1929)等に示された方法によつて製造で
きる。 第a属オニウム塩例えばアルソニウム、アン
チモニウム及びビスマソニウムを製造するのに使
用できる方法はゴーエルデラー(Goerdeler),
メゾデン・デル・オルガニツシエン・キミイ
(Methoden der Organishen Chimie)11/2,
591−640(1958)及びケ・サツセ(k.Sasse),ア
イデツド(Idid),12/1 79−112(1963)に見
ることができる。 上記の硬化性組成物の記載にあたり使用される
用語「エポキシ樹脂」は1個あるいは複数のエポ
キシ官能基を含んだ任意の単量体、二量体、オリ
ゴマー又はポリマー性エポキシ物質を包含する。
例えば、ビスフエノールーA(4,4′−イソプロ
ピリデンジフエノール)とエピクロロヒドリンと
の反応から生じた又は低分子量フエノールーホル
ムアルデヒド樹脂(ノボラツク樹脂)とエピクロ
ロヒドリンとの反応によつて生じた樹脂を単独
で、又は反応性希釈剤としてのエポキシ含有化合
物と組り合わせて使用できる。フエニルグリシジ
ルエーテル、4−ビニルシクロヘキセンジオキシ
ド、リモネンジオキシド、1,2−シクロヘキセ
ンオキシド、グリシジルアクリレート、グリシジ
リメタクリレート、スチレンオキシド、アリルグ
リシジルエーテル等の希釈剤が粘度変調剤として
添加できる。 更に、これ等の化合物の範囲は未端又は懸垂エ
ポキシ基を含んだ重合体物質を含む程度に拡張で
きる。これ等の化合物の例は共単量体の一つとし
てグリシジルアクリレート又はメタクリレートを
含んだビニル共重合体である。上記の触媒を使つ
て硬化に服するエポキシ含有重合体の他の類のも
のはエポキシ−シロキサン樹脂、エポキシ−ポリ
ウレタン及びエポキシ−ポリエステルである。こ
れ等の重合体は重合体鎖の末端にエポキシ官能基
を有するのが普通である。エポキシ−シロキサン
樹脂とその製法はイー・ピー・プルーデマン及び
ジー・フランジヤー(E.P.Plueddemann and G.
Franger)のジヤーナル・オブ・アメリカン・ケ
ミカル・ソサイアテイ(J.Am.Chem.Soc.)80
632−5(1959)により詳しく示されている。文献
に記載されているように、エポキシ樹脂は又例え
ばアミン、カルボン酸、チオール、フエノール、
アルコール等との反応の如き多くの標準法によつ
て変性でき、これについては例えば米国特許第
2935488号、第3235620号、第3369055号、第
3379653号、第3398211号、第3403199号、第
3563850号、第3567797号、第3677995号等に示さ
れている。使用できるエポキシ樹脂の例が更にエ
ンサイクロピーデイア・オブ・ポリマー・サイエ
ンス・アンド・テクノロジー(Encyclopedia of
Polymer Science and Technology),第6巻、
1967、インターサイエンス・パブリツシヤーズ、
ニヨー・ヨーク(Intersciene PublisherS.New
York),頁209271に示されている。 又、上記の硬化性組成物に使用できるポリビニ
ルアセタールは例えば、 及び と化学的に結合した諸単位の混合物でよく、ここ
に該重合体は平均約5〜5000単位を含むことがで
き、R6は水素、C1-8アルキル、例えばメチル、
エチル、ブチル及びこれ等の混合物から選ばれ
る。本発明の実施に使用できるポリビニルアセタ
ールが更にエンサイクロピーデイア・オブ・ポリ
マー・サイエンス・アンド・テクノロジー
(Encyclopedia of Polymer Science and
Technology)、エツチ・エフ・マーク及びエヌ
ー・ジー・ゲイロード(H.F.Mark and N.G.
