JPH0363817B2 - - Google Patents

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JPH0363817B2
JPH0363817B2 JP15187785A JP15187785A JPH0363817B2 JP H0363817 B2 JPH0363817 B2 JP H0363817B2 JP 15187785 A JP15187785 A JP 15187785A JP 15187785 A JP15187785 A JP 15187785A JP H0363817 B2 JPH0363817 B2 JP H0363817B2
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JP
Japan
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wafer
foreign matter
offset angle
foreign
rotation stage
Prior art date
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JP15187785A
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Japanese (ja)
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JPS6213044A (en
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Toshiaki Yanai
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、LSI用などのウエハの表面上の異
物検出などを自動的に行うウエハ異物検査装置に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer foreign matter inspection device that automatically detects foreign matter on the surface of a wafer for LSI or the like.

[従来の技術] 回転ステージに載置されたウエハの表面を螺旋
状に走査しながら、ウエハの表面上の異物を検出
するウエハ異物検査装置がある。
[Prior Art] There is a wafer foreign matter inspection device that detects foreign matter on the surface of a wafer while spirally scanning the surface of the wafer placed on a rotation stage.

そのような従来のウエハ異物検査装置は、回転
ステージを回転させながら特定方向に移動させ、
その回転ステージ上のウエハを検出系により螺旋
状に走査して異物検出を行い、異物を検出した場
合は、それを検出した時の回転ステージの回転方
向位置および特定方向位置を異物位置として読み
取り、メモリに記憶する。また、ウエハの輪郭を
異物と同様に検出し、異物の連続としてウエハの
輪郭画像を描き、そのウエハ輪郭画像に検出した
異物をプロツトして異物マツプを作成し、その異
物マツプをX−Yプロツタで印刷出力する。
Such conventional wafer foreign object inspection equipment moves a rotary stage in a specific direction while rotating.
The wafer on the rotation stage is scanned spirally by the detection system to detect a foreign object, and when a foreign object is detected, the rotational direction position and specific direction position of the rotation stage at the time of detection are read as the foreign object position. Store in memory. In addition, the contour of the wafer is detected in the same way as foreign objects, a contour image of the wafer is drawn as a series of foreign objects, the detected foreign objects are plotted on the wafer contour image to create a foreign object map, and the foreign object map is plotted on an X-Y plot. Print out with .

[解決しようとする問題点] このように、従来のウエハ異物検査装置におい
ては、検出された異物の回転方向位置は回転ステ
ージの回転方向位置であるが、回転ステージに対
するウエハの取り付け角度は一定ではなく、ウエ
ハと回転ステージとの間のオフセツト角度にばら
つきがある。つまり、あるウエハについて検出さ
れた異物の回転方向位置は、ウエハ上の実位置で
はなく、そのウエハの異物マツプ上でしか意味が
なく、したがつて異物の位置情報をデータ処理の
ためのデータとしてそのまま利用することは出来
ない。例えば、多数のウエハの異物分布などの統
計量を、検出された異物の位置情報から直接的に
求めることは不可能であり、人手を介して異物マ
ツプから異物の位置などを読むなどの操作を必要
とする。
[Problem to be solved] As described above, in the conventional wafer foreign object inspection device, the rotational position of the detected foreign object is the rotational direction position of the rotation stage, but the mounting angle of the wafer with respect to the rotation stage is not constant. However, there are variations in the offset angle between the wafer and the rotation stage. In other words, the rotational position of a foreign object detected for a certain wafer has meaning only on the foreign object map of that wafer, not its actual position on the wafer. Therefore, the position information of the foreign object is used as data for data processing. It cannot be used as is. For example, it is impossible to directly obtain statistics such as the distribution of foreign objects on a large number of wafers from the position information of detected foreign objects. I need.

[発明の目的] この発明は、そのような従来技術の問題に鑑み
なされたものであり、その目的は、ウエハの回転
ステージへの取り付け角度のばらつきに影響され
ない異物の位置情報を得られるウエハ異物検査装
置を提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention was made in view of such problems in the prior art, and its purpose is to provide a method for obtaining foreign object position information on a wafer that is not affected by variations in the mounting angle of the wafer on a rotation stage. The purpose is to provide inspection equipment.

[問題点を解決するための手段] そのような目的を達成するために、この発明に
よれば、回転ステージに載置されたウエハの表面
を螺旋状に走査しながら該ウエハの表面上の異物
を検出するウエハ異物検査装置において、前記回
転ステージ上のウエハの該回転ステージに対する
オフセツト角度を検出する手段と、該手段により
検出されたオフセツト角度に従い、検出された異
物の回転方向位置を補正する手段とが設けられ
る。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve such an object, according to the present invention, the surface of a wafer placed on a rotation stage is scanned in a spiral manner to remove foreign particles on the surface of the wafer. A wafer foreign object inspection apparatus for detecting a foreign object, comprising means for detecting an offset angle of a wafer on the rotation stage with respect to the rotation stage, and means for correcting the rotational direction position of the detected foreign object in accordance with the offset angle detected by the means. and is provided.

[作用] ウエハのオフセツト角度に従つて異物の回転方
向位置を補正することにより、ウエハの取り付け
角度のばらつきによる影響を除去した異物の位置
情報を得ることができる。
[Operation] By correcting the position of the foreign object in the rotational direction according to the offset angle of the wafer, it is possible to obtain position information of the foreign object from which the influence of variations in the mounting angle of the wafer has been removed.

[実施例] 以下、図面を参照し、この発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この発明によるウエハ異物検査装置
の光学系部分などの構成を簡略化して示す概要図
である。この図において、10はX方向に摺動可
能にベース12に支持されたXステージである。
このXステージ10には、ステツピングモータ1
4の回転軸に直結されたスクリユー16が螺合し
ており、ステツピングモータ14を作動させるこ
とにより、Xステージ10をX方向に進退させる
ことができる。18はXステージ10のX方向位
置xに対応したコード信号を発生するリニアエン
コーダである。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a simplified configuration of the optical system and other parts of a wafer foreign matter inspection apparatus according to the present invention. In this figure, 10 is an X stage supported by a base 12 so as to be slidable in the X direction.
This X stage 10 includes a stepping motor 1.
A screw 16 directly connected to the rotating shaft of 4 is screwed together, and by operating the stepping motor 14, the X stage 10 can be moved forward and backward in the X direction. 18 is a linear encoder that generates a code signal corresponding to the position x of the X stage 10 in the X direction.

Xステージ10には、Zステージ20がZ方向
に移動可能に取り付けられている。その移動手段
は図中省略されている。Zステージ20には、被
検査物としてのウエハ30が載置される回転ステ
ージ22が回転可能に支持されている。ここで、
ウエハ30としては、ブランク膜付きウエハ、鏡
面ウエハ、またはパターン付きウエハをセツトし
て検査可能である。
A Z stage 20 is attached to the X stage 10 so as to be movable in the Z direction. Its transportation means are omitted in the figure. The Z stage 20 rotatably supports a rotation stage 22 on which a wafer 30 as an object to be inspected is placed. here,
As the wafer 30, a wafer with a blank film, a mirror wafer, or a wafer with a pattern can be set and inspected.