Gaylord),第14巻、149頁(1971)に示されてい
る。 上記の硬化性組成物は有機溶媒溶液から注型し
て乾燥薄膜フオトレジストとすることができる。
使用できる適当な有機溶媒は例えば塩化メチレ
ン、クロロホルム、メチルエチルケトン、セロソ
ルブアセテート、テトラヒドロフラン、アセトニ
トリル等で、硬化性組成物の0〜80重量%で使わ
れる。この硬化性組成物は100〜200℃の温度で硬
化できる。 好ましくは、上記の硬化性組成物を紫外線に露
出して耐溶剤性の状態の注型薄膜とすることもで
きる。乾燥薄膜フオトレジストとして使うときに
は、波長1849Å〜4000Åで強度少なくとも5000〜
80000μW/cm2の紫外線照射によりマスクを使つ
て薄膜に模様をかたどることができる。こうした
放射線の発生に使われるランプ系統は紫外線ラン
プ、例えば動作圧力が数ミリメートルから約10気
圧のキセノン、金属ハロゲン化物、金属アーク例
えば低圧、中圧又は高圧水銀蒸気放電灯等の放電
灯1〜50個で形成される。ランプには波長約1849
Å〜4000Å好ましくは2400Å〜4000Åの光を透過
できる外被を含みうる。このランプ外被は石英例
えばSpectrocilあるいはPyrex等から成ることが
できる。紫外線放射線を提供するのに使用できる
代表的なランプは例えば中圧水銀アーク灯例えば
GEHT37アーク灯及びHanovia450Wアーク灯で
ある。全部あるいは一部が不活性雰囲気中で動作
できる種々のランプの組合せによつて硬化を行う
ことができる。紫外線ランプを使つて乾燥薄膜フ
オトレジストの硬化を行うためには基体上にあた
る照射線束は少なくとも0.01ワツト/平方インチ
であつてよい。 硬化性組成物にはエポキシ樹脂100部あたり100
部までの量で、不活性成分例えば無機充填剤、染
料、顔料、増容剤、粘度制御剤、処理助剤、紫外
線遮蔽物等を含んでよい。硬化性組成物は金属、
ゴム、プラスチツク、成形部品、薄膜、紙、木、
ガラス、布、コンクリート、セラミツク等の如き
基体に塗布できる。 本発明の理解を容易にするため以下に実施例及
び参考例を示すが、これ等は例示にすぎず限定的
な意味はもたない。部は全て重量部である。 参考例 1 ポリビニルホルマール(Monsanto
Formvar12/85)10部、Ciba−Geigy Araldite
ECN 1299 クレゾール−ノボラツクエポキシ樹
脂25部、トリフエニルスルホニウムヘキサフルオ
ロアンチモネート0.3部及びクロロホルム約80部
より成る溶液をガラス板上に注型して5ミルの薄
膜とした。この薄膜を取り剥がしこれを6インチ
の距離にあるGEHT37中圧水銀アーク灯からの
紫外光にガラス接触マスクを通して3分間露出し
た。照射後、薄膜中に可視像が認められた。薄膜
をクロロホルム中に浸漬して潜像を現像した。薄
膜中にはつきり浮き上がつたマスクのネガ像が生
じた。 参考例 2 Formvar15/95 Eポリビニルホルマール10
部、参考例1のエポキシ樹脂(ECN 1299)5
部、トリフエニルスルホニウムヘキサフルオロア
ンチモネート0.3部及び塩化メチレン80部から調
製した溶液をポリエチレンテレフタレート基体上
に5ミルの薄膜として注型した。生じた複合物の
頂部上に次いで接触マスクを置き参考例1に記載
のようにして紫外光下に3分間露出した。次いで
こうして得られた複合物を2−エトキシエチルア
セテート中に浸漬して現像した。こうして、表面
にマスクのネガ像を有するポリエチレンテレフタ
レート基体が得られたが、これは印刷板として有
用であつた。 参考例 3 Formvar 15/95 E10部、トリフエニルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート0.3部、
Araldite ECN 1299を5部及び塩化メチレン約
80部を溶かして硬化性組成物を調製した。次い
で、生じた溶液をガラス板上に注型した。この溶
液より溶媒を蒸発させると半透明の薄膜が得られ
た。次いでこの薄膜をガラス基体より剥がしてマ
スクと接触させた。次ぎに、参考例1に記載の如
くこの薄膜を約1.5分間照射した。この薄膜を次
いで炉内で100℃に5分間加熱した。クロロホル
ムを使つて薄膜を現像するとマスクのはつきりし
たネガが再生された。 実施例 ポリビニルアルコールとブチルアルデヒドの反
応生成物(ButvarB−74)10部、Araldite ECN
1299を2.5部、トリフエニルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート0.3部及び塩化メチレン約
90部から成る硬化性組成物よりガラス板上に薄膜
を注型した。この薄膜をガラス板から剥がし、次
いで銅で被覆したエポキシ−ガラス回路板上に加
圧下130℃にて積層した。参考例1の如くして接
触マスクを使つてこの積層板を紫外光にさらし
た。次いで、クロロホルムを使つてこの積層物を
現像し銅上に硬化性樹脂のネガ像を生成させた。
次ぎに、銅積層物を塩化第二鉄を使つてエツチン
グした。エポキシガラス基体の表面上の銅中にマ
スクのポジ像を有する銅被覆積層物が得られた。 参考例 4 光開始剤としてトリフエニルスルホニウムヘキ