この回転ステージ22には、直流モータ24が
連結されており、それにより特定の向きに回転駆
動されるようになつている。この直流モータ24
には、回転ステージ22の回転方向位置θに対応
したコード信号を出力するロータリエンコーダが
内蔵されている。
A DC motor 24 is connected to this rotation stage 22, and is thereby configured to be rotationally driven in a specific direction. This DC motor 24
has a built-in rotary encoder that outputs a code signal corresponding to the rotational direction position θ of the rotation stage 22.

なお、ウエハ30は、回転ステージ22に負圧
吸着により位置決め固定されるが、そのための手
段は図中省かれている。
Note that the wafer 30 is positioned and fixed on the rotation stage 22 by negative pressure suction, but means for this purpose are omitted in the figure.

このウエハ異物検査装置は、偏光レーザ光を利
用してウエハ30上の異物を自動的に検査するも
のであり、ウエハ30の上面(被検査面)に、S
偏光レーザ光が照射される。そのために、S偏光
レーザ発振器36,38が設けられている。各S
偏光レーザ発振器36,38は、ある波長のS偏
光レーザ光を発生するもので、例えば波長が8300
オングストロームの半導体レーザ発振器である。
This wafer foreign matter inspection device automatically inspects foreign matter on the wafer 30 using polarized laser light.
Polarized laser light is irradiated. For this purpose, S-polarized laser oscillators 36 and 38 are provided. Each S
The polarized laser oscillators 36 and 38 generate S-polarized laser light of a certain wavelength, for example, the wavelength is 8300.
This is an Angstrom semiconductor laser oscillator.

そのS偏光レーザ光は、Y方向よりウエハ30
の上面に約2度の照射角度φで照射される。この
ように照射角度が小さいため、円形断面のS偏光
レーザ光のビームを照射した場合、ウエハ面にお
けるスポツトが長く延びてしまい、十分な照射密
度を得られない。そこでS偏光レーザ発振器3
6,38の前方にシリンドリカルレンズ44,4
6を配置し、S偏光レーザ発振器36,38から
出たほぼ円形断面のS偏光レーザ光ビームを、Z
方向につぶれた扁平な断面形状のビームに絞つて
からウエハ面に照射するようにしている。
The S-polarized laser beam is directed toward the wafer 30 from the Y direction.
It is irradiated onto the upper surface of the body at an irradiation angle φ of about 2 degrees. Since the irradiation angle is thus small, when a beam of S-polarized laser light having a circular cross section is irradiated, the spot on the wafer surface is elongated, making it impossible to obtain a sufficient irradiation density. Therefore, S-polarized laser oscillator 3
Cylindrical lens 44, 4 in front of 6, 38
6 is arranged, and the S-polarized laser beam with a substantially circular cross section emitted from the S-polarized laser oscillators 36 and 38 is
The wafer surface is irradiated after narrowing the beam down to a beam with a flat cross-sectional shape.

ここで、パターンなしのブランク膜付きウエハ
(または鏡面ウエハ)の場合、S偏光レーザ光は、
その照射スポツト内に異物が存在しなければ、ほ
ぼ正反射されZ方向には反射されないが、異物が
存在すれば、それにより乱反射されてZ方向にも
反射される。
Here, in the case of a wafer with a blank film without a pattern (or a mirror wafer), the S-polarized laser light is
If there is no foreign matter within the irradiation spot, the light will be reflected almost specularly and will not be reflected in the Z direction, but if there is a foreign matter, it will be reflected diffusely and also reflected in the Z direction.

他方、パターン付きウエハの場合、ウエハ面に
照射されたS偏光レーザ光の反射レーザ光は、そ
の照射スポツト内にパターンが存在すれば、Z方
向にも反射されるが、そのパターンの面は微視的
に平滑であるため、反射レーザ光はほとんどS偏
光成分だけである。これに対し、異物の表面には
一般に微小な凹凸があるため、照射スポツト内に
異物が存在すると、照射されたS偏光レーザ光は
散乱して偏光方向が変化し、反射レーザ光には、
S偏光成分の外に、P偏光成分をかなり含まれる
ことになる。
On the other hand, in the case of a patterned wafer, the reflected laser light of the S-polarized laser beam irradiated onto the wafer surface is also reflected in the Z direction if a pattern exists within the irradiation spot, but the surface of the pattern is slightly Since it is visually smooth, the reflected laser light contains almost only the S-polarized component. On the other hand, since the surface of a foreign object generally has minute irregularities, if a foreign object exists within the irradiation spot, the irradiated S-polarized laser light will be scattered and the polarization direction will change, and the reflected laser light will have
In addition to the S-polarized light component, a considerable amount of the P-polarized light component is included.

このような現象に着目し、このウエハ異物検査
装置においては、パターン付きウエハの場合に
は、ウエハ面からのZ方向への反射レーザ光に含
まれるP偏光成分のレベルに基づき、異物の有無
と異物のサイズを検出する。
Focusing on this phenomenon, this wafer foreign matter inspection system detects the presence or absence of foreign matter based on the level of the P-polarized light component contained in the laser beam reflected from the wafer surface in the Z direction in the case of patterned wafers. Detect the size of foreign objects.

他方、ブランク膜付きウエハ(鏡面ウエハも含
む)の場合には、検出感度を増大させるために、
Z方向へのS偏光反射レーザ光およびP偏光反射
レーザ光のレベルに基づき、異物の存否およびサ
イズを検出する。
On the other hand, in the case of wafers with blank films (including mirror-finished wafers), in order to increase detection sensitivity,
The presence or absence and size of a foreign object are detected based on the levels of the S-polarized reflected laser beam and the P-polarized reflected laser beam in the Z direction.

再び第1図を参照する。ウエハ面からの反射レ
ーザ光は、前記原理に従い異物を検出する検出系
50と、ウエハの目視観察のための顕微鏡52と
に共通の光学系に入射する。すなわち、反射レー
ザ光は、対物レンズ54、ハーフミラー56、プ
リズム58を経由して45度プリズム60に達す
る。
Referring again to FIG. The reflected laser light from the wafer surface enters an optical system common to a detection system 50 for detecting foreign matter according to the above principle and a microscope 52 for visual observation of the wafer. That is, the reflected laser light reaches the 45-degree prism 60 via the objective lens 54, the half mirror 56, and the prism 58.

また、目視観察のためにランプ70が設けられ
ている。このランプ70から出た可視光により、
ハーフミラー56および対物レンズ54を介して
ウエハ面が照明される。
A lamp 70 is also provided for visual observation. Visible light emitted from this lamp 70 causes
The wafer surface is illuminated via the half mirror 56 and the objective lens 54.