サフルオロアンチモネートを使用した組成物中に
Dayglo T−13顔料0.1部を使つた外は、実施例
に記載したようにして硬化性組成物を調製した。
一枚のポリエチレンテレフタレート薄板上に薄膜
を注型した。薄膜を乾燥後、これを接触マスクで
被覆し参考例1に記載のようにした紫外光にさら
した。こうして照射した感光性薄膜−ポリエチレ
ンテレフタレート複合物を次いで平坦な白い紙に
接触させ加圧下で130℃に加熱した。白い紙の上
にマスクの明瞭なネガ像が得られた。この複合物
を同じ手順に従つて使い、更に数枚の紙にマスク
の鮮明なネガ像を転写できるのが分つた。 次の参考例はジアリールハロニウム塩を、エポ
キシ樹脂に対する可視光光開始剤としての或る種
の有機染料と共に使う例を示している。 参考例 5 Formwar15/95 E10部、Araldite ECN 1299
を2.5部、ジフエニルヨードニウムヘキサフルオ
ロアルセネート0.3部、ベンゾフラビン0.1部及び
塩化メチレン約80部から成る塩化メチレン溶液を
Mylar薄膜上に注型した。薄膜を乾燥後、これを
可視光源であるGE375W写真用電球を使つて像様
式の露出にかけた。5分照射すると薄膜中に鮮明
な像が生じた。クロロホルム、2−エトキシエチ
ルアセテート又は塩化メチレンを使つて潜像を現
像し、マスクの鮮明に浮き上がつた複製物をもた
らした。 実施例から理解されるように、上記の硬化性組
成物を乾燥薄膜フオトレジストとして使つて銅被
覆回路板が製造できる。 ベンゾフラビンの代りにアクリジンオレンジを
使う外、上の手順を繰り返えした。更に、ベンゾ
フラビンの代りにホスフエン−R染料を使つて第
3の薄膜を注型した。ベンゾフラビンに代えて使
つた前記染料の各々について実質的に等価な結果
が得られた。 Formvar15/95 Eを等量のエチルセルロース
で置き換えて上記のようにした硬化性組成物を調
製した。この混合物から薄膜を注型し接触マスク
を使つて像様式の露出にかけた。この薄膜の現像
を試みたところ露出生成薄膜はクロロホルム中に
完全に溶解した。このことは、乾燥薄膜フオトレ
ジストの作成に必要とされるポリビニルアセター
ルが存在しないと架橋が生じなかつたことを示し
ている。 上述の如き可視光硬化性組成物に使われる上記
の染料の外に、ジフエニルモードリウム塩と共に
使用できる他の染料は例えばカークーオズマー・
エンサイクロピーデイア、第2版(Kirk−
Othmer Encyclopedia,second edition)1965,
第20巻194−7頁、ジヨン・ウイリイ・アンド・
サンズ、ニユーヨーク(John Wiley&Sons、
New York)に示されている如き陽イオン染料
である。上述の陽イオン染料に加えて、塩基性染
料も使用でき、これについては上記のカークーオ
ズマー・エンサイクロピーデイア(Kirk−
Othmer Encyclopedia),第7巻、532−4頁に
示されている。使用できる陽イオン染料のいくつ
かを例示すると、 アクリジンオレンジ C.I.46005 アクリジンエロー C.I.46025 セトフラビンT C.I.49005 がある。更に、使用できる塩基性染料のいくつか
を例示すると、 ヘマトポルフイリン 4,4′−ビスジメチルアミノベンゾフエノン、 4,4′−ビスジエチルアミノベンゾフエノン 等がある。
[Formula]. Group a onium salts encompassed by formula 2 are e.g. It is. Group a onium salts encompassed by formula 3 include, for example: etc. Onium salts of formulas 1-3 can be prepared in a variety of ways. The onium salt of formula 1 can be prepared by combining the arylhalonium hydrogensulfate salt under aqueous conditions with the corresponding hexafluoric acid or salt such as Y 1 MF 6 (where Y 1 is hydrogen, an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion or transition metal ions). In addition to the above metathesis to produce the corresponding halonium salts, MCCaserio uses silver compounds such as silver oxide or silver tetrafluoroborate salts and reacts them with suitable diarylhalonium salts. journals such as
of the American Chemical Society (J.