プリズム60を経由して顕微鏡52側に入射し
た可視反射光は、60度プリズム62、フイールド
レンズ64、リレーレンズ66を順に通過して接
眼レンズ68に入射する。したがつて、接眼レン
ズ68により、ウエハ30を十分大きな倍率で目
視観察することができる。この場合、視野の中心
に、ウエハ面上のS偏光レーザ光スポツトの範囲
が位置する。また、プリズム58を通してウエハ
30を低倍率で観察することもできる。
The visible reflected light that has entered the microscope 52 side via the prism 60 passes through the 60-degree prism 62, the field lens 64, and the relay lens 66 in this order, and enters the eyepiece lens 68. Therefore, the eyepiece 68 allows the wafer 30 to be visually observed at sufficiently high magnification. In this case, the range of the S-polarized laser beam spot on the wafer surface is located at the center of the field of view. Further, the wafer 30 can also be observed at low magnification through the prism 58.

プリズム60を経由して検出系側に入射した反
射レーザ光は、スリツト72に設けられたアパー
チヤ74を通過し、ホトマルチプライヤ90へ送
られる。
The reflected laser light that has entered the detection system side via the prism 60 passes through an aperture 74 provided in a slit 72 and is sent to the photomultiplier 90.

ここで、ウエハ30がパターン付きウエハの場
合には、S偏光カツトフイルタ86(偏光板)が
符号86′により示す位置に移動せしめられるた
め、反射レーザ光のP偏光成分だけが抽出されて
ホトマルチプライヤ90に入射する。ウエハ30
がブランク膜付きウエハ(または鏡面ウエハ)の
場合、S偏光カツトフイルタ86は実線で示す位
置に移動せしめられるため、反射レーザ光のS偏
光成分もP偏光成分もホトマルチプライヤ90に
入射する。後述するように、ホトマルチプライヤ
90の出力信号(検出信号)の検出信号のレベル
に基づき、ウエハ面上のアパーチヤ74の視野内
における異物の存否と、異物の粒径が判定され
る。
Here, if the wafer 30 is a patterned wafer, the S polarization cut filter 86 (polarizing plate) is moved to the position indicated by reference numeral 86', so that only the P polarization component of the reflected laser beam is extracted and sent to the photomultiplier. 90. wafer 30
When the wafer is a wafer with a blank film (or a mirror-finished wafer), the S-polarization cut filter 86 is moved to the position shown by the solid line, so that both the S-polarization component and the P-polarization component of the reflected laser light enter the photomultiplier 90. As will be described later, the presence or absence of a foreign object within the field of view of the aperture 74 on the wafer surface and the particle size of the foreign object are determined based on the level of the output signal (detection signal) of the photomultiplier 90.

87はS偏光カツトフイルタ86を移動させる
ためのソレノイドである。
87 is a solenoid for moving the S polarization cut filter 86.

ここで、異物検査は、前述のようにウエハを回
転させつつX方向(半径方向)に送りながら行わ
れる。そのようなウエハ30の移動に従い、第3
図に示すように、S偏光レーザ光のスポツト30
Aはウエハ30の上面を外側より中心へ向かつて
螺旋状に移動する。検出系50と顕微鏡52は静
止しており、アパーチヤ74の視野は常にスポツ
ト30A内に含まれ、スポツト30Aに追従して
移動する。すなわち、ウエハ面は螺旋走査されな
がら検査される。
Here, the foreign matter inspection is performed while rotating the wafer and feeding it in the X direction (radial direction) as described above. According to such movement of the wafer 30, the third
As shown in the figure, a spot 30 of S-polarized laser light
A moves spirally on the upper surface of the wafer 30 from the outside toward the center. The detection system 50 and the microscope 52 are stationary, and the field of view of the aperture 74 is always contained within the spot 30A and moves to follow the spot 30A. That is, the wafer surface is inspected while being spirally scanned.

ここで、照射角度φについて説明する。従来の
ウエハ異物検査装置においては、ホトレジスト
膜、アルミニウム蒸着膜などのパターンのないブ
ランク膜が表面に被着されたウエハの異物検査を
行う場合、かなり大きな照射角度、例えば30度で
光ビームがウエハ面に照射されるようになつてい
る。
Here, the irradiation angle φ will be explained. In conventional wafer foreign matter inspection equipment, when inspecting foreign matter on a wafer whose surface has a blank film without a pattern such as a photoresist film or an aluminum evaporated film, a light beam is applied to the wafer at a fairly large irradiation angle, for example 30 degrees. It is designed to irradiate the surface.

発明者の研究によれば、そのような従来装置に
おける検出信号のバツクグラウンドノイズには、
ウエハ表面(ブランク膜の表面)の状態により決
まるノイズ成分だけではなく、ブランク膜内部の
状態に関係するノイズ成分と、ブランク膜の下の
ウエハ素地面の状態に関係するノイズ成分とが含
まれている。ウエハ表面からの反射光を利用する
という原理上、最初のノイズ成分を完全に除去す
ることは不可能であり、また、その影響も致命的
なものではない。しかし、後の2つのノイズ成分
は、ウエハ内部の状態に影響されるものであり、
直接誤検出の原因となるため、除去すべきもので
ある。
According to the inventor's research, the background noise of the detection signal in such conventional devices includes:
It includes not only noise components determined by the state of the wafer surface (the surface of the blank film), but also noise components related to the state inside the blank film and noise components related to the state of the wafer base surface under the blank film. There is. Due to the principle of using reflected light from the wafer surface, it is impossible to completely remove the initial noise component, and its influence is not fatal. However, the latter two noise components are affected by the internal state of the wafer,
This should be removed as it directly causes false positives.

発明者の研究によれば、従来装置においてはビ
ームの照射角度が大きいため、ウエハ表面に入射
した光ビームの一部がブランク膜の内部に侵入
し、ウエハ素地面で反射され、再びブランク膜を
通過しウエハ表面に出て光電素子に入射するため
に、前述の好ましくないノイズ成分が生じていた
ことが判明した。
According to the inventor's research, in conventional equipment, because the beam irradiation angle is large, a portion of the light beam incident on the wafer surface penetrates into the interior of the blank film, is reflected on the wafer base surface, and causes the blank film to be exposed again. It was found that the above-mentioned undesirable noise component was generated because the light passed through the wafer surface and entered the photoelectric element.

そこで、この実施例においては、ウエハ面で光
ビームが実質的に全反射するように、光ビームの
照射角度を前述のように十分小さく選び、ウエハ
内部への光ビームの侵入を防止している。
Therefore, in this embodiment, the irradiation angle of the light beam is selected to be sufficiently small as described above so that the light beam is substantially totally reflected on the wafer surface, thereby preventing the light beam from penetrating inside the wafer. .