Am.Chem.Soc.) 81336 (1959) or Journal of American Chemical Society (J.Am.Chem.soc.) 81342 (1959) of M.C. Beringer et al. It can also be prepared by the method shown in . Group A compounds, such as sulfonium, selenonium and telluronium compounds, can be found in the Journal of American Chemical Society (J.Am.Chem.Soc.) of JWKnapczyk and WEMcEwen. 91 145, (1969), AL Maycock and GABerchtold, Journal of Organic Chemistry (J.Org.Chem), 35 No. 8, 2532 (1970), H.・US Patent No. of HMPitt
No. 2807648, E. Goisars and P.
De Radozecki (E.Goethals and P.De
Radzetzky's Bulletin of Society of Chemistry of Belgium (Bul.
Soc.Chem.Belg), 73 546 (1964), HMLeichester and F.W.
Bergstrom) Journal of American
Chemical Society (J.Am.Chem.Soc.)
51 3587 (1929) etc. A process that can be used to produce Group A onium salts such as arsonium, antimonium and bismasonium is described by Goerdeler.
Methoden der Organishen Chimie 11/2,
591-640 (1958) and K. Sasse, Idid, 12/1 79-112 (1963). The term "epoxy resin" as used in describing the above curable compositions includes any monomeric, dimeric, oligomeric or polymeric epoxy material containing one or more epoxy functional groups.
For example, those resulting from the reaction of bisphenol-A (4,4'-isopropylidene diphenol) with epichlorohydrin or the reaction of low molecular weight phenol-formaldehyde resins (novolac resins) with epichlorohydrin. These resins can be used alone or in combination with epoxy-containing compounds as reactive diluents. Diluents such as phenyl glycidyl ether, 4-vinylcyclohexene dioxide, limonene dioxide, 1,2-cyclohexene oxide, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, styrene oxide, and allyl glycidyl ether can be added as viscosity modifiers. Additionally, the scope of these compounds can be extended to include polymeric materials containing terminating or pendant epoxy groups. Examples of these compounds are vinyl copolymers containing glycidyl acrylate or methacrylate as one of the comonomers. Other classes of epoxy-containing polymers that are subject to curing using the above catalysts are epoxy-siloxane resins, epoxy-polyurethanes and epoxy-polyesters. These polymers typically have epoxy functionality at the end of the polymer chain. Epoxy-siloxane resins and their manufacturing methods are described by E.P. Plueddemann and G.
Franger) Journal of American Chemical Society (J.Am.Chem.Soc.) 80
632-5 (1959). As described in the literature, epoxy resins can also contain e.g. amines, carboxylic acids, thiols, phenols,
Denaturation can be accomplished by a number of standard methods, such as reaction with alcohols, etc., as described for example in U.S. Pat.
No. 2935488, No. 3235620, No. 3369055, No.
No. 3379653, No. 3398211, No. 3403199, No.
No. 3563850, No. 3567797, No. 3677995, etc. Further examples of epoxy resins that can be used can be found in the Encyclopedia of Polymer Science and Technology.
Polymer Science and Technology), Volume 6,
1967, Interscience Publishers,
New York (Intersciene PublisherS.New
York), p. 209271. In addition, polyvinyl acetals that can be used in the above curable composition include, for example, as well as but and wherein the polymer can contain on average about 5 to 5000 units, R 6 is hydrogen, C 1-8 alkyl, e.g. methyl,
Selected from ethyl, butyl and mixtures thereof. Polyvinyl acetals that can be used in the practice of this invention are further described in the Encyclopedia of Polymer Science and Technology.