再び第1図を参照する。対物レンズ54の近傍
に、ウエハ面と対向させて静電容量変位計53が
設けられている。この静電容量変位計53は、ウ
エハ30のオリフラ部を検出するためのセンサと
して設けられたものであり、後述のオフセツト角
度検出のためのウエハ回転中に、ウエハ30のオ
リフラ30Bの両端よりわずかに内側の部分が静
電容量変位計の直下を通過するように、静電容量
変位計53が配置されている。
Referring again to FIG. A capacitance displacement meter 53 is provided near the objective lens 54 and facing the wafer surface. This capacitance displacement meter 53 is provided as a sensor for detecting the orientation flat portion of the wafer 30, and during the wafer rotation for offset angle detection, which will be described later, the capacitance displacement meter 53 is provided as a sensor for detecting the orientation flat portion of the wafer 30. The capacitance displacement meter 53 is arranged so that the inner portion thereof passes directly under the capacitance displacement meter.

次に、このウエハ異物検査装置の信号処理およ
び制御系について、第2図を参照して説明する。
Next, the signal processing and control system of this wafer foreign matter inspection apparatus will be explained with reference to FIG.

前記ホトマルチプライヤ90から出力される検
出信号は、増幅器100により増幅されてからレ
ベル比較回路102に入力される。
The detection signal output from the photomultiplier 90 is amplified by an amplifier 100 and then input to a level comparison circuit 102.

ここで、ウエハ上の異物の粒径と、検出信号の
レベルとの間には、第4図に示すような関係があ
る。この図において、L1,L2,L3はレベル比較
回路102の閾値である。
Here, there is a relationship as shown in FIG. 4 between the particle size of the foreign matter on the wafer and the level of the detection signal. In this figure, L 1 , L 2 , and L 3 are threshold values of the level comparison circuit 102.

レベル比較回路102は、検出信号のレベルを
各閾値と比較し、各閾値との比較結果を示す2進
コードを出力する。例えば、検出信号レベルが閾
値L1未満ならば、(000)2を出力し、検出信号レベ
ルが閾値L2以上で閾値L3未満ならば、(011)2を出
力し、検出信号レベルが閾値L3以上ならば
(111)2を出力する。
The level comparison circuit 102 compares the level of the detection signal with each threshold value, and outputs a binary code indicating the result of comparison with each threshold value. For example, if the detection signal level is less than the threshold L 1 , it will output (000) 2 , and if the detection signal level is more than the threshold L 2 and less than the threshold L 3 , it will output (011) 2 , and the detection signal level will be the threshold. If L is 3 or more, outputs (111) 2 .

レベル比較回路102の出力コードは、データ
処理システム104とのインターフエイスを司る
インターフエイス回路108に入力される。
The output code of the level comparison circuit 102 is input to an interface circuit 108 that interfaces with the data processing system 104.

静電容量変位計53の出力信号はレベル比較回
路103に入力され、特定の閾値と比較される。
このレベル比較回路の出力信号はインターフエイ
ス回路108に入力される。
The output signal of the capacitance displacement meter 53 is input to the level comparison circuit 103 and compared with a specific threshold value.
The output signal of this level comparison circuit is input to the interface circuit 108.

また、インターフエイス回路108には、前記
ロータリエンコーダおよびリニアエンコーダか
ら、各時点における回転方向位置θおよびX方向
(半径方向)位置xの情報を示す信号(2進コー
ド)が、バツフア回路110,112を介し入力
される。
Further, the interface circuit 108 receives signals (binary code) from the rotary encoder and the linear encoder that indicate information about the rotational direction position θ and the X-direction (radial direction) position x at each point in time. Input via .

前記インターフエイス回路108への各入力コ
ードは、一定の周期でインターフエイス回路10
8内部のあるレジスタに取り込まれ、そこに一時
的に保持される。
Each input code to the interface circuit 108 is sent to the interface circuit 10 at regular intervals.
The data is taken into a certain register inside the 8 and is temporarily held there.

さらに、インターフエイス回路108の内部に
は、データ処理システム104よりモータ14,
24およびソレノイド87の制御情報がセツトさ
れるレジスタもある。このレジスタにセツトされ
た制御情報に従い、モータコントローラ116に
よりモータ14,24の駆動制御が行われ、また
ソレノイドドライバ117によりソレノイド87
の駆動制御が行われる。
Furthermore, inside the interface circuit 108, the motor 14,
There are also registers in which control information for 24 and solenoid 87 is set. According to the control information set in this register, the motor controller 116 controls the drive of the motors 14 and 24, and the solenoid driver 117 controls the solenoid 87.
drive control is performed.

データ処理システム104は、マイクロプロセ
ツサ120、ROM122、RAM124、フロ
ツピーデイスク装置126、X−Yプロツタ12
7、CRTデイスプレイ装置128、キーボード
130などからなる。132はシステムバスであ
り、マイクロプロセツサ120、ROM122、
RAM124、前記インターフエイス回路108
が直接的に接続されている。
The data processing system 104 includes a microprocessor 120, ROM 122, RAM 124, floppy disk device 126, and X-Y plotter 12.
7, a CRT display device 128, a keyboard 130, etc. 132 is a system bus, which connects the microprocessor 120, ROM 122,
RAM 124, the interface circuit 108
are directly connected.

キーボード130は、オペレータが各種指令や
データを入力するためのもので、インターフエイ
ス回路134を介してシステムバス132に接続
されている。フロツピーデイスク装置126は、
オペレーテイングシステムや各種処理プログラ
ム、検査結果データなどを格納するものであり、
フロツピーデイスクコントローラ136を介しシ
ステムバス132に接続されている。
The keyboard 130 is used by an operator to input various commands and data, and is connected to the system bus 132 via an interface circuit 134. The floppy disk device 126 is
It stores the operating system, various processing programs, test result data, etc.
It is connected to the system bus 132 via a floppy disk controller 136.

このウエハ異物検査装置が起動されると、オペ
レーテイングシステムがフロツピーデイスク装置
126からRAM124のシステム領域124A
へロードされる。その後、フロツピーデイスク装
置126に格納されている各種処理プログラムの
うち、必要な1つ以上の処理プログラムがRAM
124のプログラム領域124Bへロードされ、
マイクロプロセツサ120により実行される。処
理途中のデータなどはRAM124の作業領域に
一時的に記憶される。処理結果データは、最終的
にフロツピーデイスク装置126へ転送され格納
される。ROM122には、文字、数字、記号な
どのドツトパターンが格納されている。
When this wafer foreign matter inspection device is started, the operating system is transferred from the floppy disk device 126 to the system area 124A of the RAM 124.
loaded into. After that, one or more necessary processing programs among the various processing programs stored in the floppy disk device 126 are transferred to the RAM.
124 program area 124B,
It is executed by microprocessor 120. Data that is being processed is temporarily stored in the work area of the RAM 124. The processing result data is finally transferred to and stored in the floppy disk device 126. The ROM 122 stores dot patterns such as letters, numbers, and symbols.