Technology), HFMark and NG Gaylord
Gaylord, Vol. 14, p. 149 (1971). The curable composition described above can be cast from an organic solvent solution into a dry thin film photoresist.
Suitable organic solvents that can be used include, for example, methylene chloride, chloroform, methyl ethyl ketone, cellosolve acetate, tetrahydrofuran, acetonitrile, etc., used in an amount of 0 to 80% by weight of the curable composition. This curable composition can be cured at temperatures of 100-200°C. Preferably, the above-described curable composition can be exposed to ultraviolet light to form a cast thin film in a solvent-resistant state. When used as a dry thin film photoresist, the wavelength is 1849 Å to 4000 Å and the intensity is at least 5000~
By irradiating ultraviolet light at 80,000μW/cm 2 , patterns can be created on a thin film using a mask. The lamp systems used for the generation of such radiation include ultraviolet lamps, e.g. formed by individuals. The lamp has a wavelength of approximately 1849
It may include a jacket capable of transmitting light between 2400 Å and 4000 Å, preferably between 2400 Å and 4000 Å. The lamp envelope can be made of quartz, such as Spectrocil or Pyrex. Typical lamps that can be used to provide ultraviolet radiation include medium pressure mercury arc lamps, e.g.
GEHT37 arc lamp and Hanovia 450W arc lamp. Curing can be effected by various lamp combinations, all or part of which can be operated in an inert atmosphere. For curing of dry thin film photoresists using ultraviolet lamps, the radiation flux impinging on the substrate may be at least 0.01 watts per square inch. 100 per 100 parts of epoxy resin for curable compositions
% of inert ingredients such as inorganic fillers, dyes, pigments, bulking agents, viscosity control agents, processing aids, ultraviolet light shielding agents, and the like. The curable composition is a metal,
Rubber, plastics, molded parts, thin films, paper, wood,
It can be applied to substrates such as glass, cloth, concrete, ceramics, etc. Examples and reference examples are shown below to facilitate understanding of the present invention, but these are merely illustrative and do not have a limiting meaning. All parts are parts by weight. Reference example 1 Polyvinyl formal (Monsanto
Formvar12/85) 10 copies, Ciba-Geigy Araldite
A solution consisting of 25 parts of ECN 1299 cresol-novolac epoxy resin, 0.3 parts of triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and about 80 parts of chloroform was cast onto a glass plate to form a 5 mil thin film. The film was stripped and exposed through a glass contact mask to ultraviolet light from a GEHT37 medium pressure mercury arc lamp at a distance of 6 inches for 3 minutes. After irradiation, a visible image was observed in the thin film. The film was immersed in chloroform to develop the latent image. A negative image of the mask was formed in the thin film. Reference example 2 Formvar15/95 E polyvinyl formal 10
Part, epoxy resin of Reference Example 1 (ECN 1299) 5
A solution prepared from 0.3 parts triphenylsulfonium hexafluoroantimonate and 80 parts methylene chloride was cast as a 5 mil thin film onto a polyethylene terephthalate substrate. A contact mask was then placed on top of the resulting composite and exposed under ultraviolet light for 3 minutes as described in Reference Example 1. The composite thus obtained was then developed by immersing it in 2-ethoxyethyl acetate. A polyethylene terephthalate substrate was thus obtained with a negative image of the mask on its surface, which was useful as a printing plate. Reference example 3 Formvar 15/95 E10 parts, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate 0.3 parts,
5 parts of Araldite ECN 1299 and approx. methylene chloride
A curable composition was prepared by dissolving 80 parts. The resulting solution was then cast onto a glass plate. When the solvent was evaporated from this solution, a translucent thin film was obtained. This thin film was then peeled off from the glass substrate and brought into contact with a mask. The film was then irradiated as described in Reference Example 1 for about 1.5 minutes. The film was then heated in an oven to 100°C for 5 minutes. Developing the thin film using chloroform reproduced the sharp negative of the mask. Example 10 parts of reaction product of polyvinyl alcohol and butyraldehyde (ButvarB-74), Araldite ECN
2.5 parts of 1299, 0.3 parts of triphenylsulfonium hexafluoroarsenate and approx.
A thin film was cast onto a glass plate from a curable composition consisting of 90 parts. The film was peeled from the glass plate and then laminated onto a copper-coated epoxy-glass circuit board at 130°C under pressure. The laminate was exposed to ultraviolet light using a contact mask as in Reference Example 1. The laminate was then developed using chloroform to produce a negative image of the curable resin on the copper.
The copper laminate was then etched using ferric chloride. A copper coated laminate was obtained with a positive image of the mask in the copper on the surface of the epoxy glass substrate. Reference Example 4 In a composition using triphenylsulfonium hexafluoroantimonate as a photoinitiator,
Curable compositions were prepared as described in the Examples except that 0.1 part of Dayglo T-13 pigment was used.
A thin film was cast onto a piece of polyethylene terephthalate sheet. After drying the film, it was covered with a contact mask and exposed to ultraviolet light as described in Reference Example 1. The thus irradiated photosensitive thin film-polyethylene terephthalate composite was then brought into contact with a flat white paper and heated to 130 DEG C. under pressure. A clear negative image of the mask was obtained on white paper. It was found that this composite could be used to transfer clear negative images of the mask onto several additional sheets of paper following the same procedure. The following reference examples illustrate the use of diarylhalonium salts with certain organic dyes as visible light photoinitiators for epoxy resins. Reference example 5 Formwar15/95 E10 part, Araldite ECN 1299
2.5 parts of diphenyl iodonium hexafluoroarsenate, 0.1 part of benzoflavin, and about 80 parts of methylene chloride.
Cast onto Mylar thin film. After drying the film, it was subjected to imagewise exposure using a visible light source, a GE375W photographic bulb. A clear image was formed in the thin film after 5 minutes of irradiation. The latent image was developed using chloroform, 2-ethoxyethyl acetate or methylene chloride, resulting in a sharply raised replica of the mask. As can be seen from the examples, the curable composition described above can be used as a dry thin film photoresist to produce copper-clad circuit boards. The above steps were repeated, except using acridine orange instead of benzoflavin. Additionally, a third film was cast using phosphene-R dye instead of benzoflavin. Substantially equivalent results were obtained with each of the above dyes used in place of benzoflavin. A curable composition was prepared as described above by replacing Formvar 15/95 E with an equal amount of ethylcellulose. Thin films were cast from this mixture and subjected to imagewise exposure using a contact mask. When an attempt was made to develop this thin film, the exposed thin film was completely dissolved in chloroform. This indicates that crosslinking did not occur in the absence of the polyvinyl acetal required to make the dry thin film photoresist. In addition to the dyes mentioned above for use in visible light curable compositions as described above, other dyes that can be used with the diphenylmodrium salt include, for example, Kirkoo osmer.
Encyclopedia, 2nd edition (Kirk-
Othmer Encyclopedia, second edition) 1965,
Volume 20, pp. 194-7, John Willy &
Sons, New York (John Wiley & Sons,
(New York). In addition to the cationic dyes mentioned above, basic dyes can also be used and are described in the Kirk-Osmer Encyclopedia mentioned above.