CRTデイスプレイ装置128は、オペレータ
との対話のための各種メツセージの表示、異物マ
ツプやその他のデータの表示などに利用されるも
のであり、その表示データはビデオRAM138
にビツトマツプ展開される。140はビデオコン
トローラであり、ビデオRAM138の書込み、
読出しなどの制御の外に、ドツトパターンに応じ
たビデオ信号の発生などを行う。このビデオコン
トローラ140はインターフエイス回路142を
介してシステムバス132に接続されている。
The CRT display device 128 is used to display various messages for interaction with the operator, a foreign object map, and other data, and the display data is stored in the video RAM 138.
The bit map is expanded. 140 is a video controller, which writes data to the video RAM 138;
In addition to control such as reading, it also generates a video signal according to the dot pattern. The video controller 140 is connected to the system bus 132 via an interface circuit 142.

X−Yプロツタ127は異物マツプなどの印刷
出力に使用されるものであり、プロツタコントロ
ーラ137を介してシステムバス132に接続さ
れている。
The X-Y plotter 127 is used to print out foreign matter maps and the like, and is connected to the system bus 132 via a plotter controller 137.

次に、自動異物検査処理について、第6図のフ
ローチヤートを参照しながら説明する。
Next, automatic foreign matter inspection processing will be explained with reference to the flowchart shown in FIG.

回転ステージ22にウエハ30をセツトした状
態で、オペレータがキーボード130より検査開
始を指令すると、フロツピーデイスク装置126
からRAM124のプログラム領域124Bへロ
ードされた自動検査処理プログラムが走り始め
る。
When the operator commands the start of inspection from the keyboard 130 with the wafer 30 set on the rotation stage 22, the floppy disk device 126
The automatic inspection processing program loaded into the program area 124B of the RAM 124 starts running.

まず、マイクプロセツサ120は、後述のテー
ブル、カウンタ、検査データのバツフアなどのた
めの記憶領域(第2図参照)をRAM120上に
確保する(ステツプ200)。
First, the microphone processor 120 secures a storage area (see FIG. 2) on the RAM 120 for a table, a counter, a test data buffer, etc., which will be described later (step 200).

上記テーブル(テーブル領域124Dに作成さ
れる)の概念図を第5図に示す。このテーブル1
50の各エントリは、異物の番号(検出された順
番)、異物の位置、その種類ないし性質(目視観
察によつて調べられる)、およびサイズの情報か
ら構成されている。
A conceptual diagram of the above table (created in the table area 124D) is shown in FIG. This table 1
Each of the 50 entries includes information on the foreign object number (in the order in which it was detected), the position of the foreign object, its type or nature (investigated by visual observation), and size.

次にマイクロプロセツサ120は、回転ステー
ジ22を初期位置(x=0、θ=0)に位置決め
させるためのモータ制御情報をインターフエイス
回路108の内部レジスタにセツトする(ステツ
プ205)。このモータ制御情報に従い、モータコン
トローラ116がモータ14,24を制御し、各
ステージを初期位置に移動させる。
Next, the microprocessor 120 sets motor control information for positioning the rotary stage 22 at the initial position (x=0, θ=0) in the internal register of the interface circuit 108 (step 205). According to this motor control information, the motor controller 116 controls the motors 14 and 24 to move each stage to its initial position.

マイクロプロセツサ120は、ウエハ輪郭画像
のドツトパターンを生成し、インターフエイス回
路142を通じてビデオコントローラ140へ順
次転送する(ステツプ210)。ビデオコントローラ
140は、転送されたドツトパターンをビデオ
RAM138に順次書き込み、また、それと並行
して、ビデオRAM138の内容を順次読み出し
それをビデオ信号に変換してCRTビデオデイス
プレイ装置128へ供給する。かくして、オリフ
ラを下側に向けたウエハ輪郭画像がCRTデイス
プレイ装置128の画面に表示される。
The microprocessor 120 generates a dot pattern of the wafer contour image and sequentially transfers it to the video controller 140 through the interface circuit 142 (step 210). The video controller 140 converts the transferred dot pattern into a video
The contents of the video RAM 138 are sequentially written into the RAM 138, and in parallel, the contents of the video RAM 138 are sequentially read out and converted into video signals, which are then supplied to the CRT video display device 128. Thus, a wafer contour image with the orientation flat facing downward is displayed on the screen of the CRT display device 128.

次にマイクロプロセツサ120は、インターフ
エイス回路108を通じモータコントローラ11
6に対し走査開始を指示する(ステツプ215)。こ
の指示を受けたモータコントローラ116は、前
述のような螺旋走査を一定速度で行わせるように
モータ14,24を駆動する。またマイクロプロ
セツサ120は、RAM124上のPカウンタ1
24Kに1をセツトする(ステツプ218)。
The microprocessor 120 then controls the motor controller 11 through the interface circuit 108.
6 to start scanning (step 215). Upon receiving this instruction, the motor controller 116 drives the motors 14 and 24 to perform the above-described helical scan at a constant speed. The microprocessor 120 also processes the P counter 1 on the RAM 124.
24K is set to 1 (step 218).

走査開始から一定時間経過後に、マイクロプロ
セツサ120は一定時間間隔でインターフエイス
回路108内の特定のレジスタの内容、すなわ
ち、位置x,θのコードと、レベル比較回路10
2によるレベル比較結果コード、およびレベル比
較回路103のレベル比較結果ビツトを取り込
み、RAM124上の入力バツフア124Cに書
き込む(ステツプ220)。
After a certain period of time has elapsed from the start of scanning, the microprocessor 120 reads the contents of a specific register in the interface circuit 108, that is, the code at positions x and θ, and the level comparison circuit 10 at certain time intervals.
2 and the level comparison result bit of the level comparison circuit 103 are taken in and written to the input buffer 124C on the RAM 124 (step 220).

ウエハ30が1回転する期間に、静電容量変位
計53の出力信号レベルは、例えば第7図の波形
図のように変化する。すなわち、静電容量変位計
53の直下にウエハ30の輪郭部が存在する時に
は出力レベルはレベル比較回路103の閾値Lよ
り高いが、ウエハ30のオリフラ部分が静電容量
変位計53を通過する時には出力信号レベルが大
きく低下する。レベル比較回路路103は、静電
容量変位計53の出力信号と閾値Lとのレベル差
が所定範囲以内の時、つまりオリフラの端部が静
電容量変位計53を通過する時に論理“1”の一
致信号を出力する。
During one rotation of the wafer 30, the output signal level of the capacitance displacement meter 53 changes as shown in the waveform diagram of FIG. 7, for example. That is, when the outline of the wafer 30 exists directly below the capacitance displacement meter 53, the output level is higher than the threshold L of the level comparison circuit 103, but when the orientation flat portion of the wafer 30 passes through the capacitance displacement meter 53, the output level is higher than the threshold L of the level comparison circuit 103. The output signal level will drop significantly. The level comparison circuit 103 outputs a logic "1" when the level difference between the output signal of the capacitance displacement meter 53 and the threshold L is within a predetermined range, that is, when the end of the orientation flat passes through the capacitance displacement meter 53. Outputs a match signal.