Othmer Encyclopedia), Volume 7, pages 532-4. Some examples of cationic dyes that can be used are Acridine Orange CI46005 Acridine Yellow CI46025 Cetoflavin T CI49005. Furthermore, some examples of basic dyes that can be used include hematoporphyrin, 4,4'-bisdimethylaminobenzophenone, and 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 (a) (A) 0.5%乃至98%のエポキシ樹脂、 (B) 0.5%乃至98%のポリビニルアセタール及び (C) 0.1%乃至10%の芳香族オニウム塩を 重量基準にて含み、ここに上記(A)、(B)及び(C)の
和は100%であり、そして上記(C)が式 〔(R)a(R1)bD〕C +〔MQd〕-d-e で表わされる芳香族ハロニウム塩、式 〔R)f(R2)g(R3)hE〕c +〔MQd〕-d-e で表わされる第a属元素の芳香族オニウム塩及
び式 〔(R)j(R4)k(R5)mG〕c +〔MQd〕-d-e で表わされる第a属元素の芳香族オニウム塩
(但し、Rは1価の芳香族有機基、R′は2価の芳
香族有機基、R2及びR4はアルキル、シクロアル
キル及び置換アルキルから選ばれた1価の脂肪族
有機基、R3及びR5はE又はGと複素環又は縮合
環を形成する脂肪族基及び芳香族基から選ばれた
多価の有機基、Dはハロゲン例えばI、EはN、
P、As、Sb及びBiから選ばれた第a属元素、
GはS、Se及びTeから選ばれた第a属元素、
Mは金属又は半金属、Qはハロゲン、aは0又は
2の整数、bは0又は1の整数、和a+bは2又
はDの原子価、fは0〜4の整数、gは0〜2の
整数、hは0〜2の整数、和f+g+hは4又は
Eの原子価、jは0〜3の整数、kは0〜2の整
数、mは0又は1の整数、和j+k+mは3又は
Gの原子価、c=d−e、eはMの原子価で2〜
7の整数、そしてdはeより大きく8までの整
数)及びそれ等の混合物から選ばれる、硬化性組
成物の溶液を注型して作つた薄膜を銅被覆積層物
に接触させて複合構造物を製造し、b前記aの複
合構造物の注型薄膜上に接触マスクを置き、c前
記複合構造物を紫外光にさらして前記aの複合構
造物の注型薄膜の露出領域を硬化し、d接触マス
クを除いた後、得られる露出された複合構造物を
溶媒中に浸漬して注型薄膜の硬化されていない領
域を除去して注型薄膜中の潜像を現像しそれによ
つて接触マスクのネガ像として模様をかたどられ
フオトレジストとして働く硬化された注型薄膜に
よつて保護された銅被覆積層物を製造し、e前記
銅被覆積層物を腐食して銅の露出域の除去を行
い、そしてf得られる銅被覆積層物から硬化注型
薄膜のフオトレジストを除去して接触マスクのポ
ジ像として模様をかたどられた銅で被覆された回
路板を製造する、ことより成る回路板の製造法。
[Scope of Claims] 1 (a) (A) 0.5% to 98% epoxy resin, (B) 0.5% to 98% polyvinyl acetal, and (C) 0.1% to 10% aromatic onium salt, by weight. , where the sum of (A), (B) and (C) above is 100%, and (C) above is the formula [(R)a(R 1 )bD] C + [MQd] - Aromatic halonium salt represented by de , formula [R) f(R 2 ) g (R 3 ) hE] c + [MQd] - aromatic onium salt of group a element represented by de and formula [(R) j (R 4 ) k (R 5 ) mG] c + [MQd] - aromatic onium salt of group a element represented by -de (where R is a monovalent aromatic organic group, R' is a divalent aromatic organic group) aromatic organic group; R 2 and R 4 are monovalent aliphatic organic groups selected from alkyl, cycloalkyl, and substituted alkyl; R 3 and R 5 are aliphatic groups that form a heterocycle or fused ring with E or G; polyvalent organic group selected from groups and aromatic groups, D is halogen, e.g. I, E is N,
a group a element selected from P, As, Sb and Bi;
G is a group a element selected from S, Se and Te;
M is a metal or metalloid, Q is a halogen, a is an integer of 0 or 2, b is an integer of 0 or 1, sum a + b is a valence of 2 or D, f is an integer of 0 to 4, g is 0 to 2 h is an integer of 0 to 2, the sum f + g + h is 4 or the valence of E, j is an integer of 0 to 3, k is an integer of 0 to 2, m is an integer of 0 or 1, sum j + k + m is 3 or The valence of G, c=de, e is the valence of M, 2~
7, and d is an integer greater than e and up to 8), and mixtures thereof. b placing a contact mask on the cast thin film of the composite structure of a. c. exposing the composite structure to ultraviolet light to cure exposed areas of the cast thin film of the composite structure of a. d After removing the contact mask, the resulting exposed composite structure is immersed in a solvent to remove the uncured areas of the cast film and develop the latent image in the cast film, thereby contacting. producing a copper clad laminate protected by a cured cast film patterned as a negative image of the mask and acting as a photoresist; e. etching said copper clad laminate to remove exposed areas of copper; and removing the cured cast thin film photoresist from the resulting copper-coated laminate to produce a copper-coated circuit board patterned as a positive image of a contact mask. Manufacturing method.
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