さて、マイクロプロセツサ120は、取り込ん
だレベル比較回路103の比較結果ビツトが
“1”であるか判定する(ステツプ225)。判定結
果がNOならばステツプ220に戻り、次のレジス
タ読込みのタイミングを待つが、判定結果が
YESならば、Pカウンタ124Kの値が1か判
定する(ステツプ230)。その判定結果がNOなら
ば、マイクロプロセツサ120は、入力バツフア
124Cに記憶している回転方向位置θの情報を
オフセツト角度レジスタ124Jに書き込み(ス
テツプ235)、Pカウンタ124Kを1だけデクリ
メントし(ステツプ240)、ステツプ220へ戻る。
Now, the microprocessor 120 determines whether the fetched comparison result bit of the level comparison circuit 103 is "1" (step 225). If the judgment result is NO, the process returns to step 220 and waits for the next register read timing.
If YES, it is determined whether the value of the P counter 124K is 1 (step 230). If the determination result is NO, the microprocessor 120 writes information on the rotational direction position θ stored in the input buffer 124C to the offset angle register 124J (step 235), and decrements the P counter 124K by 1 (step 235). 240), return to step 220.

ステツプ230の判定結果がYESの場合、マイク
ロプロセツサ120は、入力バツフア124に記
憶した回転方向位置θと、オフセツト角度レジス
タ124Jに記憶されている回転方向位置θとを
用い、特定の演算を実行することにより、オフセ
ツト角度を求め、それをオフセツト角度レジスタ
124Jに書き込む(ステツプ245)。
If the determination result in step 230 is YES, the microprocessor 120 executes a specific calculation using the rotational direction position θ stored in the input buffer 124 and the rotational direction position θ stored in the offset angle register 124J. By doing so, the offset angle is determined and written into the offset angle register 124J (step 245).

このオフセツト角度について、第7図により説
明する。ウエハ30のオリフラの端部が静電容量
変位計53の直下を通過し、レベル比較回路10
3から一致信号が出た時の回転方向位置をθ1,θ2
とする。オリフラの中心点が静電容量変位計10
3の直下を通過する時の回転方向位置θ3は、θ1
θ2の中間値であり、ステツプ245で得られる。そ
して、回転ステージ22に対するオフセツト角度
が0ならば、θ3が0となるように、静電容量変位
計53の位置が決められている。したがつて、θ3
がオフセツト角度そのものである。
This offset angle will be explained with reference to FIG. The end of the orientation flat of the wafer 30 passes directly under the capacitance displacement meter 53, and the level comparison circuit 10
The position in the rotational direction when the matching signal is output from 3 is θ 1 , θ 2
shall be. The center point of the orientation flat is the capacitance displacement meter 10
The rotational direction position θ 3 when passing directly below θ 3 is an intermediate value between θ 1 and θ 2 , and is obtained in step 245 . The position of the capacitance displacement meter 53 is determined so that if the offset angle with respect to the rotation stage 22 is 0, θ 3 is 0. Therefore, θ 3
is the offset angle itself.

以上説明したようなオフセツト角度検出処理を
終了すると、ステツプ260以降の実際の異物検査
処理に進む。
When the offset angle detection process as described above is completed, the process proceeds to step 260 and subsequent steps for actual foreign matter inspection process.

まずマイクロプロセツサ120は、検査開始位
置へ走査点を急速に移動させるためにモータ制御
情報を、インターフエイス回路108を介してモ
ータコントローラ116へ与える(ステツプ
260)。モータコントローラ116は、ステツピン
グモータ14を高速駆動して検査開始位置までX
ステージ10を急速移動させ、検査開始位置に到
達した後は、走査のための通常のX方向送りを行
うようにステツビングモータ14を駆動する。
First, the microprocessor 120 provides motor control information to the motor controller 116 via the interface circuit 108 in order to rapidly move the scanning point to the inspection starting position.
260). The motor controller 116 drives the stepping motor 14 at high speed until it reaches the inspection start position.
After the stage 10 is rapidly moved and reaches the inspection start position, the stepping motor 14 is driven to perform normal X-direction feeding for scanning.

この位置決め操作の後、マイクロプロセツサ1
20は、位置θ,xとレベル比較回路102の比
較結果コード(Lコード)をインターフエイス回
路108より取り込み、入力バツフア124Cに
書き込む(ステツプ265)。
After this positioning operation, microprocessor 1
20 takes in the positions θ, x and the comparison result code (L code) of the level comparison circuit 102 from the interface circuit 108, and writes them into the input buffer 124C (step 265).

マイクロプロセツサ120は、読み込んだX方
向位置xを検査終了位置と比較し、走査の終了判
定行う(ステツプ270)。この判定の結果がNO
(検査途中)ならば、マイクロプロセツサ120
は、取り込んだLコードのゼロ判定を行う(ステ
ツプ275)。L=000ならば、その走査位置には異
物が存在しない。L≠000ならば、異物が存在す
る。
The microprocessor 120 compares the read X-direction position x with the inspection end position to determine the end of scanning (step 270). The result of this judgment is NO
(during inspection), microprocessor 120
performs a zero determination on the loaded L code (step 275). If L=000, no foreign matter exists at that scanning position. If L≠000, a foreign substance exists.

ステツプ275の判定結果がYESならばステツプ
265に戻る。ステツプ275の判定結果がNOなら
ば、マイクロプロセツサ120は、入力バツフア
124Cに記憶されている回転方向位置θから、
オフセツト角度レジスタ124Jに記憶されてい
るオフセツト角度を減算してオフセツト角度分補
正した回転方向位置を求め、その補正後の回転方
向位置θ′を入力バツフア124Cに戻す(ステツ
プ280)。
If the judgment result in step 275 is YES, proceed to step
Return to 265. If the determination result in step 275 is NO, the microprocessor 120 calculates the rotation direction position θ stored in the input buffer 124C.
The offset angle stored in the offset angle register 124J is subtracted to obtain the rotational direction position corrected by the offset angle, and the corrected rotational direction position θ' is returned to the input buffer 124C (step 280).

次にマイクロプロセツサ120は、入力バツフ
ア124Cに記憶されている位置情報(x,θ′)
と、テーブル150に記憶されている既検出の他
の異物の位置情報(回転方向位置は補正済み)と
を比較する(ステツプ285)。
Next, the microprocessor 120 receives the position information (x, θ') stored in the input buffer 124C.
and the positional information of other detected foreign objects stored in the table 150 (the position in the rotational direction has been corrected) (step 285).

この位置比較で一致がとれた場合、現在の異物
は既検出の他の異物と同一とみなせるので、ステ
ツプ265に戻る。
If a match is found in this positional comparison, the current foreign object can be considered to be the same as another previously detected foreign object, and the process returns to step 265.

位置比較が不一致の場合、新しい異物が検出さ
れたとみなせる。そこで、マイクロプロセツサ1
20は、RAM124上のNカウンタ124Eを
1だけインクリメントする(ステツプ290)。そし
て、テーブル150のN番目のエントリに、入力
バツフア124Cにある当該異物の位置情報およ
びLコード(サイズ情報)を書き込む(ステツプ
295)。
If the position comparison does not match, it can be assumed that a new foreign object has been detected. Therefore, microprocessor 1
20 increments the N counter 124E on the RAM 124 by 1 (step 290). Then, the position information and L code (size information) of the foreign object in the input buffer 124C are written into the Nth entry of the table 150 (step
295).

また、マイクロプロセツサ120は、当該異物
のサイズ情報(Lコード)に対応したドツトパタ
ーンデータをROM122から読み出し、当該異
物の位置情報に対応したビデオRAM138のア
ドレス情報とともにビデオコントローラ140へ
転送し、ビデオRAM138に書き込ませる(ス
テツプ297)。この処理により、検出された異物
が、そのサイズに固有のパターンとしてデイスプ
レイ装置128の画面に表示される。ウエハ30
の走査が終了するまで、同様の処理が繰り返し実
行される。
Further, the microprocessor 120 reads dot pattern data corresponding to the size information (L code) of the foreign object from the ROM 122, transfers it to the video controller 140 together with the address information of the video RAM 138 corresponding to the position information of the foreign object, and It is written into RAM 138 (step 297). Through this process, the detected foreign object is displayed on the screen of the display device 128 as a pattern unique to its size. wafer 30
The same process is repeated until the scanning is completed.

前述のように、ウエハ輪郭画像は、オリフラが
下側になるように一定の向きで表示されている
が、その向きはオフセツト角度が0の場合に相当
する。一方、異物の回転方向位置は、ウエハ上の
実位置に相当するようにオフセツト角度に従い補
正されている。したがつて、ウエハ上の実際の異
物分布を表す一定向きの異物マツプが画面に表示
されることになる。
As described above, the wafer contour image is displayed in a fixed orientation with the orientation flat facing downward, and this orientation corresponds to the case where the offset angle is zero. On the other hand, the rotational position of the foreign object is corrected according to the offset angle so that it corresponds to the actual position on the wafer. Therefore, a foreign matter map with a fixed orientation representing the actual distribution of foreign matter on the wafer is displayed on the screen.

ステツプ270で走査終了と判定されると、マス
タ120は、インターフエイス回路108を通じ
て、モータコントローラ116に対し走査停止指
示を送る(ステツプ300)。この指示に応答して、
モータコントローラ116はモータ14,24の
駆動を停止する。
When it is determined in step 270 that scanning has ended, master 120 sends a scanning stop instruction to motor controller 116 through interface circuit 108 (step 300). In response to this instruction,
Motor controller 116 stops driving motors 14 and 24.

次にマイクロプロセツサ120は、テーブル1
50を参照し、Lコードが12の異物の合計数
TL1、コードLが32の異物の合計数TL2、コード
Lが72の異物の合計数TL3を計算し、その異物合
計数データを、RAM124上のレジスタ124
F,124G,124Hに書き込む(ステツプ
305)。そして、テーブル150の記憶内容および
異物合計データを、ウエハ番号を付加してフロツ
ピーデイスク装置126へ転送し、格納させる
(ステツプ310)。
Next, the microprocessor 120 processes table 1
Total number of foreign objects with L code 1 2 referring to 50
TL 1 , the total number of foreign objects with a code L of 32 TL 2 , and the total number of foreign objects with a code L of 72 TL 3 are calculated, and the total number of foreign objects data is stored in the register 124 on the RAM 124.
Write to F, 124G, 124H (step
305). Then, the stored contents of the table 150 and the foreign matter total data are transferred to the floppy disk device 126 with the wafer number added thereto and stored therein (step 310).

なお、詳細は説明しないが、フロツピーデイス
ク装置126から異物検査結果データを読み出
し、プロツタコントローラ137へ転送し、異物
マツプ、異物合計データ、ウエハ番号などをX−
Yプロツタ127に印刷出力させることができ
る。
Although the details will not be explained, the foreign material inspection result data is read from the floppy disk device 126, transferred to the plotter controller 137, and the foreign material map, foreign material total data, wafer number, etc.
The Y plotter 127 can be used to print out the image.

また、自動検査済みのウエハを回転ステージ2
2にセツトし、そのウエハに対するテーブル15
0をフロツピーデイスク装置126からRAM1
24へロードし、ウエハの各異物の目視観察を行
い、その観察結果をテーブル150に登録し、目
視観察を終了した時点で、テーブル150をフロ
ツピーデイスク装置126へ格納するような処理
もできる。
In addition, the automatically inspected wafer is transferred to the rotating stage 2.
2 and table 15 for that wafer.
0 from floppy disk device 126 to RAM1
24, visually observe each foreign substance on the wafer, register the observation results in the table 150, and store the table 150 in the floppy disk device 126 when the visual observation is completed.

以上、この発明の一実施例について説明した
が、この発明はそれだけに限定されるものではな
く、適宜変形して実施し得るものである。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto, and can be implemented with appropriate modifications.

例えば、ウエハのオリフラを検出するためのセ
ンサは、静電容量変位計に限らず、光学センサな
どを用いることも可能である。
For example, the sensor for detecting the orientation flat of the wafer is not limited to a capacitance displacement meter, but an optical sensor or the like may also be used.

オリフラ検出用センサの出力信号からオフセツ
ト角度を求める手段、およびオフセツト角度に従
い異物位置を補正する手段は、ハードウエアによ
つて構成してもよく、そのようなハードウエア
は、当業者であれば、前記実施例の説明に基づき
容易に実現できるであろう。
The means for determining the offset angle from the output signal of the orientation flat detection sensor and the means for correcting the position of the foreign object according to the offset angle may be configured by hardware, and such hardware can be constructed by a person skilled in the art. This can be easily realized based on the explanation of the above embodiments.

ホトマルチプライヤの代わりに、他の適当な光
電素子を用い得る。
Instead of a photomultiplier, other suitable photoelectric elements can be used.

前述の検査処理の流れは飽くまで一例であり、
適宜変更し得ることは言うまでもない。
The flow of the inspection process described above is just an example.
Needless to say, it can be changed as appropriate.

また、この発明は、偏光レーザ光以外の光ビー
ムを利用する同様なウエハ異物検査装置にも適用
可能である。
Furthermore, the present invention is also applicable to similar wafer foreign matter inspection apparatuses that utilize light beams other than polarized laser light.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、回転
ステージに載置されたウエハの表面を螺旋状に走
査しながら該ウエハの表面上の異物を検出するウ
エハ異物検査装置において、前記回転ステージ上
のウエハの該回転ステージに対するオフセツト角
度を検出するオフセツト角度検出手段と、該オフ
セツト角度検出手段により検出されたオフセツト
角度に従い、検出された異物の回転方向位置を補
正する位置補正手段とが設けられ、さらに、その
関連発明によれば、一定の向きのウエハ輪郭画像
に前記位置補正手段により補正後の異物をプロツ
トして異物マツプを生成する手段と、該手段によ
り生成された異物マツプを出力する手段とが設け
られるから、ウエハの取り付け角度のばらつきに
よる影響を除去した異物の位置情報をを得られ、
ウエハの取り付け角度のばらつきに関係なく、異
物の位置情報を一括して管理または処理できるよ
うになるとともに、標準ウエハまたは他のウエハ
との異物マツプの比較などが容易になるなどの効
果が得られる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in a wafer foreign matter inspection apparatus that detects foreign matter on the surface of a wafer placed on a rotation stage while spirally scanning the surface of the wafer, an offset angle detection means for detecting an offset angle of the wafer on the rotation stage with respect to the rotation stage; and a position correction means for correcting the rotational direction position of the detected foreign object according to the offset angle detected by the offset angle detection means. According to the related invention, there is further provided a means for generating a foreign matter map by plotting the foreign matter corrected by the position correction means on a wafer contour image in a fixed orientation, and a foreign matter map generated by the means. Since a means for outputting the information is provided, it is possible to obtain foreign object position information that eliminates the influence of variations in the mounting angle of the wafer.
Regardless of variations in the mounting angle of the wafer, information on the position of foreign objects can be managed or processed all at once, and effects such as easy comparison of foreign object maps with standard wafers or other wafers can be obtained. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明によるウエハ異物検査装置の
光学系などの概要図、第2図は同ウエハ異物検査
装置の信号処理および制御系を示す概略ブロツク
図、第3図はウエハ面走査の説明図、第4図は異
物の粒径とホトマルチプライヤの出力信号との関
係、およびレベル比較の閾値との関係を示すグラ
フ、第5図は検査処理に関連するテーブルの概念
図、第6図は検査処理のフローチヤート、第7図
は静電容量変位計の出力信号の波形図である 10……Xステージ、14……ステツピングモ
ータ、22……回転ステージ、24……直流モー
タ、30……ウエハ、36,38……S偏光レー
ザ発振器、50……検出系、52……顕微鏡、5
3……静電容量変位計、72……スリツト、86
……S偏光カツトフイルタ、90……ホトマルチ
プライヤ、100……増幅器、102,103…
…レベル比較回路、104……データ処理システ
ム、108……インターフエイス回路、116…
…モータコントローラ、117……ソレノイドド
ライバ、120……マイクロプロセツサ、122
……ROM、124……RAM、126……フロ
ツピーデイスク装置、127……X−Yプロツ
タ、128……CRTデイスプレイ装置、130
……キーボード、138……ビデオRAM、15
0……テーブル。
FIG. 1 is a schematic diagram of the optical system etc. of the wafer foreign matter inspection apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a schematic block diagram showing the signal processing and control system of the wafer foreign matter inspection apparatus, and FIG. 3 is an explanatory diagram of wafer surface scanning. , Fig. 4 is a graph showing the relationship between the particle size of foreign particles and the output signal of the photomultiplier, and the relationship with the threshold value for level comparison, Fig. 5 is a conceptual diagram of a table related to inspection processing, and Fig. 6 is The flowchart of the inspection process, FIG. 7 is a waveform diagram of the output signal of the capacitance displacement meter. 10...X stage, 14...stepping motor, 22...rotation stage, 24...DC motor, 30... ...Wafer, 36, 38...S-polarized laser oscillator, 50...Detection system, 52...Microscope, 5
3...Capacitance displacement meter, 72...Slit, 86
... S polarization cut filter, 90 ... Photomultiplier, 100 ... Amplifier, 102, 103 ...
... Level comparison circuit, 104 ... Data processing system, 108 ... Interface circuit, 116 ...
... Motor controller, 117 ... Solenoid driver, 120 ... Microprocessor, 122
... ROM, 124 ... RAM, 126 ... Floppy disk device, 127 ... X-Y plotter, 128 ... CRT display device, 130
...Keyboard, 138 ...Video RAM, 15
0...Table.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 回転ステージに載置されたウエハの表面を螺
旋状に走査しながら該ウエハの表面上の異物を検
出するウエハ異物検査装置において、前記回転ス
テージ上のウエハの該回転ステージに対するオフ
セツト角度を検出する手段と、該手段により検出
されたオフセツト角度に従い、検出された異物の
回転方向位置を補正する手段とを備えることを特
徴とするウエハ異物検査装置。 2 前記オフセツト角度を検出する手段は、前記
回転ステージ上のウエハのオリフラ部を検出する
ためのセンサと、該センサの出力信号を所定の閾
値とレベル比較する手段と、該手段から一致信号
が出力された時に前記回転ステージの回転方向位
置を読み取る手段と、該手段に読み取られた回転
方向位置から前記オフセツト角度を求める手段と
からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のウエハ異物検査装置。 3 前記センサは前記回転ステージに対向させて
所定位置に設けられた静電容量変位計であること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のウエハ
異物検査装置。
[Scope of Claims] 1. In a wafer foreign matter inspection apparatus that detects foreign matter on the surface of a wafer placed on a rotation stage while scanning the surface of the wafer in a spiral manner, the rotation stage of the wafer placed on the rotation stage 1. A wafer foreign matter inspection apparatus comprising: means for detecting an offset angle relative to a wafer; and means for correcting a rotational direction position of a detected foreign matter according to the offset angle detected by the means. 2. The means for detecting the offset angle includes a sensor for detecting the orientation flat portion of the wafer on the rotation stage, a means for comparing the level of an output signal of the sensor with a predetermined threshold value, and a coincidence signal output from the means. The wafer foreign object according to claim 1, further comprising means for reading the position in the rotational direction of the rotary stage when the wafer is detected, and means for determining the offset angle from the position in the rotational direction read by the means. Inspection equipment. 3. The wafer foreign matter inspection apparatus according to claim 2, wherein the sensor is a capacitance displacement meter provided at a predetermined position facing the rotation stage.
JP15187785A 1985-07-10 1985-07-10 Foreign material inspecting device for wafer Granted JPS6213044A (en)

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